1.一种层叠膜，是具备挠性基材和形成于所述基材的至少一侧的表面上的薄膜层的层叠膜，
所述薄膜层含有硅原子(Si)、氧原子(O)和碳原子(C)，对所述薄膜层的表面进行X射线光电子能谱测定时，使用由宽扫描能谱得到的相当于Si的2p、O的1s、N的1s和C的1s的各自的结合能的峰而算出的碳原子相对于硅原子的原子数比在下述式(1)的范围，
以红外光谱测定的ATR法测定所述薄膜层表面时，存在于950～1050cm-1的峰强度(I1)与存在于1240～1290cm-1的峰强度(I2)的强度比在下述式(2)的范围，
0.01＜C/Si≤0.20 (1)
0.01≤I2/I1＜0.05 (2)。
2.根据权利要求1所述的层叠膜，其中，以红外光谱测定的ATR法测定所述薄膜层表面时，存在于950～1050cm-1的峰强度(I1)与存在于770～830cm-1的峰强度(I3)的强度比在下述式(3)的范围，
0.25≤I3/I1≤0.50 (3)。
3.根据权利要求1或2所述的层叠膜，其中，以红外光谱测定的ATR法测定所述薄膜层表面时，存在于770～830cm-1的峰强度(I3)与存在于870～910cm-1的峰强度(I4)的强度比在下述式(4)的范围，
0.70≤I4/I3＜1.00 (4)。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠膜，其中，在分别表示所述薄膜层的膜厚方向的距所述薄膜层的表面的距离与相对于所述薄膜层所含的硅原子、氧原子和碳原子的总数的硅的原子数比、氧的原子数比、碳的原子数比的关系的硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线中，满足下述所有条件(i)～(iii)：
(i)硅的原子数比、氧的原子数比和碳的原子数比在所述薄膜层的膜厚方向的90％以上的区域中，满足下述式(5)表示的条件，
氧的原子数比＞硅的原子数比＞碳的原子数比 (5)
(ii)所述碳分布曲线至少具有一个极值，以及
(iii)所述碳分布曲线中的碳的原子数比的最大值和最小值之差的绝对值为0.05以上。
5.根据权利要求4所述的层叠膜，其中，所述硅分布曲线中的硅的原子数比的最大值和最小值之差的绝对值小于5at％。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的层叠膜，其中，所述薄膜层由等离子体CVD法形成。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的层叠膜，其中，所述薄膜层使用辉光放电等离子体而形成。
8.一种挠性电子设备，使用权利要求1～7中任一项所述的层叠膜作为基板。