放射线图像捕获装置的制作方法

专利名称：放射线图像捕获装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种放射线图像捕获装置，并且特别地涉及一种其中放射线检测面板和信号处理板被柔性电路板(FPC)连接的放射线图像捕获装置。
背景技术：
近年来，已经实现了放射线图像检测器诸如平板检测器(FPD)等。在FPD中，放射线敏感层被布置在薄膜晶体管(TFT)有源矩阵基板上，并且FPD能够将放射线直接地转换成数字数据。使用这种放射线检测器的放射线图像捕获装置具有优于使用X射线膜、成像板等的现有技术放射线图像捕获装置的、可以连续地检查图像的优点。这种装置还具有能够执行其中放射线图像被连续地成像的放射镜成像(视频成像)的优点。已经提出了多种类型的这种放射线检测器。例如，采用间接转换系统的放射线检测器使用闪烁体将放射线转换成光，利用传感器部诸如光电二极管等将经转换的光转换成电子电荷，并且积聚这些电荷。所积聚的电荷是有关通过X射线成像捕获的图像的数据。CsI T1,G0S (Gd2O2S=Tb)等被用于闪烁体。放射线图像捕获装置以模拟信号的形式读出在放射线检测器中积聚的电荷，利用放大器放大模拟信号，并且然后利用模拟-数字(A/D)转换器将模拟信号转换成数字数据。所述放射线检测器设置有传感器部和信号处理板。信号处理板执行传感器部的驱动控制并且执行从传感器部分提供的被捕获图像数据的信号处理。信号处理板被布置成与传感器部分相对，并且使用柔性电路板连接传感器部和信号处理板。存在对于便携式放射线图像检测器(电子暗盒)的高的需求，因为它们易于操控。日本专利申请公开(JP-A) 2010-264250公开了一种X射线成像装置，该X射线成像装置检测放射线的照射何时开始和停止等，`而且并不要求对于放射线产生时序的同步控制。与在X射线成像期间和之前成像被摄体(患者)的位置和姿态的调节相关联地，这种X射线成像装置经历与成像被摄体的接触和冲击等。此时，柔性电路板对于容纳传感器部和信号处理板的壳体的内壁发生接触或者摩擦，在柔性电路板的配线处，静电充电发生，并且产生反(补偿)电荷。这些反电荷引起在柔性电路板的配线中传播的模拟信号的改变，从而导致被捕获X射线图像数据的错误检测。在于此处安装放大器的柔性电路板中，尚未被放大器转换成模拟信号电压的模拟信号电荷易于受到静电充电效应所影响。类似地，在要求对于放射线产生时序的同步控制的X射线成像装置中，如果在柔性缆线中的配线处发生静电充电，则在被捕获的X射线图像数据的读出期间模拟信号存在改变。在被捕获的X射线图像中，模拟信号的这些改变作为噪声出现。JP-A 5-259591公开了一种柔性电路板，其中铜层被施加到塑料膜，以及其中在塑料膜上形成抗静电层并且抗静电层覆盖有保护层的柔性电路板。关于抑制静电充电，这些柔性电路板是有用的。然而，在其中施加铜层的上述柔性电路板中，如果它接触壳体，则铜层脱离，并且难以维持静电充电抑制效果。如果铜层的厚度增加，则这个脱离是较不可能的，但是铜层厚度的增加则增加了柔性电路板的刚度并且削弱了柔性电路板的柔性。此外，在其中形成抗静电层的上述柔性电路板中，静电电荷的衰减时间是长的，并且电荷在配线上用作杂散电容。杂散电容引起在柔性电路板的配线中传播的模拟信号改变，从而导致被捕获X射线图像数据的错误检测。杂散电容还引起时间常数改变，从而导致在配线中传播的模拟信号延迟。

发明内容
考虑到上述状况，本发明解决了以上问题并且提供一种可以抑制与由柔性电路板的运动引起的接触和摩擦相关联的静电充电的放射线图像捕获装置。根据本发明第一方面的一种放射线图像捕获装置包括包括将放射线转换成电子信号的光电转换元件的放射线检测面板；被布置成与放射线检测面板相对的信号处理板，该信号处理板执行由放射线检测面板提供的电子信号的信号处理；柔性电路板，该柔性电路板的一端被电连接到放射线检测面板并且另一端被电连接到信号处理板，该柔性电路板包括由绝缘树脂膜形成的基底膜，被布置在基底膜之上的配线，被布置在配线之上的、由绝缘树脂形成的涂覆层，被设置在至少如下位置之一的屏蔽层，所述位置为所述基底膜和所述配线之间以及所述配线和所述涂覆层之间，绝缘体被置入屏蔽层和配线之间，并且屏蔽层被连接到固定电位；和容纳放射线检测面板、信号处理板和柔性电路板的壳体。在根据第一方面的放射线图像捕获装置中，通过被连接到固定电位的屏蔽层消除了在基底膜外侧处产生的静电，并且在配线中出现的噪声可以受到抑制。因此，可以防止柔性电路板的静电充电。另外，因为屏蔽层被置入基底膜和配线之间或者被置入配线和涂覆层之间，所以由于柔性电路板对于壳体的接触、摩擦等引起的脱离是不太可能的。因此，无需使得屏蔽层的厚度比必要的厚度厚，并且柔性电路板的柔性不被削弱。而且，因为屏蔽层被连接到固定电位，所以通过静电充电产生的电荷即刻地被固定电位吸收并且杂散电容的产生可以受到抑制。因此，可以防止被捕获放射线图像数据的错误检测，并且可以防止在放射线图像数据的传播中的延迟。

在根据第二方面的放射线图像捕获装置中，在根据第一方面的放射线图像捕获装置中，屏蔽层被布置在基底膜上并且被连接到配线，配线被连接到固定电位。在根据第二方面的放射线图像捕获装置中，固定电位可以通过柔性电路板的配线而被供应到屏蔽层。在根据第三方面的放射线图像捕获装置中，在根据第一方面的放射线图像捕获装置中，屏蔽层包括固定电位取出端子，并且固定电位取出端子被连接到信号处理板的固定电位。在根据第三方面的放射线图像捕获装置中，固定电位可以被从信号处理板供应到屏蔽层。在根据第四方面的放射线图像捕获装置中，在根据第一方面的放射线图像捕获装置中，屏蔽层包括固定电位取出端子，并且固定电位取出端子被连接到放射线检测面板的固定电位。在根据第四方面的放射线图像捕获装置中，固定电位可以被从放射线检测面板供应到屏蔽层。
在根据第五方面的放射线图像捕获装置中，在根据第一到第四方面中的任何一个的放射线图像捕获装置中，屏蔽层被布置在除了连接到放射线检测面板和信号处理板的端子的区域的整个配线之上。在根据第五方面的放射线图像捕获装置中，因为屏蔽层被设置在配线的整个区域之上，所以在基底膜的外侧的大部分之上的区域中产生的静电被屏蔽层消除，并且在配线中出现的噪声可以受到抑制。因此，可以防止柔性电路板的静电充电。在根据第六方面的放射线图像捕获装置中，在根据第一到第五方面中的任何一个的放射线图像捕获装置中，屏蔽层的厚度比配线的厚度厚。在根据第六方面的放射线图像捕获装置中，屏蔽层被形成为比配线更厚。因此，屏蔽层的电阻被设定为较低。因此，在基底膜的外侧处产生的静电被即刻地消除，并且在配线中出现的噪声可以受到抑制。因此，可以防止柔性电路板的静电充电。在根据第七方面的放射线图像捕获装置中，在根据第一到第六方面中的任何一个的放射线图像捕获装置中，屏蔽层被设置在基底膜和配线之间并且被设置在配线和涂覆层之间。在根据第七方面的放射线图像捕 获装置中，因为屏蔽层被设置在配线的上面侧和下面侧这两者处，所以消除静电的效果增加，并且可以更加有效地防止柔性电路板的静电充电。在根据第八方面的放射线图像捕获装置中，在根据第一到第七方面中的任何一个的放射线图像捕获装置中，由与配线相同的导电材料制造屏蔽层。在根据第八方面的放射线图像捕获装置中，因为屏蔽层由与配线相同的导电材料制造，所以可以容易地制造屏蔽层。在根据第九方面的放射线图像捕获装置中，在根据第一到第八方面中的任何一个的放射线图像捕获装置中，柔性电路板是在此处半导体构件被安装于在基底膜中形成的构件开口中的带载封装电路板。在根据第九方面的放射线图像捕获装置中，可以防止带载封装电路板的静电充电。在根据第十方面的放射线图像捕获装置中，在根据第一到第八方面中的任何一个的放射线图像捕获装置中，柔性电路板是在此处半导体构件被安装在基底膜上的膜上芯片电路板。在根据第十方面的放射线图像捕获装置中，可以防止膜上芯片电路板的静电充电。利用上述配置，本发明可以提供一种可以在避免脱离、不削弱柔性并且解决导致杂散电容的问题时抑制与由柔性电路板的运动引起的接触、摩擦等相关联的静电充电的放射线图像捕获装置。


将基于以下的图详细描述本发明的示例性实施方式，其中图1是描述根据本发明第一示例性实施方式的放射线图像捕获装置的总体结构的概念图2是其中放射线图像检测器的壳体的适当部分被切除的、根据第一示例性实施方式的放射线图像捕获装置的放射线图像检测器(电子暗盒)的透视图；图3是根据第一示例性实施方式的放射线图像捕获装置的总体电路框图；图4是在图3中示出的检测单元和放射线检测面板的信号处理部的主要部分的电路图；图5是示出在图3中示出的放射线检测面板的主要部分(光电转换构件和发光体)的装置结构的截面示意图；图6是示出在图3中示出的放射线检测面板的其它主要部分(TFT和光电转换构件)的装置结构的截面示意图；图7是示出图2所示放射线图像检测器的具体结构的截面图；图8是示出图7所示放射线图像检测器的柔性电路板的具体结构的截面示意图；图9是图8所示柔性电路板的平面图；图10是示出根据第一示例性实施方式在放射线照射之前和之后在柔性电路板的配线中流动的电荷量和在柔性电路板处的静电充电和电荷量之间的关系的曲线图；图1lA是示出图1所示放射线图像检测器的壳体的结构的透视图；图1lB是示出图1所示放射线图像检测器的壳体的另一结构的透视图；图1lC是示出图1所示放射线图像检测器的壳体的另一结构的透视
图12是示出根据第一示例性实施方式的第一变型实例的放射线图像检测器的柔性电路板的具体结构的主要部分的截面图；图13是示出根据第一示例性实施方式的第二变型实例的放射线图像检测器的柔性电路板的具体结构的主要部分的截面图；图14是示出根据本发明第二示例性实施方式的放射线图像捕获装置的放射线图像检测器的柔性电路板的具体结构的主要部分的截面图；图15是示出根据第二示例性实施方式的第一变型实例的放射线图像检测器的柔性电路板的具体结构的主要部分的截面图；图16是示出根据第二示例性实施方式的第二变型实例的放射线图像检测器的柔性电路板的具体结构的主要部分的截面图。
具体实施例方式在下文中，参考附图描述了根据本发明的示例性实施方式。在这里，具有相同功能的结构元件在图中被赋予相同的附图标记，并且适当地省略了重复性说明。-第一示例性实施方式-本发明的第一示例性实施方式示意将本发明应用于构成放射线图像捕获装置的便携式放射线图像检测器(电子暗盒)的一个实例。-放射线图像捕获装置的总体结构-如在图1中所示出的，根据第一示例性实施方式的放射线图像捕获装置10配备有放射线产生装置12、放射线图像检测器(电子暗盒)14和控制台16。放射线产生装置12产生放射线R并且在成像被摄体(其放射线图像将被捕获的患者)18处照射放射线R。放射线图像检测器14产生从通过成像被摄体18透射的放射线R获得的放射线图像数据。放射线图像检测器14为可以自由地携带的便携类型。控制台16功能是用于控制放射线产生装置12和放射线图像检测器14的驱动、记忆由放射线图像检测器14产生的放射线图像数据、显示放射线图像数据，等。在这个第一示例性实施方式中，放射线图像检测器14可以配备或者可以不配备用于记忆放射线图像数据的功能。-放射线图像检测器的外部结构-如在图2中所示出的，放射线图像检测器14设置有沿着放射线R的照射方向具有预定厚度的、平坦板形状的壳体140。壳体140包括在壳体140的、与放射线产生装置12相对的一侧的表面处的被照射表面140A。被照射表面140A由至少透射放射线R的材料制造。放射线检测面板142和信号处理板144被容纳在壳体140内侧。放射线检测面板142被布置在壳体140的被照射表面140A侧，即，与放射线产生装置12相对的一侧处,并且信号处理板144被布置在与被照射表面140A相对的、未被照射表面140B侧处。放射线检测面板142功能是用于由放射线R产生放射线图像数据，该放射线R被从放射线产生装置12照射并且通过成像被摄体18透射。信号处理板144功能是用于控制放射线检测面板142的驱动，并且向控制台16传输由放射线检测面板142产生的放射线图像数据。-放射线图像检测器的系统结构-1.放射线检测面板的系统结构如在图3中所示出的，放射线图像检测器14的放射线检测面板142配备有TFT矩阵板116。TFT矩阵板116设置有多条栅极线110和多条数据线112。栅极线110沿着扫描线方向延伸并且沿着信号线方 向以恒定间隔排列。数据线112沿着信号线方向延伸并且沿着扫描线方向以恒定间隔排列。检测元件100被布置在栅极线110和数据线112的交叉部分处。每一个检测元件100检测从放射线R (放射线图像数据)转换的光、将光转换成电子信号，并且然后暂时地积聚(存储)电子信号。检测元件100设置有薄膜晶体管(TFT) 102和光电转换元件106，并且被构成为带有并行的TFT 102和光电转换元件106的电路。TFT102的一个主电极(漏电极，在图6中带有附图标记102E)被连接到数据线112，并且另一个(源电极，在图6中带有附图标记102D)被与光电转换元件106的一个电极(在图5中附图标记电极106A)连接。TFT 102的栅电极(在图6中附图标记102A)被连接到数据线112。TFT 102是根据被供应到栅电极的驱动信号而在导通状态(接通)和非导通状态(断开)之间切换的开关元件。光电转换元件106的另一个电极(在图5中附图标记106E)被连接到固定电位。光电转换元件106将是从放射线R转换的放射线图像数据的光信号转换成电子信号并且以电荷的形式暂时地积聚经转换的放射线图像数据。2.信号处理板的系统结构放射线图像检测器14的信号处理板144设置有栅极线驱动部200、信号处理部202、温度传感器204、图像存储器206、检测器控制部208、通信部210和电源部212。栅极线驱动部200被连接到跨TFT矩阵板116延伸的栅极线110，并且向栅极线110供应用于TFT 102的驱动信号。根据图3中的绘图，栅极线驱动部200被沿着TFT矩阵板116的一个边缘(在这个绘图中的左边缘)在该边缘外侧处布置。在实践中，因为信号处理板144被布置成与放射线检测面板142相对，所以栅极线驱动部200在TFT矩阵板116的未被照射表面140B侧处被沿着TFT矩阵板116的一个边缘布置并且被与该边缘叠置。信号处理部202被连接到跨TFT矩阵板116延伸的数据线112，并且经由数据线112获取从检测元件100读出的放射线图像数据。类似于栅极线驱动部200，根据在图3中的绘图，信号处理部202被沿着邻接TFT矩阵板116的该一个边缘的另一个边缘(在这个绘图中的下边缘)，在该另一个边缘的外侧处布置。在实践中，因为信号处理板144被布置成与放射线检测面板142相对，所以信号处理部202在TFT矩阵板116的未被照射表面140B侧处被沿着TFT矩阵板116的另一个边缘布置并且被与该另一个边缘叠置。如栅极线驱动部200和信号处理部202，在信号处理板144处安装的构件、电路和系统也被布置成与TFT矩阵板116叠置。当放射线图像得以捕获并且放射线图像数据在放射线检测面板142处积聚时，首先，使用栅极线驱动部200选择栅极线110之一，并且驱动信号被供应到这条栅极线110。通过供应驱动信号，被连接到这条栅极线110的所有的检测元件100的TFT 102均被置于导通状态中，并且已经暂时地在光电转换元件106中积聚的放射线图像数据经由数据线112而被读出到信号处理部202。在信号处理部202中，在分别地对应于各条数据线112设置的样本保持电路(电荷放大器，在图4中带有附图标记220)中积聚电荷。信号处理部202沿着扫描线方向连续地选择样本保持电路220，并且连续地读出在样本保持电路220中积聚的放射线图像数据。当已经读出在被连接到一条选定的栅极线110的所有的检测元件100处积聚的放射线图像数据时，栅极线驱动部200沿着信号线方向选择随后的栅极线110。利用相同的处理顺序，信号处理部202连续地选择样本保持电路220，并且读出在被连接到这条选定的栅极线110的检测元件100处积聚的放射线图像数据。当读出在放射线检测面板142处积聚的所有的放射线图像数据时，可以作为以二维方式捕获的电子信号(电子数据)获取放射线图像数据。

如在图4中所示出的，信号处理部202配备有样本保持电路220、复用器230和模拟-数字(A/D)转换器232。每一个样本保持电路220被连接到相应的数据线112，并且设置有运算放大器220A、电容器220B和开关220C。从检测元件100通过数据线112传播的放射线图像数据(电荷信号)被保留在样本保持电路220处。样本保持电路220利用运算放大器220A和电容器220B将电荷信号转换成模拟信号(是放射线图像数据的电压信号)。即，样本保持电路220功能是用作将在检测元件100处积聚的电荷转换成电压的电荷放大器。样本保持电路220的开关220C被电连接在电容器220B的电极之间，与电容器220B并联，并且被用作对在电容器220B处积聚的电荷信号进行放电的复位电路。在样本保持电路220处转换的模拟信号(输出信号)被串行地输入复用器230。复用器230串行地向A/D转换器232输出模拟信号。A/D转换器232连续地将串行地输入的模拟信号转换成数字信号(这是放射线图像数据)。如在图3中所示出的，信号处理部202被连接到图像存储器206。在图像存储器206中串行地记忆被信号处理部202的A/D转换器232转换成数字信号的放射线图像数据。图像存储器206设置有能够记忆预定数目的图像数据帧的存储容量。每次捕获放射线图像时，通过放射线图像捕获获得的放射线图像数据均被顺序地存储在图像存储器206中。检测器控制部208被连接到栅极线驱动部200、信号处理部202、温度传感器204、图像存储器206、通信部210和电源部212，并且管理对于它们的控制。检测器控制部208配备有由中央处理单元(CPU) 208A、存储器208B和存储部208C构成的微型计算机。存储器208B配备有存储实现放射线图像检测器14等的控制的处理程序的只读存储器(ROM)，和暂时地存储各种处理程序、在处理期间的数据等的随机存取存储器(RAM)。利用存储被存储在图像存储器206等中的数据诸如放射线图像数据的非易失闪存等构成存储部208C。温度传感器204测量放射线图像检测器14的温度和在第一示例性实施方式中测量发光体148的下面(在其未被照射表面140B侧的面)的中央区域的温度。有关由温度传感器204测量的温度的数据被发送到检测器控制部208。通信部210根据来自检测器控制部208的控制与外部设备交换各种数据。根据第一示例性实施方式的通信部210是符合如由IEEE(电气与电子工程师协会)802. lla/b/g等代表的无线LAN (局域网)标准的无线通信单元。通信部210通过无线通信传输各种数据。具体地，通信部210在检测器控制部208和控制台16之间交换用于与放射线图像的捕获有关的用于控制的各种数据、将放射线图像数据从检测器控制部208传输到控制台16，等。电源部212向栅极线驱动部200、信号处理部202、图像存储器206、检测器控制部208和通信部210的各种电路供应电力。在第一示例性实施方式中，电源部212包含电池(可再充电电池)，为了增强放射线图像检测器14的便携性。电力被从这个电池供应到各种电路。当放射线图像检测器14未在使用中时，电池经由未示出的充电器被连接到电源并且被充电。根据第一示例性实施方式的放射线图像检测器14采用非同步系统(无同步系统)，该非同步系统并非接收控制信号并且与开始放射线图像捕获同步地开始操作，而是检测从放射线产生装置12照射的放射线R并且自动地开始操作控制。基于在检测元件100的阵列中嵌入的、带有与检测元件100相同的结构的检测传感器的输出，或者从检测元件100的阵列分开地排列的检测传感器的输出，感测放射线R。还可以使用检测从放射线R转换的光的光传感器而基于光传感器的输出感测放射线R。注意本发明不限于采用非同步系统的放射线图像检测器14并且可以被应用于采用同步系统的放射线图像检测器14，在同步系统中，放射线图像检测器14从控制台16接收控制信号并且与开始放射线图像捕获同步地开始操作。-控制台的系统结构-如在图3中所示出的，控制台16被构成为服务器计算机，并且设置有显示器161和控制面板162。显示器161是显示用于放射线图像捕获装置10的控制菜单、所捕获的放射线图像等的监视器。控制面板162设置有多个控制按钮、开关等，并且输入各种数据、控制指令等。控制台16配备有CPU 163,ROM 164,RAM 165、硬盘驱动器(HDD) 166、显示驱动器168、控制输入检测部169和通信部167。CPU 163控制控制台16的总体操作。ROM 164存储各种程序等，包括控制控制台16的操作的控制程序。RAM 165暂时地记忆各种数据。HDD 166记忆并且保留各种数据。显示驱动器168控制各种数据在显示器161处的显示。控制输入检测部169检测控制面板162的操作状态。通信部167与放射线产生装置12交换各种数据诸如曝光条件等，并且与放射线图像检测器14交换各种数据诸如放射线图像数据等。类似于放射线图像检测器14的通信部210，通信部167通过无线通信传输和接收数据。

在控制台16处，CPU 163、ROM 164、RAM 165、HDD 166、显示驱动器168、控制输入检测部169和通信部167经由系统总线(公共总线)170而被连接到彼此。相应地，CPU 163经由系统总线170访问ROM 164,RAM 165和HDD 166中的每一个。CPU 163还经由系统总线170和显示驱动器168控制各种数据在显示器161处的显示。CPU163可以经由控制输入检测部169和系统总线170获取使用者对于控制面板162的操作状态并且经由系统总线170和通信部167、CPU 163控制各种数据与放射线产生装置12和放射线图像检测器14中的每一个的交换。-放射线产生装置的系统结构-如在图3中所示出的，放射线产生装置12设置有放射线源121、放射线源控制部122和通信部123。通信部123与控制台16交换各种数据诸如曝光条件等。放射线源控制部122基于经由通信部123接收的曝光条件控制放射线源121。放射线源控制部122设置有类似于放射线图像检测器14的检测器控制部208的微型计算机。这个微型计算机的存储器存储经由通信部123接收的数据诸如曝光条件等。曝光条件至少包括诸如管电压、管电流和曝光持续时间的数据。放射线源控制部122根据曝光条件从放射线源121照射放射线R。-放射线检测面板的设备结构-

1.放射线检测面板的总体结构如在图5中所示，根据第一示例性实施方式的放射线图像检测器14的放射线检测面板142设置有TFT矩阵板116和在图5中被布置在TFT矩阵板116之上的发光体(闪烁体)148。在这个绘图中适当地示意了单一检测部分。检测元件100被布置在TFT矩阵板116中。各个检测元件100是单个像素，分辨率的最小单位。检测元件100具有如此结构，其中光电转换元件106被设置在绝缘基板116A处，并且光电转换元件106层叠在被设置在绝缘基板116A上的TFT 102上。2.发光体(闪烁体)的结构如在图5中所示，透明绝缘膜116C被布置在TFT矩阵板116的顶层处，并且发光体148被布置在透明绝缘膜116C之上。发光体148被设置在TFT矩阵板116的基本整个区域之上。因为发光体148被布置在光电转换元件106之上，使得透明绝缘膜116C处于其间，所以从发光体148侧(图5的上侧)入射的放射线R可以被吸收并且被转换成光，并且从绝缘基板116A侧(图5的下侧)入射的放射线R也可以被吸收并且被转换成光。由发光体148发射的光的波长范围是根据光电转换元件106的光敏性设定的。作为一个实例，如果光电二极管或者采用通常使用的非晶硅(a-Si)的金属-绝缘体-半导体(MIS)晶体管被用于光电转换元件106，则根据非晶硅的光敏特性，波长范围被设定在可见光范围(从360nm到830nm的波长)中。在放射线图像检测器14中，如果在光电转换元件106处采用非晶硅以使得能够捕获放射线图像，则优选的是，由发光体148发射的光包括绿色光，对于绿色光，非晶硅的光敏性最高。如果X射线被用作放射线R并且X射线图像将被捕获，则优选的是，发光体148包括碘化铯(CsI )。特别优选的，使用当在发光体148处照射X射线时具有400nm到700nm的波长范围的发光光谱的、带有其中被添加有铊的碘化铯(CsI (Tl))、硫氧化钆(GOS ；Gd202S Tb)等。CsI (Tl)在可见光范围中具有565nm的发光峰值波长。本发明的放射线R不限于X射线。可以使用的放射线至少包括在医疗中使用的放射线，诸如伽马射线、电子束、中子束、质子束、重子束等。在第一示例性实施方式中，基本上作为与是放射线检测面板142的TFT矩阵板116独立的部件(独立体)制造发光体148。发光体148在放射线图像检测器14的制造过程(组装步骤)中被联结到放射线检测面板142。3.光电转换元件的结构如在图5和图6中所示，根据本示例性实施方式的检测元件100具有PIN结构，并且所使用的光电转换元件106采用间接转换系统。光电转换元件106被布置在TFT矩阵板116的绝缘基板116A上。通过顺序地层叠一个电极(下电极)106A、第一半导体层106B、第二半导体层106C、第三半导体层106D和另一个电极(上电极)106E构造光电转换元件106。电极106A被布置在绝缘基板116A之上，使得绝缘膜116B处于其间，并且在每一个检测元件100 (每一个检测部分或者每一个像素部分)之间分割。在第一示例性实施方式中，如在图6中所示，利用TFT保护膜116B1和在TFT保护膜116B1上方的层中的平坦化膜116B2的层叠膜构造绝缘膜116B。TFT保护膜116B1例如是通过化学气相沉积(CVD)形成的SiNx膜。平坦化膜116B2是由具有低导电性的光敏有机材料形成的涂覆绝缘膜。如果从第一半导体层106B到第三半导体层106D的半导体层的膜厚度是厚的，为大约Iu m，则只要材料是导电性的，在透明或者非透明方面，电极106A的材料几乎不受限制。因此，可以将透明或者非透明导电材料用于电极106A。作为透明导电材料，例如可以使用铟锡氧化物(ITO)等。作为非透明导电材料，例如可以使用铝膜、铝合金膜、银膜等。然而，如果从第一半导体层106B到第三半导体层106D的半导体层的膜厚度是薄的(例如0. 2pm到0. 5 iim)，则光可能未在第一半导体层106B到第三半导体层106D中被充分地吸收。光被照射到TFT102上，并且在TFT 102的主电极102D和102E之间的泄漏电流增加。相应地，优选的是，将非透明的或者不透明的导电材料或者其层叠体用于电极106A。第一半导体层10 6B被布置在电极106A上，第二半导体层106C被布置在第一半导体层106B上，并且第三半导体层106D被布置在第二半导体层106C上。根据第一示例性实施方式的光电转换元件106采用PIN结构。因此，第一半导体层106B由n+型非晶硅形成，第二半导体层106C由i型非晶硅形成，并且第三半导体层106D由p+型非晶硅形成。第二半导体层106C从被发光体148转换的光产生电荷(成对的自由电子和自由空穴)。第一半导体层106B被用作接触层并且被电连接到电极106A。第三半导体层106D类似地被用作接触层并且被电连接到电极106E。电极106E被分开地布置在第三半导体层106D上。具有高透明度的导电材料诸如、例如IT0、氧化铟锌(IZO)等可以被用于电极106E。虽然在图5和图6中未被示意，但是供应固定电位的配线被连接到电极106E。在第一示例性实施方式中，光电转换元件106被构成为除了第一半导体层106B、第二半导体层106C和第三半导体层106D还包括电极106A和106E。光电转换元件106还可以采用MIS结构。4. TFT 的结构如在图6中所示，每一个检测元件100的TFT 102被布置在绝缘基板116A上的低于并且与光电转换兀件106的电极106A相应的区域中。在从垂直于绝缘基板116A的表面的方向看的平面视图中，TFT 102被布置在与光电转换元件106的电极106A重叠的区域中。即，TFT 102和光电转换元件106在绝缘基板116A之上被以三维方式层叠。因此，可以减小每一个检测元件100的绝缘基板116A的面积和沿着同一平面中的方向由检测元件100占据的面积。TFT 102设置有栅电极102A、栅极绝缘膜102B、有源层(沟道层)102C、一个主电极(漏电极)102E和另一个主电极(源电极)102D。栅电极102A被布置在绝缘基板116A的表面上。在第一不例性实施方式中，栅电极102A由相同导电材料在与栅极线110相同的导电层中形成。栅极绝缘膜102B在绝缘基板116A的基本整个区域之上被布置在绝缘基板116A的表面上，使得栅电极102A处于其间。有源层102C被布置在栅极绝缘膜102B的表面上并且与栅电极102A叠置。主电极102D和102E被布置在有源层102C上，并且在栅电极102A之上彼此间分离。在第一不例性实施方式中，主电极102D和102E由相同导电材料在同一导电层中形成。在根据第一示例性实施方式的放射线图像检测器14中，TFT 102的有源层102C由非晶硅形成。有源层102C还可以由非结晶氧化物形成。包含镓和锌中的至少一种的氧化物(例如，In-O材料)可以被用作非结晶氧化物。优选的是，包含铟、镓和锌中的至少两种的氧化物(例如，In-Zn-O材料、In-Ga-O材料或者Ga-Zn-O材料)被用作非结晶氧化物。甚至更加优选地，可以使用包含铟、镓和锌的氧化物。具体地，In-Ga-Zn-O非结晶氧化物优选地是其在结晶状态中的组成将由InGaO3 (ZnO)ffl (m是小于6的自然数)并且更加优选地由InGaZnO4R表的非结晶氧化物。如果有源层102C由非结晶氧化物形成，则TFT102并不吸收放射线R诸如X射线等，或者即便它确实吸收这种放射线R，放射线也仅仅保持被以微小量保留。因此，噪声的产生可以有效地受到抑制。

在第一示例性实施方式中，非碱性玻璃被用于绝缘基板116A中的液晶。现在，如果将非结晶氧化物用于TFT 102的有源层102C，并且使用有机光电转换材料替代从光电转换元件106的第一半导体层106B到第三半导体层106D的半导体层，则对于有源层102C和有机光电转换材料这两者，利用低温工艺形成膜都是可能的。因此，绝缘基板116A不限于是带有高耐热性的基板，诸如半导体基板、石英基板、玻璃基板等。可以采用塑料等的柔性基板，或者使用芳香族聚酰酩(完全芳香族聚酰胺)、生物纳米纤维等的基板。具体地，可以使用聚酯诸如聚对苯二甲酸乙二酯、聚邻苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等，或者聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚芳酯、聚酰亚胺、聚环烯、降冰片烯树脂、聚(氯三氟乙烯)等的柔性基板。如果使用由这种塑料制成的柔性基板，则放射线图像检测器14可以减小重量，这增强了用于例如携带、操控等的便携性。在绝缘基板116A上，可以设置以下的层用于确保绝缘的绝缘层；用于防止湿气、氧气等渗透的气体阻挡层；用于改进平坦度和与电极的接触等的底涂层；等等。被用作绝缘基板116A的芳香族聚酰酩可以是采用具有200°C或者更高温度的高温工艺的芳香族聚酰酩。因此，透明电极材料在高温下固化并且高温材料的电阻降低。自动安装过程，包括具有200°C或者更高的高温的焊料回流过程，能够被应用于构成栅极线驱动部200的驱动芯片。关于ITO或者玻璃板等的热膨胀系数，因为芳香族聚酰酩的热膨胀系数是低的，所以在制造过程完成之后绝缘基板116A的翘曲几乎没有，并且裂纹不太可能在绝缘基板116A中发生。相对于玻璃板等的机械强度，芳香族聚酰酩具有高机械强度，从而可以使得绝缘基板116A是薄的。绝缘基板116A不限于单层板结构；还可以采用其中芳香族聚酰酩在超薄玻璃板上层叠的复合板结构。被用作绝缘基板116A的生物纳米纤维可以是带有从细菌(醋酸菌诸如木醋酸菌)产生的纤维素微纤丝束(细菌纤维素)的透明树脂的复合物。纤维素微纤丝束具有例如50nm的微观宽度，这是可见光的波长的大约十分之一，并且具有高强度、高弹性和低热膨胀性。细菌纤维素在透明树脂诸如丙烯酸树脂、环氧树脂等中浸溃，并且树脂被固化。因此，可以提供包含60-70%的纤维并且对于500nm的波长呈现大约90%的透明度的生物纳米纤维。生物纳米纤维具有与硅晶体相比较低的热膨胀系数(3-7ppm)、具有与钢相当的强度(460MPa)和高弹性(30GPa)，并且是柔性的。因此，可以使得绝缘基板116A比从玻璃板等形成的绝缘基板更薄。中间层绝缘膜116B被设置在包括TFT 102的主电极102D和102E的、整个绝缘基板116A之上。每一个光电转换元件106的电极106A经由在中间层绝缘膜116B中形成的连接孔116H而被与主电极102D电连接。-放射线检测器的设备结构-

1.放射线图像检测器的总体示意性结构如在图7中所示，放射线图像检测器14设置有放射线检测面板142、信号处理板144、柔性电路板182和184和壳体140。柔性电路板182和184的分别的一端被电连接到放射线检测面板142并且另一端被电连接到信号处理板144。壳体140容纳放射线检测面板142和信号处理板144，并且使其从内壁隔开地容纳柔性电路板182和184。根据第一示例性实施方式的放射线图像检测器14采用其中关于放射线R通过被照射表面140A侧读出从放射线R转换的光的照射侧采样(ISS)系统(在TFT板表面上入射)。因此，在壳体140内侧，放射线检测面板142被安装在被照射表面140A的后侧处的顶板内面处，使得图5和图6中所不绝缘基板116A与被照射表面140A相对,发光体148与未被照射表面140B相对。关于安装，例如使用双面胶带。注意放射线图像检测器14不限于ISS系统；也可以米用其中关于放射线R在从被照射表面140A的相对侧处通过未被照射表面140B侧读出从放射线R转换的光的闪烁体面入射系统。根据第一示例性实施方式的放射线图像检测器14在壳体140内设置有增强部件180。增强部件180主要功能是用于增强壳体140的机械强度。增强部件180被布置在沿着壳体140的厚度方向的中央区域处，并且被基本与壳体140的被照射表面140A和未被照射表面140B平行地布置。增强部件180是具有稍小于被照射表面140A和未被照射表面140B的面积的板形部件。在第一示例性实施方式中，增强部件180设置有底架180A、增强板180B和沉积板180Co它们被以从未被照射表面140B朝向被照射表面140A按照这个顺序层叠的三层结构形成。底架180A是例如铝制底架，其厚度被设为0. 3mm到0. 5mm。增强板180B是例如碳制增强板，其厚度被设为1.1mm到1. 3mm。沉积板180C是例如铝制沉积板，其厚度被设为0. 2mm 到 0. 4mm。放射线检测面板142被布置在增强部件180的被照射表面140A侧处，使得发光体148处于其间。放射线检测面板142的厚度不受特别限制，但是在这里被设定为例如0. 6mm到0. 8mm。发光体148的厚度被设定为例如0. 5mm到0. 7mm。信号处理板144被布置在增强部件180的未被照射表面140B侧处。在图7中，作为单一结构元件(构件)示意性地显示了信号处理板144。然而在实践中，信号处理板144是在此处安装电路以分别地构成在上述图3中所示栅极线驱动部200、信号处理部202、温度传感器204、图像存储器206、检测器控制部208、通信部210和电源部212的线路板。电路包括集成电路(芯片)、电阻元件、电容元件、电容器等。作为一个实例，印刷线路板被用于所述线路板。电路可以在其间分离并且被安装在多个线路板上。2.壳体的结构如在图7中所示，壳体140是中空立方体，包括是顶板的被照射表面140A，是与被照射表面140A分离并且与其相对的底板的未被照射表面140B，和沿着被照射表面140A和未被照射表面140B的边缘部分布置的侧部(侧板)。在根据第一示例性实施方式的放射线图像检测器14中，为了保持来自外部的磁噪声的效应是最小的，至少壳体140的外侧表面和内侧表面是绝缘体。至少该表面是绝缘体的意义包括整个壳体140都是绝缘性的和壳体140的主体是导电性的且表面是绝缘性的(绝缘处理被应用于该表面)这两个意义。例如，前一情形对应于壳体140由绝缘树脂制造，并且后一情形对应于通过在由例如铝制成的主体的表面上形成氧化物涂层而制造壳体140，相同种类的主体的表面利用绝缘涂层涂覆，等。在第一示例性实施方式中，选择可以实现轻的重量和高的刚度的材料用于壳体140，从而改进放射线图像检测器14的操控特性。根据这些要求，其中利用绝缘树脂涂覆碳纤维的碳纤维增强塑料(CFRP)被用于壳体140。所使用的绝缘树脂例如是环氧树脂。3.柔性电路板的结构如在图7的右侧处所示，柔性电路板182是将放射线检测面板142的数据线112与在信号处理板144处安装的信号处理部202电连接的配线缆线。使用图8和图9对此更加详细描述，柔性电路板182的一端(在图9中的端子182C1)被电连接到在放射线检测面板142的周边边缘部分处突出的数据线112的外部端子。关于电连接，例如，使用热压连接方法，其中连接介质，诸如各向异性导`电连接器、各向异性导电片材、各向异性导电膜、各向异性导电橡胶等被置入，并且热量和压力这两者均被施加于此。柔性电路板182的另一端(在图9中的端子182C2)被电连接到在信号处理板144的周边边缘部分处突出的信号处理部202的外部端子。类似于上述的热压连接方法被用于这个电连接。在图7中仅仅示意了柔性电路板182之一。然而在实践中，多个柔性电路板182被沿着放射线检测面板142的边缘排列。柔性电路板182的中央部分朝向壳体140的侧部的内壁远离放射线检测面板142的侧面和信号处理板144的侧面地突出。柔性电路板182的中央部分利用它的柔性以曲线形式弯曲折回从而绘制圆弧。当无任何外部作用力作用于放射线图像检测器14上时(当放射线图像检测器14处于静止状态中时)，在放射线检测面板142、增强部件180、信号处理板144的侧面与壳体140的侧部的内壁之间存在小的间隙，在该间隙处，柔性电路板182在某种程度上被从其分离而不接触它们。间隔的尺寸被设定为例如几个毫米。根据第一示例性实施方式的柔性电路板182是带载封装(TCP)电路板。如在图8和图9中所示，柔性电路板182由在图8中从底部到顶部按照这个次序顺序地层叠的基底膜182A、粘结层182B、配线182C、抗蚀层182D和涂覆层182E构造。屏蔽层182M和在其上面的绝缘层182N被设置在基底膜182A和配线182C之间。半导体构件1821被安装在柔性电路板182处。
基底膜182A由具有柔性(柔顺性)的绝缘树脂膜形成。例如，聚酰亚胺树脂膜被用于基底膜182A。粘结层182B基本上将基底膜182A附着到配线182C。然而在此情形中，粘结层182B将绝缘层182N附着到配线182C。例如，环氧树脂粘结层可以被用于粘结层182B。配线182C直接地或者经由半导体构件1821将放射线检测面板142与信号处理板144电连接。配线182C由具有优异导电性(低电阻值)的金属材料诸如、例如铜或者铜合金等制造，并且其厚度被设定为例如15 y m到25 y m。图9仅仅示出主要的层。被连接到放射线检测面板142的外部端子的端子182C1被设置在配线182C的在图9的右侧的一侧(一端)处。半导体构件1821被连接到配线182C的另一侧。半导体构件1821功能是用作例如放大通过放射线检测面板142的数据线112传播的放射线图像数据的电荷放大器(样本保持电路220)。半导体构件1821还可以执行例如信号处理部202的某些功能。半导体构件1821被布置于在柔性电路板182的中央部分中形成的开口(贯穿孔)182H中。配线182C的另一侧以指状引线的形式突出到开口 182H中，并且通过使用例如引线结合方法结合的导线1823而被与半导体构件1821的外部端子(结合垫片)1822电和机械连接。连接到信号处理板144的外部端子的端子182C2被设置在配线182C的、在图9的左侧处的一侧(另一端)处，并且另一侧被连接到半导体构件1821。配线182C的另一侧使用例如其它的导线1823而被电和机械连接到半导体构件1821的、其它的外部端子1822。抗蚀层182D被布置在配线182C上并且由例如聚氨基甲酸酯树脂制造。涂覆层182E被形成为用作最后保护层，并且由例如聚酰亚胺基树脂层制造。除与放射线检测面板142连接的端子182C1和与信号处理板144连接的端子182C2的区域和在其中布置半导体构件1821的开口 182H的区域之外，屏蔽层182M被布置成与配线182C的整个区域叠置。固定电位取出端子182MP由屏蔽层182M的、在柔性电路板182的一端和另一端处的区域处突出的部分形成，所述区域是柔性电路板182的端子182C1和182C2在此处排列的区域。固定电位188通过这些固定电位取出端子182MP而被连接到屏蔽层182M。如果固定电位被供应到第一示例性实施方式的柔性电路板182的任何配线182C，则这个固定电位被用作固定电位188。如果使用热压连接方法，则只要固定电位取出端子182MP被与被连接到固定电位188的配线182C的导线的端子182C1或者端子182C2电连接，则屏蔽层182M被连接到固定电位188。固定电位188是用于被设置在柔性电路板182中的电路的接地(例如，地电位或者OV电源电位)。用于电路的操作电源电位(高于OV的电源电位)也可以被用于固定电位188。屏蔽层182M利用是在放射线检测面板142处使用的固定电位188的电位或者是在信号处理板144处使用的固定电位188的电位并且从其任一个供应固定电位188。屏蔽层182M可以使用壳体140的接地作为固定电位188并且被连接到这个固定电位188。此夕卜，只要电位无任何变化，则负电位可以被用于固定电位188。 在第一示例性实施方式中，屏蔽层182M由与配线182C相同的导电材料制造，从而降低电阻并且即刻地消除通过静电充电引起的静电(电荷)。由于类似的原因，屏蔽层182M的厚度被设为例如大约15 U m 到25 u m，且比配线182C的厚度厚。绝缘层182N被布置在屏蔽层182M和配线182C之间，并且防止在这两者之间的电短路。例如，环氧基树脂层可以被用于绝缘层182N。为了保护半导体构件1821不受外部环境影响，柔性电路板182的开口 182H填充有密封材料182F。例如，利用滴注施加方法(罐封)制造的聚酰亚胺基树脂可以被用于密封材料182F。柔性电路板184是如在图7的右侧处所示将放射线检测面板142的栅极线110与在信号处理板144处安装的栅极线驱动部200电连接的配线缆线。在第一示例性实施方式中，在最低程度上，屏蔽层182M被布置在柔性电路板182处，在此处由于静电充电引起的、放射线图像数据(模拟信号电荷)的错误检测具有显著效果。为了使用普通的构件并且减小构件的总数，柔性电路板184利用与柔性电路板182相同的结构构成。在柔性电路板184处安装的另一个半导体构件1821不同于在柔性电路板182处安装的半导体构件1821。柔性电路板184的一端(与图9中的端子182C1相应)被电连接到在放射线检测面板142的周边边缘部分处突出的栅极线110的外部端子。热压连接方法被用于这个电连接。柔性电路板184的另一端(与图9中的端子182C2相应)被与在信号处理板144的周边边缘部分处突出的栅极线驱动部200的外部端子电连接。热压连接方法被用于这个电连接。虽然在图7中示意了仅仅一个柔性电路板184，但是在实践中，多个柔性电路板184沿着放射线检测面板142的邻近于柔性电路板182沿其排列的边缘的另一个边缘排列。类似于柔性电路板182的中央部分，柔性电路板184的中央部分在壳体140的内部中利用它的柔性被以曲线方式弯曲折回(curveround)。当无任何外部作用力作用于放射线图像检测器14上时，在放射·线检测面板142、增强部件180、信号处理板144的侧面与壳体140的侧部的内壁之间存在小的间隙，在该间隙处，柔性电路板184在某种程度上被从其分离而不接触它们。间隔的尺寸被设定为例如几个毫米。柔性电路板184的半导体构件1821执行栅极线驱动部200的某些功能(例如，作为驱动芯片)。-放射线图像捕获装置的操作-在于上述图1中示出的放射线图像捕获装置10中，由于与在放射线图像成像之前的操控、在图像捕获期间和刚好在图像捕获之前成像被摄体18的位置调节和姿态调节等相关联的接触和冲击引起的外部作用力将加速/减速和振动施加到放射线图像检测器14。根据加速/减速或者振动程度，在放射线图像检测器14中的柔性电路板182的位置改变可能不能遵循放射线检测面板142、信号处理板144和壳体140的刚性体的位置改变。因此，由于它的柔性，柔性电路板182的中央部分进行运动。与这种运动相关联地，柔性电路板182接触壳体140的侧部的内壁或者根据振动而受到摩擦。当半导体构件被安装在柔性电路板182处时，柔性电路板182的运动量更大。由于这个接触或者摩擦，在柔性电路板182的配线处，发生反向充电。如在图8和图9中所示，屏蔽层182M被设置在柔性电路板182处。因此，通过被连接到固定电位188的屏蔽层182M消除了在柔性电路板182的基底膜182A的外侧处产生的静电(电荷)，并且在配线182C中出现的噪声可以受到抑制。因此，可以防止柔性电路板182的静电充电。另夕卜，因为屏蔽层182M被置入基底膜182A和配线182C之间，所以由于在柔性电路板182和壳体之间的接触或者摩擦而引起脱离是不太可能的。屏蔽层182M具有被基底膜182A和粘结层182B夹住的结构，并且与在屏蔽层182M上面和下面的树脂材料的粘结力是高的。因此，无需使得屏蔽层182M的层厚度比有必要的厚度厚，并且柔性电路板182的柔性未被削弱。进而，因为屏蔽层182M被连接到固定电位188，所以由静电充电产生的电荷即刻地被固定电位188吸收并且杂散电容的产生可以受到抑制。因此，可以防止被捕获放射线图像数据的错误检测，并且可以防止在放射线图像数据的传播中的延迟。图10示出在放射线R照射之前和之后在柔性电路板的配线中产生的产生电荷量与在柔性电路板中由静电充电产生的产生电荷量之间的关系。在图10中，水平轴线是时间(ms)并且竖直轴线是产生电荷量。曲线图A示出在放射线照射之前和之后在被与放射线检测面板142的数据线112和信号处理部202连接的柔性电路板182的配线中产生的电荷量的改变。当然，电荷量在放射线照射之后比在放射线照射之前更高。曲线图B示出由与在放射线照射期间和在放射线照射之前作用的外部作用力相关联的、在柔性电路板182和壳体140之间的接触或者振动引起的、在柔性电路板182的配线中的静电充电的电荷量的改变。如果用于识别放射线R检测信号的阈值Vth被设为在图10中绘制虚线的值，则如果柔性电路板182的配线被静电充电并且电荷量超过阈值Vth，则放射线R的错误检测信号发生。-放射线图像检测器的壳体的类型-如在图1lA中所示，根据第一示例性实施方式的放射线图像检测器14的壳体140形成为无框架单壳结构。这种类型的壳体140以传统框架将会提供的机械强度提供覆盖(前面、后面和侧面)，并且适合于减小重量。这个壳体140的总体形状易于被外部作用力变形，并且与柔性电路板182的接触很可能发生。因此，在这个单壳结构中，根据第一示例性实施方式被连接到固定电位188的屏蔽层182M是有用的。图1lB中所示壳体140设置有壳体主体140C和在其一端处的、围绕铰链打开和关闭的盖子140D。导电体186被设置在柔性电路板182的、与盖子140D相对的位置处，和另一个柔性电路板182的、与壳体主体140C的、处于盖子140D的相对侧处的侧部相对的位置处。

图1lC中所示壳体140设置有壳体主体140C和在其两端处的、通过分别的插入而被打开和关闭的盖子140D和140E。从盖子140D和140E中的每一个突出的臂部分与壳体主体140C的内壁接合并且被固定在插入位置处。柔性电路板182被设置在与盖子140D和140E相对的位置处。-第一示例性实施方式的操作效果-如上所述，在根据第一示例性实施方式的放射线图像捕获装置10中，通过被连接到固定电位188的屏蔽层182M消除了在基底膜182A的外侧处产生的静电，并且在配线182C中出现的噪声可以受到抑制。因此，可以防止柔性电路板182的静电充电。另外，因为屏蔽层182M被置入基底膜182A和配线182C之间，所以由于在柔性电路板182和壳体140之间的接触或者摩擦引起的、屏蔽层182M的脱离是不太可能的。因此，无需使得屏蔽层182M的层厚度比有必要的厚度厚，并且柔性电路板182的柔性未被削弱。此外，因为屏蔽层182M被连接到固定电位188，所以由静电充电产生的电荷即刻地被固定电位188吸收并且杂散电容的产生可以受到抑制。因此，可以防止被捕获放射线图像数据的错误检测，并且可以防止在放射线图像数据的传播中的延迟。在放射线图像捕获装置10中，柔性电路板182的配线182C可以向屏蔽层182M供应固定电位188。
此外，在放射线图像捕获装置10中，固定电位188可以被从信号处理板144供应到屏蔽层182M。此外，在放射线图像捕获装置10中，固定电位188可以被从放射线检测面板142供应到屏蔽层182M。在放射线图像捕获装置10中，屏蔽层182M被设置在配线182C的整个区域之上。因此，在基底膜182A的外侧区域的大部分中产生的静电被屏蔽层182M消除，并且在配线182C中出现的噪声可以受到抑制。因此，可以防止柔性电路板182的静电充电。在放射线图像捕获装置10中，屏蔽层182M被形成为比配线182C更厚，并且屏蔽层182M的电阻被设为是低的。因此，在基底膜182A的外侧处产生的静电被即刻地消除并且在配线182C中出现的噪声可以受到抑制。因此，可以防止柔性电路板182的静电充电。-第一变型实例_根据第一示例性实施方式的第一变型实例的放射线图像捕获装置10示出其中在根据上述第一示例性实施方式的放射线图像捕获装置10的放射线图像检测器14中的柔性电路板182的结构被更改的一个实例。如在图12中所示，在根据第一变型实例的放射线图像检测器14的柔性电路板182中，被连接到固定电位188的屏蔽层182M被设置在配线182C和涂覆层182E之间，使得抗蚀层182D (绝缘体)处于配线182C和屏蔽层182M之间。屏蔽层182M的结构、材料等与用于根据第一示例性实施方式的屏蔽层182M的结构、材料等相同。另外，抗蚀层1820被设置在屏蔽层182M和涂覆层182E之间。抗蚀层1820由例如与抗蚀层182D相同的材料制造。

带有这种结构的、根据第一变型实例的放射线图像捕获装置10可以实现与由根据上述第一示例性实施方式的放射线图像捕获装置10提供的操作效果相同的操作效果。还可以根据柔性电路板182的结构的更改更改柔性电路板184的结构。这同样适用于在下面描述的变型实例和实施方式。-第二变型实例_根据第一示例性实施方式的第二变型实例的放射线图像捕获装置10示意其中在根据上述第一示例性实施方式的放射线图像捕获装置10的放射线图像检测器14中的柔性电路板182的结构被更改的一个实例。如在图13中所示，根据第二变型实例的放射线图像检测器14的柔性电路板182和184在基底膜182A和配线182C之间设置有被连接到固定电位188的屏蔽层182M1，使得绝缘层182N (绝缘体)处于屏蔽层182M1和配线182C之间，，且在配线182C和涂覆层182E之间设置有被连接到固定电位188的屏蔽层182M2，使得抗蚀层182D (绝缘体)处于屏蔽层182M2和配线182C之间。屏蔽层182M1和182M2的结构、材料等与用于根据第一示例性实施方式的屏蔽层182M的结构、材料等相同。即，根据第二变型实例的柔性电路板182在配线182C上面和下面均设置有屏蔽层182M1和182M2。带有这种结构的、根据第二变型实例的放射线图像捕获装置10可以实现与由根据上述第一示例性实施方式的放射线图像捕获装置10提供的操作效果相同的操作效果。另外，因为屏蔽层182M1和182M2被设置在配线182C的上面侧和下面侧这两侧处，所以可以改进消除静电(electronic static)的效果并且进而更加有效地防止柔性电路板182的静电充电。-第二示例性实施方式-本发明的第二示例性实施方式示出其中在根据上述第一示例性实施方式的放射线图像捕获装置10的放射线图像检测器14中的柔性电路板182的结构被更改的一个实例。如在图14中所示，在根据第二示例性实施方式的放射线图像捕获装置10的放射线图像检测器14中，柔性电路板182和184是膜上芯片(COF)电路板。柔性电路板184由在图14中从底层到顶层按照这个顺序分别地层叠的基底膜182A、粘结层182B、配线182C、抗蚀层182D和涂覆层182E构造。柔性电路板184设置有在基底膜182A和配线182C之间的屏蔽层182M，和在屏蔽层182M上的绝缘层1820。类似于根据上述第一示例性实施方式的屏蔽层182M，屏蔽层182M被连接到固定电位188。半导体构件1821被布置于在抗蚀层182D和涂覆层182E中形成的开口(停止孔(stopped hole)) 182H中的抗蚀层1820上。配线182C突出到开口 182H中并且被电连接到半导体构件1821的外部端子1822。使用引线结合方法结合的导线1823被用于电连接。带有这种结构的放射线图像捕获装置10可以实现与由根据上述第一示例性实施方式的放射线图像捕获装置10提供的操作效果相同的操作效果。-第一变型实例_根据第二示例性 实施方式的第一变型实例的放射线图像捕获装置10示出其中在根据上述第二示例性实施方式的放射线图像捕获装置10的放射线图像检测器14中的柔性电路板182的结构被更改的一个实例。如在图15中所示，在根据第一变型实例的放射线图像检测器14的柔性电路板182和184中，被连接到固定电位188的屏蔽层182M被设置在配线182C和涂覆层182E之间，使得抗蚀层182D (绝缘体)处于配线182C和屏蔽层182M之间。屏蔽层182M的结构、材料等与用于根据第一示例性实施方式的屏蔽层182M的结构、材料等相同。另外，抗蚀层1820被设置在屏蔽层182M和涂覆层182E之间。抗蚀层1820由例如与抗蚀层182D相同的材料制造。带有这种结构的、根据第一变型实例的放射线图像捕获装置10可以实现与由根据上述第二示例性实施方式的放射线图像捕获装置10提供的操作效果相同的操作效果。-第二变型实例_根据第二示例性实施方式的第二变型实例的放射线图像捕获装置10示意其中在根据上述第二示例性实施方式的放射线图像捕获装置10的放射线图像检测器14中的柔性电路板182的结构被更改的一个实例。如在图16中所示，根据第二变型实例的放射线图像检测器14的柔性电路板182在基底膜182A和配线182C之间设置有被连接到固定电位188的屏蔽层182M1，使得绝缘层182N (绝缘体)处于屏蔽层182M1和配线182C之间，且在配线182C和涂覆层182E之间设置有被连接到固定电位188的屏蔽层182M2，使得抗蚀层182D (绝缘体)处于屏蔽层182M2和配线182C之间。屏蔽层182M1和182M2的结构、材料等与用于根据第一示例性实施方式的屏蔽层182M的结构、材料等相同。即，根据第二变型实例的柔性电路板182在配线182C上面和下面均设置有屏蔽层182M1和182M2。
带有这种结构的、根据第二变型实例的放射线图像捕获装置10可以实现与由根据上述第二示例性实施方式的放射线图像捕获装置10提供的操作效果相同的操作效果。另外，因为屏蔽层182M1和182M2被设置在配线182C的上面侧和下面侧这两侧处，所以可以改进消除静电的效果并且进而更加有效地防止柔性电路板182的静电充电。-其它实施例_以上已经使用第一示例性实施方式和第二示例性实施方式描述了本发明，但是本发明不受这些实施方式限制。在并不偏离本发明的精神的范围内，多个修改是可能的。例如，本发明可以使用卷带自 动结合(TAB)电路板作为柔性电路板。
权利要求
1.一种放射线图像捕获装置，其包括 包括将放射线转换成电子信号的光电转换元件的放射线检测面板； 被布置成与所述放射线检测面板相对的信号处理板，所述信号处理板执行由所述放射线检测面板提供的电子信号的信号处理； 柔性电路板，所述柔性电路板的一端被电连接到所述放射线检测面板并且另一端被电连接到所述信号处理板，所述柔性电路板包括 由绝缘树脂膜形成的基底膜， 被布置在所述基底膜之上的配线， 被布置在所述配线之上的、由绝缘树脂形成的涂覆层，和 被设置在至少如下位置之一处的屏蔽层，所述位置为在所述基底膜和所述配线之间以及在所述配线和所述涂覆层之间，绝缘体被置入所述屏蔽层和所述配线之间，并且所述屏蔽层被连接到固定电位；和 容纳所述放射线检测面板、所述信号处理板和所述柔性电路板的壳体。
2.根据权利要求1所述的放射线图像捕获装置，其中所述屏蔽层被布置在所述基底膜上并且被连接到所述配线，所述配线被连接到所述固定电位。
3.根据权利要求1所述的放射线图像捕获装置，其中所述屏蔽层包括固定电位取出端子，并且所述固定电位取出端子被连接到所述信号处理板的固定电位。
4.根据权利要求1所述的放射线图像捕获装置，其中所述屏蔽层包括固定电位取出端子，并且所述固定电位取出端子被连接到所述放射线检测面板的固定电位。
5.根据权利要求1到4中任何一项所述的放射线图像捕获装置，其中所述屏蔽层被布置在除了连接到所述放射线检测面板和所述信号处理板的端子的区域的整个所述配线之上。
6.根据权利要求1到4中任何一项所述的放射线图像捕获装置，其中所述屏蔽层的厚度比所述配线的厚度厚。
7.根据权利要求1所述的放射线图像捕获装置，其中所述屏蔽层被设置在所述基底膜和所述配线之间并且被设置在所述配线和所述涂覆层之间。
8.根据权利要求2到4中任何一项所述的放射线图像捕获装置，其中所述屏蔽层被设置 在所述基底膜和所述配线之间并且被设置在所述配线和所述涂覆层之间。
9.根据权利要求5所述的放射线图像捕获装置，其中所述屏蔽层被设置在所述基底膜和所述配线之间并且被设置在所述配线和所述涂覆层之间。
10.根据权利要求6所述的放射线图像捕获装置，其中所述屏蔽层被设置在所述基底膜和所述配线之间并且被设置在所述配线和所述涂覆层之间。
11.根据权利要求1到4和7中任何一项所述的放射线图像捕获装置，其中所述屏蔽层是由与所述配线相同的导电材料制造的。
12.根据权利要求1到4和7中任何一项所述的放射线图像捕获装置，其中所述柔性电路板是在此处半导体构件被安装于在所述基底膜中形成的构件开口中的带载封装电路板。
13.根据权利要求1到4和7中任何一项所述的放射线图像捕获装置，其中所述柔性电路板是在此处半导体构件被安装在所述基底膜上的膜上芯片电路板。
全文摘要
本发明涉及一种放射线图像捕获装置。具体地，本发明涉及一种放射线图像捕获装置，其设置有包括光电转换元件的放射线检测面板、执行由放射线检测面板提供的信号的信号处理的信号处理板、柔性电路板和壳体。柔性电路板的一端被连接到放射线检测面板并且另一端被连接到信号处理板。柔性电路板包括由绝缘树脂膜形成的基底膜，被布置在基底膜之上的配线，被布置在配线之上的、由绝缘树脂形成的涂覆层，和被设置在基底膜和配线之间和/或配线和涂覆层之间的屏蔽层。绝缘体被置入屏蔽层和配线之间，并且屏蔽层被连接到固定电位。
文档编号A61B6/00GK103054593SQ20121039749
公开日2013年4月24日 申请日期2012年10月18日 优先权日2011年10月19日
发明者佐藤圭一郎 申请人:富士胶片株式会社