专利名称：菊花一步法组培快繁方法
技术领域：
本发明涉及菊花栽培方法技术领域，特别是菊花一步法组培快繁方法。
背景技术：
菊花，多年生菊科草本植物，是中国十大名花之一，有着悠久的栽培及选育历史。菊花也是中国常用中药，具有疏风、清热、明目、解毒之功效。主要治疗头痛、眩晕、目赤、心胸烦热、疗疮、肿毒等症。现代药理研究表明，菊花具有治疗冠心病、降低血压、预防高血脂、抗菌、抗毒素、抗炎、抗衰老等多种药理活性。菊花的繁殖方法一般有两种繁殖法，即营养繁殖和种子繁殖。为了保持菊花的优良性状不变，在生产中一般都用营养繁殖，只有在培育新品种时才进行种子繁殖。营养繁殖的方法有多重，生产中常用的有扦插、分株、嫁接、压条繁殖、组织培养等法，通常以扦插繁殖应用最多。中国专利201110029825. 2，公开了甜叶菊种苗的组培快繁技术，但其操作步骤复杂，每个培养阶段都需要不同成分的培养基，增加了实际操作的难度。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种降低操作难度、繁殖系数高、繁殖周期短的菊花一步法组培快繁方法。本发明的目的通过以下技术方案来实现菊花一步法组培快繁方法，它包括以下步骤
51、获得菊花无菌组培苗采集菊花外植体，切割成2 3cm的带芽茎段，酒精灭菌20 40s,升萊灭菌4 6min,无菌水冲洗4 6遍,接种于培养基上生长,所述的培养基为MS+NAAO. 2mg/L+IAA0. lmg/L，在光照2000LX，16 h，温度24°C的培养条件下培养；一周后，待新的腋芽萌发至2 3cm时，转接于新的培养基上生长，所述的培养基仍为MS+NAAO. 2mg/L+IAAO. lmg/L，在光照2000LX，16 h，温度24°C的培养条件下培养；生长两周后获得生根无菌健壮母本苗；
52、一步法快繁将步骤SI中得到的无菌健壮母本苗切成2 3cm的带芽茎段，接种于培养基上同时进行继代和生根培养，所述的培养基仍为MS+NAAO. 2mg/L+IAA0. lmg/L，在光照2000LX，16 h，温度24°C的培养条件下培养；一周后，带芽茎段长成完整植株。所述的步骤S2中将步骤SI中得到的无菌健壮母本苗切成带芽茎段的操作方法为将一株健壮苗可切割成20 30段2 3cm的带芽茎段，繁殖系数高。本发明具有以下优点本发明利用植物组织培养技术，获得菊花无菌组培苗，再通过一步法快繁，仅需一种培养基，同时进行繁殖、壮苗、生根培养，生根后的菊花组培苗不需特殊炼苗，生长健壮，生产成本低廉，得到的组培苗遗传状一致，且繁殖系数高，繁殖周期短，是菊花组培快繁的有效途径。本发明的组培培养基和壮苗、生根培养基为同一种培养基，降低了操作难度，利于提高培养效率。通过实验，本方法适用于食用菊、地被菊、切花菊等各种不同种类的菊花。
图I为本发明的菊花初代腋芽萌发示意2为本发明的生根无菌健壮母本苗示意3为本发明的一步法快繁初期示意图
图4为本发明的一步法快繁后期示意5为本发明的一步法快繁生根示意图
具体实施例方式下面结合附图及实施例对本发明做进一步的描述，本发明的保护范围不局限于以下所述
实施例I:
菊花一步法组培快繁方法，它包括以下步骤
51、获得菊花无菌组培苗采集菊花外植体，切割成2 3cm的带芽茎段，酒精灭菌30，升汞灭菌5min，无菌水冲洗5遍，接种于培养基上生长，如图I所示，所述的培养基为MS+NAAO. 2mg/L+IAA0. lmg/L，在光照2000LX，16 h，温度24°C的培养条件下培养；一周后，待新的腋芽萌发至2 3cm时，转接于新的培养基上生长，所述的培养基仍为MS+NAAO. 2mg/L+IAAO. lmg/L，在光照2000LX，16 h，温度24°C的培养条件下培养，生长两周后获得生根无菌健壮母本苗，如图2所示；
52、一步法快繁将步骤SI中得到的无菌健壮母本苗切成20 30段2 3cm的带芽茎段，接种于培养基上同时进行继代和生根培养，如图3所示，所述的培养基仍为MS+NAAO. 2mg/L+IAA0. lmg/L，在光照2000LX，16 h，温度24°C的培养条件下培养，一周后，如图4、图5所示，带芽茎段长成完整植株，繁殖周期较短。实施例2
菊花一步法组培快繁方法，它包括以下步骤
51、获得菊花无菌组培苗采集菊花外植体，切割成2 3cm的带芽茎段，酒精灭菌20s,升汞灭菌6min，无菌水冲洗4遍，接种于培养基上生长，如图I所示，所述的培养基为MS+NAAO. 2mg/L+IAA0. lmg/L，在光照2000LX，16 h，温度24°C的培养条件下培养；一周后，待新的腋芽萌发至2 3cm时，转接于新的培养基上生长，所述的培养基仍为MS+NAAO. 2mg/L+IAAO. lmg/L，在光照2000LX，16 h，温度24°C的培养条件下培养，生长两周后获得生根无菌健壮母本苗，如图2所示；
52、一步法快繁将步骤SI中得到的无菌健壮母本苗切成20 30段2 3cm的带芽茎段，接种于培养基上同时进行继代和生根培养，如图3所示，所述的培养基仍为MS+NAAO. 2mg/L+IAA0. lmg/L，在光照2000LX，16 h，温度24°C的培养条件下培养，一周后，如图4、图5所示，带芽茎段长成完整植株，繁殖周期较短。实施例3:
菊花一步法组培快繁方法，它包括以下步骤
SI、获得菊花无菌组培苗采集菊花外植体，切割成2 3cm的带芽茎段，酒精灭菌40s,升汞灭菌4min，无菌水冲洗4遍，接种于培养基上生长，如图I所示，所述的培养基为MS+NAAO. 2mg/L+IAA0. lmg/L，在光照2000LX，16 h，温度24°C的培养条件下培养；一周后，待新的腋芽萌发至2 3cm时，转接于新的培养基上生长，所述的培养基仍为MS+NAAO. 2mg/L+IAAO. lmg/L，在光照2000LX，16 h，温度24°C的培养条件下培养，生长两周后获得生根无菌健壮母本苗，如图2所示；
S2、一步法快繁将步骤SI中得到的无菌健壮母本苗切成20 30段2 3cm的带芽茎段，接种于培养基上同时进行继代和生根培养，如图3所示，所述的培养基仍为MS+NAAO. 2mg/L+IAA0. lmg/L，在光照2000LX，16 h，温度24°C的培养条件下培养，一周后，如图4、图5所示，带芽茎段长成完整植株，繁殖周期较短。
权利要求
1.菊花一步法组培快繁方法，其特征在于它包括以下步骤51、获得菊花无菌组培苗采集菊花外植体，切割成2 3cm的带芽茎段，酒精灭菌20 40s,升萊灭菌4 6min,无菌水冲洗4 6遍,接种于培养基上生长,所述的培养基为MS+NAAO. 2mg/L+IAA0. lmg/L,在光照2000LX，16 h，温度24°C的培养条件下培养；一周后，待新的腋芽萌发至2 3cm时，转接于新的培养基上生长，所述的培养基仍为MS+NAAO. 2mg/L+IAAO. lmg/L，在光照2000LX，16 h，温度24°C的培养条件下培养；生长两周后获得生根无菌健壮母本苗；52、一步法快繁将步骤SI中得到的无菌健壮母本苗切成2 3cm的带芽茎段，接种于培养基上同时进行继代和生根培养，所述的培养基仍为MS+NAAO. 2mg/L+IAA0. lmg/L，在光照2000LX，16 h，温度24°C的培养条件下培养；一周后，带芽茎段长成完整植株。
2.根据权利要求I所述的菊花一步法组培快繁方法，其特征在于所述的步骤S2中将步骤SI中得到的无菌健壮母本苗切成带芽茎段的操作方法为将一株健壮苗切割成20 30段2 3cm的带芽茎段。
全文摘要
本发明公开了菊花一步法组培快繁方法，它包括以下步骤S1、获得菊花无菌组培苗采集菊花外植体，切割成带芽茎段，灭菌清洁后，接种于培养基上生长，待新的腋芽萌发至2～3cm时，转接于新的培养基上生长，获得生根无菌健壮母本苗；S2、一步法快繁将步骤S1中得到的无菌健壮母本苗切成带芽茎段，接种于培养基上同时进行继代和生根培养，带芽茎段长成完整植株。本发明的有益效果是生根后的菊花组培苗不需特殊炼苗，生长健壮，生产成本低廉，得到的组培苗遗传状一致，且繁殖系数高，繁殖周期短，是菊花组培快繁的有效途径；组培培养基和壮苗、生根培养基为同一种培养基，降低了操作难度，利于提高培养效率，且适用范围广。
文档编号A01H4/00GK102939901SQ201210453010
公开日2013年2月27日 申请日期2012年11月13日 优先权日2012年11月13日
发明者马建华, 冯爱云, 罗丽君, 王小辉, 晏强 申请人:巴中市光雾山植物研究所