一种魔芋冬种种植方法与流程

文档序号:18468956发布日期:2019-08-20 20:03阅读:966来源:国知局
一种魔芋冬种种植方法与流程

本发明属于魔芋种植技术领域,尤其涉及一种魔芋冬种种植方法。



背景技术:

魔芋具有水平降血糖、降血脂、降压、散毒、养颜、通脉、减肥、通便、开胃等多功能,是健康食品。魔芋全株有毒,以块茎为最,不可生吃,需加工后方可食用。中毒后舌、喉灼热、痒痛、肿大。民间用醋加姜汁少许,内服或含嗽,可以解救。魔芋地下块茎为扁球形,个大,叶柄粗壮,圆柱形,淡绿色,有暗紫色斑,掌状复叶,里面是白色的。株高约40~70公分,地下有球茎,一株只长一叶,羽状复叶,叶柄粗长似茎,开花紫红色,有异臭味,地下球茎圆形。然而,现有魔芋种种植时携带病菌导致成活率低;同时,魔芋的播种过程中,生长较为缓慢,种植户通常采用化肥量大不仅造成浪费,还污染环境,造成土壤板结,降低土壤质量。

综上所述,现有技术存在的问题是:

现有魔芋种种植时携带病菌导致成活率低;同时,魔芋的播种过程中,生长较为缓慢,种植户通常采用化肥量大不仅造成浪费,还污染环境,造成土壤板结,降低土壤质量。



技术实现要素:

针对现有技术存在的问题,本发明提供了一种魔芋冬种种植方法。

本发明是这样实现的,一种魔芋冬种种植方法包括以下步骤:

步骤一,选择透气性较好、土层深厚肥沃、排灌条件较好、ph值7的沙壤土,翻耕,晾晒;

步骤二,选择上端口平,呈芋头型,窝眼小而无病的魔芋种,并对魔芋种消毒;

步骤三,种植;

将魔芋按25-40cm间距芽口向上平放,并向下压实栽种;魔芋种植密度应由种芋的大小来决定,每墒种植3行,行距0.4米,即子芋0.3米,大规格种芋或称商品芋种芋0.4米,株距0.4米,亩播种5000株,盖土,盖土厚度在0.14米;

步骤四,施肥;

第一次追肥40公斤,在魔芋展叶期时,将钾肥与焦磷酸钙稠膏按5-8:0.18的质量比例混合制成混合物料后对魔芋进行施用,所述混合物料施用量为每亩125kg,混合物料对魔芋施用后,每隔2-3天叶面喷洒一次清水,每亩喷洒量为90kg;

第二次追肥20公斤,时间在7月中下旬,为魔芋换头膨大期;采用根外追肥方式进行,肥料采用磷酸二氢钾喷施;施用时间8月中下旬至9月上旬,每隔8天施用1次,亩用量每次250克;

步骤五,种植管理;

采用六分种四分管的方式,除了除草和追肥外不准人进入魔芋地里,魔芋冬种植后约5-6个月开始出苗,杂草也随着生长,应及时人工拔除,杂草拔除,选晴天进行。

进一步,所述魔芋种消毒方法如下:

首先,将魔芋由芽眼处切割成块,每块的大小均匀,并且每块上均至少有一个芽眼,每块的重量为20g;

然后,将切割完成的魔芋块置于质量分数为2-3%的洗衣粉溶液中浸泡处理25min,并且洗衣粉溶液的温度为45℃;将魔芋块取出置于阳光下照射处理1-2h后,再将魔芋置于75%的酒精中浸泡4min,取出之后放入质量分数为0.01%的汞水中浸泡5min;

最后,用无菌水冲洗5次,每次冲洗时间为4min,冲洗次数的间隔时间为10min,并且冲洗时无菌水的温度为40℃;

进一步,所述钾肥制备方法如下:

首先,先将氯化钾和硫酸钾按比例混合后的钾肥微细化至15μm,采用质量分数为50%的聚乙烯醇水溶液对钾肥进行浸泡40min后,进行过滤,烘干;

然后,送入螺杆挤出造粒机挤出造粒,钾肥在螺杆的推动下,经进料、混炼、排气压实;

最后,经口模挤出;通过模面热切系统将经口模挤出的物料制成规则均匀的粒径为0.35mm的颗粒,即得。

进一步,所述焦磷酸钙稠膏制备方法如下:

首先,按各重量份称焦磷酸钙23份、丙三醇5份、硬脂酰两性基二乙酸二钠2份、硫酸钠3份、纤维素5份、绿豆淀粉11份、水6份匀混合到一起,加热至55℃,以120r/min转速搅拌2小时;

然后,自然冷却至室温,再加热至80℃,以300r/min转速搅拌1小时;

最后,自然冷却至室温,陈化2小时,即得。

本发明的优点及积极效果为:本发明通过对魔芋种消毒,降低病菌携带,进而确保育种过程中的成活率较高,较低了育种成本;同时,本发明通过在魔芋展叶期采用钾肥与焦磷酸钙稠膏按一定比例混合对魔芋进行施用,钾是植物生长发育必需的主要矿质元素之一,在植物中参与调节细胞渗透势、维持细胞的电中性,通过在魔芋展叶期施用钾肥与焦磷酸钙稠膏,能够有效的提高魔芋植株蛋白质的合成、光合产物的运转和抗逆性,尤其是钾肥与焦磷酸钙稠膏中的焦磷酸钙与硬脂酰两性基二乙酸二钠之间的协调作用,能够有效的提高魔芋植株叶片中的叶绿素含量,提高抗氧化酶活性,从而显著的提高了魔芋植株的光合作用,通过魔芋植株光合作用的提高,能够有效的促进魔芋的生长发育,缩短魔芋的生长周期。

本发明提供的病害防治方法可以防治以下症状:发病初期在叶柄基部滋生白色绢状的菌丝,感病部位腐烂后引起萎焉、叶黄、茎细、倒苗;后期感病部位及其附页的土壤表面长出近的土壤表面长出近球形的小粒菌核。使芋种和叶柄周围形成药剂保护层,防止苗期发病。

本发明在种植田间管理中,实加追肥,可以促进植株健壮生长,延长叶片寿命。

本发明中中耕管理中的盖草,可以避免中耕带来的问题;中耕管理中的盖草,都是随处可得的,降低了管理成本;避免光照过强,会使光合作用效率降低。同时,避免长时间的强光照,会引起环境温度的急剧上升,造成叶部灼伤,导致病害。

附图说明

图1是本发明实施提供的魔芋冬种种植方法流程图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

下面结合附图对本发明的应用原理作进一步描述。

如图1所示,本发明提供魔芋冬种种植方法包括以下步骤:

s101:选择透气性较好、土层深厚肥沃、排灌条件较好、ph值7的沙壤土,翻耕,晾晒;

s102:选择上端口平,呈芋头型,窝眼小而无病的魔芋种,并对魔芋种消毒;

s103:种植;

将魔芋按25-40cm间距芽口向上平放,并向下压实栽种;魔芋种植密度应由种芋的大小来决定,每墒种植3行,行距0.4米,即子芋0.3米,大规格种芋或称商品芋种芋0.4米,株距0.4米,亩播种5000株,盖土,盖土厚度在0.14米;

s104:施肥;

第一次追肥40公斤,在魔芋展叶期时,将钾肥与焦磷酸钙稠膏按5-8:0.18的质量比例混合制成混合物料后对魔芋进行施用,所述混合物料施用量为每亩125kg,混合物料对魔芋施用后,每隔2-3天叶面喷洒一次清水,每亩喷洒量为90kg;

第二次追肥20公斤,时间在7月中下旬,为魔芋换头膨大期;采用根外追肥方式进行,肥料采用磷酸二氢钾喷施;施用时间8月中下旬至9月上旬,每隔8天施用1次,亩用量每次250克;

s105:种植管理;

采用六分种四分管的方式,除了除草和追肥外不准人进入魔芋地里,魔芋冬种植后约5-6个月开始出苗,杂草也随着生长,应及时人工拔除,杂草拔除,选晴天进行。

所述s105中出苗要实加追肥,具体步骤如下:

出苗后,距植株15cm开4~5cm的浅沟,每公顷施入尿素300kg;6月下旬至7月上旬,地上部分旺长期每公顷施高氮高钾复合肥300kg,施后培土;9月上旬,每公顷施尿素75kg防止叶片早衰。注意追肥时不能污染叶柄叶片,避免灼伤植株。

生长期间还可用0.2%磷酸二氢钾+0.3%尿素溶液或欧农士(n∶p2o5∶k2o∶te=20∶20∶20∶1)800~1200倍液于早晚或阴天,以叶片背面为主进行喷施,7~10d喷施1次,连喷4~5次。

所述s105种植管理中中耕管理中盖草以林间落叶及腐殖质、山草、秸秆、甘蔗渣、锯末较好,厚度3~5cm,做到铺后不见土。

本发明提供的病害防治方法,包括:

可用1:300倍的多菌灵、50%的退菌或托布津500到800倍液、或者40%的乐果1500倍液防治。

本发明提供的魔芋种植过程中,魔芋最忌强烈持久的直射光。光照过强,会使光合作用效率降低。同时,长时间的强光照,会引起环境温度的急剧上升,造成叶部灼伤,导致病害,采用间套作,应与玉米、甘蔗、林木、果树进行间作套种,形成上有高杆作物和林木、果树下有魔芋的立体栽培模式,既满足魔芋遮荫要求,又节约了土地,提高单位土地的利用率和生产率。

本发明提供的魔芋种消毒方法如下:

首先,将魔芋由芽眼处切割成块,每块的大小均匀,并且每块上均至少有一个芽眼,每块的重量为20g;

然后,将切割完成的魔芋块置于质量分数为2-3%的洗衣粉溶液中浸泡处理25min,并且洗衣粉溶液的温度为45℃;将魔芋块取出置于阳光下照射处理1-2h后,再将魔芋置于75%的酒精中浸泡4min,取出之后放入质量分数为0.01%的汞水中浸泡5min;

最后,用无菌水冲洗5次,每次冲洗时间为4min,冲洗次数的间隔时间为10min,并且冲洗时无菌水的温度为40℃;

本发明提供的钾肥制备方法如下:

首先,先将氯化钾和硫酸钾按比例混合后的钾肥微细化至15μm,采用质量分数为50%的聚乙烯醇水溶液对钾肥进行浸泡40min后,进行过滤,烘干;

然后,送入螺杆挤出造粒机挤出造粒,钾肥在螺杆的推动下,经进料、混炼、排气压实;

最后,经口模挤出;通过模面热切系统将经口模挤出的物料制成规则均匀的粒径为0.35mm的颗粒,即得。

本发明提供的焦磷酸钙稠膏制备方法如下:

首先,按各重量份称焦磷酸钙23份、丙三醇5份、硬脂酰两性基二乙酸二钠2份、硫酸钠3份、纤维素5份、绿豆淀粉11份、水6份匀混合到一起,加热至55℃,以120r/min转速搅拌2小时;

然后,自然冷却至室温,再加热至80℃,以300r/min转速搅拌1小时;

最后,自然冷却至室温,陈化2小时,即得。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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