邻近头的表面形貌改变的制作方法

专利名称：邻近头的表面形貌改变的制作方法
邻近头的表面形貌改变
背景技术：
在一些用于处理半导体晶片的新系统中，热塑性邻近头通过使用存取液体并吸起来的穿孔导致水流体(aqueous fluid)流过所述头表面来创建弯液面。随后，该弯液面与半导体晶片表面连接以便执行诸如蚀刻、清洗、漂洗该晶片表面等之类操作。可参见例如共有的、其标题为《Enhanced Wafer Cleaning Method))(《增强的晶片清洗方法》)的第 7，329，321号美国专利。在这样的系统中，弯液面流动的维护、限制和促进(facilitation)特别是取决于(1)该系统存放的水流体的性质和成分，这可以因该流体执行的功能(如蚀刻、清洁或冲洗)的不同而相差甚远；( 诸如沉积流率和吸取流率之类的参数。为在这样的系统中使用，需要一种有效(例如，相对便宜和可靠)和有用的方法来限定、维护和/或促进(例如，通过促进扩散或减少摩擦)在半导体晶片表面的期望地点或期望位置的弯液面流动(可能是相对于邻近头移动)。下面申请的本发明提供了这样的一种手段，但本发明在此特定背景之外也有广泛的应用性。

发明内容
在一种例示的实施方式中，一种加湿系统包括邻近头和基片(例如，半导体晶片) 承载器。邻近头配置为导致弯液面(例如，水流体)流过该头的表面。该头的表面通过弯液面与基片表面连接。该头的表面是由非活性材料(例如，热塑性)组成，具有限制、保持和/或促进(例如，通过促进扩散或减少摩擦)弯液面流动的表面形貌改变。表面形貌改变可以是直接刻制的或使用模板熔化印刷的。这些改变可能会导致表面上的半芯吸 (hemi-wicking)性能。替代地，可以在合适的形貌下获得超疏水性。在另一种例示的实施方式中，一种加湿系统的自动化的方法包括两个操作。在该方法的第一个操作中，加湿系统导致弯液面(例如，水流体的)流过邻近头表面。邻近头的表面是由非活性材料(例如，热塑性)组成，具有限制、保持和/或促进(例如，通过促进扩散或减少摩擦)弯液面流动的表面形貌改变。表面形貌改变可以是直接刻制的或使用模板熔化印刷的。这些改变可能会导致半芯吸(hemi-wicking)或超疏水性。在该方法的第二个操作中，加湿系统使基片(例如，半导体晶片)的表面接触弯液面流。在另一种例示的实施方式中，用于制造邻近头的自动或半自动的方法包括两个操作。该方法的第一个操作涉及通过如下组件形成邻近头(a)包括用于传送水流体的孔和用于局部真空的孔的组件和(b)包括非活性(non-reactive)表面(例如，热塑性)的组件，其中该非活性表面具有连接到所述用于传送水流体的孔的传送穿孔和连接到所述用于局部真空的孔的吸取穿孔。该方法的第二个操作涉及粗糙化非活性表面以产生限制/保持和/或促进(例如，通过促进扩散或减少摩擦)在传递穿孔和吸取穿孔之间的弯液面流(例如，水流体)的表面形貌变化。通过下面的结合附图的、通过例示本发明的原则说明的详细说明，本发明的优点
将变得明显。


图Ia是用于说明液体和固体表面间的接触角的简化的示意图。图Ib包括两个说明半芯吸的简化的示意图。图Ic是说明超疏水的简化的示意图。图2是按照一种例示的实施方式的线性加湿系统中的一对邻近头的简化示意图。图3是按照一种例示的实施方式的邻近头的各种接口表面(interfacing surface)的简化示意图。图如和4b是示出了按照例示的实施方式的固体表面的具有和不具有刻制 (inscription)的热塑性固体的比较的复合图。图 fe-l、5aUa-3、5a—4 和图 5b-l、5b_2、5b_3 和 5b_4 是示出了按照例示的实施方式的用于固体表面具有和不具有刻制的热塑性固体的表面纹理参数的比较的复合图。图6是按照一种例示的实施方式的使基片(例如，半导体晶片)接触弯液面流的进程的流程图。图7是按照一种例示的实施方式的用于产生邻近头的接口表面形貌变化的进程的流程图。
具体实施例方式在下面的说明中，对许多具体细节作了阐述，以提供对该示例的实施方式的透彻理解。然而，显而易见，对本领域的技术人员而言，该实施方式可以没有这些具体细节中的若干而实行。在其它情况下，如果实施细则和工艺操作已广为人知，则不进行详细说明。图Ia是用于说明液滴和固体表面间的接触角的简化的示意图。如图中所示，接触角θ。是在固体表面100和(a)与液滴102相切、(b)其起点是在液滴102和固体表面100 的交接处的线101之间形成的角度。在此图中标记的其它标记示出了与三种不同态(气、 液、固)相关的界面或表面能，如本领域的技术人员所知，它们是^img公式中的参数。本图不假设液体的性质，即是否为水皆可。可以理解，如果液滴的液体被强烈地(strongly) 吸附到固体表面100上，则液滴102将完全摊开在固体表面100上，接触角Θ。将接近于0 度。如果液体是水，这种表面将可被称为超亲水。不太强烈的亲水性固体通常呈现出接触角可达90度。相反，如果固体表面是疏水的，则接触角往往要大于90度。在强疏水表面上，接触角可以达到150度甚至接近于180度。在这样的表面上，水滴只是停在表面上， 实际上没有将表面润湿到任何显著程度。这些表面可被统称为超疏水，例如已在微图案化 (micro-patterned)的含氟表面(例如，带聚四氟乙烯类涂层的表面)上得到。图Ib包括两个说明半芯吸的简化的示意图。该图和术语“半芯吸”出自出版物乔斯·毕克(Jose Bico)、尤·缇乐(Uwe Thiele)和大卫·裘瑞(David Quere)的((Wetting of Textured Surfaces, Colloids and Surfaces (纹理表面、胶体和表面的加湿)》，《A : Physicochemical and Engineering Aspects》,第 206 卷第 1 其月(2002 年 7 月)，第 41-46 页。大家记得，芯吸是毛细作用的另一术语，暗示蜡烛芯的机械性能。如上面的图110所示， 在固体表面100包括吸收水滴102的微管112时，半芯吸时可能会发生，就像海绵那样，使固体表面100亲水或超亲水。事实上，在高层次的抽象上，人们可能会认为半芯吸涉及二维海绵。顶图110说明了水滴102没有大到足以填补所有的微管112的情况。因此，水滴有如标有dx的箭头表示的向右移动的前沿113。底图111说明了水滴102大到足以填补所有的微管112的情况。在这种情况下，水滴102有一个小于90度的明显的接触角Θ*，就像人们对亲水性的表面期望的那样。图Ic是说明超疏水的简化的示意图。该图也出自出版物0etting of Textured Surfaces, Colloids and Surfaces (纹理表面、胶体和表面的加湿)》。如该图所示，水滴102坐落在固体表面100的微管112之上。在微管112之间是空气袋114，它有助于使固体表面100疏水或超疏水。水滴有如标有dx的箭头表示的向右移动的前沿113。水滴102有一个大于90度的明显的接触角θ *，就像人们对疏水性或超疏水性的表面期望的那样。近期的研究表明，超疏水性可能被用来促进水流体的低摩擦流动。例如，参见 Cecile Cottin-Bizonne>Jean-Louis Barrat,Lyderic Bocquet禾口Elisabeth Charlaix白勺 《Low-friction Flows of Liquid at Nonpatterned Interfaces》，《Nature Materials(自然材料)》，第2卷(2003年4月)，第237-240页。图2是按照一种例示的实施方式的线性加湿系统中的一对邻近头的简化示意图。 在该图中，线性加湿系统200包括带有接口表面206a的顶部邻近头204和带有接口表面 206b的底部邻近头203。这些邻近头的每一个形成流体弯液面205，半导体晶片202被带引脚的载体201线性运输通过弯液面205，半导体晶片停在载体201上面与其表面接触。弯液面区可覆盖半导体晶片202的表面的小部分或大部分。在这方面，参见2006年9月四日提交的共有的美国专利公布申请号2008/0081775，题为《用于减少基材处理弯液面留下的入口禾口 / 或出口标记的载器(Carrier for Reducing Entrance and/or Exit Marks Left by a Substrate-Processing Meniscus) )) 在一种例示的实施方式中，弯液面可在第一方向(例如，邻近头的长轴方向)上比晶片直径更宽，在与第一方向(例如，晶片的运动方向)垂直的第二方向上为约2厘米宽。 在一种例示的实施方式中，流体可以是诸如去离子水(DIW)之类的水溶液。可以理解，当半导体晶片202和载体201进入和退出流体弯液面205时，弯液面面临可能转移它、吸引它或以其它方式造成弯液面的限制(confinement)打破的力。即使当半导体晶片202在弯液面 205的内部或无晶片时，类似的力量也可能引起弯液面的限制被打破。在一种替代的例示的实施方式中，线性加湿系统200可以只有顶部接近头204或只有底部靠近头203，而不是有一对邻近头。此外，在替代的例示的实施方式中，加湿系统可以是转动或旋转的加湿系统，而不是线性的加湿系统。图3是按照一种例示的实施方式的邻近头的各种接口表面的简化示意图。如在本说明书中使用的，邻近头的接口表面是(例如，通过水性流体介质)与基片(如载体201上的半导体晶片20 连接的头的表面，基片位于接口表面的上方、下方或一侧。在一种例示的实施方式中，接口表面可由诸如聚偏二氯乙烯(PVDF)或KYNAR(也称为HYLAR或SYGEF) 之类非活性的热塑性塑料制成。在其它替代的例示的实施方式中，接口表面可由诸如聚四氟乙烯(ECTFE)或乙烯-三氟氯乙烯共聚物(halar)之类的非活性热塑性塑料制成。可以理解，无需改变表面形貌，诸如KYNAR之类非活性热塑性往往是疏水的但不是超疏水的。可以理解，使接口表面为非活性是有利的，因为接口表面沉积的水流体自身可能是活性的，或沉积水流体可能蚀刻、清洁或清洗活性的流体或固体。然而，在替代的例示的实施方式中，接口表面可由非活性的热固性塑料或非活性陶瓷制作。这就是说，可以用任何合适的(例如，非活性的和可刻写性的、可微加工的、可粗糙化的、可设置性的、可保形的等)材料替代热塑性材料制作接口表面。如图3所示，邻近头的接口表面206(例如，图2的206a或206b)可能包括两组穿孔。内部的穿孔组(例如，DIW)可存取水流体，然后由外部的穿孔组(例如，VAC)吸取，在内部的穿孔组和外部的穿孔组之间创建弯液面流。穿孔的这种配置与图301a中所示的摘录(extract)是一致的。摘录301b和301c示出了在接口表面上穿孔的替代的配置。在摘录301b中，没有顶部外围的穿孔组吸取水流体。在摘录301c中，没有底部外围的穿孔组吸取水流体。可以理解，后面的这两种替代的配置都支持弯液面流，尽管相对于晶片运动只是在一个方向上。图如和4b是示出了按照例示的实施方式的固体表面的具有和不具有刻制的热塑性固体的比较的复合图。图如示出了在没有固体表面刻制的情况下的热塑性固体。如图所示，在一种例示的实施方式中，热塑性固体可以是KYNAR(如KYNAR 740)。这样的固体有着当水滴置于固体表面上时存在的、对应于液相和固相的低表面(或界面)能。这就是说，固体表面是疏水的。这样的疏水性示于固体表面上的水的水滴405(例如，0.035毫升)的照片401。当固体表面没有倾斜时，水滴405停在表面上，不通过蔓延加湿表面。当固体表面倾斜30度时，水滴405在表面下滑，但不会出现蔓延。三维表面402通过向固体表面应用非接触式面形测定器来产生。二维区403通过向固体表面应用接触式面形测定器来产生。 对应于二维区403而言，三维表面402相对平坦，这说明表面的正常高度在一个相对较小的范围内(如在大约正负1. 5微米之间)变动。图4b示出了在有固体表面刻制以产生半芯吸的热塑性固体的情况。如图所示，刻制可能源自在表面上刻小(或微)通道，这将在下文详细说明。由于刻制，固体表面是亲水的。这样的亲水性示于固体表面上的水滴413(例如，0.035毫升)的照片410。不管固体表面是否倾斜，水滴413在表面上蔓延。三维表面411通过向固体表面应用非接触式面形测定器来产生。二维区412通过向固体表面应用接触式面形测定器来产生。对应于二维区 403而言，三维表面411包括许多高峰和低谷，这说明表面的正常高度在一个相对较大的范围内(如在大约正20微米和负15微米之间)变动(例如，所刻通道是在大约30-35微米深的范围内)。热塑性表面的半芯吸可以通过多种方式得到，下面将进一步讨论。例如，所需的模式(例如，波峰和波谷或柱和槽)可通过直接刻制(例如，宏加工)表面得到，或通过使用以所需模式的负面(negative)预加工过的模板或底版(例如，由惰性金属或陶瓷制成)在表面上熔印所需的模式而得到。在替代的例示的实施方式中，热塑性表面可以使用诸如苏格兰-布里特(kotch-Brite)之类研磨材料粗糙化，但也可以用任何合适的研磨材料替代。在图如和4b所示的例示的实施方式中，KNYNAR表面的小型(或微型)通道可以是由诸如圆锥划线器之类划线器制造，该圆锥划线器锥体为60度、锥尖是由钻石或碳化硅或SiC制成(例如，“光纤”划线器)，但另外的类似的划线器(例如，楔形划线器)也可能适合于作此用途。在这种例示的实施方式中，这些通道可能是在有效区中每1毫米刻制约 10-30条直线。相应地，这些直线可以是约30-150微米深。
当与邻近头的接口表面一起使用时，直线可以是在弯液面的流动方向上刻制以实现半芯吸。(在其它的例示的实施方式中，线可能不是直的，它们可能采用任何合适的方向、 模式或配置。)这样的半芯吸可能允许使用更少的用于沉积和吸取水流体的穿孔使接口表面加湿。这反过来又降低了邻近头内部的流体输送网络的复杂性。类似地，这样的半芯吸可能会使加湿表面的每一区域的总液流的流率较低，并可能提高表面的流动的均勻性(例如，弯液面容易扩展以填充弯液面被设计在接口表面上占有的所有容积)。此外，由于液体更容易在有半芯吸而不是平的疏水的表面接口上流，所以半芯吸有助于保持和/或限制弯液面。由于接口表面更容易湿，所以弯液面的三相接触线可在表面上自由移动，减少了陷住弯液面之下的气泡的概率，从而有利于获得充分发展的弯液面。如在其它地方所讨论的，这些同样的优势也可以用促进低摩擦流的超疏水性来获得。图 fe-l、5aUa-3、5a—4 和图 5b-l、5b_2、5b_3 和 5b_4 是示出了按照一种例示的实施方式的用于具有和不具有固体表面刻制的热塑性固体的表面纹理参数的比较的复合图。图如示出了在没有固体表面刻制的热塑性固体(如KYNAR 740)的情况。图中的表面纹理参数值是由垂直扫描干涉仪而不是由用以获取在图如和4b中所示的数据的接触式面形测定器测定的。图示出了五个标准粗糙度参数的值(a) Ra是平均表面粗糙度或平均偏差， 有约15. 82微英寸的值；(b) Rq是均方根表面粗糙度或高度分布的一次矩，有约19. 85微英寸的值；(C)Rt是样品上的最大的谷峰到谷底的高度，有约234. 21微英寸的值；(d)Rsk或偏斜是高度分布的二次矩，有约负0. 49的值；和(e)Rku或峰态是高度分布的三次矩，有约 3. 36 (刻度从0到8)的值。图如-1示出了水滴501停在固体表面上、没有通过蔓延润湿表面的照片。图如-3是直方图502，显示出相应于正常化的高度(密耳)有极小分散，即表面是相对平坦的。平整度是绘在三维表面504上的。图示出了轴承比的图503，χ轴表示百分比(例如百分比数据裁剪)，y轴上是以密耳为单位的高度(范围是从正0.041密尔到约负0.06密尔)。可以理解，轴承比是支承面的长度与在任何指定深度的评价长度的比。轴承比模拟轴承表面的磨损的影响。在图还示出了参数Vl和V2。参数Vl有约0.47微英寸的值。参数Vl是要在运行期去除的材料的体积，是轴承比分析的一部分。参数V2有约1.73微英寸的值。参数 V2是保留的润滑剂的潜在的体积，也是轴承比率分析的一部分。图恥示出了带有例如使用上面说明的锥形划线器刻制的固体表面以产生半芯吸的热塑性固体(如KYNAR 740)的情况。在这里，图中的表面纹理参数值再次是由垂直扫描干涉仪测定的。图恥-2示出了五个标准粗糙度参数的值(a) Ra有约178. 19微英寸的值； (b)Rq有约250. 56微英寸的值；(C)Rt有约2. 16密耳的值(例如，2160微英寸)；(d)Rsk 有约1. 67的值；和(e) Rku有约6. 65 (刻度从0到8)的值。当与图中所示的相应参数值比较来看时，这些参数值表明了带有明显更大的粗糙度的表面纹理。图恥-1示出了水滴514在刻制面上蔓延的照片。图恥-3是示出了相对于规范化的高度(密耳)有相当大的分散的直方图511，即表面是相对锯齿状的。这个锯齿状描绘在三维表面513上。图恥-4示出了轴承比的图512，x轴表示百分比，y轴是以密耳为单位的高度(范围是从正1. 2密尔到约负0. 6密尔)。在图恥还示出了参数Vl和V2。参数Vl有约50. 06微英寸的值。参数V2有约
84.观微英寸的值。可以理解(a)上面说明的刻制(微加工)、熔印和粗糙度可以被用来产生超疏水性以及半芯吸，(b)超疏水性可被用在半芯吸加湿上来限制、维护和/或促进(例如，通过促进扩散或减少摩擦)弯液面流动，如在其它地方所述。如出版物《Nature Materials》第 1 卷(2002 年 9 月)第 14-15 页大卫 裘瑞(David Quere)的《Surface Chemistry =Fakir Droplets》中说明的那样，用于生产超疏水的一种例示实施方式可以有约50微米宽的柱和约100微米宽约148微米深的槽。图6是按照一种例示的实施方式的使基片(例如，半导体晶片)与弯液面流接触的进程的流程图。在进程的第一个操作601中，加湿系统(例如，线性或旋转)将水流体泵取到邻近头中，该邻近头具有带有传送穿孔和吸取穿孔的接口表面和形貌改变来限制、保持和/或促进弯液面流动。如别处所述的，在一种例示的实施方式中，这些形貌改变可包括支持半芯吸的刻制的/印制的/粗糙化的微通道。如别处所述的，在一种例示的实施方式中，这些形貌改变可能包括产生导致低摩擦流动的超疏水的微刻的/印制的/粗糙化的微通道。在进程的第二个操作602中，加湿系统通过将真空施加到吸取穿孔中产生了遍布在接口表面上的弯液面的流动。可以理解，在一种例示的实施方式中，进程的第一个操作和第二个操作可能会在大约同一时间出现。在进程的第三个操作603，加湿系统将基片(如半导体晶片)的表面置在邻近头的接口表面的下方和/或上方。然后，在进程的第四个操作 604中，加湿系统使用弯液面流动来蚀刻、清洁或冲洗基片表面。在这里，可以理解，在一种例示的实施方式中，进程的第三个操作和第四个操作可能会在大约同一时间出现。图7是按照一种例示的实施方式的、用于产生邻近头的接口表面形貌变化的进程的流程图。在进程的第一个操作701，通过如下组件形成邻近头(1)带有用于提供水流体的孔和用于局部真空的孔的组件和(2)带有具有(a)连接到用于水流体的孔的传送穿孔和(b)连接到用于局部真空的孔的吸取穿孔的接口表面(例如其通过水流体介质与基底连接)的组件。在一种例示的实施方式中，邻近头的形成可以是通过将这两个组件热结合在一起的自动或半自动系统进行的。在进程的第二个操作702，接口表面被粗糙化，以产生限制、保持和/或促进(例如，通过促进扩散或减少摩擦)在传送穿孔和吸取穿孔之间的弯液面(例如，水流体)流的表面形貌变化。在这里，接口表面粗糙化可以是通过刻制或压印微通道的自动或半自动系统进行，该微通道(a)支持半芯吸或(b)产生超疏水。在替代的例示的实施方式中，粗糙化可用诸如kotch-Brite 之类研磨材料实现。虽然上述的例示的实施方式已经在一定程度上做了详细说明以便理解清晰，但显而易见的是，在所附权利要求的范围内可以进行一定的变化和更改。例如，在替代的例示的实施方式中，弯液面流中的流体可以是呈现与亲水性或疏水性的行为相类似的行为的非水流体。或者，在替代的例示的实施方式中，邻近头可以由非热塑的惰性(或相对惰性)材料、 热固性塑料或陶瓷制成。因此，例示的实施方式将被认为是说明性的而不是限制性的，本发明不仅仅限于这里给出的细节，而可以在所附权利要求书的范围和等同情况下进行改变。
权利要求
1.一种装置，其包括邻近头，其被配置为导致弯液面中的水流体流流过所述邻近头的表面，其中所述邻近头的所述表面通过所述流与基片表面连接，并且其中所述邻近头的所述表面是由具有变更所述流的表面形貌改变的材料组成的；和用于所述基片的使所述基片表面与所述流接触的载体。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述变更所述流包括选自以下变更中的一个或一个以上限制所述流的变更、保持所述流的变更和促进所述流的变更。
3.如权利要求1所述的装置，其中所述改变导致所述邻近头的所述表面的至少一部分变得更亲水。
4.如权利要求3所述的装置，其中所述改变导致所述邻近头的表面的至少一部分呈现半芯吸。
5.如权利要求3所述的装置，其中所述改变包括通过直接刻制在所述邻近头的所述表面刻槽。
6.如权利要求5所述的装置，其中所述改变包括使用具有从由钻石和碳化硅组成的组中选择的尖的圆锥形划线器在所述邻近头的所述表面刻槽。
7.如权利要求1所述的装置，其中所述改变导致所述邻近头的所述表面的至少一部分变得更疏水。
8.如权利要求7所述的装置，其中所述改变导致所述邻近头的所述表面的至少一部分产生超疏水性。
9.如权利要求7所述的装置，其中所述改变包括用光加工的模板在所述邻近头的所述表面上制作图案。
10.如权利要求9所述的装置，其中使用激光来光加工所述模板。
11.一种方法，包括传送弯液面中的水流体流流过邻近头表面，其中所述表面是由具有变更所述流的表面形貌改变的材料组成；并且使基片表面与所述流接触。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述变更所述流包括选自以下变更中的一个或一个以上限制所述流的变更、保持所述流的变更和促进所述流的变更。
13.如权利要求11所述的方法，其中所述表面形貌改变导致所述邻近头的所述表面的至少一部分变得更亲水。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述改变导致所述邻近头的所述表面的至少一部分呈现半芯吸。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述改变包括通过直接刻制在所述邻近头的所述表面刻槽。
16.如权利要求15所述的方法，其中所述改变包括使用具有从由钻石和碳化硅组成的组中选择的尖的圆锥形划线器在所述邻近头的所述表面刻槽。
17.如权利要求11所述的方法，其中所述改变导致所述邻近头的所述表面的至少一部分变得更疏水。
18.如权利要求17所述的方法，其中所述改变导致所述邻近头的所述表面的至少一部分产生超疏水性。
19.如权利要求17所述的方法，其中所述改变包括用光加工的模板在所述邻近头的所述表面上制作图案。
20.一种方法，包括通过第一组件和第二组件形成邻近头，其中所述第一组件包括用于传送水流体的至少一个孔和用于局部真空的至少一个孔，所述第二组件包括具有与所述用于传送水流体的至少一个孔连接的传送穿孔和与所述用于局部真空的至少一个孔连接的吸取穿孔的表面；并且粗糙化所述表面，以产生变更在所述传送穿孔和所述吸取穿孔之间的弯液面中的所述水流体的流的表面形貌变化。
全文摘要
在一种例示的实施方式中，一种加湿系统包括邻近头和基片(例如，半导体晶片)载体。所述邻近头配置为导致弯液面中的水流体流流过所述邻近头的表面。所述邻近头的表面通过所述流与基片的表面连接。所述头的表面是由具有限制、保持和/或促进所述流的表面形貌改变的非活性材料(例如，热塑性)组成的。所述表面形貌改变可以是用圆锥形划线器(例如，带有金刚石或碳化硅尖)直接刻制在表面上，或使用模板熔化印刷在表面上。这些改变可能会导致半芯吸或超疏水性。所述载体使所述基片的表面接触所述流。
文档编号B08B1/02GK102427891SQ201080021391
公开日2012年4月25日 申请日期2010年5月21日 优先权日2009年5月22日
发明者恩里科·马尼, 杰弗里·J·法伯, 罗伯特·J·奥唐奈 申请人:朗姆研究公司