加热器以及具备该加热器的火花塞的制作方法
【专利摘要】提供一种即使大电流流向导体线路也能够抑制向导体线路产生微裂纹等的加热器以及具备该加热器的火花塞。本发明的特征在于，具备由陶瓷构成的绝缘基体(1)和埋设于绝缘基体(1)的导体线路(2)的加热器，导体线路(2)含有导体粒子和陶瓷粒子，导体线路(2)所含有的陶瓷粒子的平均粒径比绝缘基体(1)中的陶瓷粒子的平均粒径小。
【专利说明】加热器以及具备该加热器的火花塞
【技术领域】
[0001]本发明涉及利用于例如燃烧式车载供暖装置的点火用或火焰检测用的加热器、石油暖风机等各种燃烧设备的点火用的加热器、汽车发动机的火花塞用的加热器、氧传感器等各种传感器用的加热器、测定设备的加热用的加热器等的加热器以及具备该加热器的火花塞。
【背景技术】
[0002]使用于汽车发动机的火花塞等的加热器由绝缘基体和埋设于绝缘基体中的导体线路构成，作为导体线路，由具有发热部的电阻体和用于向绝缘基体的表面导出的引线构成。并且，以引线的电阻值比电阻体的电阻值小的方式进行这些材料的选定和设计。(例如参照专利文献I)。
[0003]专利文献1:日本特开2002-334768号公报。
【发明内容】
[0004]【发明要解决的课题】
[0005]近年来，由于高电力急剧冲击入加热器，在加热器温度成为固定为止的过渡状态中，在加热器内部产生以下那样的急剧的温度变化。
[0006]首先，位于导体线路的前端部的电阻体开始发热，接着热量从电阻体朝向引线的终端传播于导体线路的表层部而使导体线路从表层部进行加热。接着，与导体线路相比热传导率低的绝缘基体由从导体线路传导来的热量进行加热。此时，与导体线路相比热传导率低的绝缘基体的加热晚，因此先加热的导体线路由于热膨胀而要向轴方向一直延伸时，晚加热的绝缘基体晚热膨胀，导体线路和绝缘基体的轴方向的热膨胀产生偏离而使应力施加于界面。
[0007]在此，若在应力施加于界面的状态下加热器的加热进展，则有在导体线路的表层部产生微裂纹等而产生使电阻值变化的问题。
[0008]本发明是鉴于上述的问题点而发明的，其目的在于提供一种即使大电流流向导体线路也能够抑制向导体线路产生微裂纹等的加热器以及具备该加热器的火花塞。
[0009]【用于解决课题的手段】
[0010]本发明的加热器的特征在于，具备由陶瓷构成的绝缘基体和埋设于绝缘基体的导体线路，所述导体线路含有导体粒子和陶瓷粒子，所述导体线路所含有的陶瓷粒子的平均粒径比所述绝缘基体中的陶瓷粒子的平均粒径小。
[0011]另外，本发明的火花塞的特征在于，具备上述结构的加热器和与所述导体线路电连接且保持所述加热器的金属制保持部件。
[0012]【发明效果】
[0013]根据本发明的加热器，导体线路含有导体粒子和陶瓷粒子，因此能够使导体线路的热膨胀系数接近绝缘基体的热膨胀系数，从而使施加于界面的应力减少。进而，导体线路所含有的陶瓷粒子的粒径比绝缘基体中的陶瓷粒子的粒径小，因此即使电力刚冲击之后与绝缘基体相比导体线路先加热而导体线路所含有的陶瓷粒子开始热膨胀，也能够抑制与绝缘基体所含有的陶瓷粒子相比变得更大，从而与施加于导体线路表层部的陶瓷粒子和导体粒子之间的力相比，施加于导体线路周围的绝缘基体中的陶瓷粒子的力更大。其结果是，在导体线路表层部的陶瓷粒子和导体粒子之间不易产生微裂纹，从而电阻值不易变化。由此，提高加热器的可靠性及耐久性。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1是表示本发明的加热器的实施方式的一例的纵剖视图。
[0015]图2是表示本发明的加热器的实施方式的其他例的纵剖视图。
[0016]图3是表示本发明的加热器的实施方式的其他例的纵剖视图。
[0017]图4是表示本发明的火花塞的实施方式的一例的纵剖视图。
【具体实施方式】
[0018]参照附图对本发明的加热器的实施方式的例子进行详细说明。
[0019]图1是表示本发明的加热器的实施方式的一例的纵剖视图。
[0020]本实施方式的加热器为具备由陶瓷构成的绝缘基体I和埋设于绝缘基体I的导体线路2的加热器，导体线路2含有导体粒子和陶瓷粒子，导体线路2所含有的陶瓷粒子的平均粒径比绝缘基体I中的陶瓷粒子的平均粒径小。
[0021]本实施方式的加热器的绝缘基体I例如为形成棒状的绝缘基体。该绝缘基体I被覆于导体线路2，换言之，导体线路2埋设于绝缘基体I。在此，优选绝缘基体I由陶瓷构成，由此，与金属相比能够耐高温，因此能够提供快速升温时的可靠性提高的加热器。具体而言，能够举出氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷等具有电绝缘性的陶瓷。尤其，优选绝缘基体I由氮化硅质陶瓷构成。这是因为就氮化硅质陶瓷而言，作为主成分的氮化硅在高强度、高韧性、高绝缘性及耐热性方面优异。该氮化硅质陶瓷例如能够通过如下方式得到，即，相对于主成分的氮化硅，混合3?12质量％的Y203、Yb203、Er203等稀土类元素氧化物作为烧结助剂、0.5?3质量％的Al2O3,而且以烧结体所含有的SiO2量为1.5?5质量％的方式混合SiO2，形成规定的形状之后例如在1650?1780°C进行热压烧成。
[0022]另外，在使用由氮化硅质陶瓷构成的基体作为绝缘基体I的情况下，优选混合MoSi2, WSi2等且使其分散。在该情况下，能够使作为母材料的氮化硅质陶瓷的热膨胀率接近导体线路2的热膨胀率，从而能够提高加热器的耐久性。
[0023]导体线路2例如由形成折回形状的电阻体3和在前端侧与电阻体3连接且在后端侧导出于绝缘基体I的表面的一对引线4构成。
[0024]电阻体3尤其具有作为发热的区域的发热部31，通过设置使一部分截面积较小形成的区域或螺旋形状的区域，能够将该区域设为发热部。在电阻体3形成为图1所示那样的折回形状的情况下，折回的中间点附近成为最发热的发热部31。
[0025]作为该电阻体3，能够使用将W、Mo、Ti等金属或碳化物、氮化物、硅化物等作为主成分的材料。在绝缘基体I为上述的材料的情况下，在与绝缘基体I的热膨胀率的差小的方面、具有高耐热性的方面及电阻率小的方面，在上述的材料中尤其碳化钨(WC)作为电阻体3的材料优异。进而，在绝缘基体I由氮化硅质陶瓷构成的情况下，优选电阻体3以无机导电体的WC作为主成分，且在此添加的氮化硅的含有率为20质量％以上。例如，在由氮化硅质陶瓷构成的绝缘基体I中，成为电阻体3的导体成分与氮化硅相比热膨胀率大，因此通常处于施加了拉伸应力的状态。对此，通过在电阻体3中添加氮化硅，使电阻体3的热膨胀率接近绝缘基体I的热膨胀率，则能够缓和由于加热器的升温时及降温时的热膨胀率的差而引起的应力。
[0026]另外，在电阻体3所含有的氮化硅的含量为40质量％以下时，能够较小地形成电阻体3的电阻值且使其稳定。因此，优选电阻体3所含有的氮化硅的含量为20质量％?40质量％。更加优选氮化硅的含量为25质量％?35质量％。另外，作为同样向电阻体3添加的添加物，也能够代替氮化硅而添加4质量％?12质量％的氮化硼。
[0027]另夕卜，电阻体3的厚度例如是0.5mm?1.5mm为佳，电阻体3的宽度例如是0.3_?1.3_为佳。通过设为该范围内，电阻体3的电阻变小成为效率良好地发热的电阻体，另外，能够保持层叠结构的绝缘基体I的层叠界面的密合性。
[0028]就前端侧与电阻体3的端部连接的引线4而言，能够使用与将W、Mo、Ti等的金属或碳化物、氮化物、硅化物等作为主成分的电阻体3相同的材料。尤其，在与绝缘基体I的热膨胀率的差小的方面、具有高耐热性的方面及电阻率小的方面优选WC作为引线4的材料。另外，在绝缘基体I由氮化硅质陶瓷构成的情况下，优选引线4以无机导电体的WC为主成分，且在其中以含量成为15质量％以上的方式添加氮化硅。随着氮化硅的含量增加，能够使引线4的热膨胀率接近构成绝缘基体I的氮化硅的热膨胀率。另外，在氮化硅的含量为40质量％以下时，引线4的电阻值变小且稳定。因此，优选氮化硅的含量为15质量％?40质量％。更加优选氮化娃的含量为20质量％?35质量％。需要说明的是,可以通过与电阻体3相比更少地设定绝缘基体I的形成材料的含量的方法使引线4与电阻体3相比每单位长度的电阻值变低，也可以与电阻体3相比更大地形成截面积而使引线4与电阻体3相比每单位长度的电阻值变低。
[0029]并且，导体线路2含有导体粒子和陶瓷粒子，导体线路2所含有的陶瓷粒子的平均粒径比绝缘基体I中的陶瓷粒子的平均粒径小。
[0030]在此，导体线路2所含有的陶瓷粒子的平均粒径是绝缘基体I中的陶瓷粒子的平均粒径的10%以上且80%以下、优选是30%以上且60%以下为佳。由于是10%以上，即使在导体线路2所含有的陶瓷粒子和绝缘基体I中的陶瓷粒子直接接触的部位，也能够抑制应力施加时在粒径较小的陶瓷粒子产生裂缝，而由于是80%以下，如后述能够抑制高频侵入导体线路2的内部。
[0031]该陶瓷粒子的平均粒径如以下那样测定即可。在埋设有导体线路2的任意的部位切断加热器，在用扫描电子显微镜(SEM)或金属显微镜观察截面部分而得到的观察图像上划出任意的五根直线，从横穿过该直线的粒子50个份儿的距离的平均值求出平均粒径。另夕卜，代替于上述那样的弦长法(chord length method),也能够用Nireco公司制图像分析装置LUZEX-DS ( 二 > -社製画像解析装置LUZEX-FS)求出平均粒径。
[0032]通过设为这样的结构，导体线路2含有导体粒子和陶瓷粒子，因此能够使导体线路2的热膨胀系数接近绝缘基体I的热膨胀系数，从而减少施加于界面的力。
[0033]另外，能够消除以下的问题点。即，即使在应力施加于界面的状态下加热器的加热也进展，导体线路2的内部的陶瓷粒子与周围的导体粒子的加热对应而开始热膨胀，因此由于先加热的导体线路2的表层部的陶瓷粒子因为热膨胀而变得比其他区域的陶瓷粒子大，在导体线路2和绝缘基体I的界面产生的应力集中于导体线路2的表层部的陶瓷粒子和导体粒子之间，在陶瓷粒子和导体粒子之间产生微裂纹等，有产生电阻值变化的问题之虞。
[0034]对此，在本发明中，导体线路2所含有的陶瓷粒子的粒径比绝缘基体I中的陶瓷粒子的粒径小，因此即使电力刚冲击之后与绝缘基体I相比导体线路2先加热而导体线路2所含有的陶瓷粒子开始热膨胀，也能够抑制比绝缘基体2所含有的陶瓷粒子变大的状况，从而与施加于导体线路表层部的陶瓷粒子和导体粒子之间的力相比，施加于导体线路2周围的绝缘基体I中的陶瓷粒子的力更大。其结果是，在导体线路2表层部的陶瓷粒子和导体粒子之间不易产生微裂纹，从而电阻值不易变化。进而，用陶瓷粒子的烧结体构成的绝缘基体I与导体线路2相比强度更强，因此在导体线路2周围的陶瓷粒子也不易产生微裂纹
坐寸ο
[0035]进而，也能够解除以下的问题点。即，为了最佳化发动机的燃烧状态，作为加热器的驱动方法采用使自ECU的控制信号脉冲化的驱动方法。并且，作为脉冲驱动较多地使用矩形波，在脉冲的立起部分含有高频成分，因此有该高频成分在埋设于加热器的导体线路的表面部传输的特征。然而，在导体线路中所含有的陶瓷粒子的粒径与绝缘基体的粒径相同或更大的情况下，传输的高频波成分不仅传输于导体线路的表面，也将导体线路中的陶瓷粒子和导体粒子的边界面当作导体线路的表面识别而要向导体线路的内部传输。因此，传输损失变多，作为高频成分误入的区域的导体线路的表层部的陶瓷粒子和导体粒子之间加热，沿着陶瓷粒子和导体粒子的边界面产生微裂纹，从而有产生电阻值变化的问题。
[0036]对此，通过本发明为上述的结构，即使在使用矩形波作为脉冲驱动的情况下，脉冲的立起部分所含有的高频成分不将导体线路2中的陶瓷粒子和导体线路的边界面当作为导体线路2表面识别而仅传输于导体线路2表面。尤其，若导体线路2所含有的陶瓷粒子的粒径为绝缘基体I的陶瓷粒径的80%以下，则高频不误入导体线路2内部。其结果是，抑制导体线路2的表层部的陶瓷粒子和导体粒子之间加热或者沿陶瓷粒子和导体粒子的边界面产生微裂纹等，从而电阻值不易变化。
[0037]因此，即使尽管脉冲驱动、DC驱动而电力冲击的立起变得陡峭，在导体线路2表层部的陶瓷粒子和导体粒子之间不产生微裂纹等，从而长期间电阻稳定。由此，提高加热器的可靠性及耐久性。
[0038]在此，优选在导体线路2所含有的陶瓷粒子的平均粒径中，与接近于和所述绝缘基体I的界面的表层部相比，内侧的陶瓷粒子的平均粒径更小。通过设为这样的结构，电力刚冲击后，即使力施加于导体线路2和绝缘基体I的界面，就表面积和体积均较小的粒子而言，应力通过粒子的传播时间短，因此能够在更短时间通过晶格振动使应力向粒子的外侧的所有方向分散，所以应力能够朝向在导体线路2的横截面观察的中央分散，导体线路2的表层部的陶瓷粒子和导体粒子之间微裂纹等更不易产生，从而电阻值更不易变化。需要说明的是，在导体线路2的横截面为圆形的情况下，导体线路2的直径例如为10 μ m?2_，表层部例如为Iym?IOOym的厚度且成为从表面至直径的0.5?10%的距离的厚度。
[0039]另外，导体线路2所含有的陶瓷的晶粒的平均粒径在接近于绝缘基体I的界面的表层部为0.2?10 μ m，在比此靠内侧，成为与表层部相比较小的70?80%的大小，这是有效的。
[0040]另外，优选导体线路2所含有的陶瓷粒子的平均粒径比导体线路2所含有的导体粒子的平均粒径小。通过设为这样的结构，在电力刚冲击之后，即使力施加于导体线路2和绝缘基体I之间的界面，导体线路2内部的导体粒子彼此传播应力，因此应力不在导体线路2的表层部的陶瓷粒子和导体粒子之间传播，不产生微裂纹等，从而电阻值不变化。这时因为在晶粒内的晶格振动中，与陶瓷粒子相比导体粒子的晶格振动更加激烈振动，因此导体粒子彼此能够更加快速传播应力。
[0041]尤其，在导体线路2中所含有的陶瓷粒子彼此隔离分散的情况下，若导体线路2所含有的陶瓷粒子的平均粒径为导体粒子的平均粒径的70%以下，则能够用导体粒子被覆几乎所有的导体线路2的表面，因此，高频不误入内部。其结果是，能够更加抑制导体线路2的表层部的陶瓷粒子和导体粒子之间加热或者沿陶瓷粒子和导体粒子的边界面产生微裂纹等，从而电阻值更加不易变化。
[0042]进而，优选导体线路2含有Cr，且Cr的含量以氧化物换算为1父10_6质量％?IXKT1质量％。这是因为若将导体线路2局部加热至产生微裂纹的温度，则Cr电离化而作为导体粒子的烧结助剂发挥作用。尤其，施加裂缝的能量，且在加热容易集中的裂纹前端部，导体粒子的烧结容易进展，因此能够抑制裂纹伸展。若Cr的含量以氧化物换算不足IX 10_6质量％，则裂纹前端部的导体粒子的烧结几乎不进展，因此优选为IX 10_6质量％以上。另外，若Cr的含量以氧化物换算超过IX 10—1质量％，则在使加热器烧结的工序中促进导体线路2中所含有的陶瓷粒子的粒生长，成为绝缘基体I的陶瓷粒子以上的大小，因此优选为IXKT1质量％以下。
[0043]尤其，若为I X 10_6质量％?I X 10_2质量％，则即使长期间使用加热器，Cr离子也不开始向阴极侧移动，因此成为非常稳定的加热器。
[0044]需要说明的是，即使如图2所示在电阻体3为用金属丝构成的情况下或如图3所示引线4的一部分为用金属丝构成的情况下，也产生以上说明的效果，但若在加热器加热中从外部施加较强的冲击，则在金属丝和绝缘基体I的界面，施加有金属丝的滑动变形的应力，剪切应力施加于金属丝和绝缘基体I的界面，因此在如图1所示构成导体线路2的电阻体3、引线4均含有导体粒子和陶瓷粒子的晶粒的情况为应力缓和效应最大，从而优选。
[0045]优选本实施方式的加热器作为具备上述结构的任一个所述的加热器和与导体线路2(引线4)电连接且保持加热器的金属制保持部件的火花塞使用。
[0046]具体而言，如图4所示，优选加热器作为具备与加热器的一个引线4电连接的金属制保持部件5(护套件)和与加热器的另一个引线4电连接的电线的火花塞使用，其中，该加热器的棒状的绝缘基体I的内部埋设有形成折回形状的电阻体3，并且一对引线4分别与电阻体3的两端部电连接且被埋设。
[0047]需要说明的是，金属制保持部件5(护套件)为保持加热器的金属制的筒状体，用焊料等与在绝缘基体I的侧面引出的一个引线4接合。另外，用焊料等将电线接合于另一个引线4。由此，即使在高温的发动机中反复ON / OFF而长期使用，加热器的电阻也不变化，因此，任何时候均能够提供可点燃性优异的火花塞。
[0048]下面，对本实施方式的加热器的制造方法进行说明。[0049]本实施方式的加热器I例如能够通过喷射成形法等形成，该喷射成形法使用构成导体线路2的电阻体3和引线4及绝缘基体I的形状的模具。
[0050]首先，制作含有导电性陶瓷粉末、树脂粘合剂等的、成为电阻体3及引线4的导电性膏剂，并且制作含有绝缘性陶瓷粉末、树脂粘合剂等的成为绝缘基体I的陶瓷膏剂。
[0051]此时，将在成为构成导体线路2的电阻体3和引线4的导电性膏剂中添加的绝缘性陶瓷粉末的粒径设定得比在构成绝缘基体I的膏剂中添加的绝缘性陶瓷粉末的粒径小。
[0052]另外在使用在成为构成导体线路2的电阻体3和引线4的导电性膏剂中添加的绝缘性陶瓷粉末的粒径与在构成绝缘基体I的膏剂中添加的绝缘性陶瓷粉末的粒径相同的陶瓷膏剂的情况下，导体线路2的烧结工序时在抑制导体线路2所含有的陶瓷粒子的粒生长的同时，添加用于促进导体粒子的粒生长的烧结助剂。例如在将Cr作为烧结助剂使用的情况下，优选含量以氧化物换算为1父10_6质量％?IXKT1质量％。
[0053]需要说明的是，在导体线路2所含有的陶瓷粒子的平均粒径中，为了形成与接近于和导体线路2的绝缘基体I的界面的表层部相比使内侧的陶瓷粒子的平均粒径小的构成，使构成绝缘基体I的绝缘性陶瓷粉末的烧结开始温度与构成导体线路2的绝缘性陶瓷粉末的烧结开始温度相比为低温，且与导体线路2相比先开始烧结构成绝缘基体I的绝缘性陶瓷粉末即可。
[0054]为此，形成使构成绝缘基体I的绝缘性陶瓷粉末的烧结助剂的添加量比导体线路2所含有的绝缘性陶瓷粉末的烧结助剂的添加量多。或导体线路2的烧结工序时在抑制导体线路2所含有的陶瓷粒子的粒生长的同时，促进导体粒子的粒生长，例如将Cr作为烧结助剂使用为佳。
[0055]由此，即使在构成绝缘基体I的绝缘性陶瓷粉末烧结时形成的液相成分向导体线路2扩散而导体线路2的内侧存在的绝缘性陶瓷粉末不能烧结的温度，接触了液相成分的表层部的绝缘性陶瓷粉末开始烧结，其结果是，在导体线路2所含有的陶瓷粒子的平均粒径中，成为与接近于和绝缘基体I的表层部相比靠内侧的陶瓷粒子的平均粒径小的构成。
[0056]另外，要将导体线路2所含有的陶瓷粒子的平均粒径形成比导体线路2所含有的导体粒子的平均粒径小的结构，除了一开始就使用导体粒子的平均粒径大的粉末以外，导体线路2的烧结工序时在抑制导体线路2所含有的陶瓷粒子的粒生长的同时促进导体粒子的粒生长，例如将Cr作为烧结助剂即可。这是因为由于与导体线路2所含有的陶瓷粒子彼此烧结相比先使导体粒子的烧结先行，在导体线路2所含有的陶瓷粒子彼此之间导体粒子较大地生长，从而使陶瓷粒子彼此结合的距离变大而阻碍粒生长。
[0057]接着，用喷射成形等使用导电性膏剂形成成为电阻体3的规定图案的导电性膏剂的成形体(成形体a)。并且，在将成形体a保持于模具内的状态下，将导电性膏剂填充于模具内而形成成为引线4的规定图案的导电性膏剂的成形体(成形体b)。由此，成形体a和与该成形体a连接的成形体b成为保持于模具内的状态。
[0058]接着，在将成形体a及成形体b保持于模具内的状态下，将模具的一部分更换成绝缘基体I的成形用的模具，之后将成为绝缘基体I的陶瓷膏剂填充于模具内。由此，得到用陶瓷膏剂的成形体(成形体C)覆盖成形体a及成形体b的加热器的成形体(成形体d)。
[0059]接着，通过将得到的成形体d例如在1650°C?1780°C的温度、30MPa?50MPa的压力下烧成而能够制作加热器。需要说明的是，优选烧成在氢气等非氧化性气体气氛中进行。[0060]【实施例】
[0061]以使本发明的实施例的加热器成为图1的形状的方式如下制作。
[0062]首先，在样品号I中准备碳化钨(WC)粉末50质量％、在样品号2、3中准备以将Cr用氧化物换算成为IX 10_3质量％的方式添加的碳化钨(WC)粉末50质量％、进而准备三种粒径的氮化硅(Si3N4)粉末，将含有其35质量％、树脂粘合剂15质量％的导电性膏剂在模具内喷射成形而制作了成为电阻体的成形体a。[0063]接着，在将该成形体a保持于模具内的状态下，将成为引线的上述导电性膏剂填充于模具内，由此形成与成形体a连接且成为引线的成形体b。
[0064]接着，在将成形体a及成形体b保持于模具内的状态下，将含有氮化硅(Si3N4)粉末85%质量％、作为烧结助剂的镱(Yb)的氧化物(Yb2O3) 10质量％、用于使热膨胀率接近电阻体及引线的碳化钨(WC)5质量％的陶瓷膏剂在模具内喷射成形。由此形成了在成为绝缘基体的成形体c中埋设有成形体a及成形体b的结构的成形体d。
[0065]接着，将得到的成形体d放入圆筒状的碳制模具后，在由氮气构成的非氧化气体气氛中且在1700°C、35MPa的压力下进行热压烧结而制作成加热器。在将露出于得到的烧结体的表面的引线端部(端子部)焊接筒状的金属制保持部件(护套件)而制作火花塞。
[0066]需要说明的是，绝缘基体的横截面外周形状为圆形，电阻体及引线的绝缘基体的横截面外周形状为椭圆形。并且，绝缘基体的直径为3.5mm,电阻体及引线的长轴为1.3mm,短轴为0.6mm。
[0067]将脉冲波形发生器连接于该火花塞的电极，将施加电压7V、脉冲宽度10μ S、脉冲间隔1μ s的矩形脉冲连续通电。经过1000小时后，测定了通电前后的电阻值的变化率((通电后的电阻值-通电前的电阻值)/通电前的电阻值)。将该结果表示于表1。
[0068]【表1】
【权利要求】
1.一种加热器，其特征在于，具备: 绝缘基体,其由陶瓷构成； 导体线路，其埋设于该绝缘基体； 所述导体线路含有导体粒子和陶瓷粒子， 所述导体线路所含有的陶瓷粒子的平均粒径比所述绝缘基体中的陶瓷粒子的平均粒径小。
2.根据权利要求1所述的加热器，其特征在于， 在所述导体线路所含有的陶瓷粒子的平均粒径中，与接近于和所述绝缘基体的界面的表层部相比，内侧的陶瓷粒子的平均粒径更小。
3.根据权利要求1或2所述的加热器，其特征在于， 所述导体线路所含有的陶瓷粒子的平均粒径比所述导体线路所含有的导体粒子的平均粒径小。
4.根据权利要求1?3中任一项所述的加热器，其特征在于， 所述导体线路含有Cr，且该Cr的含量以氧化物换算为1父10_6质量％?I X KT1质量％。
5.—种火花塞,其特征在于,具备: 权利要求1所述的加热器； 与所述导体线路电连接且保持所述加热器的金属制保持部件。
【文档编号】H05B3/12GK103843454SQ201280047870
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2012年9月29日 优先权日:2011年9月29日
【发明者】冈村健 申请人:京瓷株式会社