一种多晶硅人工破碎台的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种多晶硅人工破碎台，包括：开设有开孔的破碎台面、至少一个下料漏斗和至少一个剩料箱，下料漏斗的入口与破碎台面的下表面相连，并与所述开孔连通，下料漏斗的出口与剩料箱的开口相对，其特征在于，破碎台面的上表面、下料漏斗的内表面和/或剩料箱的内表面设置有聚氨酯PU层。本实用新型在破碎台面的上表面、下料漏斗的内表面和/或剩料箱的内表面设置PU层，PU材料不掉渣、不起皮，有良好的强度与硬度，在多晶硅破碎过程中，不会对多晶硅表面造成污染，保证产品品质，提高太阳能转化效率。另外，PU材料耐磨损，使用寿命长，而且，吸音性强，在多晶硅破碎过程中能在一定程度上减少噪音。
【专利说明】—种多晶硅人工破碎台
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及多晶娃生产设备领域,特别是涉及一种多晶娃人工破碎台。
【背景技术】
[0002]在多晶硅生产过程中，生产出来的多晶硅棒需进入产品整理工序，即经转运箱搬运到多晶硅人工破碎台上，由人工将棒状产品破碎为满足国标要求的块状产品。
[0003]传统的多晶硅破碎平台采用不锈钢、合金等材质制成，在与多晶硅接触过程中会不同程度的对多晶娃表面造成污染，造成多晶娃表面金属杂质含量超标。而多晶娃表面金属杂质会在多晶硅下游应用中造成硅材料少数载流子寿命降低。少数载流子寿命是指非平衡载流子的寿命，该参数对太阳能转化效率有很大影响。正是因为少数载流子寿命对下游客户的重要影响，少数载流子寿命的长短也决定着多晶硅厂家生产技术与产品品质的优劣，因此，如何降低多晶硅表面金属杂质含量也成为多晶硅生产过程中的一个重要问题。
[0004]因此，亟需一种多晶硅人工破碎台以解决上述技术问题。
实用新型内容
[0005]本实用新型针对现有技术中存在的上述不足，提供一种多晶硅人工破碎台，用以解决多晶娃表面金属杂质含量超标的问题。
[0006]本实用新型为解决上述技术问题，采用如下技术方案:
[0007]本实用新型提供一种多晶硅人工破碎台，包括:开设有开孔的破碎台面、至少一个下料漏斗和至少一个剩料箱，下料漏斗的入口与破碎台面的下表面相连，并与所述开孔连通，下料漏斗的出口与剩料箱的开口相对，其特征在于，破碎台面的上表面、下料漏斗的内表面和/或剩料箱的内表面设置有聚氨酯I3U层。
[0008]优选的，述破碎台面呈矩形，在破碎台面的四个角上，竖直向上设置有四根竖直支架，在四根竖直支架的顶端，两两相邻的竖直支架之间分别水平连接有水平支架。
[0009]优选的，破碎台面的下方形成封闭空间，所述下料漏斗和所述剩料箱容置于所述封闭空间内；
[0010]所述多晶硅人工破碎台还包括:抽风机、抽风风道和用于向外送风的外送风风道，所述抽风机和外送风风道设置于所述破碎台面的一侧，所述抽风风道容置于所述封闭空间内，分别与下料漏斗的出口和所述外送风风道相连，抽风机的抽风口与所述外送风风道相连。
[0011]优选的，述破碎台面的两个侧边上分别设置有竖直的墙板，每侧的墙板分别固定于该侧的竖直支架上，两侧的墙板上均设有侧抽风口 ；
[0012]所述多晶硅人工破碎台还包括设置于两侧的墙板的外侧的侧抽风风道，所述侧抽风风道分别与所述侧抽风口和所述抽风风道相连通。
[0013]优选的，述侧抽风口为多个，所述侧抽风口在两侧的墙板上竖直排列；最上端的侧抽风口到所述破碎台面的距离为30-40cm。[0014]优选的，碎台面的四根竖直支架上设置有导轨；
[0015]所述多晶硅人工破碎台还包括第一推拉门和第二推拉门，所述第一推拉门和第二推拉门的宽度与所述前水平支架和后水平支架的长度相等，所述第一推拉门和第二推拉门设置于所述导轨上；
[0016]所述第一推拉门设置于所述破碎台面的前侧，能够在破碎台面前侧的导轨的导引下上下滑动；所述第二推拉门设置于破碎台面的后侧，能够在破碎台面后侧的导轨的导引下上下滑动。
[0017]优选的，述第一推拉门和第二推拉门采用透明的钢化玻璃制成。
[0018]优选的，述开孔为多个，所述开孔均匀分布于所述破碎台面上。
[0019]优选的，孔的直径为25mm。
[0020]优选的，斗的侧壁与水平面呈30度角。
[0021]本实用新型具有如下有益效果:
[0022]本实用新型在破碎台面的上表面、下料漏斗的内表面和/或剩料箱的内表面设置PU层，I3U材料不掉渣、不起皮，有良好的强度与硬度，在多晶硅破碎过程中，不会对多晶硅表面造成污染，保证产品品质，提高太阳能转化效率。另外，PU材料耐磨损，使用寿命长，而且，吸音性强，在多晶硅破碎过程中能在一定程度上减少噪音。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1为本实用新型实施例提供的多晶硅人工破碎台的主视图；
[0024]图2为本实用新型实施例提供的多晶硅人工破碎台的俯视图；
[0025]图3为本实用新型实施例提供的多晶硅人工破碎台的左视图；
[0026]图4为本实用新型实施例提供的多晶硅人工破碎台的破碎台面的结构示意图。
[0027]图例说明:
[0028]1、破碎台面2、下料漏斗3、剩料箱
[0029]4、抽风机5、外送风风道 6、抽风风道
[0030]7、侧抽风口8、侧抽风风道 9、推拉门
[0031]10、顶盖11、开孔12、竖直支架
[0032]13、水平支架14、导轨21、下料漏斗的入口
[0033]22、下料漏斗的出口 31、剩料箱的开口 91、第一推拉门
[0034]92、第二推拉门
【具体实施方式】
[0035]为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细描述。
[0036]本实用新型提供一种多晶硅人工破碎台，通过在破碎台面的上表面、下料漏斗的内表面和/或剩料箱的内表面设置PU层，PU材料能有效减少多晶硅表面金属污染，保证产品品质。
[0037]以下结合图1-4详细说明本实用新型多晶硅人工破碎台的结构。
[0038]参见图1，多晶硅人工破碎台包括:破碎台面1、至少一个下料漏斗2和至少一个剩料箱3。破碎台面I上开设有开孔11，下料漏斗的入口 21与破碎台面I的下表面相连，并与开孔11连通，下料漏斗的出口 22与剩料箱的开口 31相对。破碎台面I的上表面、下料漏斗2的内表面和/或剩料箱3的内表面设置有聚氨酯I3U层。
[0039]下料漏斗2和剩料箱3匹配设置，可以为一个或多个。
[0040]破碎台面1、下料漏斗2和剩料箱3可以为不锈钢材质。优选的，下料漏斗2的侧
壁与水平面呈30度角。
[0041]I3U具有不掉渣、不起皮，硬度高等特点，因此，在能够与多晶硅接触的部件的表面，即在破碎台面的上表面、下料漏斗的内表面、剩料箱的内表面设置PU层，能有效避免多晶硅对破碎台面、下料漏斗和剩料箱的表面划伤，降低多晶硅破碎过程中对多晶硅表面的污染，保证产品品质，提高太阳能转化效率。PU具有耐磨损的特点，使用寿命长。另外，还具有吸音性强的特点，在多晶硅破碎过程中能在一定程度上减少噪音。
[0042]PU层为PU改性材料，具体的，可以通过粘贴的方式将PU改性材料设置在破碎台面的上表面、下料漏斗的内表面和剩料箱的内表面其中之一，优选的，可以在破碎台面的上表面、下料漏斗的内表面和剩料箱的内表面上均设置PU层，以达到更好的效果。
[0043]结合图3、4所示，破碎台面I呈矩形，在破碎台面I的四个角上，竖直向上设置有四根竖直支架12，在四根竖直支架12的顶端，两两相邻的竖直支架12之间分别水平连接有水平支架13。水平支架13也为四根，包括前水平支架、后水平支架、左水平支架和右水平支架。
[0044]竖直支架12可以为方钢结构。
[0045]参见图3，破碎台面I的下方形成封闭空间，下料漏斗2和剩料箱3容置于所述封闭空间内。
[0046]优选的，在破碎台面I的下方开设可开闭式的门，当门关闭时，即形成所述封闭空间。
[0047]参见图1，本实用新型实施例提供的多晶硅人工破碎台还包括:抽风机4、抽风风道6和用于向外送风的外送风风道5,抽风机4和外送风风道5设置于破碎台面I的一侧，抽风风道6容置于所述封闭空间内，分别与下料漏斗2的出口和外送风风道5相连，抽风机4的抽风口与外送风风道5相连。
[0048]在该封闭空间中，抽风机4、抽风风道6、下料漏斗2、破碎台面I的开孔11和外送风风道5相连通，能够在破碎台面I的下方形成负压，吸附破碎产生的粉尘，并通过抽风风道6和外送风风道5，进入下游的除尘系统。
[0049]现有的多晶硅人工破碎台在对破碎过程中产生的粉尘的处理上，普遍采用上抽风或侧抽风的方式，这两种抽风除尘方式均会不同程度造成粉尘向破碎台面的上方扬起，对操作人员的呼吸道造成伤害。而且，由于需要粉尘向上走，与重力方向相反，故能除去的粉尘量非常有限，剩余的粉尘不但会造成多晶硅的污染，滞留在操作空间内也会影响操作空间的洁净度。本实用新型采用下抽风方式除尘，将抽风风道6设置于破碎台面I的下方，能够有效增强除尘效果，并保证操作空间的洁净度。
[0050]破碎台面I的两个侧边上分别设置有竖直的墙板，每侧的墙板分别固定于该侧的竖直支架12上。
[0051]优选的，两侧的墙板上均设有侧抽风口 7，侧抽风口 7用于从破碎台面I的侧面进行抽风。
[0052]本实用新型提供的多晶硅人工破碎台还包括设置于两侧的墙板的外侧的侧抽风风道8，侧抽风风道8分别与侧抽风口 7和抽风风道6相连通。
[0053]通过在破碎台面I的两侧设置侧抽风口 7和侧抽风风道8，在多晶硅破碎过程中扬起的粉尘可以从两侧的侧抽风口 7和侧抽风风道8排走，无需待粉尘落到破碎台面I后再由下面的抽风风道6排走，增强了粉尘吸附能力，消除粉尘效果更好。
[0054]优选的，侧抽风口 7可以为多个，多个侧抽风口 7在两侧的墙板上竖直排列，最上端的侧抽风口 7到破碎台面I的距离可以为30-40cm。破碎多晶硅产生的扬尘通常会扬起30cm左右，因此，将最上端的侧抽风口 7设置在距离破碎台面30-40cm的高度足以保证粉尘的吸附。
[0055]现有的多晶硅人工破碎台是在背面安装抽风装置，破碎操作人员只能在破碎台的前方进行作业，破碎完成后，再由另外一个人在破碎台的前方进行包装。
[0056]本实用新型将抽风风道6设置在破碎台面I下方的封闭空间中，这样，破碎台面I的背面的空间就可以进一步得以利用，例如，可以在破碎台面I的背面的空间进行包装作业。另一方面，在进行多晶硅包装作业的同时，在破碎台面I的前面的空间内，可以进行下一批次的多晶硅的运输、搬运工作，形成流水作业，提高生产效率。
[0057]多晶硅破碎作业对操作空间的洁净度要求较高，多晶硅材料属于超洁净材料，操作空间的洁净度越高对材料的生产越有利。而多晶硅包装作业对操作空间的洁净度要求则没有那么高，因此，为了保证多晶硅的产品品质，需要将多晶硅破碎操作空间与多晶硅包装操作空间隔离开来。
[0058]本实用新型实施例通过在多晶硅人工破碎台上设置推拉门来实现2个操作空间的分隔。
[0059]参见图3，在破碎台面I的四根竖直支架12上设置有导轨14。
[0060]所述多晶硅人工破碎台还包括第一推拉门91和第二推拉门92，第一推拉门91和第二推拉门92的宽度与前水平支架和后水平支架的长度相等，该长度即为破碎台面I的长度。第一推拉门91和第二推拉门92均设置于导轨14上，并能够在导轨14的导引下上下滑动。第一推拉门91设置于破碎台面I的前侧，能够在破碎台面I前侧的导轨14的导引下上下滑动，第二推拉门92设置于破碎台面I的后侧，能够在破碎台面I后侧的导轨14的导引下上下滑动。
[0061]优选的，第一推拉门91和第二推拉门92采用透明的钢化玻璃制成。
[0062]在进行多晶硅破碎作业时，第一推拉门91在破碎台面I的前侧向上打开，第二推拉门92在破碎台面I的后侧落下，第二推拉门92将多晶硅破碎的操作空间与多晶硅包装的操作空间隔离开，此时进行多晶硅破碎作业，能够保证多晶硅产品品质。
[0063]进行多晶硅包装作业时，第一推拉门9在破碎台面I的前侧落下，第二推拉门92在破碎台面I的后侧向上打开，第一推拉门91将多晶硅破碎的操作空间与多晶硅包装的操作空间隔离开，此时，进行多晶硅包装作业，也避免了多晶硅包装的操作空间对多晶硅破碎的操作空间的污染。
[0064]优选的，为了方便操作，还可以在四根竖直支架12的顶端设置定滑轮和钢丝绳，并将钢丝绳分别与第一推拉门91和第二推拉门92相连。当其中一个推拉门向上开启时，带动钢丝绳在竖直方向运动，并在定滑轮和钢丝绳的作用下，带动另一个推拉门向下关闭；当其中一个推拉门向下关闭时，带动钢丝绳在竖直方向上运动，并在定滑轮和钢丝绳的作用下，带动另一个推拉门向上打开。
[0065]定滑轮、钢丝绳和推拉门之间的具体连接关系，属于现有技术，在此不再赘述。
[0066]如图3所示，优选的，该多晶硅人工破碎台还包括顶盖10，顶盖10水平设置于竖直支架12的顶端。顶盖10的下表面设置有LED灯(图中未绘示)，以增强破碎台面I的上方区域的亮度。
[0067]导轨14略高于顶盖10，推拉门9能够借助导轨14的导引，在顶盖10的上方滑动。
[0068]参见图4，开孔11为多个，开孔11均匀分布于破碎台面I上。开孔11的直径为25mm0
[0069]多晶硅破碎完毕会产生大量的小块料，通常，会将< 25mm和25_200mm的尺寸进行分装，所以小块料需要再次拣出，并装入特定器件内进行筛分，流程上非常繁琐，处理不便。本实用新型通过将开孔的直径限定为25_，小于该尺寸的块料能够通过开孔11，经由下料漏斗2落入剩料箱3中，而大于25_的块料则可以被直接分拣出来，省时省力。
[0070]多晶硅人工破碎台在使用时，推拉门9在破碎台面I的前侧向上打开，此时，推拉门9在破碎台面I的后侧落下，操作人员将需要破碎的多晶硅棒从破碎台面I的前侧搬上破碎台面1，并破碎成小块。然后，控制推拉门9在破碎台面I的前侧落下，此时，推拉门9在破碎台面I的后侧向上打开，另一位操作人员利用破碎台面I上的开孔11对已破碎的块料进行分拣，并分别将留在破碎台面I上的较大块料和落入剩料箱3内的小块料分别装入洁净包装袋内，完成包装过程。
[0071]在此过程中，抽风机4 一直处于开启状态，在抽风机4的作用下，破碎台面I下方形成微负压，风只能通过破碎台面I的开孔11进入到破碎台面I的下方，在这个风量循环过程中，破碎产生的粉尘随着风量一并被抽风机4送入抽风风道6和外送风风道7，从而进入下游的除尘系统。
[0072]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种多晶硅人工破碎台，包括:开设有开孔的破碎台面、至少一个下料漏斗和至少一个剩料箱，下料漏斗的入口与破碎台面的下表面相连，并与所述开孔连通，下料漏斗的出口与剩料箱的开口相对，其特征在于，破碎台面的上表面、下料漏斗的内表面和/或剩料箱的内表面设置有聚氨酯I3U层。
2.如权利要求1所述的多晶硅人工破碎台，其特征在于，所述破碎台面呈矩形，在破碎台面的四个角上，竖直向上设置有四根竖直支架，在四根竖直支架的顶端，两两相邻的竖直支架之间分别水平连接有水平支架。
3.如权利要求2所述的多晶硅人工破碎台，其特征在于，所述破碎台面的下方形成封闭空间，所述下料漏斗和所述剩料箱容置于所述封闭空间内； 所述多晶硅人工破碎台还包括:抽风机、抽风风道和用于向外送风的外送风风道，所述抽风机和外送风风道设置于所述破碎台面的一侧，所述抽风风道容置于所述封闭空间内，分别与下料漏斗的出口和所述外送风风道相连，抽风机的抽风口与所述外送风风道相连。
4.如权利要求3所述的多晶硅人工破碎台，其特征在于，所述破碎台面的两个侧边上分别设置有竖直的墙板，每侧的墙板分别固定于该侧的竖直支架上，两侧的墙板上均设有侧抽风口 ； 所述多晶硅人工破碎台还包括设置于两侧的墙板的外侧的侧抽风风道，所述侧抽风风道分别与所述侧抽风口和所述抽风风道相连通。
5.如权利要求4所述的多晶硅人工破碎台，其特征在于，所述侧抽风口为多个，所述侧抽风口在两侧的墙板上竖直排列；最上端的侧抽风口到所述破碎台面的距离为30-40cm。
6.如权利要求2所述的多晶硅人工破碎台，其特征在于，在破碎台面的四根竖直支架上设置有导轨； 所述多晶硅人工破碎台还包括第一推拉门和第二推拉门，所述第一推拉门和第二推拉门的宽度与所述前水平支架和后水平支架的长度相等，所述第一推拉门和第二推拉门设置于所述导轨上； 所述第一推拉门设置于所述破碎台面的前侧，能够在破碎台面前侧的导轨的导引下上下滑动；所述第二推拉门设置于破碎台面的后侧，能够在破碎台面后侧的导轨的导引下上下滑动。
7.如权利要求6所述的多晶硅人工破碎台，其特征在于，所述第一推拉门和第二推拉门采用透明的钢化玻璃制成。
8.如权利要求1所述的多晶硅人工破碎台，其特征在于，所述开孔为多个，所述开孔均匀分布于所述破碎台面上。
9.如权利要求1所述的多晶硅人工破碎台，其特征在于，所述开孔的直径为25_。
10.如权利要求1-9任一项所述的多晶硅人工破碎台，其特征在于，下料漏斗的侧壁与水平面呈30度角。
【文档编号】B02C23/00GK203816736SQ201420156806
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年4月1日 优先权日:2014年4月1日
【发明者】杨宝辉, 陈卫卫, 曾远江, 其他发明人请求不公开姓名 申请人:新特能源股份有限公司