中子屏蔽材料及制备工艺的制作方法与工艺

技术总结
本发明公开了一种中子屏蔽材料及制备工艺。所述中子屏蔽材料包含：超高分子量聚乙烯、至少一种硼化合物、和至少一种硬脂酸或其盐。本发明还提供了制备该中子屏蔽材料的方法。本发明中子屏蔽材料具有成本低廉、制备简单、成型性好、产品优良率高、中子屏蔽效果好等优点。

技术研发人员：柯于斌;陶举洲;周健荣;王凌倩
受保护的技术使用者：中国科学院高能物理研究所
文档号码：201210156866
技术研发日：2012.05.18
技术公布日：2016.12.14