高频信号线路及电子设备的制作方法

专利名称：高频信号线路及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及高频信号线路及电子设备，更具体而言，涉及具备信号线及与该信号线相对的接地导体的高频信号线路及电子设备。
背景技术：
作为用于在高频电路之间进行连接的高频信号线路，一般使用同轴电缆。同轴电缆容易进行弯曲等变形且廉价，因此广泛得以使用。另外，近年来，正在推进移动体通信终端等高频设备的小型化。因此，难以在高频设备中确保用来配置具有圆形截面形状的同轴电缆的空间。因此，有时使用在挠性层叠体内形成带状线的高频信号线路。三板带状线具有用接地导体夹着信号线的结构。该高频信号线路的层叠方向厚度小于同轴电缆的直径，因此，能在无法收纳同轴电缆的较小空间内收纳高频信号线路。此外，作为有关上述高频信号线路的发明，已知的有专利文献I所记载的柔性基板。在专利文献I所记载的柔性基板中，对接地导体设有开口部，与用形成于整个表面的接地导体来夹着带状线的情况相比，其具有容易弯曲的结构。然而，在专利文献I所记载的柔性基板中，存在电磁场从开口泄漏到柔性基板外部的可能性。因此，若在柔性基板周围设置电介质、金属体等物品，则有可能在柔性基板的信号线与物品之间产生电磁场耦合。其结果是，柔性基板的信号线的特性阻抗有可能从规定特性阻抗偏离。现有技术文献专利文献 专利文献1:日本专利特开2007 - 123740号公报

发明内容
发明所要解决的问题因此，本发明的目的在于提供能容易弯曲、且能抑制信号线的特性阻抗从规定特性阻抗偏离的高频信号线路及电子设备。为解决问题所采用的技术方案本发明的一个实施方式所涉及的高频信号线路的特征在于，包括层叠体，该层叠体由绝缘体层层叠而成，且具有第一主面及第二主面；信号线，该信号线设置在所述层叠体上且呈线状；第一接地导体，该第一接地导体是设置在所述层叠体上、且经由所述绝缘体层而与所述信号线相对的接地导体，并沿所述信号线连续延伸；以及第二接地导体，该第二接地导体是设置在所述层叠体上、且隔着所述信号线而与所述第一接地导体相对的接地导体，并沿所述信号线排列设置有多个开口，相对于所述信号线位于所述第一接地导体一侧的所述第一主面成为与物品相接触的接触面。本发明的其它实施方式所涉及的高频信号线路的特征在于，包括单元体，该单元体具有第一主面及第二主面；信号线，该信号线设置在所述单元体上且呈线状；第一接地导体，该第一接地导体在所述单元体中设置得比所述信号线要靠近所述第一主面一侧，且与所述信号线相对；第二接地导体，该第二接地导体在所述单元体中隔着所述信号线与所述第一接地导体相对，且沿该信号线设有开口 ；粘接层，该粘接层设置在所述第一主面上；以及覆盖层，该覆盖层以可剥离的方式粘贴于所述粘接层，本发明的一个实施方式所涉及的电子设备的特征在于，包括高频信号线路；以及物品，所述高频信号线路经由剥离所述覆盖层后所露出的所述粘接剂，而固定于所述物品。发明效果根据本发明，能容易地进行弯曲，并且能抑制信号线的特性阻抗从规定特性阻抗偏离。


图1是本发明的实施方式I所涉及的高频信号线路的外观立体图。图2是图1的高频信号线路的电介质单元体的分解图。图3是图1的高频信号线路的截面结构图。图4是高频信号线路的截面结构图。图5是高频信号线路的连接器的外观立体图及截面结构图。图6是从y轴方向和z轴方向俯视使用了高频信号线路的电子设备的图。图7是图6(a)的C处的截面结构图。图8是利用实施方式I的变形例I所涉及的安装方法将高频信号线路固定于电池组时的截面结构图。图9是利用实施方式I的变形例2所涉及的安装方法将高频信号线路固定于电池组时的截面结构图。图10是采用了实施方式I的变形例3所涉及的安装方法的电子设备内部的外观立体图。图11是实施方式I的变形例I所涉及的高频信号线路层叠体的分解图。图12是从z轴方向透视图11的高频信号线路的图。图13是提取出实施方式I的变形例I所涉及的高频信号线路的一部分时的等效电路图。图14是实施方式I的变形例2所涉及的高频信号线路层叠体的分解图。图15是实施方式I的变形例3所涉及的高频信号线路层叠体的分解图。图16是实施方式I的变形例4所涉及的高频信号线路层叠体的分解图。图17是实施方式I的变形例5所涉及的高频信号线路层叠体的分解图。图18是从z轴方向透视图17的高频信号线路的图。图19是实施方式I的变形例6所涉及的高频信号线路层叠体的分解图。图20是从z轴方向透视图19的高频信号线路的图。图21是本发明的实施方式2所涉及的高频信号线路的外观立体图。图22是图21的高频信号线路的电介质单元体的分解图。
图23是图21的高频信号线路的截面结构图。图24是高频信号线路的截面结构图。图25是电子设备200的截面结构图。图26是将高频信号线路粘贴到电池组时的截面结构图。图27是实施方式2的变形例I所涉及的高频信号线路层叠体的分解图。图28是实施方式2的变形例2所涉及的高频信号线路层叠体的分解图。图29是实施方式2的变形例3所涉及的高频信号线路层叠体的分解图。图30是实施方式2的变形例4所涉及的高频信号线路层叠体的分解图。图31是实施方式2的变形例5所涉及的高频信号线路层叠体的分解图。图32是实施方式2的变形例6所涉及的高频信号线路层叠体的分解图。图33是实施方式2的变形例7所涉及的高频信号线路的外观立体图。图34是图33的高频信号线路的电介质单元体的分解图。图35是图33的高频信号线路的截面结构图。图36是实施方式2的变形例8所涉及的高频信号线路的外观立体图。图37是图36的高频信号线路的电介质单元体的分解图。图38是图36的高频信号线路的截面结构图。图39是实施方式2的变形例9所涉及的高频信号线路的外观立体图。图40是图39的高频信号线路的电介质单元体的分解图。图41是图39的高频信号线路的截面结构图。图42是实施方式2的变形例10所涉及的高频信号线路电介质单元体的分解图。
具体实施例方式(实施方式I)下面，参照附图，对本发明的实施方式I所涉及的高频信号线路及电子设备进行说明。(高频信号线路的结构)下面，参照附图，对本发明的实施方式I所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图1是本发明的实施方式I所涉及的高频信号线路10的外观立体图。图2是图1的高频信号线路10的电介质单元体12的分解图。图3是图1的高频信号线路10的截面结构图。图4是高频信号线路10的截面结构图。图5是高频信号线路10的连接器IOOb的外观立体图及截面结构图。在图1至图5中，将高频信号线路10的层叠方向定义为z轴方向。此夕卜，将高频信号线路10的长边方向定义为X轴方向、将正交于X轴方向及z轴方向的方向定义为I轴方向。例如在移动电话等电子设备内，闻频"[目号线路10用于将两个闻频电路相连接。如图1至图3所示，高频信号线路10包括电介质单元体12、外部端子16(16a、16b)、信号线20、接地导体22、24、通孔导体131几2、81、82及连接器100a、100b。从z轴方向俯视时，电介质单元体12沿X轴方向延伸，且包含线路部12a及连接部12b、12c。电介质单元体12是将图2所示保护层14及电介质片材(绝缘体层)18 (18a 18c)按照从z轴方向的正方向侧到负方向侧的顺序依次进行层叠而构成的层叠体。下面，将电介质单元体12的z轴方向的正方向侧的主面称作表面(第一主面)，将电介质单元体12的z轴方向的负方向侧的主面称作背面(第二主面)。线路部12a沿X轴方向延伸。连接部12b、12c分别连接至线路部12a的x轴方向的负方向侧端部及X轴方向的正方向侧端部，且呈矩形。连接部12b、12c的y轴方向宽度比线路部12a的y轴方向宽度要宽。从z轴方向俯视时，电介质片材18沿X轴方向延伸，且其形状与电介质单元体12相同。电介质片材18由聚酰亚胺、液晶聚合物等具有挠性的热可塑性树脂来构成。如图4所示，电介质片材18a的厚度Tl比电介质片材18b的厚度T2要厚。例如，将电介质片材18a 18c进行层叠后，厚度Tl为50 300 iim。在本实施方式中，厚度Tl为150 y m。此夕卜，厚度T2为10 IOOii m。在本实施方式中，厚度T2为50iim。下面，将电介质片材18的z轴方向的正方向侧的主面称作表面，将电介质片材18的z轴方向的负方向侧的主面称作背面。此夕卜，电介质片材18a包括线路部18a — a及连接部18a — b、18a — C。电介质片材18b包括线路部18b — a及连接部18b — b、18b — C。电介质片材18c包括线路部18c —a及连接部18c — b、18c — Co由线路部18a — a、18b — a、18c — a来构成线路部12a。由连接部18a - b、18b - b、18c - b来构成连接部12b。由连接部18a — c、18b — c、18c —c来构成连接部12c。如图1及图2所不，夕卜部端子16a是设置在连接部18a — b的表面中央附近的矩形导体。如图1及图2所示，外部端子16b是设置在连接部18a - c的表面中央附近的矩形导体。外部端子16a、16b由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。此外，在外部端子16a、16b的表面上实施镀金。如图2所示，信号线20是设置在电介质单元体12内的线状导体，且在电介质片材18b的表面上沿X轴方向延伸。从z轴方向俯视时，信号线20的两端分别与外部端子16a、16b重叠。信号线20的线宽为例如100 500 ii m。在本实施方式中，信号线20的线宽是240 u m0信号线20由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。 如图2所示，接地导体22 (第一接地导体)设置成在电介质单元体12内比信号线20要靠近z轴方向正方向一侧，更详细而言，将接地导体22设置在最靠近电介质单元体12的表面的电介质片材18a的表面上。接地导体22在电介质片材18a的表面上沿x轴方向延伸，且隔着电介质片材18a与信号线20相对。实质上，接地导体22上不设有开口。换言之，接地导体22是沿线路部12a中的信号线20在x轴方向上连续延伸的电极、即所谓的实心状电极。但是，接地导体22无需完全覆盖线路部12a，例如，为了使对电介质片材18的热可塑性树脂进行热压接时所产生的气体排出，也可在接地导体22的规定位置上设置微小的孔。接地导体22由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。此外，接地导体22包括线路部22a、端子部22b、22c。线路部22a设置在线路部18a - a的表面上，且沿X轴方向延伸。端子部22b设置在线路部18a — b的表面上，且呈包围外部端子16a的周围的矩形环。端子部22b连接至线路部22a的x轴方向的负方向侧端部。端子部22c设置在线路部18a - c的表面上，且呈包围外部端子16b的周围的环状矩形。端子部22c连接至线路部22a的x轴方向的正方向侧端部。如图2所示，接地导体24(第二接地导体)设置成在电介质单元体12内比信号线20要靠近z轴方向负方向一侧,更详细而言,将接地导体24设置在电介质片材18c的表面上。由此,将接地导体24设置在电介质片材18b、18c之间。接地导体24在电介质片材18c的表面上沿X轴方向延伸，且隔着电介质片材18b与信号线20相对。S卩，接地导体24隔着信号线20与接地导体22相对。接地导体24由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。此外，接地导体24包括线路部24a、端子部24b、24c。线路部24a设置在线路部18c - a的表面上，且沿X轴方向延伸。而且，对于线路部24a，沿信号线20交替设置未形成有导体层的多个开口 30和形成有导体层的部分即多个桥接部60，从而线路部24a呈梯子状。如图2及图4所示，从z轴方向俯视时，开口 30呈长方形且与信号线20重叠。由此，从z轴方向俯视时，信号线20与开口 30及桥接部60交替重叠。此外，开口 30等间隔地进行排列。端子部24b设置在线路部18c - b的表面上，且呈矩形环。端子部24b连接至线路部24a的X轴方向的负方向侧端部。端子部24c设置在线路部18c — c的表面上，且呈矩形环。端子部24c连接至线路部24a的x轴方向的正方向侧端部。如上所述，利用接地导体22、24从z轴方向两侧隔着电介质层18a、18b而夹着信号线20。即，信号线20及接地导体22、24形成三板带状线结构。此外，如图4所示，信号线20与接地导体22之间的间隔大致等于电介质片材18a的厚度Tl，例如为50 y m 300 y m。在本实施方式中，信号线20与接地导体22之间的间隔为150 iim。另一方面，如图4所示，信号线20与接地导体24之间的间隔大致等于电介质片材18b的厚度T2，例如为10 ii m IOOum0在本实施方式中，信号线20与接地导体24之间的间隔为50 iim。即，设计成厚度Tl大于厚度T2。如上所述，通过使厚度Tl大于厚度T2，使得在接地导体22与信号线20之间产生的静电电容减小，且能增大信号线20的线宽以使其具有规定阻抗(例如50Q)。能由此来降低传输损失，因此，能力图提高高频信号线路的电特性。在本实施方式中，主要考虑在接地导体22与信号线20之间所 产生的静电电容来设计阻抗，作为用于降低信号辐射的接地导体来设计接地导体24的阻抗。S卩，在接地导体22和信号线20中将特性阻抗设定得较高(例如70 Q )，且通过附加接地导体24来在高频信号线路的一部分上设置低阻抗较低的区域(例如30 Q )，从而将高频信号线路整体的阻抗设计成规定阻抗(例如50 Q )。通孔导体bl沿z轴方向贯穿电介质片材18a的连接部18a — b,将外部端子16a和信号线20的X轴方向的负方向侧端部相连接。通孔导体b2沿z轴方向贯穿电介质片材18a的连接部18a — C，将外部端子16b和信号线20的x轴方向的正方向侧端部相连接。由此，信号线20连接在外部端子16a、16b之间。通孔导体bl、b2由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。通孔导体B1、B2分别沿z轴方向贯穿电介质片材18a、18b的线路部18a — a、18b - a，在线路部18a — a、18b — a上分别设有多个通孔导体B1、B2。而且，通孔导体B1、B2彼此相连接，从而构成I根通孔导体，并将接地导体22和接地导体24相连接。通孔导体BUB2由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。保护层14覆盖电介质片材18a大致整个表面。由此，保护层14覆盖接地导体22。保护层14由例如抗蚀材料等挠性树脂所形成。
此外，如图2所示，保护层14包括线路部14a及连接部14b、14c。线路部14a覆盖线路部18a — a的整个表面，从而覆盖线路部22a。连接部14b连接至线路部14a的x轴方向的负方向侧端部,且覆盖连接部18a —b的表面。其中，在连接部14b中设有开口 Ha Hd。开口 Ha是设置在连接部14b的中央的矩形开口。外部端子16a经由开口 Ha露出至外部。此外，开口 Hb是设在开口 Ha的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口 He是设在开口 Ha的X轴方向负方向侧的矩形开口。开口 Hd是设在开口 Ha的y轴方向负方向侧的矩形开口。端子部22b经由开口 Hb Hd露出至外部，从而发挥外部端子的功能。连接部14c连接至线路部14a的x轴方向的正方向侧端部,且覆盖连接部18a —c的表面。其中，在连接部14c中设有开口 He Hh。开口 He是设置在连接部14c的中央的矩形开口。外部端子16b经由开口 He露出至外部。此外，开口 Hf是设在开口 He的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口 Hg是设在开口 He的X轴方向正方向侧的矩形开口。开口 Hh是设在开口 He的y轴方向负方向侧的矩形开口。端子部22c经由开口 Hf Hh露出至外部，从而发挥外部端子的功能。连接器100a、IOOb分别安装在连接部12b、12c的表面上。连接器100a、IOOb的结构相同，因此，下面举出连接器IOOb的结构为例进行说明。如图1及图5所示，连接器IOOb包括连接器主体102、外部端子104、106、中心导体108及外部导体110。连接器主体102呈矩形板上连结有圆筒的形状，且由树脂等绝缘材料来制作。在连接器主体102的板的z轴方向的负方向侧的表面上，将外部端子104设置在与外部端子16b相对的位置处。在连接器主体102的板的z轴方向的负方向侧的表面上，将外部端子106设置在与经由开口 Hf Hh而露出的端子部22c相对应的位置处。中心导体108设置在连接器主体102的圆筒中心，且与外部端子104相连接。中心导体108是输入或输出高频信号的信号端子。外部导体110设置在连接器主体102的圆筒内周面上，且与外部端子106相连接。外部导体110是维持接地电位的接地端子。具有如上结构的连接器IOOb按外部端子104与外部端子16b相连接、外部端子106与端子部22c相连接的方式来安装在连接部12c的表面上。由此，信号线20与中心导体108进行电连接。此外，接地导体22、24与外部导体110进行电连接。如下所说明那样来使用高频信号线路10。图6是从y轴方向和z轴方向俯视使用了高频信号线路10的电子设备200的图。图7是图6(a)的C处的截面结构图。电子设备200包括高频信号线路10、电路基板202a、202b、插座204a、204b、电池组(金属体)206及壳体210。在电路基板202a上设直有例如包含天线的发送电路或接收电路。电路基板202b上设置有例如供电电路。电池组206例如为锂离子充电电池，具有其表面被金属覆层所覆盖的结构。从X轴方向的负方向侧到正方向侧依次排列有电路基板202a、电池组206及电路基板202b。插座204a、204b分别设置在电路基板202a、202b的z轴方向负方向侧的主面上。插座204a、204b上分别连接有连接器100a、100b。由此，经由插座204a、204b，向连接器100a、IOOb的中心导体108施加在电路基板202a、202b之间进行传输的例如具有2GHz频率的高频信号。此外，经由电路基板202a、202b及插座204a、204b，将连接器100a、IOOb的外部导体110维持在接地电位。由此，高频信号线路10在电路基板202a、202b之间进行物理电连接。此处，如图7所示，电介质单元体12的表面(更确切而言，保护层14的表面)与电池组206相接触。而且，电介质单元体12的表面与电池组206通过粘接剂等进行固定。电介质单元体12的表面是相对于信号线20位于接地导体22 —侧的主面。由此，实心状(沿X轴方向连续延伸)的接地导体22位于信号线20与电池组206之间。(高频信号线路的制造方法)下面，参照图2，对高频信号线路10的制造方法进行说明。下面，以制作一个高频信号线路10的情形为例进行说明，但实际上，通过层叠和切割大型电介质片材，从而同时制作多个高频信号线路10。首先，准备电介质片材18，该电介质片材18由在其整个表面上形成有铜箔的热可塑性树脂形成。例如，通过对电介质片材18的铜箔表面实施防锈镀锌，来进行平滑化。电介质片材18是厚度为20 ii m 80 ii m的液晶聚合物。此外，铜箔厚度为10 y m 20 y m。接着，利用光刻工序，在电介质片材18a的表面上形成图2所示外部端子16和接地导体22。具体而言，在电介质片材18a的铜箔上印刷其形状与图2所示外部端子16(16a、lb)及接地导体22相同的抗蚀剂。然后，对铜箔实施蚀刻处理，从而将抗蚀剂未覆盖部分的铜箔去除。此后,去除抗蚀剂。从而,在电介质片材18a的表面上形成如图2所示的外部端子16及接地导体22。接着，利用光刻工序，在电介质片材18b的表面上形成图2所示信号线20。此外，利用光刻工序，在电介质片材18c的表面上形成图2所示接地导体24。另外，这些光刻工序与形成外部端子16及接地导体22时的光刻工序相同，因此省略其说明。接着，从背面侧对电介质片材18a、18b中要形成通孔导体bl、b2、B1、B2的位置照射激光束，从而形成贯穿孔。此后，将导电性糊料填充到在电介质片材18a、18b中所形成的贯穿孔中。接着，从z轴方向正方向侧到负方向侧依次层叠电介质片材18a 18c，以使接地导体22、信号线20及接地导体24形成带状线结构。然后，从z轴方向的正方向侧及负方向侧对电介质片材18a 18c施加热及压力，从而将电介质片材18a 18c软化并进行压接/ 一体化，并且，将填充至贯穿孔中的导电性糊料进行固化，以形成图2所示的通孔导体bl、b2、Bl、B2。另外，也可利用环氧类树脂等粘接剂代替热压接来将各电介质片材18进行一体化。此外，可在使电介质片材18 —体化后形成贯穿孔、并将导电性糊料填充至贯穿孔中或对贯穿孔形成镀膜，从而形成通孔导体bl、b2、B1、B2。最后，通过涂布树脂(抗蚀剂)糊料，从而在电介质片材18a上形成保护层14。由此，得到图1所示的高频信号线路10。(效果)根据具有以上结构的高频信号线路10，在接地导体24上设置有多个开口 30，因此，能容易弯曲高频信号线路10。此外，根据高频信号线路10，能抑制信号线20的特性阻抗从规定特性阻抗(例如50Q)偏离。更详细而言，在专利文献I所记载的柔性基板中，存在电磁场从开口泄漏到柔性基板外部的可能性。因此，若在柔性基板周围设置电介质、金属体等，则有可能在柔性基板的信号线与电介质、金属体等之间产生电磁场耦合。其结果是，柔性基板的信号线的特性阻抗有可能从规定特性阻抗偏离。另一方面，在高频信号线路10中，相对于信号线20位于接地导体22 —侧的电介质单元体12的表面接触到电池组206，位于接地导体24 —侧的电介质单元体12的表面成为与电池组等物品(金属体)分离开的非接触面。即，在信号线20与电池组206之间实质上设有接地导体22，而非设有接地导体24，在所述接地导体22上不设有开口，而在所述接地导体24上设有开口 30。由此，能抑制在信号线20与电池组206之间产生电磁场耦合。其结果是，在高频信号线路10中，能抑制信号线20的特性阻抗从规定特性阻抗偏离。即，在如通信终端等电子设备中，即便在设置于其壳体内的装载元器件与电子元器件之间、或壳体与这些元器件之间只存在狭窄间隙(空间)的情况下，也能将接地导体22—侧作为接触物品(金属体)的接触面，并将高频信号线路10配置在该间隙中，因此，能获得抑制高频信号线路的位置变动所导致的特性变动，且不易受到电子元器件、壳体的影响的高频信号线路。尤其，如高频信号线路10那样利用粘接剂等来固定物品(金属体)，则能进一步可靠地抑制位置变动所导致的特性变动。此外，根据高频信号线路10，还由于以下理由，从而能容易弯曲高频信号线路10。高频信号线路10的特性阻抗Z以V (L/C)来表示。L是与高频信号线路10的单位长度对应的电感值。C是与高频信号线路的单位长度对应的电容值。将高频信号线路10设计成使得Z成为规定特性阻抗(例如50 Q )。此处，为了使高频信号线路10能容易弯曲，考虑将高频信号线路10的z轴方向厚度(以下仅称作厚度)变薄。然而，若将高频信号线路10的厚度变薄，则信号线20与接地导体22、24之间的距离减小，电容值C增大。其结果是，特性阻抗Z变得比规定特性阻抗要小。因此，考虑以下方案S卩，使信号线20的y轴方向线宽(以下仅称作线宽)变细，使信号线20的电感值L增大，并且使信号线20与接地导体22、24之间的相对面积减小，从而使电容值C减小。 然而，难以高精度地形成较细线宽的信号线20。此外，若使信号线20的线宽变细，则传输损失增大，电特性劣化。因此，在高频信号线路10中，将开口 30设置在接地导体24上。由此，来减小信号线20与接地导体24之间的相对面积，从而减小电容值C。其结果是，在高频信号线路10中，能将特性阻抗Z维持成规定特性阻抗且能使其容易弯曲。此外，根据高频信号线路10，将接地导体24设置在电介质片材18b、18c之间。由此，接地导体24不露在电介质单元体12的背面。因此，即使在电介质单元体12的背面上配置有其它物品，但由于接地导体24与其它物品不直接相对，因此，也能抑制信号线20的特性阻抗的变动。(变形例所涉及的安装方法)下面，对变形例I所涉及的安装方法进行说明。图8是利用变形例I所涉及的安装方法将高频信号线路10固定于电池组206时的截面结构图。变形例I所涉及的安装方法中，接地导体22与电池组206进行电连接。更详细而言，在保护层14上设有开口 Op。由此，接地导体22的一部分经由保护层14的开口 Op而露出。而且，在开口 Op上配置焊料、导电性粘接剂以形成连接导体212，从而将接地导体24与电池组206进行电连接并进行固定。采用了以上安装方法的高频信号线路10中，不仅经由端子部22b、22c将接地导体22、24维持在接地电位，还经由金属物品即电池组206将接地导体22、24维持在接地电位。由此，能将接地导体22、24更稳定地维持在接地电位。作为这种金属物品，不限于电池组，还可以是印刷布线基板(例如接地端子)、金属外壳等。接着，对变形例2所涉及的安装方法进行说明。图9是利用变形例2所涉及的安装方法将高频信号线路10固定于电池组206时的截面结构图。在变形例2所涉及的安装方法中，以将高频信号线路10沿电池组206表面进行弯曲的状态来安装所述高频信号线路10。高频信号线路10能容易变形，因此，能使其沿电池组206弯曲。下面，对变形例3所涉及的安装方法进行说明。图10是采用了变形例3所涉及的安装方法的电子设备200内部的外观立体图。图6所示高频信号线路10在电池组206的z轴方向负方向侧的表面上沿X轴方向延伸而不进行弯曲。另一方面，在图10所示高频信号线路10中，连接部12b、12c向线路部12a弯曲。由此，高频信号线路10在电池组206的y轴方向正方向侧的侧面上沿X轴方向延伸。由于高频信号线路10能容易弯曲，因此，能容易实现这种配置。(实施方式I的变形例I所涉及的高频信号线路)

下面，参照附图，对变形例I所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图11是变形例I所涉及的高频信号线路IOa的层叠体12的分解图。图12是从z轴方向透视图11的高频信号线路IOa的图。图13是提取出变形例I所涉及的高频信号线路IOa的一部分时的等效电路图。高频信号线路10与高频信号线路IOa之间的不同之处在于开口 30的形状。下面，以所涉及的不同之处为中心，对高频信号线路IOa的结构进行说明。沿信号线20交替设置多个开口 30和多个桥接部60，从而接地导体24呈梯子状。如图12所示，从z轴方向俯视时，开口 30与信号线20重叠，开口 30相对于信号线20呈线对称形状。S卩，信号线20在开口 30的y轴方向中央进行横切。进一步地，直线A通过信号线20进行延伸的方向(X轴方向)上的开口 30的中央，且正交于信号线20 (即，沿y轴方向延伸)，开口 30相对于该直线A呈线对称形状。下面，进行更详细的说明。将包含X轴方向上的开口 30的中央的区域定义为区域Al。此外，将对应于桥接部60的区域定义为区域A2。此外，将位于区域Al与区域A2之间的区域称作区域A3。区域A3位于区域Al的X轴方向的相邻两侧，分别与区域A1、A2相邻接。区域A2的X轴方向的长度(即，桥接部60的长度)例如为25 200 iim。在本实施方式中，区域A2的x轴方向的长度为100 iim。如图12所示，直线A通过X轴方向上的区域Al的中央。而且，区域Al中的开口 30在正交于信号线20的方向(y轴方向)上的宽度Wl比区域A3中的开口 30在y轴方向上的宽度W2要宽。S卩，开口 30的形状为X轴方向上的开口 30的中央附近宽度比开口 30其它部分的宽度要宽，且相对于直线A呈线对称的形状。此外，在开口 30中，y轴方向宽度为宽度Wl的区域就是区域Al，y轴方向的宽度为宽度W2的区域就是区域A3。由此，开口 30的区域A1、A3的边界上存在高低差。宽度Wl例如为500 1500 μ m。在本实施方式中，宽度Wl为900 μ m。此外，宽度W2例如为250 750 μ m。在本实施方式中，宽度W2为480 μ m。此外，开口 30的X轴方向长度Gl例如为I 5mm。在本实施方式中，长度Gl为3mm。此处，长度Gl比开口 30的最大宽度即宽度Wl要长。而且，优选长度Gl为宽度Wl的2倍以上。此外，在接地导体24中，在相邻开口 30之间不设有开口。更详细而言，由相邻开口 30夹着的区域A2内，导体层(桥接部60)均匀扩展，不存在开口。在具有以上结构的闻频/[目号线路IOa中，在相邻两个桥接部60之间，随着从一个桥接部60接近另一个桥接部60，信号线20的特性阻抗发生如下变动即，按最小值Z2、中间值Z3、最大值Zl的顺序增加之后，按最大值Z1、中间值Z3、最小值Z2的顺序减小。更详细而言，开口 30在区域Al中具有宽度W1、在区域A3中具有宽度W2，该宽度W2小于宽度W1。因此，区域Al中的信号线20与接地导体24之间的距离比区域A3中的信号线20与接地导体24之间的距离要大。由此，在区域Al中由信号线20所产生的磁场的强度比区域A3中由信号线20所产生的磁场的强度要大，区域Al中的电感分量增大。即，在区域Al中，L(电感)性处于支配低位。而且，在区域A2中设有桥接部60。因此，区域A3中的信号线20与接地导体24之间的距离比区域A2中的信号线20与接地导体24之间的距离要大。由此，由区域A2中的信号线20所产生的静电电容比由区域A3中的信号线20所产生的静电电容要大，此外，区域A2中的磁场强度比区域A3中的磁场强度要小。即，在区域A2中，C(电容)性处于支配低位。

如上所述，信号线20的特性阻抗在区域Al中成为最大值Zl。S卩，开口 30在信号线20的特性阻抗成为最大值Zl的位置处具有宽度W1。此外，信号线20的特性阻抗在区域A3中成为中间值Z3。S卩，开口 30在信号线20的特性阻抗成为中间值Z3的位置处具有宽度W2。此外，信号线20的特性阻抗在区域A2中成为最小值Z2。由此，高频信号线路10具有图13所示电路结构。更详细而言，在区域Al中，在信号线20与接地导体24之间几乎不产生静电电容，因此，主要由信号线20的电感LI来产生特性阻抗Z1。此外，在区域A2中，在信号线20与接地导体24之间产生较大静电电容C3，因此，主要由静电电容C3来产生特性阻抗Z2。此外，在区域A3中，在信号线20与接地导体24之间产生比静电电容C3要小的静电电容C2，因此，由信号线20的电感L2及静电电容C2来产生特性阻抗Z3。此外，特性阻抗Z3例如为55 Ω。特性阻抗Zl比特性阻抗Z3要高，例如为70 Ω。特性阻抗Z2比特性阻抗Z3要低，例如为30 Ω。此外，高频信号线路10整体特性阻抗为50 Ω。根据高频信号线路10a，在相邻两个桥接部60之间，随着从一个桥接部60接近另一个桥接部60，信号线20的特性阻抗发生如下变动即，按最小值Z2、中间值Z3、最大值Zl的顺序增加之后，按最大值Z1、中间值Z3、最小值Z2的顺序减小。由此，能实现高频信号线路IOa的薄型化，且无论是否薄型化，信号线20的电极宽度都被加宽，因此，能在信号线20及接地导体22、24中扩大有高频电流流过的电极部分的表面积，能减小高频信号的传输损失。此外，如图12所示，一个周期(区域Al、两个区域A2及区域A3)的长度AL短至I 5_左右，因此，到更高频域为止能抑制不需要的辐射从而能改善传输损失。此外，通过将区域A3设置在区域Al的两端，从而使得流过信号线20的电流所产生的较强磁场不直接传递到区域A2，因此，区域A2的接地电位稳定，能确保接地导体24的屏蔽效果。由此能抑制不需要的辐射的产生。其结果是，在高频信号线路IOa中，即使减小了信号线20与接地导体22、24之间的距离，也能加宽信号线20的宽度，从而能力图保持特性阻抗不变而减小传输损失，以实现不需要的辐射较小的高频信号线路IOa的薄型化。由此，能容易弯曲高频信号线路10a，从而能将高频信号线路IOa弯曲来使用。此外，根据高频信号线路10a，随着接地导体24的接地电位得以稳定，能降低传输损失而进一步提高屏蔽特性。更详细而言，在高频信号线路IOa中，区域Al中的开口 30的宽度Wl比区域A3中的开口 30的宽度W2要宽。由此，在高频信号线路IOa中，位于区域Al内的信号线20的磁场能量比位于区域A3内的信号线20的磁场能量要高。此外，位于区域A2内的信号线20的磁场能量比位于区域A3内的信号线20的磁场能量要低。由此，信号线20的特性阻抗按Z2、Z3、Zl、Z3、Z2……的顺序重复变动。由此，在信号线20中，x轴方向上的相邻部分中的磁场能量的变动平缓。其结果是，单位结构(区域Al A3)边界处的磁场能量减小，接地导体的接地电位的变动得以抑制，且能抑制不需要的辐射的产生以及高频信号的传输损失。换言之，在区域A3中，能抑制在桥接部60中产生不需要的电感分量，其结果是，能使桥接部60与信号线20之间的互感分量减小，还能使接地电位稳定。因此，形状较薄，无论接地导体是否具有较大开口 30，都能降低不需要的辐射，并能减小高频信号的传输损失。此外，通过在桥接部60的延伸方向上配置通孔导体BI，从而能抑制在桥接部60中产生不需要的电感分量。尤其，通过使开口 30的X轴方向的长度Gl (即桥接部60之间的长度)比区域Al中的开口部的宽度Wl要长，从而既能尽量增大开口 30的面积来实现规定特性阻抗的同时，又能抑制不需要的辐射产生。此外，开口 30是具有在信号线20延伸的方向(X轴方向)上周期性配置的结构的单位结构。由此，能根据开口 30的X轴方向的长度来决定开口 30内的信号线20的特性阻抗的频率特性。即，开口 30的长度Gl越短，信号线20的特性阻抗的频率特性越能扩大至更高的频域。开口 30的长度Gl越长，越能使区域Al的宽度Wl变窄从而使开口 30变细。因此，能减小不需要的辐射而减小传输损失，因此，能将高频信号线路IOa的阻抗特性进行宽频带化，能实现稳定。此外，还由于以下理由，能容易弯曲高频信号线路IOa来使用。在高频信号线路10中，在区域Al中开口 30的y轴方向宽度最大，因此最容易弯曲。另一方面，在区域A2中不设有开口 30，因此最难以弯曲。因 此，弯曲高频信号线路IOa来使用的情况下，区域Al被弯曲，而区域A2则几乎不弯曲。因此，在高频信号线路IOa中，在区域A2中设有比电介质片材18要不易变形的通孔导体B1、B2。由此，能使区域Al变得容易弯曲。另外，在高频信号线路IOa中，通过调整信号线20与接地导体22之间的距离Tl的大小及信号线20与接地导体24之间的距离T2的大小，从而能获得规定特性阻抗。此外，在高频信号线路IOa中，由于下面所说明的理由，信号线20延伸的方向上的开口 30的长度Gl比宽度Wl要长。更详细而言，高频信号线路10中的高频信号的传输模式是TEM模式。在TEM模式中，电场及磁场形成为与高频信号线路的传输方向(X轴方向)正交。即，按以信号线20为中心画圆的方式来产生磁场，按从信号线20朝接地导体22、24呈放射状的方式来产生电场。此处，若接地导体22上设有开口 30，则由于磁场形成圆形，因此，磁场在开口 30处以半径略微增大的方式膨胀，不会有大量磁场向高频信号线路IOa的外部泄漏。另一方面，一部分电场向高频信号线路IOa外部辐射。因而，高频信号线路IOa的不需要的辐射中，电场辐射占据较大比例。此处，电场与高频信号线路的传输方向(X轴方向)正交，因此，若开口 30的y轴方向宽度Wl增大，则从开口 30辐射出的电场量增多(不需要的辐射增加)。另一方面，宽度Wl越大，越能使高频传输线路IOa的特性阻抗变高，但高频传输线路IOa中，在正交于高频信号的传输方向(X轴方向)的方向上离开信号线20其线宽大致3倍距离处几乎没有电场，从而即使继续增大线宽W1，也无法进一步提高特性阻抗。因而，若考虑不需要的辐射会随着宽度Wl增大而增加，则不推荐将宽度Wl扩大为需要以上。而且，若宽度Wl达到高频信号波长的1/2附近，则作为缝隙天线(slot antena)将辐射出电磁波，进一步地，不需要的辐射增加。另一方面,对于开口 30的X轴方向的长度Gl,该长度越长,越能减小信号线20与接地导体22之间的相对面积，从而能扩大信号线20的线宽。由此，具有能减小信号线20的高频电阻值的优点。此外，在长度Gl比宽度Wl要大的情况下，接地导体22中的反向电流(涡电流)的高频电阻值较小。如上所述，优选为长度Gl大于宽度W1，更优选为长度Gl为宽度Wl的2倍以上。但是，若开口 30的X轴方向的长度Gl接近高频信号波长的1/2，则作为缝隙天线，会从开口30辐射出电磁波，因此,应考虑长度Gl相对于波长必须足够短。(实施方式I的变形例2所涉及的高频信号线路)下面，参照附图，对变形例2所涉及的高频信号线路进行说明。图14是变形例2所涉及的高频信号线路IOb的层叠体12的分解图。闻频/[目号线路IOb与闻频/[目号线路IOa之间的不同之处在于开口 30的形状。更详细而言，高频信号线路IOa的开口 30的y轴方向宽度如图11所示那样呈阶梯状、不连续地变化。与此相反，高频信号线路IOb的开口 30的y轴方向宽度连续发生变化。更详细而言，开口 30的y轴方向宽度在X轴方向上随着远离开口 30的中央而连续减小。由此，信号线20的磁场能量及特性阻抗连续发生变化。另外，在高频信号线路IOb中，如图14所示，以直线A为中心设置区域Al，且区域Al是包含开口 30的y轴方向宽度为宽度Wl的部分的区域。因而，信号线20的特性阻抗在区域Al内成为最大值Z1。此外，将区域A2设置在开口 30之间，区域A2是设有桥接部60的区域。因而，信号线20的特性阻抗在区域A2内成为最小值Z2。此外，区域A3被夹在区域Al与区域A2之间，且区域A3是包含开口 30的y轴方向宽度成为宽度W2的部分的区域。因而，信号线20的特性阻抗在区域A3内成为中间值Z3。此处，区域Al包含开口 30的y轴方向宽度为宽度Wl的部分即可，区域A3包含开口 30的y轴方向宽度为W2的部分即可。由此，在本实施方式中，区域Al与区域A3之间的边界并不特别明确地划定。因此，作为区域Al和区域A3之间的边界，例如可举出开口 30的y轴方向宽度为(Wl+W2)/2的位置。在具有以上结构的高频信号线路IOb中，与高频信号线路10同样地，也能弯曲来使用，能降低不需要的辐射，进而，能抑制信号线20内的传输损失。(实施方式I的变形例3所涉及的高频信号线路)下面，参照附图，对变形例3所涉及的高频信号线路进行说明。图15是变形例3所涉及的高频信号线路IOc的层叠体12的分解图。高频信号线路IOc与高频信号线路IOa之间的不同之处在于是否有接地导体40、42。更详细而言，在高频信号线路IOc中，在电介质片材18b的表面上设有接地导体40、42。接地导体40是在比信号线20要靠近y轴方向正方向一侧沿X轴方向延伸的长方形导体。接地导体40经由通孔导体B1、B2连接至接地导体22、24。此外，接地导体42是在比信号线20要靠近y轴方向负方向一侧沿X轴方向延伸的长方形导体。接地导体42经由通孔导体B1、B2连接至接地导体22、24。在上述高频信号线路IOc中，在信号线20的j轴方向两侧上也设有接地导体42、42，因此，能抑制不需要的辐射从信号线20泄漏到y轴方向两侧。(实施方式I的变形例4所涉及的高频信号线路)下面，参照附图，对变形例4所涉及的高频信号线路进行说明。图16是变形例4所涉及的高频信号线路IOd的层叠体12的分解图。高频信号线路IOd与高频 信号线路IOa之间的不同之处在于开口 30的形状及开口 44a、44b的形状不相同。更详细而言，开口 44a、44b是将开口 30分割成y轴方向正方向侧和负方向侧的两个开口后所形成的形状。在高频信号线路IOd中，在开口 44a、44b之间设有沿X轴方向延伸的线状导体46。线状导体46构成接地导体24的一部分，从z轴方向俯视时，与信号线20重叠。在上述高频信号线路IOd中，沿着信号线20排列设置有多个开口 44a，并且，沿着信号线20排列设置有多个开口 44b。由此，区域Al中的信号线20的特性阻抗成为最大值Zl0此外，区域A3中的信号线20的特性阻抗成为中间值Z3。此外，区域A2中的信号线20的特性阻抗成为最小值Z2。另外，在高频信号线路IOd中，如图16所示，线状导体46的线宽比信号线20的线宽要细。因此，从z轴方向俯视时，信号线20从线状导体46露出。然而，线状导体46的线宽也可以比信号线20更宽。从而，也可使信号线20不从线状导体46露出。S卩，开口 44a、44b不一定要与信号线20重叠。同样，开口 30也可不与信号线20重叠。在高频信号线路IOd中，流过线状导体46及接地导体22、24的高频电流的方向与流过信号线20的高频电流的方向相反，因此，即使信号线20从线状导体46露出，对不需要的辐射的抑制效果也比高频信号线路10要大。(实施方式I的变形例5所涉及的高频信号线路)下面，参照附图，对变形例6所涉及的高频信号线路进行说明。图17是变形例5所涉及的闻频/[目号线路IOe的层置体12的分解图。图18是从z轴方向透视图17的闻频信号线路IOe的图。高频信号线路IOe与高频信号线路IOa之间的第一个不同之处在于桥接部60中的信号线20的线宽比信号线20的特性阻抗成为最大值Zl的位置处的信号线20的线宽要细。高频信号线路IOe与高频信号线路IOa之间的第二个不同之处在于，在信号线20的特性阻抗成为中间值Z3的位置(即，开口 30的y轴方向宽度为宽度W2的位置)与信号线20的特性阻抗成为最大值Zl的位置(S卩，开口 30的y轴方向宽度为宽度Wl的位置)之间，开口 30呈锥形。高频信号线路IOe与高频信号线路IOa之间的第三个不同之处在于，在信号线20的特性阻抗成为中间值Z3的位置(即，开口 30的y轴方向宽度为宽度W2的位置)与桥接部60之间，开口 30呈锥形。首先，关于高频信号线路IOe中的区域Al A3的定义，参照图18来进行说明。区域Al是在开口 30处y轴方向宽度为宽度Wl的区域。区域A2是对应于桥接部60的区域。区域A3被夹在区域Al和区域A2之间，且区域A3是包含在开口 30处y轴方向宽度成为宽度W2的区域的区域。对第一个不同之处进行说明。如图17及图18所示，信号线20的区域A2中的线宽为线宽Wb。另一方面，信号线20的区域Al中的信号线20的线宽为比线宽Wb要粗的线宽Wa。线宽Wa为例如100 500 μ m。在本实施方式中，线宽Wa为350 μ m。线宽Wb为例如25 250 μ m。在本实施方式中，线宽Wb为100 μ m。由此，使得区域A2中的信号线20的线宽比区域Al中的信号线20的线宽要细，从而减小信号线20与桥接部60相重叠的面积。其结果是，在信号线20与桥接部60之间所产生的浮动电容降低。而且，与开口 30重叠的部分的信号线20的线宽为线宽Wa，因此，能抑制该部分的信号线20的电感值增加。而且，并非信号线20的整体线宽都细，而是信号线20的线宽在局部较细，因此，能抑制信号线20的电阻值增加。此外，在线宽发生变化的部分，信号线20呈锥形。由此，信号线20的线宽发生变化的部分中的电阻值变动减缓，能抑制在信号线20的线宽发生变化的部分中产生高频信号的反射。对第二个不同之处进行说明。在开口 30的y轴方向宽度为宽度W2的位置与开口30的y轴方向宽度为宽 度Wl的位置之间，开口 30呈锥形。S卩，区域A3的x轴方向的端部呈锥形。由此，能降低流过接地导体24的电流损失。对第三个不同之处进行说明。在开口 30的y轴方向宽度为宽度W2的位置与桥接部60之间，开口 30呈锥形。由此，桥接部60的y轴方向两端呈锥形。由此，在与信号线20重叠的部分中，桥接部60的X轴方向的线宽比其它部分要细。其结果是，在桥接部60与信号线20之间所产生的浮动电容降低。此外，并非桥接部60的整体线宽都较细，而是桥接部60的线宽在局部较细，因此，能抑制桥接部60的电阻值及电感值的增加。(实施方式I的变形例6所涉及的高频信号线路)下面，参照附图，对变形例6所涉及的高频信号线路进行说明。图19是变形例6所涉及的闻频/[目号线路IOf的层置体12的分解图。图20是从z轴方向透视图19的闻频信号线路IOf的图。高频信号线路IOf与高频信号线路IOa之间的不同之处在于设有浮动导体50。更详细而言，高频信号线路IOf还包括电介质片材18d及浮动导体50。将电介质片材18d层叠在电介质片材18c的z轴方向负方向侧。如图19及图20所示，浮动导体50是呈长方形的导体层，且设置在电介质片材18d的表面上。由此，将浮动导体50相对于接地导体24设置在信号线20的相反侧。此外，从z轴方向俯视时，浮动导体50与信号线20、及接地导体24相对。浮动导体50的y轴方向的宽度W3比区域Al中的开口 30的宽度Wl要细，且比区域A3中的开口30的宽度W2要粗。由此，桥接部60被浮动导体50所覆盖。此外，浮动导体50不与信号线20、接地导体24等导体层进行电连接，成为浮动电位。浮动电位是信号线20与接地导体24之间的电位。而且，在高频信号线路IOf中，浮动导体50与信号线20相对，从而即使在信号线20与浮动导体50之间产生浮动电容，也不易使信号线20的特性阻抗发生变动。更详细而言，由于浮动导体50不与信号线20、接地导体22、24进行电连接，因此，成为浮动电位。因此，信号线20与浮动导体50之间的浮动电容、及浮动导体50与接地导体24之间的浮动电容形成串联连接。此处，浮动导体50的宽度W3比区域Al中的开口 30的宽度Wl要细，且比区域A3中的开口 30的宽度W2要粗。因此，接地导体24与浮动导体50相对着的面积较小，接地导体24与浮动导体50之间的浮动电容也较小。因而，将串联连接的、信号线20与浮动导体50之间的浮动电容、及浮动导体50与接地导体24之间的浮动电容的合成电容变得较小。因而，通过设置浮动导体50，使得信号线20的特性阻抗中所产生的变动也较小。(第二实施方式)下面，参照附图，对本发明的实施方式2所涉及的高频信号线路及电子设备进行说明。(高频信号线路的结构)下面，参照附图，对本发明的实施方式2所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图21是本发明的实施方式2所涉及的高频信号线路IOg的外观立体图。图22是图21的高频信号线路IOg的电介质单元体12的分解图。图23是图21的高频信号线路IOg的截面结构图。图24是高频信号线路IOg的截面结构图。在图21至图24中，将高频信号线路IOg的层叠方向定义为Z轴方向。此外，将高频信号线路IOg的长边方向定义为X轴方向，将正交于X轴方向及z轴方向的方向定义为I轴方向。例如在移动电话等电子设备内，闻频/[目号线路IOg用于将两个闻频电路相连接。如图21至图23所示，高频信号线路IOg包括电介质单元体12、外部端子16 (16a、16b)、信号线20、接地导体22、24、粘接层70、覆盖片材72、通孔导体bl、b2、B1、B2及连接器100a、IOOb0如图21所示，从z轴方向俯视时，电介质单元体12沿X轴方向延伸，且包含线路部12a及连接部12b、12c。电介质单元体12是将图22所示保护层14及电介质片材(绝缘体层)18 (18a 18c)按照从z轴方向的正方向侧到负方向侧的顺序依次进行层叠而构成的层叠体。此外，电介质单元体12具有挠性，且具有两个主面。下面，将电介质单元体12的z轴方向的正方向侧的主面称作表面(第一主面)，将电介质单元体12的z轴方向的负方向侧的主面称作背面(第二主面)。线路部12a沿X轴方向延伸。连接部12b、12c分别连接至线路部12a的x轴方向的负方向侧端部及X轴方向的正方向侧端部，且呈矩形。连接部12b、12c的y轴方向宽度比线路部12a的y轴方向宽度要宽。
从z轴方向俯视时，电介质片材18沿X轴方向延伸，所述电介质片材18是形状与电介质单元体12相同的绝缘体层。电介质片材18由聚酰亚胺、液晶聚合物等具有挠性的热可塑性树脂来构成。如图24所示，电介质片材18a的厚度Tl比电介质片材18b的厚度T2要厚。例如，将电介质片材18a 18c进行层叠后，厚度Tl为50μπι 300μπι。在本实施方式中，厚度Tl为150 μ m。此外，厚度T2为10 μ m 100 μ m。在本实施方式中，厚度T2为50μηι。下面,将电介质片材18的ζ轴方向的正方向侧的主面称作表面,将电介质片材18的ζ轴方向的负方向侧的主面称作背面。此夕卜，电介质片材18a包括线路部18a — a及连接部18a — b、18a — C。电介质片材18b包括线路部18b — a及连接部18b — b、18b — C。电介质片材18c包括线路部18c —a及连接部18c — b、18c — C。由线路部18a — a、18b — a、18c — a来构成线路部12a。由连接部18a - b、18b - b、18c — b来构成连接部12b。由连接部18a — c、18b — c、18c —c来构成连接部12c。如图21及图22所不，夕卜部端子16a是设置在连接部18a — b的表面中央附近的矩形导体。如图21及图22所示，外部端子16b是设置在连接部18a — c的表面中央附近的矩形导体。外部端子16a、16b由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。此夕卜，在外部端子16a、16b的表面上实施镀金。如图22所示，信号线20是设置在电介质单元体12内的线状导体，且在电介质片材18b的表面上沿X轴方向延伸。从ζ轴方向俯视时，信号线20的两端分别与外部端子16a、16b重叠。信号线20的线宽为例如ΙΟΟμπι 500μ m。在本实施方式中，信号线20的线宽是240μπι。信号线20由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。如图22所示，接地导体22 (第一接地导体)设置成在电介质单元体12内比信号线20要靠近第一主面一侧(即，ζ轴方向正方向侧)，更详细而言，将接地导体22设置在最靠近电介质单元体12的表面的电介质片材18a的表面上。接地导体22在电介质片材18a的表面上沿X轴方向延伸，且隔 着电介质片材18a与信号线20相对。接地导体22中，与信号线20相对的部分不设有开口。换言之，接地导体22是沿线路部12a中的信号线20在x轴方向上连续延伸的电极、即所谓的实心电极。但是，接地导体22无需完全覆盖线路部12a，例如，为了使对电介质片材18的热可塑性树脂进行热压接时所产生的气体排出，可在接地导体22的规定位置上设置微小的孔。接地导体22由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。此外，接地导体22包括线路部22a、端子部22b、22c。线路部22a设置在线路部18a - a的表面上，且沿X轴方向延伸。端子部22b设置在线路部18a — b的表面上，且呈包围外部端子16a的周围的矩形环。连接部22b连接至线路部22a的x轴方向的负方向侧端部。端子部22c设置在线路部18a - c的表面上，且呈包围外部端子16b的周围的环状矩形。端子部22c连接至线路部22a的x轴方向的正方向侧端部。如图22所示，接地导体24 (第二接地导体)设置成在电介质单元体12内比信号线20要靠近第二主面一侧(即，ζ轴方向负方向侧)，更详细而言，将接地导体24设置在电介质片材18c的表面上。由此，将接地导体24设置在电介质片材18b、18c之间。接地导体24在电介质片材18c的表面上沿X轴方向延伸，且隔着电介质片材18b与信号线20相对。即，接地导体24隔着信号线20与接地导体22相对。接地导体24由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。此外，接地导体24包括线路部24a、端子部24b、24c。线路部24a设置在线路部18c - a的表面上，且沿X轴方向延伸。而且，对于线路部24a，沿信号线20交替设置未形成有导体层的多个开口 30和形成有导体层的部分即多个桥接部60，从而线路部24a呈梯子状。如图22及图24所示，从ζ轴方向俯视时，开口 30呈长方形且与信号线20重叠。由此，从ζ轴方向俯视时，信号线20与开口 30及桥接部60交替重叠。此外，开口 30等间隔地进行排列。端子部24b设置在线路部18c - b的表面上，且不形成矩形环。端子部24b连接至线路部24a的X轴方向的负方向侧端部。端子部24c设置在线路部18c — c的表面上，且呈矩形环。端子部24c连接至线路部24a的x轴方向的正方向侧端部。如上所述，利用接地导体22、24从ζ轴方向两侧隔着电介质层18a、18b而夹住信号线20。即，信号线20及接地导体22、24形成三板带状线结构。此外，如图24所示，信号线20与接地导体22之间的间隔大致等于电介质片材18a的厚度Tl，例如为50 μ m 300 μ m。在本实施方式中，信号线20与接地导体22之间的间隔为150 μ m。另一方面，如图24所示，信号线20与接地导体24之间的间 隔大致等于电介质片材18b的厚度T2，例如为10 μ m IOOym0在本实施方式中，信号线20与接地导体24之间的间隔为50 μ m。即，设计成厚度Tl大于厚度T2。通孔导体bl沿ζ轴方向贯穿电介质片材18a的连接部18a — b,将外部端子16a和信号线20的X轴方向的负方向侧端部相连接。通孔导体b2沿ζ轴方向贯穿电介质片材18a的连接部18a — C，将外部端子16b和信号线20的x轴方向的正方向侧端部相连接。由此，信号线20连接在外部端子16a、16b之间。通孔导体bl、b2由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。通孔导体B1、B2分别沿ζ轴方向贯穿电介质片材18a、18b的线路部18a — a、18b - a，在线路部18a — a、18b — a上分别设有多个通孔导体B1、B2。而且，通孔导体B1、B2彼此相连接，从而构成I根通孔导体，并将接地导体22和接地导体24相连接。通孔导体BUB2由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。保护层14覆盖电介质片材18a大致整个表面。由此，保护层14覆盖接地导体22。保护层14由例如抗蚀材料等挠性树脂所形成。此外,如图22所示,保护层14包括线路部14a及连接部14b、14c。线路部14a覆盖线路部18a — a的整个表面，从而覆盖线路部22a。连接部14b连接至线路部14a的X轴方向的负方向侧端部,且覆盖连接部18a —b的表面。其中，在连接部14b中设有开口 Ha Hd。开口 Ha是设置在连接部14b的中央的矩形开口。外部端子16a经由开口 Ha露出至外部。此外，开口 Hb是设在开口 Ha的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口 He是设在开口 Ha的X轴方向负方向侧的矩形开口。开口 Hd是设在开口 Ha的y轴方向负方向侧的矩形开口。端子部22b经由开口 Hb Hd露出至外部，从而发挥外部端子的功能。连接部14c连接至线路部14a的X轴方向的正方向侧端部,且覆盖连接部18a —c的表面。其中，在连接部14c中设有开口 He Hh。开口 He是设置在连接部14c的中央的矩形开口。外部端子16b经由开口 He露出至外部。此外，开口 Hf是设在开口 He的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口 Hg是设在开口 He的X轴方向正方向侧的矩形开口。开口 Hh是设在开口 He的y轴方向负方向侧的矩形开口。端子部22c经由开口 Hf Hh露出至外部，从而发挥外部端子的功能。粘接层70是由绝缘性粘接剂构成的层，且粘接层70设置在电介质单元体12的第一主面上。更详细而言，在电介质单元体12的保护层14的线路部14a上沿X轴方向延伸来设置粘接层70。覆盖片材72是以可剥离方式粘贴于粘接层70的挠性片材。上述粘接层70及覆盖片材72例如由带覆盖片材的粘接带所构成。连接器100a、IOOb分别安装在连接部12b、12c的表面上。对于连接器100a、IOOb
的结构已进行了说明，因此省略其说明。如下面参照图5、图6及图25所说明那样来使用高频信号线路10g。图25是电子设备200的截面结构图。电子设备200包括高频信号线路10g、电路基板202a、202b、插座204a、204b、电池组(物品)206及壳体210。在电路基板202a上设直有例如包含天线的发送电路或接收电路。电路基板202b上设置有例如供电电路。电池组206例如为锂离子充电电池，具有其表面被绝缘体所覆盖的结构。从X轴方向的负方向侧到正方向侧依次排列有电路基板202a、电池组206及电路基板202b。插座20 4a、204b分别设置在电路基板202a、202b的ζ轴方向负方向侧的主面上。插座204a、204b上分别连接有连接器100a、100b。由此，经由插座204a、204b，向连接器IOOaUOOb的中心导体108施加在电路基板202a、202b之间进行传输的、例如具有2GHz频率的高频信号。此外，经由电路基板202a、202b及插座204a、204b，对连接器100a、IOOb的外部导体110维持接地电位。由此，高频信号线路IOg在电路基板202a、202b之间进行物理电连接。如图25所示，高频信号线路IOg经由剥离覆盖片材72后所露出的粘接层70而固定于电池组206。电介质单元体12的表面是相对于信号线20位于接地导体22 —侧的主面。由此，实心状(沿X轴方向连续延伸)的接地导体22位于信号线20与电池组206之间。另外，尽管高频信号线路IOg粘贴于电池组206，但还可将其粘贴于印刷布线基板、电子设备的壳体等。此外，尽管电池组IOg的表面被绝缘体所覆盖，但还可被金属等导电体所覆盖。下面，参照附图，对高频信号线路IOg的粘贴于电池组206的形式的一个示例进行说明。图26是将高频信号线路IOg粘贴到电池组206时的截面结构图。首先，如图21所示，从粘接层70剥离覆盖片材72的一部分。然后，将露出的粘接层70粘贴到电池组206。接着，如图26所示，一边将覆盖片材72拉伸来将其从粘接层70剥离，一边将粘接层70粘贴到电池组206。由此，利用粘贴密封条的诀鸾，将高频信号线路IOg粘贴到电池组206。另外，在图26中，以省略接地导体22、24及信号线20的一部分结构的方式进行图示。(效果)根据具有以上结构的高频信号线路10g，能将物品固定于狭窄的空间内。更详细而言，在高频信号线路IOg中，不需要用于固定高频信号线路IOg的固定金属零件及螺钉等零部件。其结果是，能在电子设备的狭窄空间内固定高频信号线路10g。而且，由于高频信号线路IOg的固定不使用螺钉，因此，不必在电池组206上形成孔。此外，如图26所示，在高频信号线路IOg中，一边将覆盖片材72拉伸来将其从粘接层70剥离，一边将粘接层70粘贴到电池组206。即，利用粘贴密封条的诀窍，将高频信号线路IOg粘贴到电池组206。由此，在高频信号线路IOg中，不需要如专利文献I所记载的同轴电缆的固定结构那样的螺钉止动工序。由此，能容易将高频信号线路IOg固定于电池组 206。此外，在高频信号线路IOg中，由于不需要固定金属零件及螺钉等零部件，因此，不会在信号线路20与固定金属零件及螺钉等之间产生浮动电容。因此，能抑制高频信号线路IOg的特征阻抗从规定特性阻抗偏离。(实施方式2的变形例I所涉及的高频信号线路)下面，参照附图，对实施方式2的变形例I所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图27是变形例I所涉及的高频信号线路IOh的层叠体12的分解图。也可以如图27所示的高频信号线路IOh那样，在高频信号线路IOa中设置粘接层70及覆盖片材72。(实施方式2的变形例2所涉及的高频信号线路)下面，参照附图，对实施方式2的变形例2所涉及的高频信号线路进行说明。图28是变形例2所涉及的高频信号线路IOi的层叠体12的分解图。也可以如图28所示的高频信号线路IOi那样，在高频信号线路IOb中设置粘接层70及覆盖片材72。(实施方式2的变形例3所涉及的高频信号线路)下面，参照附图，对实施方式2的变形例3所涉及的高频信号线路进行说明。图29是变形例3所涉及的高频信号线路IOj的层叠体12的分解图。也可以如图29所示的高频信号线路IOj那样，在高频信号线路IOc中设置粘接层70及覆盖片材72。(实施方式2的变形例4所涉及的高频信号线路)下面，参照附图，对实施方式2的变形例4所涉及的高频信号线路进行说明。图30是变形例4所涉及的高频信号线路IOk的层叠体12的分解图。也可以如图30所示的高频信号线路IOk那样，在高频信号线路IOd中设置粘接层70及覆盖片材72。(实施方式2的变形例5所涉及的高频信号线路)下面，参照附图，对实施方式2的变形例5所涉及的高频信号线路进行说明。图31是变形例5所涉及的高频信号线路101的层叠体12的分解图。也可以如图31所示的高频信号线路101那样，在高频信号线路IOe中设置粘接层70及覆盖片材72。(实施方式2的变形例6所涉及的高频信号线路)下面，参照附图，对实施方式2的变形例6所涉及的高频信号线路进行说明。图32是变形例6所涉及的高频信号线路IOm的层叠体12的分解图。
也可以如图32所示的高频信号线路IOm那样，在高频信号线路IOf中设置粘接层70及覆盖片材72。(实施方式2的变形例7所涉及的高频信号线路)下面，参照附图，对实施方式2的变形例7所涉及的高频信号线路进行说明。图33是变形例7所涉及的高频信号线路IOn的外观立体图。图34是图33的高频信号线路IOn的电介质单元体12的分解图。图35是图33的高频信号线路IOn的截面结构图。高频信号线路IOn与高频信号线路IOg之间的不同之处在于，在其局部不设有粘接层70而设有焊盘(pad) 74。更详细而言，如图33及图34所示，保护层14的线路部14a及粘接层70的一部分不存在。而且，在不存在保护层14的线路部14a及粘接层70的部分上，设有由焊料等所构成的焊盘74。焊盘74设置在接地导体22之上，且与接地导体22相连接。如图35所示，具有以上结构的高频信号IOn经由粘接层70固定于表面被金属覆层所覆盖的电池组206。此时，焊盘74与电池组206的金属覆层相接触。由此，接地导体22经由焊盘74与电池组206的金属覆层进行电连接。此外，若金属覆层维持接地电位，则接地导体22除了经由连接器100a、IOOb来维持接地电位以外，还经由金属覆层来维持接地电位。即，接地导体22的电位更稳定地接近接地电位。另外，焊盘74可与电子设备的金属壳体、印刷布线基板的连接盘相接触，以代替与电池组206的金属覆层相接触。(实施方式2的变形例8所涉及的高频信号线路)下面，参照附图，对变形例8所涉及的高频信号线路进行说明。图36是变形例8所涉及的高频信号线路IOo的外观立体图。图37是图36的高频信号线路IOo的电介质单元体12的分解图。图38是图36的高频信号线路IOo的截面结构图。高频信号线路IOo与高频信号线路IOg之间的不同之处在于，粘接层70为导电性粘接剂。更详细而言，如图36及图37所示，保护层14的线路部14a的一部分未设置。由此，将接地导体22设置在电介质单元体12的第一主面上。而且，在未设有线路部14a的部分上设有粘接层70及覆盖片材72。由此，粘接层70设置在接地导体22之上，且与接地导体22相连接。如图38所示，具有以上结构的高频信号线路IOo经由粘接层70固定于表面设有金属覆层(导电部)的电池组206。此时，粘接层70与电池组206的金属覆层相接触。由此，接地导体22经由粘接层70与电池组206的金属覆层进行电连接。此外，若金属覆层维持接地电位，则接地导体22除了经由连接器100a、100b维持接地电位以外，还经由金属覆层来维持接地电位。即，接地导体22的电位更稳定地接近接地电位。(实施方式2的变形例9所涉及的高频信号线路)下面，参照附图，对变形例9所涉及的高频信号线路进行说明。图39是变形例9所涉及的高频信号线路IOp的外观立体图。图40是图39的高频信号线路IOp的电介质单元体12的分解图。图41是图39的高频信号线路IOp的截面结构图。如图39及图40所不，闻频/[目号线路IOp与闻频/[目号线路IOo之间的不同之处在于，粘接层70及覆盖片材72分离成两个。如图41所示，具有以上结构的高频信号线路IOp经由粘接层70固定于具有连接盘(导电部)307的印刷布线基板306。连接盘307通过对Cu等基底电极308实施镀层309来构成。粘接层70与连接盘307相接触。由此，接地导体22经由粘接层70与连接盘307进行电连接。此外，若连接盘307维持接地电位，则接地导体22除了经由连接器IOOaUOOb维持接地电位以外，还经由连接盘307维持接地电位。即，接地导体22的电位更稳定地接近接地电位。此外，由于将粘接层70分离成多个，因此，在粘贴高频信号线路IOp时，能抑制高频信号线路IOp产生褶皱和松弛。另外，优选将两个粘接层两者均与连接盘等物品相接触以便维持接地电位，但也可以仅使任意一个粘接层维持接地电位，或均不接地也无妨。(实施方式2的变形例10所涉及的高频信号线路)下面，参照附图，对变形例10所涉及的高频信号线路进行说明。图42是变形例10所涉及的高频信号线路IOq的层叠体12的分解图。高频信号线路IOq与高频信号线路IOo之间的不同之处在于，接地导体24设置在电介质片材18b的背面上。具体而言，在电介质片材18b的表面上设有信号线20,在电介质片材18b的背面上设有接地导体24。而且，高频信号线路IOq上未设有电介质片材18c，而设有保护层15。在具有以上结构的闻频/[目号线路IOq中，仅使用两片电介质片材18,因此,容易制作高频信号线路10q。(其它实施方式)本发明所涉及的高频信号线路不限于上述实施方式所涉及的高频信号线路10、IOa 10q，在其宗旨范围内能进行变更。另外，在高频信号线路10、10a IOq中，多个开口 30具有相同形状。但多个开口30的一部分的形状也可不同于其它多个开口 30的形状。例如，多个开口 30内的规定开口30以外的开口 30的X轴方向上的长度也可比该规定开口 30的X轴方向上的长度要长。由此，在设有规定开口 30的区域中，能容易弯曲高频信号线路10、10a 10q。另外，也可将高频信号线路10、IOa IOq所示的结构进行组合。此外,在高频信号线路IOa IOq中,在相邻两个桥接部60之间，随着从一个桥接部60接近另一个桥接部60，信号线20的特性阻抗如下变动即，按最小值Z2、中间值Z3、最大值Zl的顺序增加之后，按最大值Z1、中间值Z3、最小值Z2的顺序减小。但是，在相邻两个桥接部60之间，随着从一个桥接部60接近另一个桥接部60，信号线20的特性阻抗还可如下变动即，按最小值Z2、中间值Z3、最大值Zl的顺序增加之后，按最大值Z1、中间值Z4、最小值Z2的顺序减小。即，中间值Z3也可不同于中间值Z4。例如，开口 30、31、44a、44也可形成相对于直线A非线对称的形状。但是，中间值TA需要大于最小值Z2且小于最大值Z1。此外，在相邻两个桥接部60之间，最小值Z2的值也可不相同。即，只要高频信号线路IOa IOq作为整体满足规定特性阻抗，则所有最小值Z2的值不必都相同。但是，一个桥接部60 —侧的最小值Z2需要低于中间值Z3，另一个桥接部60 —侧的最小值Z2需要低于中间值Z4。此外，也可进一步在电介质单元体12的第二主面上设置粘接层70及覆盖片材72。工业上的实用性
如上所述，本发明对于高频信号线路及电子设备有用，特别地，在狭窄空间内固定物品的方面有优势。标号说明10、IOa IOq高频信号线路12 电介质单元体14、15 保护层16a、16b 外部端子18a 18d 电介质片材20 信号线22、24、40、42 接地导体30 开口70 粘接层72 覆盖片材IOOaUOOb 连接器102连接器主体104、106 外部端子108 中心导体110 外部导体200 电子设备202a、202b 电路基板204a、204b 插座206 电池组210 壳体212连接导体306印刷布线基板307连接盘
权利要求
1.一种高频信号线路，其特征在于，包括 层叠体，该层叠体由绝缘体层层叠而成，且具有第一主面及第二主面； 信号线，该信号线设置在所述层叠体上且呈线状； 第一接地导体，该第一接地导体是设置在所述层叠体上、且隔着所述绝缘体层而与所述信号线相对的接地导体，并沿所述信号线连续延伸；以及 第二接地导体，该第二接地导体是设置在所述层叠体上、且隔着所述信号线而与所述第一接地导体相对的接地导体，并沿所述信号线排列设置有多个开口， 相对于所述信号线位于所述第一接地导体一侧的所述第一主面成为与物品相接触的接触面。
2.如权利要求1所述的高频信号线路，其特征在于， 所述第一主面固定于所述物品。
3.如权利要求1或2所述的高频信号线路，其特征在于， 所述物品是金属物品， 所述第一接地导体与所述物品进行电连接。
4.如权利要求1至3的任一项所述的高频信号线路，其特征在于， 所述第一接地导体设置在最靠近所述第一主面的所述绝缘体层上， 所述第二接地导体设置在所述绝缘体层之间。
5.如权利要求1至4的任一项所述的高频信号线路，其特征在于， 所述层叠体还具有覆盖所述第一接地导体的保护层。
6.如权利要求1至5的中任一项所述的高频信号线路，其特征在于， 还包括连接器，该连接器安装在所述层叠体上，且具有与所述信号线进行电连接的信号端子、以及与所述第一接地导体和所述第二接地导体进行电连接的接地端子。
7.如权利要求1至6的任一项所述的高频信号线路，其特征在于， 所述多个开口等间隔地进行排列。
8.如权利要求1至7的任一项所述的高频信号线路，其特征在于， 通过沿所述信号线交替设置所述多个开口和桥接部，从而所述第二接地导体呈梯子状， 在相邻两个所述桥接部之间随着从一个所述桥接部向另一个所述桥接部靠近，所述信号线的特性阻抗发生如下变动即，按最小值、第一中间值、最大值的顺序增加之后，按最大值、第二中间值、最小值的顺序减小。
9.如权利要求1至8的任一项所述的高频信号线路，其特征在于， 所述层叠体具有挠性。
10.如权利要求1至9的任一项所述的高频信号线路，其特征在于，还包括 粘接层，该粘接层设置在所述第一主面上；以及 覆盖层，该覆盖层以可剥离的方式粘贴于所述粘接层， 所述高频信号线路经由剥离所述覆盖层后所露出的所述粘接层，而固定于所述物品。
11.如权利要求10所述的高频信号线路，其特征在于， 所述第一接地导体设置在所述第一主面上， 所述粘接层由导电性粘接剂构成，并且设置在所述第一接地导体上。
12.如权利要求11所述的高频信号线路，其特征在于， 所述物品设置有导电部， 所述第一接地导体经由所述粘接层与所述导电部进行电连接。
13.—种电子设备,其特征在于,包括 如权利要求1至12的任一项所述的高频信号线路；以及 与所述高频信号线路的所述第一主面相接触的所述物品。
14.一种高频信号线路，其特征在于，包括 单元体，该单元体具有第一主面及第二主面； 信号线，该信号线设置在所述单元体上且呈线状； 第一接地导体，该第一接地导体在所述单元体中设置得比所述信号线要靠近所述第一主面一侧，且与所述信号线相对； 第二接地导体，该第二接地导体在所述单元体中隔着所述信号线与所述第一接地导体相对，且沿该信号线设有开口 ； 粘接层，该粘接层设置在所述第一主面上；以及 覆盖层，该覆盖层以可剥离的方式粘贴于所述粘接层。
15.—种电子设备,其特征在于,包括 如权利要求14所述的高频信号线路；以及 物品， 所述高频信号线路经由剥离所述覆盖层后所露出的所述粘接剂，而固定于所述物品。
全文摘要
本发明提供能容易弯曲、且能抑制信号线的特性阻抗从规定特性阻抗偏离的高频信号线路及电子设备。电介质单元体(12)通过层叠保护层(14)及电介质片材(18a～18c)来构成且具有表面及背面。信号线(20)是设置在电介质单元体(12)上的线状导体。接地导体(22)设置在电介质单元体(12)上，且经由电介质片材(18a)与信号线(20)相对，并沿信号线(20)连续延伸。接地导体(24)设置在电介质单元体(12)上，且隔着信号线(20)与接地导体(22)相对，并沿信号线(20)排列设置有多个开口(30)。相对于信号线(20)位于接地导体(22)一侧的电介质单元体12的表面与电池组(206)接触。
文档编号H05K1/02GK103053225SQ201180038249
公开日2013年4月17日 申请日期2011年12月2日 优先权日2010年12月3日
发明者加藤登, 多胡茂, 佐佐木纯, 栗田淳一, 佐佐木怜 申请人:株式会社村田制作所