技术特征：
1.一种x射线波带片的封装方法，其特征在于，包括：获取待封装的x射线波带片的高度；根据所述高度对镀有x射线波带片的多层膜结构的细丝进行切割和抛光；采用微操作臂将切割和抛光后的波带片移动到氮化硅薄膜窗口上；利用feb/fib沉积技术将所述切割和抛光后的波带片固定在所述氮化硅薄膜窗口上。2.根据权利要求1所述的一种x射线波带片的封装方法，其特征在于，所述获取待封装的x射线波带片的高度，具体包括：利用确定待封装的x射线波带片的高度；其中，k＝2π/λ；β1、β2为两种材料的吸收项，δ1、δ2为两种材料的相位项，t为波带片高度。3.根据权利要求1所述的一种x射线波带片的封装方法，其特征在于，所述根据所述高度对镀有x射线波带片的多层膜结构的细丝进行切割和抛光，具体包括：根据所述高度，采用聚焦离子束对镀有x射线波带片的多层膜结构的细丝进行切割和抛光。4.根据权利要求1所述的一种x射线波带片的封装方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜窗口的厚度为100nm或200nm。5.一种x射线波带片的封装系统，其特征在于，包括：高度获取模块，用于获取待封装的x射线波带片的高度；切割和抛光模块，用于根据所述高度对镀有x射线波带片的多层膜结构的细丝进行切割和抛光；移动模块，用于采用微操作臂将切割和抛光后的波带片移动到氮化硅薄膜窗口上；封装模块，用于利用feb/fib沉积技术将所述切割和抛光后的波带片固定在所述氮化硅薄膜窗口上。6.根据权利要求5所述的一种x射线波带片的封装系统，其特征在于，所述高度获取模块具体包括：高度确定单元，用于利用确定待封装的x射线波带片的高度；其中，k＝2π/λ；β1、β2为两种材料的吸收项，δ1、δ2为两种材料的相位项，t为波带片高度。7.根据权利要求5所述的一种x射线波带片的封装系统，其特征在于，所述切割和抛光模块具体包括：切割和抛光单元，用于根据所述高度，采用聚焦离子束对镀有x射线波带片的多层膜结构的细丝进行切割和抛光。8.根据权利要求5所述的一种x射线波带片的封装系统，其特征在于，所述氮化硅薄膜窗口的厚度为100nm或200nm。