茄科的苗栽培装置以及栽培方法与流程

本发明涉及用于栽培茄科的苗的栽培装置以及栽培方法，更详细而言涉及抑制栽培茄科的苗时的生长灾害的栽培装置以及栽培方法。

背景技术：

各种植物的苗的生产，以往的主流是由园艺作物农民自家生产。然而，各种植物的苗的生产所需要的技术很高，且麻烦而繁杂，因此逐渐改为利用购买苗。这是因为近年来农民的高龄化、劳动力短缺的发展，园艺作物农民的企业化、规模扩大化的进行，农业通过购买苗的利用带来的节省劳动力、仅致力于园艺作物生产的专业化的趋势同时进步。在这样的状况下，近年来对购买苗的需求增加，并且仅致力于苗的生产的农民、以苗的生产为业的企业也逐渐增加。

即使苗生产者是专业农民、大规模的企业，苗的生产也是通过(a)在屋外利用自然光生产的方法、(b)在温室内利用自然光生产的方法、以及(c)在封闭型环境下生产的方法(专利文献1或2)等来进行。在通过(a)和(b)的方法生产苗时，因天气特别是日照量的多少而受到很大影响。例如夏季的强日照和高温使苗生产很困难，还存在为了避免该情况而必须在高寒地区育苗的植物。另外，在(b)的方法中，夏季的强日照使温室内变为高温，苗顺利的生产变得困难，苗的商品率、温室的运转率等降低，进而苗的生产成本上升。这样，苗的生产和苗品质容易受天气的影响。

上述(c)的苗生产方法是在被不透过自然光的隔热壁封闭的构造物中，具备空调装置、人工光源、二氧化碳气体施肥装置、灌溉装置的封闭型的人工环境下生产高品质的苗的方法。在封闭型环境下，苗生产所需要的空间能够将光质、光照强度、照射时间、温度、湿度、二氧化碳气体浓度、灌溉量、施肥浓度等各种环境条件调节为最适合苗生长的状态。

近年来，在茄科的苗的栽培中，随着上述(c)的生产方法的普及，开始有发生各种生长灾害的报告。其中，作为原因不明确的生长灾害报告有苗的叶、茎等产生突起状的疙瘩，严重时则出现从叶子枯萎、叶子变黄到落叶的症状的生长灾害的所谓的“叶结症”。

专利文献1：日本特开2001-346450号公报

专利文献2：日本特开2008-212078号公报

技术实现要素：

本发明解决上述问题，目的在于提供一种能够抑制生长灾害“叶结症”并稳定生产高品质的茄科的苗的苗栽培装置以及栽培方法。

本发明的发明人为了解决上述课题而反复研究的结果发现，通过使用如下的照明装置，从而能够抑制茄科的苗的叶、茎发生的叶结症，该照明装置具备在苗的栽培面至少照射450～660nm的波长区域的半导体照明装置，该照明装置在295nm以上且小于320nm的波长区域的uv强度为2.5μw/cm²以上。本发明基于上述见解而完成，宗旨如下。

[1]一种苗栽培装置，是栽培茄科植物的苗且具备照明装置的栽培装置，所述照明装置包括至少照射450～660nm的波长区域的光的半导体照明装置，所述照明装置在苗的栽培面中的295nm以上且小于320nm的波长区域的uv强度为2.5μw/cm²以上。

[2]在[1]记载的苗栽培装置中，所述照明装置在所述苗的栽培面测定的光合有效光子通量密度为50μmol/m²/sec以上。

[3]在[1]或者[2]记载的苗栽培装置中，所述栽培装置配置于封闭型构造物中，并且设置有对所述封闭型构造物内进行空气调节的空调装置，设置有向所述苗灌溉的灌溉装置。

[4]在[3]记载的苗栽培装置中，所述封闭构造物内的湿度为30～100％。

[5]在[1]～[4]中任一项所述的苗栽培装置中，所述照明装置在苗的栽培面中的295nm以上且小于320nm的波长区域的uv强度为500μw/cm²以下。

[6]在[1]～[5]中任一项所述的苗栽培装置中，所述照明装置在苗的栽培面中的295nm以上且小于320nm的波长区域的uv强度i1、与在苗的栽培面中的450～660nm的波长区域的光强i2之比i1/i2为0.0001～0.01。

[7]一种苗栽培方法，使用[1]～[6]中的任一项所述的苗栽培装置来栽培茄科的苗。

[8]在[7]记载的苗栽培方法中，所述苗是蕃茄、柿子椒或者茄子的苗。

根据本发明的茄科的苗栽培装置，能够抑制茄科的苗的叶、茎发生的叶结症，从而稳定地生产高品质的苗。

附图说明

图1a、1b是实施方式的栽培装置的水平剖视图，图1a是图2b的ia-ia线剖视图，图1b是图2b的ib-ib线剖视图。

图2a是图1a的iia-iia线剖视图，图2b是图1a的iib-iib线剖视图。

图3是实施方式的多层架式植物培育装置的主视图。

图4是图3的iv-iv线剖视图。

图5是实施方式的多层架式植物培育装置的托盘的俯视图。

图6是图5的托盘的立体图。

图7是图5的vii-vii线剖视图。

图8是人工照明器的仰视图。

图9是图8的ix-ix射线剖视图。

图10是其他实施方式的多层架式植物培育装置的托盘的剖视图。

具体实施方式

本发明的苗栽培装置用于栽培茄科植物的苗，具备照明装置。该照明装置至少具备照射450～660nm的波长区域的半导体照明装置，苗的栽培面中的295nm以上且小于320nm的波长区域的uv强度为2.5μw/cm²以上。

在本发明中，uv光等的“苗的栽培面的光强”(以下有时也称为栽培面uv强度”或者“栽培面光强”)是使光谱辐射照度计的受光面水平并且向上配置于苗的叶的位置而测定出的值。

照明装置对苗的光照时间每天为8～20小时，特别优选为12～18小时左右。

作为茄科植物，可举出蕃茄、茄子、柿子椒、红辣椒、青辣椒、多香果、灯笼椒、墨西哥辣椒等，特别是蕃茄、柿子椒以及茄子，特别优选为蕃茄。

本发明的苗栽培装置所使用的照明装置，295nm以上且小于320nm的波长区域中的栽培面uv强度为2.5μw/cm²以上、优选为3.0μw/cm²以上，更优选为4.0μw/cm²以上，进一步优选为6.0μw/cm²以上，特别优选为10μw/cm²以上。通过将295nm以上且小于320nm的波长区域的栽培面uv强度设为上述范围，能够抑制茄科的苗的叶、茎上发生的叶结症，从而稳定生产正常的苗。

295nm以上且小于320nm的波长区域中的栽培面uv强度的上限不特别限定，但考虑到紫外线对苗的损伤、对栽培作业中的作业者的眼睛、皮肤的影响，优选为500μw/cm²以下，更优选为400μw/cm²以下，进一步优选为300μw/cm²以下，特别优选为200μw/cm²以下。

本发明的苗栽培装置所使用的照明装置，波长为320nm以上，具体而言波长为320nm以上且小于340nm的波长区域中的栽培面uv强度优选为0.5μw/cm²以上，更优选为1.0μw/cm²以上，进一步优选为1.5μw/cm²以上，特别优选为2.0μw/cm²以上。将320nm以上且小于340nm的波长区域的栽培面uv强度设为上述范围，从而能够进一步抑制苗的叶、茎发生的叶结症。

320nm以上且小于340nm的波长区域的栽培面uv强度的上限未特别规定，但考虑到对栽培作业中的作业者的眼睛、皮肤的影响，优选为300μw/cm²以下，更优选为250μw/cm²以下，进一步优选为200μw/cm²以下。

本发明的苗栽培装置所使用的照明装置，波长小于295nm，具体而言波长280nm以上且小于295nm的波长区域中的栽培面uv强度优选为5.0μw/cm²以下，更优选为3.0μw/cm²以下，进一步优选为1.5μw/cm²以下，特别优选为1.0μw/cm²以下。280nm以上且小于295nm的波长区域的栽培面uv强度设为上述范围，从而能够抑制因紫外线对苗的损伤而产生卷叶、枯萎、死亡等uv灾害。

280nm以上且小于295nm的波长区域的栽培面uv强度的下限值不特别限定，优选接近零的程度。

本发明的苗栽培装置所使用的照明装置，450～660nm的波长区域栽培面光强优选为4000μw/cm²以上，更优选为4500μw/cm²以上，进一步优选为5000μw/cm²以上，特别优选为6000μw/cm²以上。另外，优选为在450～660nm的波长区域中没有光强为零的波长区域。将波长为450～660nm的栽培面光强设为上述范围，从而能够抑制在苗的叶、茎上发生叶结症并且抑制苗的形态形成发生异常，能够更稳定地栽培正常的苗。

波长为450～660nm的栽培面光强的上限不特别限定，但从抑制叶焦等生长灾害的产生之类的观点考虑，优选为60000μw/cm²以下，更优选为50000μw/cm²以下，进一步优选为40000μw/cm²以下，特别优选为30000μmw/cm²以下。

本发明的苗栽培装置所使用的照明装置，295nm以上且小于320nm的波长区域中的栽培面uv强度i1、与450～660nm的波长区域中的栽培面光强i2之比k的值，优选为1/10000～1/100即0.0001～0.01。将k设为上述范围，从而抑制苗的叶、茎发生叶结症并且抑制苗的形态形成发生异常，能够栽培更正常的苗而成为优选。k用下述算式表示。

k＝i1/i2

本发明的苗栽培装置所使用的照明装置，具备至少照射450～660nm的波长区域的光的半导体照明装置。该半导体照明装置优选在400～480nm的范围具有第一发光峰值波长。通过在400～480nm的范围具有第一发光峰值波长，从而能够抑制苗的节间距伸长，栽培胚轴短缩的苗。

该半导体照明装置优选在500～620nm的范围，更优选在500～610nm的范围，进一步优选在500～600nm的范围具有第二发光峰值波长。第二发光峰值波长优选为半值宽度为100nm以上，更优选为120nm以上，进一步优选为140nm以上。将半导体照明装置的第二发光峰值波长设为上述范围，从而能够抑制苗的形态形成发生异常，更高效地栽培正常的苗。

本发明的苗栽培装置也可以至少一部分的照明装置是照射上述的uv光的照明装置。例如所使用的照明装置全部可以是具有上述的uv照射功能的照明装置，也可以是使用的照明装置中若干照明装置具有上述的uv照射功能，其余照明装置不具有上述uv照射功能。也可以同时采用uv强度高的照明装置和uv强度低或者不照射uv光的照明装置。

本发明的苗栽培装置在上述苗的栽培面测定的光合有效光子通量密度优选为50μmol/m²/sec以上，更优选为100μmol/m²/sec以上，进一步优选为200μmol/m²/sec以上。将栽培面的光合有效光子通量密度设为上述下限以上，从而能够使苗的光合更高效，能够抑制叶结症的产生而成为优选。

本发明的苗栽培装置所使用的照明装置不特别限定，可以利用荧光灯、半导体照明即有机el、激光、led等照明装置。考虑到电力的消耗量、容易进行更精细的波长的控制，优选使用led。

栽培装置优选具备配置于封闭型构造物中对上述封闭型构造物内进行空气调节的空调装置，并具备对上述苗灌溉的灌溉装置。

该封闭构造物内的湿度优选为30～100％的范围，更优选为40～99％的范围，进一步优选为40～95％的范围。将封闭构造内的湿度设为上述范围，从而能够抑制茄科的苗发生各种生长灾害。

在本发明的一个方式中，苗栽培装置具有前表面开放的培育模块，该培育模块将育苗架沿上下方向配置为多层而形成育苗空间。

参照图1a～图9和图10，说明上述栽培装置的优选方式。如图1a～2b所示，在由隔热性壁面包围的成为完全遮光性的封闭型建筑构造物1的房间内，设置有箱形的多个(图示的例子中为6个)多层架式植物培育装置(苗培育模块)3～8。房间1的俯视形状为长方形，一方的短边方向壁面1i设置有门2。

在该方式中，将三个多层架式植物培育装置3～5以将它们的开放前表面朝向相同方向的方式排列为1列，三个多层架式植物培育装置6～8也以它们的开放前表面朝向相同方向的方式排列为1列，以使开放前表面相互对置的方式将两列配置于房间内。以下将多层架式植物培育装置3～5和6～8的列的延伸方向(房间的长边方向)称为y方向，将房间的短边方向(多层架式植物培育装置3～5与多层架式植物培育装置6～8面对的方向)称为x方向。在这两列的多层架式植物培育装置3～5和6～8之间设置有一个或者多个作业者能够作业的程度的空间a。房间的长边方向壁面1j、1k与各多层架式植物培育装置3～8的背面之间设置有50～500mm左右的宽度的空间b，形成通过多层架式植物培育装置3～8的空气的通路。

多层架式植物培育装置3～5、6～8的列的一端侧抵接于与门2相反的一侧的建筑物壁面1h。多层架式植物培育装置3～5、6～8的列的另一端侧稍微离开门2侧的壁面1i。

在加热空气从离开上述的门2侧的壁面1i的空间流向空间a的情况下，可以在适当的位置设置用于抑制该气流的控制板。

若在用于出入房间的门2的内侧设置空气帘，则能够在作业者出入时不使外部空气进入，因此是优选的。

如图3、4所示，多层架式植物培育装置3～8分别具有基座3c，左右的侧面面板3a、背面的背面面板3b以及天顶部的顶部面板3e，具备前表面开放的箱形构造体。在该箱形构造体的内部沿上下方向以恒定间隔配置有多层的多个育苗架12。

优选为各多层架式植物培育装置3～8的高度设为作业者能够作业的高度即2000mm左右，育苗架12的宽度设为能够将由数十～数百个穴(小盆)排列为格子状的树脂制的穴盘排列多张而载置，并且能够恒定地调节各架12的上侧空间的温度、湿度的宽度，例如设为1000mm～2000mm左右，育苗架12的纵深为500mm～1000mm。在各育苗架12上大致水平地载置多张穴盘40(参照图1b)。1张穴盘的尺寸一般是宽度为300mm，纵深为600mm左右。

最下层的育苗架12载置于基座3c。构成为能够利用设置于基座3c的调节器(图示略)调整育苗架12的水平度。

在各育苗架12上设置有后述的灌溉装置30。

构成为在从下数第二层以上的各育苗架12和顶部面板3e的下表面设置有人工照明器13，对在各人工照明器13的正下方的育苗架12的穴盘40中生长的植物照射光。在该实施方式中，最上部以外的人工照明器13安装于后述的灌溉托盘31的下表面。

该人工照明器13的详细结构如图8、9所示。另外，图8是人工照明器13的仰视图，图9是图8的ix-ix射线剖视图。在该人工照明器13的盒13a的下表面安装有多对(该实施方式中为6对)灯座13b，荧光灯13c的两端安装于灯座13b、13b。盒13a的下表面设置有开关13s。

盒13a是具有顶板13d和底板13e的箱状体，底板13e兼作反射荧光灯13c的光的反射板。该盒13a内设置有内置稳定器、变频器、恒流电路、恒压电路、限流电阻等电路部件13f的电源单元13g。该实施方式中，三个电源单元13g在荧光灯13c彼此之间，即第1列第2列的荧光灯13c之间、第3列与第4列的荧光灯13c之间以及第5列与第6列的荧光灯13c之间配置。各电源单元13g安装于盒13a的底板13e。在各电源单元13g与盒13a的顶板13d之间空出3～30mm左右的间隙。在该人工照明器13中，电源单元13g产生的热向底板13e传递，并从该底板13e扩散。即，向在人工照明器13下侧的育苗空间流动的空气传递。另外，来自荧光灯13c的热也向该空气流传递。

由于电源单元13g与盒顶板13d之间空出间隙，因此从电源单元13g向顶板13d传递的热明显很少。因此防止在灌溉托盘31上流动的营养液以及种在穴盘40的植物的根区部因人工照明器13的热而被加热。

如图4所示，在各育苗架12彼此之间以及最上层的育苗架12与顶板面板3e之间的空间(育苗空间)的后方的背面面板3b设置有通气口，在各通气口分别安装有空气扇15。

这样通过在各育苗空间的背面侧分别设置空气扇15，由此育苗空间的气流变得均匀，因此是优选的。

在房间的上部设置有空调装置9，该空调装置9具备对房间内的空气进行调温调湿、并使被调温调湿为设定条件的空气循环的功能。该空调装置9具有：具备热交换器的空调装置主体(空调)9a、和安装于该空调装置主体9a的下表面的风向控制板10。空调装置主体9a的压缩机设置于建筑构造物1外。

在该实施方式中，在俯视观察房间时，空调装置主体9a位于房间中心的上部。空调装置主体9a的取入口9a设置于空调装置主体9a的下表面，在风向控制板10与取入口9a重叠的位置设置有开口10a。

上述空调装置主体9a安装于建筑构造物的天花板1t，成为其侧表面露出于房间内的构造。在空调装置主体9a的四个侧表面分别设置有空气的排出口9b。

上述风向控制板10的开口10a的周围部分与空调装置主体9a的取入口9a的周围重叠。开口10a为与取入口9a相同的大小或者比取入口9a大。

风向控制板10由吊件(图示略)支承于天花板1t。

风向控制板10的y方向的一端侧与壁面1h抵接。风向控制板10的y方向的另一端侧延伸到比多层架式植物培育装置3～5和6～8靠壁面1i侧，但稍微离开壁面1i。遍及风向控制板10的该另一端侧的边部的全长，立起设置有直立板10r，该直立板10r的上端抵接于天花板1t。

风向控制板10沿x方向延伸到天花板1t与多层架式植物培育装置3～8的上表面之间。

如图2a所示，风向控制板10的x方向的两端位于多层架式植物培育装置3～5、多层架式植物培育装置6～8的空间a侧的前表面的铅垂上方或者比其靠后方即空间b侧。风向控制板10的x方向的两端与各多层架式植物培育装置3～5、6～8的前表面的水平方向距离l也可以为0mm，但优选为30mm以上，进一步优选为40mm以上，更优选为90mm以上，再进一步优选为140mm以上。

在该实施方式中，该风向控制板10的x方向的两端与天花板1t之间成为空调装置9的吹出口9f。在俯视观察栽培装置时，吹出口9f可以与多层架式植物培育装置3～8的前表面重叠，但优选位于向后方距离其上述距离l。

在该实施方式中，空调装置主体9a的取入口9a成为空调装置9的进气口。在俯视观察栽培装置时，该进气口位于比多层架式植物培育装置3～8的前表面靠前方即空间a侧。

通过使空气扇15运转，由此在房间内产生如图2a的箭头所示的空气的循环流。即、由空调装置9调温调湿后的空气，从多层架式植物培育装置3～8的开放前表面侧的空间a被吸引至育苗架12各层的育苗空间内，从空气扇15向背面面板3b的后方排出，通过背面面板3b的后方与建筑物壁面之间的空间b而上升，并通过多层架式植物培育装置3～8的上侧空间c，与从空调装置9吹出的空气混合而被调温调湿之后，通过风向控制板10与多层架式植物培育装置3～8之间，再次向多层架式植物培育装置3～8的开放前表面侧的空间a吹出。

另外，要通过风向控制板10与多层架式植物培育装置3～8之间而流入空间a的空气的一部分通过开口10a，从空调装置主体9a的取入口9a被吸入，在被调温调湿后，经由排出口9b从吹出口9f吹出。

如图1a～2b所示，在将2列多层架式植物培育装置3～5与多层架式植物培育装置6～8以在它们之间形成作业空间的方式排列的情况下，该作业空间也作为空气的循环用的空间a发挥功能，形成有效的循环流。

在循环流通过多层架式植物培育装置3～8的各育苗空间时，从灌溉装置、培养基、植物等蒸发出的水蒸气、从人工照明器13释放出的热伴随着循环流，使该循环流由空调装置9调温调湿并不断地循环，从而能够将房间内保持为最适合植物体生长的温度湿度环境。在育苗空间流动的空气的流速优选为0.1m/sec以上，更优选为0.2m/sec以上，进一步优选0.3m/sec以上。若气流的速度过快，则植物的培育有可能产生问题，因此一般优选为2.0m/sec以下。

在该实施方式中，使气流从育苗空间的前表面经由风扇15向架背面侧的空间b以负压的状态流动，但也可以相反地从架背面侧向前表面侧以正压的状态流动。但是从前表面侧以负压的状态向架背面侧流动时育苗空间的气流变得均匀。

在该实施方式中，构成为由灌溉装置(底面灌溉装置)30的灌溉托盘31构成各育苗架12的架板，从载置于该灌溉托盘31的穴盘40的底面进行灌溉。参照图5～7说明该灌溉装置30的结构例。另外，图5是灌溉装置的俯视图，图6是立体图，图7是图5的vii-vii线剖视图。

该灌溉装置30具备四边形的灌溉托盘31，该灌溉托盘31具有在后边和左右两侧边立起设置有侧壁31a、31b、31c的底版31d。在灌溉托盘31的没有侧壁的前边，以与底版31d连接的方式设置有排水槽32，排水槽32的一端形成有排水口32a。构成为排水槽32与底版31d被堰34分隔，营养液从堰34的两端部的切口部34a向排水槽32流出。另外，沿灌溉托盘31的后边的侧壁31a设置有将营养液向灌溉托盘31内供给的供水管33，营养液从设置于供水管33的多个小孔33a向托盘31上供给。

在灌溉托盘底版31d的上表面，朝向排水槽32相互平行地延伸配置有高度约为7mm左右的多个肋35，在这些肋35上载置穴盘40。

该灌溉装置30如图4所示，在将灌溉托盘31载置于多层架式植物培育装置3～8的育苗架12时，排水槽32成为从培育装置3～8的开放前表面突出的尺寸。使排水槽32从培育装置的开放前表面突出，由此容易将从载置于育苗架12各层的灌溉托盘31的排水槽32的排水口32a排出的营养液汇集而向建筑构造物1外部排出。

若从设置于灌溉装置30的供水管33的小孔33a连续地供给营养液，则营养液被堰34截堵而存积到规定水位而成为蓄积池状态。在从供水管33供给营养液期间，营养液从切口部34a一点一点向排水槽32流出。优选为通过调节营养液供给量和从切口部34a的流出量，而在灌溉托盘31内例如维持10～12mm左右的水位的水池状态。通过毛细管作用从在载置于肋35上的穴盘40的各穴41底面形成的穴孔42向穴内的培养基吸取水，在短时间内全部的穴41内的培养基成为水分饱和状态。

在该灌溉托盘31的底版31d的下表面安装有人工照明器13。在该实施方式中，人工照明器13的盒13a的顶板13d直接与灌溉托盘31的下表面抵接，但也可以夹装隔离件、隔离材料。

在该灌溉装置30中，如图7所示，使灌溉托盘31的底版31d的上表面向排水槽32的方向倾斜。由此，在灌溉停止时能够短时间内将营养液向排水槽32排出。另外，在底版31d的上表面具有倾斜的情况下，通过使肋35的高度变化而使肋的顶部35a水平，由此能够将载置于肋35上的穴盘40保持为水平。

图10表示本发明所使用的灌溉装置的其他例，对与图5～图7的部件相同的部件标注相同的附图标记。在该灌溉装置30′中，在灌溉托盘31的底版31d载置穴盘40时，底版31d与穴盘40之间夹装下托盘50。该下托盘50具备能够支承各穴41内加有培养基的穴盘40程度的刚性，在其底壁面形成有多个小孔51，并且其背面形成有多个突起52。在将穴盘40与下托盘50一起收纳于灌溉托盘31内时，这些突起52作为在底版31d与穴盘40底面之间保持间隙的间隙保持机构发挥功能。

图10的灌溉装置30′中，也在从供水管33供给营养液成为规定水位的水池状态的情况下，从下托盘50的小孔51向下托盘50内导入营养液，通过毛细管作用从形成于穴盘40的各穴41底面的穴孔42向穴内的培养基吸取水。

在图10中，在灌溉托盘31的底版31d的下表面也安装有人工照明器13。

载置于灌溉托盘31的穴盘40如上所述，将数十～数百的穴41排列为格子状并一体化为托盘形状，1张穴盘的尺寸是宽度为300mm，纵深为600mm左右，但不限定于此。

为了人为供给苗在光合中消耗的二氧化碳气体，如图1a、1b所示，在建筑构造物1的外部设置液态二氧化碳气瓶16，从二氧化碳气瓶16供给二氧化碳气体，以使由二氧化碳气体浓度计测装置计测的房间内的二氧化碳气体浓度成为一定浓度。

使用该苗栽培装置栽培苗，从而能够自动地调节适合苗的生长的光量、温度、湿度、二氧化碳气体、水分等环境条件。另外，各育苗架的苗能够全部在同一环境下生长，因此能够提高得到的苗品质的均匀性。

在该实施方式中，空调装置9的吹出口9f位于比多层架式植物培育装置3～8的前表面靠后侧30mm以上，因此通过多层架式植物培育装置3～8(培育模块)被加热的空气与被空调装置9冷却的空气以混合的状态流入空间a。由此，流入空间a的空气成为温度均匀的空气，进入各多层架式植物培育装置3～8内。

若被空调装置9冷却的空气直接流向空间a，则冷空气局部从多层架式植物培育装置3～8的前表面被获取，因此在多层架式植物培育装置3～8间产生温度的不均，植物的生长变得不均匀。

在该实施方式中，空调装置主体9与风向控制板10一体，因此不需要设置很多管道配管等而为优选。

在该多层架式植物培育装置中，人工照明器13的热向兼作反射板的盒底板13e传递，从该底板13e传向在育苗空间流动的空气。从人工照明器13传向上侧的灌溉托盘31的热明显很少。因此灌溉托盘31上的营养液的温度被控制在规定范围。

在本发明中，全部空调装置9的总制冷能力(wb)与全部照明装置(上述实施方式中为荧光灯13c)的总耗电量(wa)之比wb/wa优选为1以上且5以下，更优选为1以上且4以下，进一步优选为1以上且3以下，特别优选为1以上且2以下。将wb/wa设为上述范围，从而能够将封闭空间内的环境保持为适当并且恒定，并且能够减少因空调的开关产生的环境变化。将荧光灯等照明装置每一根的消耗电力设为ws，照明装置的根数设为n，1台空调装置的制冷能力设为wk，空调装置的设置台数设为m的情况下，wb/wa用下述式的a表示。

a＝wb/wa

＝(wk×m)/(ws×n)

m：空调装置的台数(台)

n：照明装置的根数(根)

上述实施方式是本发明的一个例子，本发明不限定于此。例如封闭型建筑构造物的房间的大小、多层架式植物培育装置的设置数也可以是上述以外。另外，空调装置主体也可以设置于中心部以外。空调装置主体也可以设置2台以上，但优选为尽量少数。

实施例

以下，说明实施例和比较例。以下的实施例和比较例中，使用具有图1a～9所示的构造的苗栽培装置，将封闭型建筑构造物内的湿度设定为30～100％来栽培蕃茄的苗。

[uv强度、光强、光合有效光子通量密度的测定]

使用索玛光学株式会社制的光谱辐射照度计(产品名：s-2431modelii)，测定栽培面的各波长区域的范围的uv强度、光强、光合有效光子通量密度。使光谱辐射照度计的受光面在苗的叶的位置呈水平向上地配置来进行测定。

[苗的生长评价]

在表1表示的条件下使用具有照明装置的苗栽培装置，每天使照明点亮16小时，培育蕃茄的苗12天。按照以下的基准对生长状态进行评价。结果如表1所示。

vg(非常好)：没有发现叶结症的产生。

g(良好)：发现一部分苗产生轻度的叶结症。(一部分苗的叶产生突起状的疙瘩但其程度轻微，没有方向叶重度变黄、落叶。)

ng(不良)：很多苗产生叶结症，发现重大的症状。(很多苗的叶产生突起状的疙瘩，产生叶子枯萎、重度变黄、落叶。)

＜实施例1～7、比较例1～4＞

在封闭型建筑构造物1(内法尺寸：纵深450cm，横宽300cm，高度240cm)内的完全封闭的空间内设置2台5层3架的多层架式植物培育装置3，栽培蕃茄的苗(穴盘40的尺寸：纵深60cm，宽度30cm)。空调装置设置1台制冷能力14kw的空调装置，照明装置使用在植物的栽培面具有表1所示的波长特性的照明装置。得到的结果如表1所示。

[表1]

如表1所示，实施例1、2和7不发生叶结症，能够栽培极好的生长状态的苗。实施例3～6稍微发生叶结症，但并未达到叶子变黄、落叶，停留在轻微症状的结果。另一方面，295nm以上、小于320nm的栽培面uv强度比2.5μw/cm²低的比较例1～4中，没有得到良好的结果。具体而言，比较例1、2和4中，发生叶结症，产生叶变黄乃至落叶的重大生长灾害，比较例3中，加上小于295nm的紫外线强度多，成为叶子枯萎而死亡的结果。

上述实施方式是本发明的一个例子，本发明也可以是图示以外的方式。

本申请基于2016年6月2日申请的日本专利申请2016-111043并引用其整体。

附图标记说明：1…封闭型建筑构造物；3～8…多层架式植物培育装置；3a…侧面面板；3b…背面面板；3c…基座；3e…顶部面板；9…空调装置；9a…空调装置主体；9a…取入口；9b…排出口；9f…吹出口；10…风向控制板；10a…开口；12…育苗架；13…人工照明器；13a…盒；13b…灯座；13c…荧光灯；13d…顶板；13e…底板；13f…电路部件；13g…电源单元；13s…开关；15…空气扇；16…二氧化碳气瓶；30、30′…灌溉装置；31…灌溉托盘；31d…底版；32…排水槽；32a…排水口；33…供水管；33a…小孔；34…堰；34a…切口部；35…肋；40…穴盘；41…穴；42…穴孔；50…下托盘；51…小孔；52…突起。