减少单端互连和总线中的远端串扰的制作方法
【专利摘要】可以通过向过孔添加金属板来对抗在互连技术（一般地与印刷电路板或封装相关联）中的相邻过孔之间出现的感应耦合。该板产生能够补偿正常地在印刷电路板或封装之间产生的感应串扰的电容耦合。当两个相邻过孔的添加板相互重叠时，产生电容耦合。通过用电容耦合来平衡电感耦合，可获得远端串扰的有效减少。
【专利说明】减少单端互连和总线中的远端串扰
【背景技术】
[0001]这一般地涉及单端互连和总线中的远端串扰的减少。
[0002]串扰是相邻通孔之前的电感耦合。远端串扰是在电缆的与干扰发射机相对的末端上测量的互连或总线的两个信号对之间的串扰或干扰。单端互连和总线使用地线和一个信号导线作为互连或总线的一部分。
[0003]串扰是用于实际平台技术中的高速信令的关键限制因素。为了实现可接受水平的串扰，正常地实现导线间距和/或间隔。此间距结果是更大的外形因数和/或有效传输速率密度的减小。结果，可能损害产品尺寸和/或性能。
[0004]单端互连或总线可用来将存储器连接到母板，作为示例，例如包括双倍数据速率动态随机存取存储器(DDR) 2和3以及同步存储接口 2 (SMI2)。
【专利附图】
【附图说明】
[0005]相对于以下各图来描述某些实施例:
图1与单端互连相结合的一个实施例的放大截面描述；
图2是根据一个实施例的SMI2互连应用的透视图；
图3是根据一个实施例的使用单端总线的实施例的透视图；
图4是根据一个实施例的单端SMI2总线的透视图；
图5是根据一个实施例的布线的透视图；以及图6是用于一个实施例的示意性描述。
【具体实施方式】
[0006]可以通过向过孔添加金属板来对抗在总线或互连技术(一般地与印刷电路板或封装相关联)中的相邻过孔之间出现的电感耦合。该板产生能够补偿正常地在印刷电路板或封装之间产生的感应串扰的电容耦合。当两个相邻过孔的添加板相互重叠时，产生电容耦合。通过用电容耦合来平衡电感耦合，可获得远端串扰的有效减少。
[0007]图1中所示的印刷电路板或封装10可包括多个过孔14从其中通过的多个金属化层12。过孔14a可从其邻居14b获得串扰且同样地过孔14b可从过孔14a获得串扰。为了对抗该串扰，可通过由重叠的金属镀层或基板(plaque) 16a和16b来形成平行板电容器而产生电容耦合。这些基板16b可邻近于过孔输出突出片(tab)18且相对更加远离过孔输入端20而定位。该基板添加补偿在过孔中产生的电感串扰、因此减少远端串扰(FEXT)的电容耦合。
[0008]电容器的使用可具有增加近端串扰(NEXT)的效果，但是此效果是可容忍的，因为远端串扰趋向于更加重要。
[0009]用仔细的设计，可以平衡电容和电感耦合，导致远端串扰的有效减少。可切割一个基准面以便为板中的一个让出空间。然而，还可以将该板移动至不同的印刷电路板(PCB)层以避免布线基准面切割。
[0010]因此，虽然接近于信号输出端示出了电容器，但其可以在沿着过孔长度的任何地方形成。可将电容器定位成避免切割基准面的需要或避免产生例如与金属镀层的非期望耦口 O
[0011]可在现有金属镀层中限定每个板。可在与突出片18相同的金属化层中但与该突出片18电隔离地针对每个过孔形成两个板中的一个。
[0012]在图2中示出了结合同步存储器接口 2 (SMI2)连接器过孔的更具体示例。在这种情况下，可向过孔20添加平行、间隔开的板22。该板可以是细长的，相互对准，在相邻过孔的方向上延伸，每个板部分地包围在过孔周围(例如，在金属镀层的平面中约90° )且远离过孔横向地延伸，以便被并置、平行于在与下一相邻过孔相反方向上延伸的相应板且与之略微间隔开。
[0013]因此，每个过孔可具有在一个方向上(即在图中向右)延伸的下板和略微在上面间隔开且向左延伸的另一板。每个板相交互且产生与被耦合到相邻过孔的板的电容耦合。
[0014]图3示出了具有单端总线的应用。在这种情况下，再次添加电容耦合以克服相邻过孔之间的电容耦合。因此，向过孔焊盘电容耦合引入布线减少了相邻位道之间的远端串扰。
[0015]电容耦合平衡存在于相邻过孔之间的不可避免的电感串扰，减少了远端串扰。特别地，必须在每个过孔26周围形成焊盘24。焊盘可全部环绕过孔以与到相邻过孔的输入线或迹线28形成电容器。如果每个过孔具有此类焊盘，则可在一个过孔的焊盘24与相邻过孔的输入线或迹线28之间产生电容耦合以克服每个相邻的成对过孔之间的电感耦合。
[0016]图4示出了一般地在DDR3和DDR4之间使用的SMI2设计总线中的相应应用。母板层叠可以为93miI，具有16个层，其对应于可从英特尔公司获得的典型Brickland平台处理器系列产品。大体上环形的焊盘30可围绕或环绕接近于其输入迹线28的每个过孔26。然后，可形成从一个过孔延伸至不同过孔的已修改布线32，在典型布线概念中，其与添加过孔焊盘30并置地且平行地在半圆形形状34中延伸，并且然后远离过孔向外延伸。
[0017]参考图5，在两个相邻布线之间形成电容器。该技术可以用来在相邻引脚、迹线、金属镀层或焊球和焊盘之间形成电容器。在一个实施例中，布线36a和36b可在不同的金属化层中。布线36a可具有沿着其长度形成的板或延伸突出片38a。同样地，布线36b可具有也沿着其长度形成的板或延伸突出片38b。突出片38a和38b重叠，相互平行但间隔开，从而在两个突出片38a和38b之间形成电容器。根据克服电容串扰的需要，可以沿着布线的长度形成任何数目的此类电容器。
[0018]在某些情况下，可与导线整体地形成构成电容器的板，如在图5中的情况下一样。在其他情况下，可在诸如与导线横向垂直的金属化层之类的层中形成构成电容器的板，例如，如结合图1和2所示。在其他情况下，金属镀层可以是与导线总体上分开的部分，如在图1一4中的情况一样。
[0019]可调整板的尺寸以产生电容以抵消任何电感耦合。然而，在必要时可使用较小底板，例如由于导线之间的紧密间距。在这种情况下，可沿着导线的长度提供更多的板以便产生期望量的电容。
[0020]一般地，该板可由与相应导线相同的材料制成。然而，在其他实施例中，板和导线可由不同的材料制成。在某些情况下，可在板之间提供材料以提供有利的介电常数。
[0021]虽然所描述的板是平面的且平行于或横向垂直导线，但在其他情况下，其可以是其他形状。
[0022]在某些情况下，可在与导线相同的时间形成板，并且在其他情况下，其可与那些导线分开地形成并根据需要结合到其中。此结合可以是诸如焊接之类的主动附着过程的结果，并且也可以是简单地促使金属在熔融状态下接触的结果。
[0023]可相对于过孔的长度以不同的取向但仍与直垂至地形成例如图2中所示的金属镀层。例如，在一个实施例中，可将金属镀层旋转90°。在这种情况下，可在过孔的各部分上间隔开地附着金属镀层或板以便产生期望的板间间距。
[0024]图6中所示的系统40可以是任何基于处理器的设备，举几个例子，包括蜂窝式电话、膝上型计算机、台式计算机、平板电脑、游戏机或电视。系统40可包括在这种情况下并联地耦合的任何数目的处理器42。可将处理器42耦合到存储器控制器44。存储器控制器44又可经由SMI2、互连或总线46而被连接到存储器模块48。例如，存储器模块48可以是DDR3或DDR4存储器模块。可将存储器控制器耦合到许多互连和许多存储器模块，如图6中所指示的。
[0025]虽然已描述了其中在两个相邻过孔上形成电容器的一个板的实施例，但可沿着每个过孔的范围形成超过一个板，沿着过孔的长度形成多个电容器。
[0026]相对于图1和2来描述过孔间电容器。相对于图3和4来描述过孔至布线电容器。在图5中示出了布线间电容器。同样地，可使用本地电容器来解决焊球电感串扰。
[0027]以下条项和/或示例涉及其他实施例:
一个实施例可以是一种包括通过形成抵消相邻导线之间的电感串扰的电容器来减少远端串扰的方法。该方法还可包括通过在两个相邻过孔中的每一个上形成两个板中的一个而形成所述电容器。该方法还可包括在单端总线或互连中形成电容器。该方法还可包括在过孔与布线之间形成电容器。该方法还可包括在相邻布线之间形成电容器。该方法还可包括在不同的金属化层中形成所述电容器的板。该方法还可包括在通孔上与通孔长度横向垂直地形成环形板并促使另一过孔上的布线平行于所述板但与所述板间隔开地延伸。该方法还可包括在所述布线中形成环形段以遵循所述环形板。
[0028]另一示例性实施例可以是一种包括被定位成从而经受远端串扰的一对基本上平行导线以及包括被连接到所述导线中的每一个的板的电容器的设备，所述电容器用于抵消远端串扰。该设备可包括其中所述导线是过孔。该设备可包括由所述导线形成的单端总线。该设备可包括由所述导线形成的单端互连。该设备可包括其中所述导线中的一个是过孔且另一导线是布线。该设备可包括其中所述导线是布线。该设备可包括其中所述导线在金属化层中形成。该设备可包括其中所述板在金属化层中形成。该设备可包括所述板中的一个是环形板，所述导线中的一个是过孔，所述环形板接触所述过孔，与过孔长度横向垂直地延伸。该设备可包括另一导线，其是平行于所述环形板但与所述环形板间隔开地延伸的布线。该设备可包括所述布线，其包括沿着所述环形板延伸但与所述环形板间隔开的环形段。
[0029]在另一示例性实施例中的可以是一种系统，包括处理器、被耦合到所述处理器的存储器控制器以及被耦合到所述存储器控制器的单端连接器，所述连接器包括被定位成从而经受远端串扰的一对基本上平行导线以及包括被连接到所述导线中的每一个的板的电容器，所述电容器用于抵消远端串扰。该系统可包括其中所述连接器是互连。该系统可包括其中，所述连接器是总线。该系统可包括被耦合到所述连接器的存储器。该系统可包括其中，所述导线是过孔。该系统可包括其中所述设备包括由所述导线形成的单端总线。该系统可包括其中所述导线中的一个是过孔且另一导线是布线。该系统可包括其中所述导线是布线。该系统可包括其中所述导线在金属化层中形成。该系统可包括其中所述板在金属化层中形成。
[0030]遍及本说明书对“一个实施例”或“实施例”的参考意指结合实施例所述的特定特征、结构或特性被包括在涵盖在本公开内的至少一个实施方式。因此，短语“一个实施例”或“在实施例中”的出现不一定参考同一实施例。此外，该特定特征、结构或特性可以除所示特定实施例之外的其他适当形式制定,并且所有此类形式可被涵盖在本申请的权利要求内。
[0031]虽然已描述的有限数目的实施例，但本领域的技术人员将由此认识到许多修改和变更。意图在于所附权利要求覆盖落在本公开的精神和范围内的所有此类修改和变更。
【权利要求】
1.一种方法，包括: 通过形成抵消相邻导线之间的电感串扰的电容器来减少远端串扰。
2.权利要求1的方法，包括通过在两个相邻过孔中的每一个上形成两个板中的一个而形成所述电容器。
3.权利要求2的方法，包括在单端总线或互连中形成电容器。
4.权利要求1的方法，包括在过孔与布线之间形成电容器。
5.权利要求1的方法，包括在相邻布线之间形成电容器。
6.权利要求1的方法，包括在不同的金属化层中形成所述电容器的板。
7.权利要求1的方法，包括在过孔上与过孔长度横向垂直地形成环形板并促使另一过孔上的布线平行于所述板但与所述板间隔开地延伸。
8.权利要求7的方法，包括在所述布线中形成环形段以遵循所述环形板。
9.一种设备,包括: 一对基本上平行的导体，被定位成从而经受远端串扰；以及 电容器，包括被连接到所述导体中的每一个的板，所述电容器用于抵消远端串扰。
10.权利要求9的设备，其中，所述导线是过孔。
11.权利要求10的设备，其中，所述设备包括由所述导线形成的单端总线。
12.权利要求10的设备，其中，所述设备包括由所述导线形成的单端互连。
13.权利要求9的设备，其中，所述导线中的一个是过孔且另一导线是布线。
14.权利要求9的设备，其中，所述导线是布线。
15.权利要求9的设备，其中，所述导线是在金属化层中形成。
16.权利要求15的设备，其中，所述板是在金属化层中形成。
17.权利要求9的设备，所述板中的一个是环形板，所述导线中的一个是过孔，所述环形板接触所述过孔，与过孔长度横向垂直地延伸。
18.权利要求17的设备，另一导线是平行于所述环形板但与所述环形板间隔开地延伸的布线。
19.权利要求18的设备，所述布线包括沿着所述环形板延伸但与所述环形板间隔开的环形段。
20.—种系统,包括: 处理器； 存储器控制器，被耦合到所述处理器；以及 被耦合到所述存储器控制器的单端连接器，所述连接器包括被定位成从而经受远端串扰的一对基本上平行导线以及包括被连接到所述导线中的每一个的板的电容器，所述电容器用于抵消远端串扰。
21.权利要求20的系统，其中，所述连接器是互连。
22.权利要求20的系统，其中，所述连接器是总线。
23.权利要求20的系统，包括被耦合到所述连接器的存储器。
24.权利要求20的系统，其中，所述导线是过孔。
25.权利要求24的系统，其中，所述设备包括由所述导线形成的单端总线。
【文档编号】H05K1/02GK104519656SQ201410499896
【公开日】2015年4月15日 申请日期:2014年9月26日 优先权日:2013年9月26日
【发明者】R.E.施巴亚马, M.赖, R.K.昆策, N.B.彼得森, C.A.L.莫雷诺, K.肖 申请人:英特尔公司