专利名称：一种新型区熔炉单晶棒夹持机构的制作方法
技术领域：
—种新型区熔炉单晶棒夹持机构技术领域[0001]本实用新型涉及硅制备工艺设备，尤其涉及一种新型区熔炉单晶棒夹持机构。
背景技术：
[0002]在硅制备技术领域内，高纯度的晶体硅是制备电子元件和太阳能电池的主要原料，是重要的电子信息材料。对于制备晶体硅的方法包括直拉法与区熔法，其中的直拉法是将经过清洗处理后的多晶硅材料装入单晶炉内，加热使之融化得到熔融体，然后经过籽晶诱导下，控制晶体生长条件和掺杂工艺，依次经过引晶、细颈、放肩、等径、收尾后得到完整的晶体硅；其中的区熔法，是将预先处理好的多晶硅棒和籽晶，垂直固定在区熔炉上下轴间，用电磁感线圈加热形成熔区，控制感应加热工艺和掺杂工艺，最后使熔区沿籽晶生长成晶体硅。对于区熔硅单晶大直径拉制时，目前缺乏对应的夹持装置，此段加工流程则导致整体工作效率偏低。因此，针对以上方面，需要对现有技术进行合理的改进。实用新型内容[0003]针对以上缺陷，本实用新型提供一种可适用于大直径拉制、能够简化加工工艺流程、结构紧凑、降低了成本、便于安装及维护的新型区熔炉单晶棒夹持机构，以解决现有技术的诸多不足。[0004]为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案[0005]一种新型区熔炉单晶棒夹持机构，包括挡碴套、截碴套、内轴，位于内轴外围上方套有截碴套同时此 截碴套内部嵌入一个挡碴套，位于挡碴套所形成内腔的中心位置处固定安装子晶座；所述内轴外部其中一侧设置夹持片，内轴外部另一侧则装有引头。所述子晶座的中心点位于内轴的轴心延长线上。[0006]本实用新型所述的新型区熔炉单晶棒夹持机构的有益效果为可作为区熔硅单晶大直径拉制的夹持机构置于直空炉体内，能够随大轴同步旋转且内轴相对于大轴能作独立的往复运动，通过设置拨叉并装有三个夹持块和六只引头，夹持指令发出后，三个夹持块和六只引头先后释放，交替抱住单晶的头部；能充分保证长度为I至2米，直径3英寸至8英寸区熔硅单晶的拉制，有利于简化加工工艺流程、结构紧凑、降低了成本、便于安装及维护， 可确保产品的加工精度。
[0007]下面根据附图对本实用新型作进一步详细说明。[0008]图I是本实用新型实施例所述新型区熔炉单晶棒夹持机构示意图。[0009]图中[0010]I、挡碴套；2、截碴套；3、子晶座；4、夹持片；5、引头；6、拨叉；7、内轴。
具体实施方式
[0011]如图I所示，本实用新型实施例所述的新型区熔炉单晶棒夹持机构，包括挡碴套 I、截碴套2、内轴7，位于内轴7外围上方套有截碴套2同时此截碴套2内部嵌入一个挡碴套1，位于挡碴套I所形成内腔的中心位置处固定安装子晶座3并且该子晶座3的中心点位于内轴7的轴心延长线上；所述内轴7外部其中一侧设置三个夹持片4，与夹持片4所在位置处相对的内轴7外部另一侧则装有六个引头5，同时，位于内轴7外支座上设置有六个拨叉6。该装置可作为区熔硅单晶大直径拉制的夹持机构置于直空炉体内，能够随大轴同步旋转且内轴相对于大轴能作独立的往复运动，夹持指令发出后，三个夹持片4和六只引头5先后释放，交替抱住单晶的头部；能充分保证长度为I至2米，直径3英寸至8英寸区熔硅单晶的拉制。[0012]以上实施例是本实用新型较优选具体实施方式
的一种，本领域技术人员在本技术方案范围内进行的通常变化和替换应包含在本实用新型的保护范围内。
权利要求1.一种新型区熔炉单晶棒夹持机构，包括挡碴套(I)、截碴套(2)、内轴(7)，其特征在于位于内轴(7)外围上方套有截碴套(2)同时此截碴套(2)内部嵌入一个挡碴套(1)，位于挡碴套(I)所形成内腔的中心位置处固定安装子晶座(3);所述内轴(7)外部其中一侧设置夹持片(4)，内轴(7)外部另一侧则装有引头(5)。
2.根据权利要求I所述的新型区熔炉单晶棒夹持机构，其特征在于所述子晶座(3) 的中心点位于内轴(7)的轴心延长线上。
专利摘要本实用新型涉及一种新型区熔炉单晶棒夹持机构，包括挡碴套、截碴套、内轴，位于内轴外围上方套有截碴套同时此截碴套内部嵌入一个挡碴套，位于挡碴套所形成内腔的中心位置处固定安装子晶座；所述内轴外部其中一侧设置夹持片，内轴外部另一侧则装有引头。本实用新型有益效果为可作为区熔硅单晶大直径拉制的夹持机构置于直空炉体内，能够随大轴同步旋转且内轴相对于大轴能作独立的往复运动，夹持指令发出后，三个夹持块和六只引头先后释放，交替抱住单晶的头部；能充分保证长度为1至2米，直径3英寸至8英寸区熔硅单晶的拉制，有利于简化加工工艺流程、结构紧凑、降低了成本、便于安装及维护，可确保产品的加工精度。
文档编号C30B13/00GK202658261SQ20122023309
公开日2013年1月9日 申请日期2012年5月23日 优先权日2012年5月23日
发明者刘剑 申请人:刘剑