成，其组成中有机载体重量百分比为25%，功能相75%。
[0032]制备时，第一步将增稠剂、有机助剂、有机溶剂混合，以制得有机载体，其比例为:有机溶剂92 wt %，增稠剂4 wt %，有机助剂4 wt %;有机溶剂中为松油醇55 wt %、磷酸三苯酯10 wt %、松节油10 wt %、丁基卡必醇10 wt %、糠醇5 wt %、扩散栗油5 wt %、朽1檬酸三丁酯5 wt %，增稠剂中为聚酯树脂45wt %、酚醛树脂40 wt %、醋丁纤维素15，有机助剂中消泡剂30 wt %、润湿剂35 wt %、触变剂25 wt %、附着力促进剂10 wt %；
第二步将有机载体与功能相混合、研磨后制成电子浆料，其中功能相组成为:10wt%镍、
10wt %Cr、5 wt %钨、5wt%钼，25 wt %钇掺杂Ta205、20 wt %钇掺杂Cr203、10 wt %钐掺杂SiC、5 wt %镝掺杂TiC、5 wt %钕掺杂A1N，功能添加剂为5 wt %玻璃粉；
第三步将电子浆料丝网印刷到陶瓷基板上，1350°C烧结成膜。
[0033]以上内容仅为本发明的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
【主权项】
1.一种稀土掺杂半导体红外辐射厚膜电子浆料，其特征在于，包括有以下重量份的物料，具体为: 有机载体 10%-90% 功能相 10%-90%; 其中，有机载体包括有以下重量份的物料，具体为: 有机溶剂 50%-95% 增稠剂 1%_40% 有机助剂 0%_5%; 功能相包括有以下重量份的物料，具体为: 稀土掺杂红外辐射半导体材料重量比 40%-95%导体材料5%-60% 功能添加剂0%-20%。2.根据权利要求1所述的一种稀土掺杂半导体红外辐射厚膜电子浆料，其特征在于:所述有机溶剂为松油醇、甲醚、松节油、磷酸三甲苯酯异丙醇、乙醚、二甲苯、丁基卡必醇醋酸酯、苯甲醇、丁基卡必醇、乙醇、邻苯二甲酸二丁酯、丙醇、邻苯二甲酸二乙酯、磷酸三苯酯、乙酸乙酯、丙酸戊酯、邻苯二甲酸二辛酯、糠醇、柠檬酸三丁酯、扩散栗油、环己酮、磷酸三丁酯、乳酸乙酯、苯甲酸乙酯中的两种或者两种以上的组合物。3.根据权利要求2所述的一种稀土掺杂半导体红外辐射厚膜电子浆料，其特征在于:所述增稠剂为乙基纤维素、醋丁纤维素、丙烯酸树脂、氨基树脂、聚酯树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、有机硅树脂、环氧树脂、松香树脂中的两种或者两种以上的组合物。4.根据权利要求3所述的一种稀土掺杂半导体红外辐射厚膜电子浆料，其特征在于:所述有机助剂为流平剂、消泡剂、触变剂、附着力促进剂、固化剂、分散剂、润湿剂、增韧剂、乳化剂、抗结皮剂、消光剂、光稳定剂、防霉剂、抗静电剂、防粘连剂、防缩孔剂、锤纹助剂、抑泡剂，抗胶凝剂、防发花剂中的两种或者两种以上的组合物。5.根据权利要求4所述的一种稀土掺杂半导体红外辐射厚膜电子浆料，其特征在于:所述稀土掺杂红外辐射半导体材料为稀土掺杂Ti02、TiC、SiC、AlN、Sn02、Cd0、Fe203、Cr203、Al203、AlCaN、GaN、InAlN、，Cu20、Ni0、V02、Ta205、WC、TaC、VC、ZrC、HfC、CdO、Mn02、Co0、Cu20、Co0 Cr203、Sn0、Cu2S、SnS、Hg20、PbO、Ag20、Ag20、Cr203、Mn0、Co0、Sn0、Ni0、Cu20、Cu2S、Pr203、SnS、Sb2S3、Cu1、Bi2Te3、Te、Se、Mo02、Hg20、V205、Cr03、ZnO、WO3、Cu0、Mo02、Ag2S、CdS、Nb205、BaO、ZnF2、Hg2S、Fe304、V205、V308、Ag2S、Nb205、Mo03、Cd0、CsS、CdS、CdSe、Sn02、WO3、Cs2Se、BaO、Ta205、BaTiCb、PbCrC>4、Fe304、Hg2S、ZnF2、ZnO、CdCr2Se4、LaFe03 中的一种或者两种以上的组合物。6.根据权利要求5所述的一种稀土掺杂半导体红外辐射厚膜电子浆料，其特征在于:所述导体材料为金属导体材料、无机非金属导体材料、聚合物导体材料中的一种或两种以上组合物，导体材料的状态为粉体、纤维、溶液一种或两种以上组合状态，金属导体材料为铝、铜、络、钼、银、锌、镍、钴、妈、猛、金、银、铀、舒、铭、钯、锇、铱、金属合金中的一种或两种以上组合物，无机非金属导体材料为碳材料、导电玻璃、金属氧化物中的一种或两种以上组合物，聚合物导体材料为聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、聚双炔中的一种或两种以上组合物。7.根据权利要求6所述的一种稀土掺杂半导体红外辐射厚膜电子浆料，其特征在于:所述碳材料为无石墨烯、电炭黑、短切碳纤维、碳纳米纤维、碳纳米管、螺旋形炭、石墨粉中的一种或两种以上组合物。8.根据权利要求7所述的一种稀土掺杂半导体红外辐射厚膜电子浆料，其特征在于:所述稀土为稀土单质、稀土化合物中的一种或两种以上组合物，稀土单质为钪、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钪的中的一种或两种以上组合物，稀土化合物为钪、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钪的氧化物和盐类中的一种或两种以上组合物。9.根据权利要求8所述的一种稀土掺杂半导体红外辐射厚膜电子浆料，其特征在于:所述功能添加剂为无机粘结剂、电气性能促进剂、增强剂、增韧剂、助熔剂中的一种或两种以上组合物，无机粘结剂为玻璃粉、铜的氧化物、铜的其他化合物中的一种或两种以上组合物，电气性能促进剂为金属化合物、金属间化合物、陶瓷粉体中的一种或两种以上组合物。10.—种稀土掺杂半导体红外辐射厚膜电子浆料制备方法，其特征在于，包括有以下工艺步骤，具体为: a、将增稠剂、有机助剂、有机溶剂混合，以制得有机载体，增稠剂、有机助剂、有机溶剂三种物料的重量份分别为:50-95%、1-40%、0-5%; b、将有机载体与功能相混合，并研磨制成电子浆料，其中，有机载体、功能相的重量份分别为10-90%、10-90%，功能相包括有以下重量份的物料:稀土掺杂红外辐射半导体材料重量比40%-95%、导体材料5%-60%、功能添加剂0%-20% ； c、将制备得到的电子浆料通过丝网印刷漏印到基片上，固化或者烧结成膜，即可得到稀土掺杂半导体红外辐射厚膜。
【专利摘要】本发明公开了一种稀土掺杂半导体红外辐射厚膜电子浆料及其制备方法，该电子浆料包括重量份为10%-90%的有机载体、10%-90%的功能相，有机载体包括重量份为50%-95%有机溶剂、1%-40%增稠剂、0%-5%有机助剂；功能相包括重量份为40%-95%稀土掺杂红外辐射半导体材料重量比、5%-60%导体材料、0%-20%功能添加剂；该电子浆料基材选用广、加热温度范围广、发热效率高、发热体自身温度低、可实现热电热双向转换。该制备方法包括：a、将增稠剂、有机助剂、有机溶剂混合以制得有机载体；b、将有机载体、功能相混合并研磨制成电子浆料；c、将电子浆料通过丝网印刷漏印到基片上，固化或者烧结成膜。
【IPC分类】H05B3/14
【公开号】CN105472791
【申请号】CN201510978180
【发明人】刘建, 苏冠贤
【申请人】东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年12月23日