专利名称：用于紧压包装的散热器和冷却及包装叠层的制作方法
技术领域：
本发明大体上涉及功率电子设备，且更具体地涉及用于功率电子设备的改进式冷 却。
背景技术：
大功率转换器如中压工业驱动器、用于油气的变频器、牵引驱动器、柔性AC传输 (FACT)装置，以及其它大功率转换设备，如整流器和逆变器，通常包括具有液体冷却的紧压 包装(press-pack)功率装置。功率装置的非限制性实例包括集成门极换向晶闸管(IGCT)、 二极管、绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)、晶闸管以及门极可关断晶闸管(GTO)。紧压包装装 置对于大功率应用特别有利，并且紧压包装的好处包括双面冷却，以及在故障期间不会出 现等离子爆炸的情形。为了构造使用紧压包装装置的大功率转换器电路，通常夹入散热器和紧压包装装 置来形成叠层(stack)。现有技术水平的功率转换器叠层通常使用具有直径较大的冷却通 道的常规液冷式散热器。散热器和功率装置并未集成到现有技术水平的功率转换器叠层 中。在有些应用中，热脂层设置在紧压包装装置和液冷散热器中的各个紧压包装装置和液 冷散热器之间。在其它应用中，这些层中的至少一些层是仅由压力保持在一起，而没有热脂 在它们之间。该布置产生了显著的接触阻抗。这种功率转换器叠层的其它不足之处包括从 半导体结至液体有较高的热阻抗，以及由于所包括零件的数目而使叠层组件的结构和工艺 较为复杂。因此期望的是，改善使用紧压包装装置的功率转换器叠层的热性能和包装。更具 体而言，期望的是，减小从半导体结至液体的热阻抗以便提高可靠性和/或功率密度。进一 步期望的是，提供一种相对简单的叠层组件结构来提高可维修性。
发明内容
简而言之，本发明的一个方面在于一种用于直接冷却至少一个电子装置包装 (package)的散热器。该电子装置包装具有上接触表面和下接触表面。散热器包括由至少 一种热传导性材料形成的冷却件。冷却件限定了构造成用以接收冷却剂的多个进入歧管， 以及构造成用以排放冷却剂的多个排出歧管。进入歧管和排出歧管是交错的。冷却件还限 定了构造成用以接收来自于进入歧管的冷却剂且将冷却剂输送给排出歧管的多个毫通道 (millichannel)。毫通道及进入歧管和排出歧管还构造成用以通过与冷却剂直接接触来 直接冷却电子装置包装的上接触表面和下接触表面中的一者，使得散热器构成一体式散热
ο本发明的另一个方面在于包括至少一个散热器的冷却及包装叠层。该散热器包括 冷却件，该冷却件限定构造成用以接收冷却剂的多个进入歧管、构造成用以排放冷却剂的 多个排出歧管，以及构造成用以接收来自于进入歧管的冷却剂且将冷却剂输送给排出歧管 的多个毫通道。进入歧管和排出歧管是交错的。叠层还包括具有上接触表面和下接触表面的至少一个电子装置包装。歧管和毫通道设置成邻近于上接触表面和下接触表面中的相应 一个接触表面，用于通过与冷却剂直接接触来直接冷却该相应的表面，使得散热器构成一 体式散热器。
当参照附图研读如下详细描述时，本发明的这些及其它特征、方面和优点将变得 更容易理解，所有附图中的相似标号表示相似的零件，在附图中图1描绘了具有上散热器和下散热器的电子装置包装；图2示出了具有并入到单个冷却件中的毫通道和歧管的散热器；图3示出了用于图2或图4中的散热器的径向毫通道的截面；以及图4示出了增加了径向通道数目的散热器设计；图5示出了构造成用于多个电子装置包装的冷却及包装叠层；图6为图2或图4中的歧管布置的截面图；图7示出了用于本发明的双面散热器的密封布置；以及图8为示出用于本发明的双面散热器实施例的偏移歧管布置的截面图。尽管上述图形列出了备选实施例，但还可构思出本发明的其它实施例，正如如下 论述中将提到的。在所有情况下，本公开内容都是通过代表而非限制的方式来介绍本发明 的所示实施例。本领域的技术人员可设计出落入本发明原理的范围和精神内的多个其它修 改和实施例。零件清单2散热器的第一表面3进入腔室4散热器的第二表面5排出腔室 10散热器11进入端口 12进入歧管13排出端口 14排出歧管16毫通道20电子装置包 装(紧压包装)21半导体装置22电子装置包装的上接触表面23晶片M电子装置包装 的下接触表面25上热膨胀系数(CTE)匹配板沈紧压包装壳体27下热膨胀系数(CTE)匹 配板观上电极四下电极100冷却及包装叠层300散热器302用于收容0形圈的凹槽 304垫圈(0形圈)310冷却件
具体实施例方式参照图1至图4，描述了用于直接冷却至少一个电子装置包装20的散热器300。例 如，如图1中所示，示例性的电子装置包装20具有上接触表面22和下接触表面24。散热 器300包括由至少一种热传导性材料形成的冷却件310。例如，如图2和图4中所示，冷却 件310限定了构造成用以接收冷却剂的多个进入歧管12，以及构造成用以排放冷却剂的多 个排出歧管14。例如，如图2、图4、图6和图8中所示，进入歧管和排出歧管为交错的(相 间错杂的)。冷却件310还限定了构造成用以接收来自于进入歧管的冷却剂且将冷却剂输 送给排出歧管的多个毫通道16。毫通道16及进入歧管12和排出歧管14还构造成用以通 过与冷却剂直接接触来直接冷却电子装置包装20的上接触表面22和下接触表面M中的 一个接触表面，使得散热器构成一体式散热器。更具体而言，歧管12，14和毫通道16设置 成邻近于上接触表面22和下接触表面24中相应的一个接触表面，用于通过与冷却剂直接 接触来冷却该相应的表面。根据更为具体的实施例，毫通道16及进入歧管12和排出歧管 14构造成用以将冷却剂均勻地输送给被冷却的电子装置包装的上接触表面22和下接触表 面M中的相应的一个接触表面。
因此，散热器300 —体地形成到电子装置包装20中，其中，散热器300通过与冷却 剂直接接触来冷却电子装置包装20。换句话说，一体式散热器300的毫通道16及进入歧 管12和排出歧管14在面对功率装置包装20的一侧敞开，使得流过毫通道16的冷却剂可 直接接触功率装置包装20。这种布置是对现有技术的自含式(self-contained)散热器的 显著改进，在现有技术的自含式散热器中，冷却剂包含在散热器内，且因此必须经由散热器 外壳来间接地冷却该装置。通过除去这些附加的热层，本发明的一体式散热器300提供了 对功率装置的增强冷却。冷却件310可使用各种热传导性材料形成，其非限制性的实例包括铜、铝、镍、钼、 钛、它们的合金、金属基体复合材料如铝碳化硅(AlSiC)、铝石墨，以及陶瓷如氮化硅陶瓷。 冷却件可进行铸造和/或机加工。例如，冷却件310可进行铸造，且之后进行机加工用以进 一步地限定细微特征和表面要求。冷却剂的非限制性实例包括去离子水及其它非导电液体。对于特定的实施例，歧管12，14具有相对大于毫通道16的直径。在一个非限制性 实例中，毫通道的宽度在大约0. 5mm至大约2. Omm的范围内，而毫通道的深度在大约0. 5mm 至大约2mm的范围内。具体而言，通道的厚度可确定成用以确保半导体上的压力均勻性。通 过使半导体上的压力分布更为均勻，半导体的性能就不会受到损害。此外，应当注意到，毫 通道16和歧管12，14可具有多种截面形状，包括但不限于环形、圆形、梯形、三角形，以及正 方形/矩形截面。通道形状基于应用场合和制造约束进行选择，且会影响适用的制造方法 及冷却剂流。有利的是，将毫通道16并入散热器10中会显著地增大自半导体装置20至冷 却剂的热传导表面积。在所示的布置中，进入歧管12和排出歧管14设置成圆形(本文也称为轴向)布 置，而毫通道16设置成径向布置。在另一个实例(未示出)中，进入歧管12和排出歧管14 设置成径向布置，而毫通道16设置成圆形(轴向)布置。如文中所用，词组“圆形布置”和 “轴向布置”应当理解为包绕连接径向通路(毫通道或歧管，这取决于实施例)的弯曲和平 直的“圆形”通路(或歧管或毫通道，这取决于实施例)。对于图2和图4中所示的示例性布置，冷却件310还限定用于收容垫圈304(见图 7)如0形圈的凹槽302。如图7中所示，垫圈304用于将散热器300密封到相邻的电子装 置包装20上。例如，如图6中所示，冷却剂经由进入腔室3供送到散热器300中。如图6 中所示，冷却剂然后经由进入端口 11流入进入歧管(交替的同心歧管段)12中。例如，如 图6中所示，在穿过毫通道16 (参见图2或图4)之后，冷却剂从排出歧管14 (其它交替的 同心歧管段)经由排出端口 13排放至排出腔室5。图3示出了径向通道16如径向毫通道的截面。图4示出了增加径向通道的数目 以便减小压降且相应地改善冷却效率的设计。更具体而言，对于图4中所示的示例性布置， 接近冷却件310周边的径向通道数目相对于接近冷却件310中心的径向通道数目更大。这 种布置容许对于给定的空间及加工约束包含附加的径向通道。有利的是，例如，如图2至图4中所示，通过将毫通道和进入/排出歧管并入单个 的冷却件310，简化了组装过程。具体而言，使用单个冷却件310消除了对连结两个构件的 需求。作为替代，散热器300可使用垫圈304如0形圈组件来密封到相邻的装置包装20上， 该垫圈304在相邻构件之间提供了稳健且简单的密封。
对于上文参照图1至图4描述的示例性实施例，上接触表面22和下接触表面M 可为圆形截面，而冷却件310可为圆柱形(S卩，盘形或冰球形(hockey-puck)布置)。然而， 还可使用其它几何形状，包括但不限于正方形和矩形截面。对于图1中所描绘的示例性布 置，电子装置包装20为紧压包装20。尽管下面提供了示例性紧压包装构造来用于说明的 目的，但本发明并不限于任何特定的装置结构。在实例中，紧压包装20包括形成在晶片23 上的至少一个半导体装置21、上热膨胀系数(CTE)匹配板25和下热膨胀系数匹配板27，以 及上电极观和下电极四。例如，如图1中所示，晶片23设置在CTE板25，27之间，上电极 28设置在上CTE板25上方，而下CTE板27设置在下电极四的上方。对于紧压包装的实 施例，晶片23、CTE板25，27及电极观，29中的各个均可具有圆形截面。半导体装置的非 限制性实例包括IGCT、GT0及IGBT。本发明在由各种半导体制成的半导体装置上获得了应 用，半导体的非限制性实例包括硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)，以及砷化镓(GaAs)。 例如，如图1中所示，紧压包装通常包括绝缘(例如，陶瓷)壳体沈。尽管图1示出了散热 器在壳体沈外延伸，但在其它实施例中，散热器300的冷却件310可设置在壳体沈内。此 外，电极28，29可垂直地延伸超过壳体沈的范围，且例如，顺应性密封件设置在电极28 (和 29)的外周边与壳体沈之间。此外，散热器300可伸出壳体(如图所示)，以允许电性连接 以及用于安置需要冷却的其它装置。因此，冷却件310可具有大于壳体沈的直径。散热器300可为单面的或双面的。例如，对于图5中所描绘的实施例，上散热器和 下散热器300描绘成了单面的，而中间的散热器300为双面的。双面散热器构造成用于直 接冷却多个(具体而言是两个)电子装置包装20。如图5中所示，对于双面散热器300，冷 却件310具有第一表面2和第二表面4。毫通道16、进入歧管12和排出歧管14的第一子 集(subset)形成在冷却件310的第一表面2中。(例如，参见图2和图4中的布置。)类 似而言，毫通道16、进入歧管12和排出歧管14的第二子集形成在冷却件310的第二表面4 中。(例如，参见图2和图4中的布置。)毫通道的第一子集构造成用以通过与冷却剂直接 接触来直接冷却其中一个电子装置包装20的上接触表面22，而毫通道的第二子集则构造 成用以通过与冷却剂直接接触来直接冷却其中另一个电子装置包装20的下接触表面M。图8描绘了用于双面散热器的进入歧管和排出歧管的偏移布置。如图8中所示， 第一子集中的进入歧管12偏离第二集合中的进入歧管。类似而言，第一子集中的排出歧管 14偏离第二集合中的排出歧管。更具体而言，第一子集中的进入歧管定位成与第二子集中 的排出歧管相对。类似而言，第一子集中的排出歧管定位成与第二子集中的进入歧管相对。 这种偏移布置具有多种优点。通过将在第一冷却面上载有热流体的歧管(排出歧管)定位 成与在另一冷却面上载有冷流体的歧管(进入歧管)相对，与进入歧管对齐和排出歧管对 齐的情形相比更好地实现了在歧管中的“热扩散”。此外，偏移布置改善了冷却剂的速度和 压力分布，所有这些都有助于改善散热器的性能。有利的是，散热器300提供了相对于功率装置的常规冷却而言增强的热传递。常 规散热器并未结合到紧压包装中，而是自含式的，在其中冷却剂并不接触功率装置，而是装 入在散热器内。因此，常规散热器包括外壳，该外壳通常经由增加热阻的热脂层联接到紧压 包装上。因此，常规散热器包含附加的热层(外壳)，这会妨碍热传递。相反，散热器300设 置成结合到紧压包装中，通过冷却剂的直接接触来直接冷却功率装置，从而增强热传递。此 外，交错的进入通道和排出通道将冷却剂均勻地输送到被冷却的装置表面上，并且毫通道增大了从功率装置至该一体式散热器中的冷却剂的热传导表面积。对于图1至图4中所示 的实施例，散热器300适于结合现有电子设备包装20如紧压包装20 —起使用。因此，散热 器300可在不改变装置包装的情况下形成一体地冷却常规紧压包装功率装置。此外，将毫 通道和进入/排出歧管并入到单个冷却件310中简化了组装过程。参照图5，描述了本发明的冷却及包装叠层100的实施例。冷却及包装叠层100包 括至少一个散热器300，该散热器300包括冷却件310，冷却件310限定了构造成用以接收 冷却剂的多个进入歧管12、构造成用以排放冷却剂的多个排出歧管14，以及构造成用以接 收来自于进入歧管的冷却剂且将冷却剂输送给排出歧管的多个毫通道16。散热器300在上 文中已描述，且因此就不再重复散热器的各种实施例的各种细节。冷却及包装叠层100还 包括具有上接触表面22和下接触表面M的至少一个电子装置包装20。歧管12，14和毫通 道16设置成邻近于上接触表面22和下接触表面M中相应的一个接触表面，用于通过与冷 却剂的直接接触来直接冷却该相应的表面，使得散热器构成一体式散热器。上文已描述了用于散热器300的示例性材料。在上文参照图2、图6和图8描述了 进入歧管12和排出歧管14。对于图6中所示的实施例，冷却剂经由进入腔室3输送给散热 器300，且经由排出腔室5排放。在上文参照图2至图4描述了毫通道16的各种构造。歧 管和毫通道的相对布置在上文参照图2和图4进行了描述。在一个实施例中，进入歧管12 和排出歧管14设置成径向布置，而毫通道116设置成圆形(或更常见的轴向)布置。在图 2和图4中所示的实施例中，毫通道16设置成径向布置，而进入歧管12和排出歧管14设置 成圆形布置。为了增强冷却，叠层100中的散热器300可使用图4中所示的毫通道设计。如上 文所述，图4示出了增加径向通道数目以便减小压降且相应地改善冷却效率的设计。更具 体而言，对于图4中所示的示例性布置，接近冷却件310周边的径向通道数目相对于接近冷 却件310中心的径向通道数目更大。这种布置容许了在给定的空间及加工约束下包含附加 的径向通道。图5中所示的示例性布置示出了具有单面的上散热器和下散热器300以及双面的 中间散热器300的冷却构造。对于所示的实施例，叠层100包括多个散热器300和多个电 子装置包装20。如图所示，散热器300和电子装置包装20交替地布置。更具体而言，且如 上文所述，对于图5所示的实施例，其中的至少一个散热器300包括双面散热器。双面散热 器包括具有第一表面2和第二表面4的冷却件310。毫通道16、进入歧管12和排出歧管14 的第一子集形成在冷却件310的第一表面2中。类似而言，毫通道16、进入歧管12和排出 歧管14的第二子集形成在冷却件310的第二表面4中。毫通道16的第一子集构造成用以 利用冷却剂来冷却其中一个电子装置包装20的上接触表面22。类似而言，毫通道16的第 二子集构造成用以利用冷却剂来冷却其中另一个电子装置包装20的下接触表面对。如上 文参照图8所述，双面散热器可结合进入歧管和排出歧管的偏移布置，用以进一步提高散 热器性能。对于冷却及包装叠层100，散热器300密封到电子装置包装20的上接触表面22和 下接触表面M中的相应一个接触表面上，使得流过毫通道的冷却剂通过与冷却剂的直接 接触来直接冷却电子装置包装20的上接触表面和下接触表面中的该相应一个接触表面。 对于图2和图7中所描绘的示例性布置，各冷却件310均进一步限定了至少一个凹槽302。例如，如图7中所示，叠层100还包括设置在凹槽302中用于将散热器300密封到相应的电 子装置包装20上的至少一个垫圈304。在具体的实施例中，垫圈304包括0形圈。有利的 是，该组装过程相对简单且稳健，需要较少的制造步骤，且消除了对较为复杂的组装技术如 焊接或其它金属连结技术的需求。应当注意到，图5中所示的特定布置仅为示范性的，且冷却及包装叠层100可包括 任意数目的电子装置包装20，以及用于冷却电子装置包装的对应的散热器300。本发明的 多个好处的其中之一在于其冷却所期望数目的装置包装的灵活性和模块化。对于上文参照图5所描述的示例性实施例，上接触表面22和下接触表面M中的 各个接触表面均可为圆形截面，而各冷却件310均可为圆柱形截面(即，盘形或冰球形布 置)。然而，且如上文所述，还可使用其它几何形状，包括但不限于正方形和矩形截面。根 据更为具体的实施例，电子装置包装20为紧压包装20。如上文所述，本发明不限于任何特 定的装置结构。然而，为了说明的目的提供了如下示例性的紧压包装构造。例如，如图1中 所示，在实例中，紧压包装20包括形成在晶片23上的至少一个半导体装置21。例如，如图 1中所示，紧压包装20还包括上热膨胀系数(CTE)匹配板25及下热膨胀系数匹配板27，以 及上电极28和下电极四。晶片23设置在CTE板25，27之间。上电极28设置在上CTE板 25上方，而下CTE板27设置在下电极四上方。晶片23、CTE板25，27和电极观，29中的各 个均具有圆形截面。例如，如图1和图5中所示，对于所示的紧压包装实施例，叠层100还 包括绝缘(例如，陶瓷)壳体沈。如上文所述，尽管图1和图5示出了散热器在壳体沈外 延伸，但在其它实施例中，散热器300的冷却件310设置在壳体沈内。有利的是，冷却及包装叠层100提供了相对于常规冷却功率装置而言增强的热传 递，具有稳健且简单的密封布置。例如，散热器可使用相对简单的0形圈组件密封到相邻的 装置包装上。此外，在具体的实施例中，可通过使冷却剂直接接触紧压包装20的上接触表 面22和下接触表面M来增强热传递。此外，通过将窄而深的毫通道16直接定位在功率装 置下方，可最大程度地增大装置对于液体相接合的热传递表面积。相比于紧压包装装置和 液冷式散热器的常规叠层组件而言，热阻大为降低，且压降和流速相对较低。通过以较低的 压降来实现相对较高的流速，增强了冷却。通过由改善热性能而提供较高可靠性和较大的工作裕度，散热器300和冷却及包 装叠层100对于需要很高可靠性的应用而言就特别理想，这些应用例如有油气的液化天然 气(LNG)及管线驱动、油气的海底输送和分配，以及驱动。此外，散热器300和冷却及包装 叠层100可在多种应用中使用，其中的非限制性实例包括大功率应用，如金属轧制机、造纸 机器和牵引设备等。尽管本文仅示出和描述了本发明的一些实施例，但本领域的技术人员可想到一些 修改和变化。因此，应当理解到，期望的是所附权利要求涵盖落入本发明的真正精神内的所 有这些修改和变化。
权利要求
1.一种用于直接冷却至少一个电子装置包装00)的散热器(300)，所述电子装置包装 具有上接触表面0 和下接触表面(M)，所述散热器包括由至少一种热传导性材料形成 的冷却件(310)，其中，所述冷却件限定构造成用以接收冷却剂的多个进入歧管(12)；构造成用以排放所述冷却剂的多个排出歧管(14)，其中，所述进入歧管和所述排出歧 管为交错的；以及构造成用以接收来自于所述进入歧管的所述冷却剂且将所述冷却剂输送给所述排出 歧管的多个毫通道(16)，其中，所述毫通道及所述进入歧管和所述排出歧管还构造成用以 通过与所述冷却剂的直接接触来直接冷却所述电子装置包装的上接触表面和下接触表面 中的一个接触表面，使得所述散热器构成一体式散热器。
2.根据权利要求1所述的散热器(300)，其特征在于，所述进入歧管(12)和所述排出 歧管(14)设置成径向布置，以及其中，所述毫通道(16)设置成圆形布置。
3.根据权利要求1所述的散热器(300)，其特征在于，所述毫通道(16)设置成径向布 置，以及其中，所述进入歧管(1 和所述排出歧管(14)设置成圆形布置。
4.根据权利要求1所述的散热器(300)，其特征在于，所述散热器用于直接冷却多个电 子装置包装(20)，其中，所述冷却件(310)具有第一表面( 和第二表面G)，其中，所述毫 通道(16)、所述进入歧管(1 和所述排出歧管(14)的第一子集形成在所述冷却件的第一 表面中，其中，所述毫通道、所述进入歧管和所述排出歧管的第二子集形成在所述冷却件的 第二表面中，其中，毫通道及进入歧管和排出歧管的所述第一子集构造成用以利用所述冷 却剂来直接冷却所述电子装置包装中的一个电子装置包装的上接触表面，以及其中，毫通 道及进入歧管和排出歧管的所述第二子集构造成用以利用所述冷却剂来直接冷却所述电 子装置包装中的另一个电子装置包装的下接触表面。
5.根据权利要求4所述的散热器(300)，其特征在于，所述第一子集中的所述进入歧管 (12)偏离第二集合中的所述进入歧管，以及其中，所述第一子集中的所述排出歧管(14)偏 离所述第二集合中的所述排出歧管。
6.根据权利要求1所述的散热器(300)，其特征在于，所述冷却件(310)还限定用于收 容垫圈的凹槽(302)。
7.根据权利要求1所述的散热器(300)，其特征在于，所述毫通道(16)设置成径向布 置，其中，所述进入歧管(1 和所述排出歧管(14)设置成圆形布置，以及其中，接近所述冷 却件(310)周边的径向通道数目相对于接近所述冷却件中心的径向通道数目更大。
8.—种冷却及包装叠层(100)，包括包括冷却件(310)的至少一个散热器(300)，所述冷却件(310)限定了构造成用以接收 冷却剂的多个进入歧管(12)、构造成用以排放所述冷却剂的多个排出歧管(14)，以及构造 成用以接收来自于所述进入歧管的所述冷却剂且将所述冷却剂输送给所述排出歧管的多 个毫通道(16)，其中，所述进入歧管和所述排出歧管为交错的；以及包括上接触表面0 和下接触表面04)的至少一个电子装置包装00)，其中，所述歧管和所述毫通道设置成邻近于所述上接触表面和所述下接触表面中的相 应一个接触表面，用于通过与所述冷却剂的直接接触来直接冷却所述相应表面，使得所述 散热器构成一体式散热器。2
9.根据权利要求8所述的叠层(100)，其特征在于，所述叠层(100)包括多个散热器 (300)和多个电子装置包装(20)，其中，所述散热器和所述电子装置包装交替地布置。
10.根据权利要求9所述的叠层(100)，其特征在于，所述散热器(300)中的至少一个 散热器包括双面散热器，其中，所述双面散热器包括具有第一表面( 和第二表面(4)的冷 却件(310)，其中，所述毫通道(16)、所述进入歧管(1 和所述排出歧管(14)的第一子集 形成在所述冷却件的第一表面中，其中，所述毫通道、所述进入歧管和所述排出歧管的第二 子集形成在所述冷却件的第二表面中，其中，毫通道及进入歧管和排出歧管的所述第一子 集构造成用以通过与所述冷却剂的直接接触来直接冷却所述电子装置包装中的一个电子 装置包装的上接触表面(22)，其中，毫通道及进入歧管和排出歧管的所述第二子集构造成 用以通过与所述冷却剂的直接接触来直接冷却所述电子装置包装中的另一个电子装置包 装的下接触表面04)，其中，所述第一子集中的所述进入歧管偏离第二集合中的所述进入 歧管，以及其中，所述第一子集中的所述排出歧管偏离所述第二集合中的所述排出歧管。
全文摘要
本发明涉及用于紧压包装的散热器和冷却及包装叠层。提供了用于直接冷却至少一个电子装置包装(20)的散热器(300)。电子装置包装具有上接触表面(22)和下接触表面(24)。散热器包括由至少一种热传导性材料形成的冷却件(310)。冷却件限定构造成用以接收冷却剂的多个进入歧管(12)，以及构造成用以排放冷却剂的多个排出歧管(14)。进入歧管和排出歧管是交错的。冷却件还限定了构造成用以接收来自于进入歧管的冷却剂且将冷却剂输送给排出歧管的多个毫通道(16)。毫通道及进入歧管和排出歧管还构造成用以通过与冷却剂的直接接触来直接冷却电子装置包装的上接触表面和下接触表面中的一者，使得散热器构成一体式散热器。
文档编号H05K7/20GK102076203SQ20091025263
公开日2011年5月25日 申请日期2009年11月24日 优先权日2009年11月24日
发明者A·G·保世, L·D·斯特瓦诺维克, L·颜, M·巴拉苏布拉马尼亚姆, R·A·博普雷, R·S·张, R·V·马利娜, S·A·索洛维奇, S·S·冈图里 申请人:通用电气公司