一种减盐、无防腐剂大豆原酿酱及其酿造方法与流程

文档序号:12799615阅读:634来源:国知局

本发明涉及食品制备技术领域,具体而言,涉及一种减盐、无防腐剂大豆原酿酱及其酿造方法。



背景技术:

大豆原酿酱是以大豆、小麦为主要原料,经过自然足期发酵、成熟,蛋白质可以充分分解成氨基酸等营养物质,营养及美味充分释放,易于吸收。同时发酵结束后,不添加增稠剂、香辛料、色素等物质,可以百分百保证酱的自然体态,色泽红亮,酱香浓郁。

随着大豆原酿酱商品化的推进,对大豆原酿酱的保存质量提出了更高的要求。目前,为保证大豆原酿酱在保质期内质量稳定,不出现腐败变质及胀气等问题,通常会在大豆原酿酱中添加较高的盐分,并且添加防腐剂(例如山梨酸钾或苯甲酸钠)。较高的盐分以及防腐剂的添加,在抑制腐败菌或产气微生物的生长方面起到了较好的作用,但是其同时使得大豆原酿酱产品偏咸,口感差。另外,随着消费者消费意识的提高,消费者越来越追求健康、天然的食品,食品防腐剂的使用在一定程度上降低了消费者对产品的满意度,这严重影响了大豆原酿酱产业的进一步发展。



技术实现要素:

本发明旨在提供一种减盐、无防腐剂大豆原酿酱及其酿造方法,以解决现有技术中大豆原酿酱中添加较高的盐分,并且添加防腐剂造成的产品偏咸,口感差的技术问题。

为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种减盐、无防腐剂大豆原酿酱的酿造方法。该酿造方法包括以下步骤:s1,将大豆、小麦粉进行蒸煮,混合后得到原料混合物;s2,向原料混合物中加入米曲霉进行低温制曲,得到豆瓣酱曲料;s3,向豆瓣酱曲料中加入耐高渗透压乳酸菌进行发酵,制得发酵物;以及s4,将发酵物升温至90℃~95℃,保温15~20分钟后降温至40℃~50℃,进行灌装。

进一步地,耐高渗透压乳酸菌加入豆瓣酱曲料之前还包括活化的步骤,活化包括:将耐高渗透压乳酸菌以高渗培养基经斜面活化后,再进行液体培养,得到菌体浓度为107cfu/ml的培养液。

进一步地,s3具体包括:将培养液与5~8wt%的盐水按重量比1:10混合,得到菌种混合盐水;将菌种混合盐水与豆瓣酱曲料按照重量比3:2混合,搅拌均匀,发酵温度为23℃~36℃,发酵时间为3~4个月。

进一步地,s1具体包括:大豆清洗后进行蒸煮,蒸煮的温度为110℃~120℃,时间为10分钟;小麦粉蒸煮的温度为100℃~120℃,时间为为10分钟,控制小麦粉的水分在27%~30%之间。

进一步地,低温制曲的温度及时间控制如下:前期温度控制在28℃~30℃,中期温度为30℃~36℃,后期温度为23℃~30℃,制曲总时间为36~40小时。

进一步地,前期、中期及后期的时间分别为8~10小时。根据本发明的另一方面,提供了一种由上述任一种酿造方法酿造得到的减盐、无防腐剂大豆原酿酱。

应用本发明的技术方案,通过工艺优化降低了大豆原酿酱的盐分,同时因为添加了耐高渗透压乳酸菌,利用耐高渗透压乳酸菌分泌的有机酸、蛋白质类活性物质、羟基脂肪酸和酚类化合物等抑菌物质,使减盐后的豆瓣酱在不添加防腐剂下保证在保质期内质量稳定,不出现腐败变质、胀气的情况。

具体实施方式

需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合实施例来详细说明本发明。

根据本发明一种典型的实施方式,提供一种减盐、无防腐剂大豆原酿酱的酿造方法。该酿造方法包括以下步骤:s1,将大豆、小麦粉进行蒸煮,混合后得到原料混合物;s2,向原料混合物中加入米曲霉进行低温制曲,得到豆瓣酱曲料;s3,向豆瓣酱曲料中加入耐高渗透压乳酸菌进行发酵,制得发酵物;以及s4,将发酵物升温至90℃~95℃,保温15~20分钟后降温至40℃~50℃,进行灌装。

应用本发明的技术方案,通过工艺优化降低了大豆原酿酱的盐分,同时因为添加了耐高渗透压乳酸菌,利用耐高渗透压乳酸菌分泌的有机酸、蛋白质类活性物质、羟基脂肪酸和酚类化合物等抑菌物质,使减盐后的豆瓣酱在不添加防腐剂下保证在保质期内质量稳定,不出现腐败变质、胀气的情况。

优选的,耐高渗透压乳酸菌加入豆瓣酱曲料之前还包括活化的步骤,活化包括:将耐高渗透压乳酸菌以高渗培养基经斜面活化后,再进行液体培养,得到菌体浓度为107cfu/ml的培养液。

本发明中“耐高渗透压乳酸菌”可以采用市售“耐高渗透压乳酸菌”。耐高渗透压乳酸菌高渗培养基及液体培养基均采用常规的耐高渗透压乳酸菌培养基。例如mrs培养基,成分含量如下:蛋白胨10.0g,牛肉粉5.0g,酵母粉4.0g,葡萄糖20.0g,吐温801.0ml,磷酸氢二钾2.0g,乙酸钠5.0g,柠檬酸三铵2.0g,硫酸镁0.2g,硫酸锰0.05g,(琼脂粉15.0g),蒸馏水1000ml;制法:将上述成分加人蒸馏水中,加热溶解,校正ph6.2,分装后121℃高压灭菌15min~20min。

根据本发明一种典型的实施方式,s3具体包括:将培养液与5~8wt%的盐水按重量比1:10混合,得到菌种混合盐水;将菌种混合盐水与豆瓣酱曲料按照重量比3:2混合,搅拌均匀,发酵温度为23℃~36℃,发酵时间为3~4个月。此工艺条件处理后,将有利于延长大豆原酿酱的保质期。

优选的,s1具体包括:大豆清洗后进行蒸煮,蒸煮的温度为110℃~120℃,时间为10分钟;小麦粉蒸煮的温度为100℃~120℃,时间为10分钟,控制小麦粉的水分在27%~30%之间。

优选的,低温制曲的温度及时间控制如下:前期的温度控制在28℃~30℃,中期的温度为30℃~36℃,后期的温度为23℃~30℃,制曲总时间为36~40小时。

前期、中期及后期的时间分别为8~10小时。

根据本发明一种典型的实施方式,提供一种减盐、无防腐剂大豆原酿酱。该减盐、无防腐剂大豆原酿酱由上述人一种酿造方法酿造而成。

下面将结合实施例进一步说明本发明的有益效果。

实施例1

大豆清洗后蒸煮,蒸煮温度为110~120℃,蒸煮时间为10分钟;小麦粉蒸煮,蒸煮温度为100℃~120℃℃,蒸煮时间为10分钟;使小麦粉蒸面水分控制在27%~30%;混合后加入米曲霉进行低温制曲,前期温度控制在28℃~30℃,中期温度为30℃~36℃,后期温度为23℃~30℃,前期、中期及后期的时间分别为8~10小时,制曲总时间为38小时左右;将耐高渗透压乳酸菌(市售)以高渗培养基经斜面活化后,再进行液体培养,得到菌体浓度为107cfu/ml的培养液,将培养液与质量百分含量为8wt%的盐水按重量比1:10混合得到菌株混合盐水,再将菌株混合盐水与豆瓣酱曲料按照重量比3:2混合,搅拌均匀,发酵温度为23℃~36℃,发酵时间为3~4个月,制得发酵物;酵物升温至90℃~95℃,保温15~20min后降温至40℃~50℃,灌装。

本实施例制得的大豆原酿酱在两年的保质期内无腐败变质、胀气的情况。

实施例2

大豆清洗后蒸煮,蒸煮温度为110~120℃,蒸煮时间为10分钟;小麦粉蒸煮,蒸煮温度为110~120℃,蒸煮时间为10分钟;使小麦粉蒸面水分控制在27%~30%;混合后加入米曲霉进行低温制曲,前期温度控制在28℃~30℃,中期温度为30℃~36℃,后期温度为23℃~30℃,前期、中期及后期的时间分别为8~10小时,制曲总时间为38小时左右;将耐高渗透压乳酸菌(本公司驯化,市场有售)以高渗培养基经斜面活化后,再进行液体培养,得到菌体浓度为107cfu/ml的培养液,将培养液与质量百分含量为5wt%的盐水按重量比1:10混合得到菌株混合盐水,再将菌株混合盐水与豆瓣酱曲料按照重量比3:2混合,搅拌均匀,发酵温度为23℃~36℃,发酵时间为3~4个月,制得发酵物;酵物升温至90℃~95℃,保温15~20min后降温至40℃~50℃,灌装。

本实施例制得的大豆原酿酱在两年的保质期内无腐败变质、胀气的情况。

实施例3

大豆清洗后蒸煮,蒸煮温度为110~120℃,蒸煮时间为10分钟;小麦粉蒸煮,蒸煮温度为110~120℃,蒸煮时间为10分钟;使小麦粉蒸面水分控制在27%~30%,混合后加入米曲霉进行低温制曲,前期温度控制在28℃~30℃,中期温度为30℃~36℃,后期温度为23℃~30℃,前期、中期及后期的时间分别为8~10小时,制曲总时间为38小时左右;将耐高渗透压乳酸菌(本公司驯化,市场有售)以高渗培养基经斜面活化后,再进行液体培养,得到菌体浓度为107cfu/ml的培养液,将培养液与质量百分含量为6wt%的盐水按重量比1:10混合得到菌株混合盐水,再将菌株混合盐水与豆瓣酱曲料按照重量比3:2混合,搅拌均匀,发酵温度为23℃~36℃,发酵时间为3~4个月,制得发酵物;酵物升温至90℃~95℃,保温15~20min后降温至40℃~50℃,灌装。

对比例1

在实施例的基础上,省略将入耐高渗透压乳酸菌的过程。向最终的每kg大豆原酿酱中加入17g盐和1.0g的山梨酸钾。

由于本发明中耐高渗透压乳酸菌的添加,改善了大豆原酿酱的口感及风味。将上述实施例和对比例制得的产品进行产品风味口感的感官评价。

感官评价步骤如下:直接蘸取品尝。

感官评价人数:10人

感官评价方法:产品描述法

感官评价结果如表1:

表1

从以上的描述中,可以看出,本发明的实施例实现了如下技术效果:

1)通过工艺优化降低了大豆原酿酱的盐分,同时因为添加了耐高渗透压乳酸菌,利用耐高渗透压乳酸菌分泌的有机酸、蛋白质类活性物质、羟基脂肪酸和酚类化合物等抑菌物质,使减盐后的豆瓣酱在不添加防腐剂下保证在保质期内质量稳定,不出现腐败变质、胀气的情况。

2)改善了大豆原酿酱的口感及风味。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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