专利名称：防污染装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体晶片工艺技术领域，特别涉及一种防污染装置。
背景技术：
随着晶片的尺寸越来越大，特征尺寸越来越小，所要求的晶片表面的洁净度越来越苛刻。在晶片清洗过程中，化学试剂及清洗产物易沿晶片边缘进入晶片背面，使晶片背面及边缘造成污染，如果不能及时去除这种污染，会使晶片背面和边缘造成缺陷，尤其在后续的高温处理工艺加工过程中，会使背面及边缘的污染物扩散到正面，严重影响晶片的质量，而现有技术中，并没有能够有效防止晶片背面及边缘污染的装置， 使得晶片的质量无法进一步提闻。
实用新型内容(一 )要解决的技术问题本实用新型要解决的技术问题是如何防止清洗液及清洗产物沿晶片边缘进入晶片背面，从而防止晶片背面和边缘形成缺陷。( 二 )技术方案为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种防污染装置，包括吹扫单元、供气管道和气体供应单元，在所述吹扫单元内设有通气管，所述吹扫单元的上端设有若干第一气孔，所述若干第一气孔分别与所述通气管连通，所述供气管道的一端与所述通气管连通，所述供气管道的另一端与所述气体供应单元连通。优选地，所述吹扫单元为中空的圆台形、且上底面的直径小于下底面的直径，所述通气管绕所述吹扫单元的圆周方向一周设置，所述吹扫单元上端的外侧壁与内侧壁之间的夹角为锐角。优选地，所述吹扫单元的上端为圆环形，所述圆环形的外圆与所述吹扫单元的外侧壁连接，所述圆环形的内圆与所述吹扫单元的内侧壁连接，所述若干第一气孔设于所述吹扫单元的上端。优选地，所述若干第一气孔为竖直向上设置、或按被吹扫对象沿圆周旋转的切线方向与竖直向上方向之间呈预设角度倾斜设置。优选地,所述供气管道包括自气体供应单元向吹扫单元方向依次连通的中空管、连接管和连接通道，所述连接通道与所述吹扫单元的通气管连通。优选地，所述连接通道沿所述吹扫单元的直径设置，所述连接通道的外表面为柱体，且横截面为梯形，所述连接通道横截面的上底长度小于下底长度、且两腰之间呈钝角的夹角。优选地，所述连接通道的上端设有若干第二气孔，所述若干第二气孔分别与所述通气管连通。优选地，所述装置应用于单晶片清洗设备中。(三)有益效果本实用新型通过设置吹扫单元，实现了防止清洗液及清洗产物沿晶片边缘进入晶片背面，从而防止晶片背面和边缘形成缺陷。
图I是按照本实用新型一种实施方式的防污染装置的结构示意图；图2是图I所示的防污染装置的俯视图；图3是图2所示的防污染装置的局部放大图；图4是图I所示的防污染装置的仰视具体实施方式
以下结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式
作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。图I是按照本实用新型一种实施方式的防污染装置的结构示意图，包括吹扫单元I、供气管道和气体供应单元，在所述吹扫单元I内设有通气管2，所述吹扫单元I的上端设有若干第一气孔3，所述若干第一气孔3分别与所述通气管2连通，所述通气管2与所述供气管道的一端连通，所述供气管道的另一端与所述气体供应单元连通。优选地，所述吹扫单元I为中空的圆台形、且上底面的直径小于下底面的直径，所述通气管绕所述吹扫单元I的圆周方向一周设置，所述吹扫单元I上端的外侧壁与内侧壁之间的夹角为锐角。为方便所述若干第一气孔3的设置，优选地，所述吹扫单元的上端为圆环形，所述圆环形的外圆与所述吹扫单元的外侧壁连接，所述圆环形的内圆与所述吹扫单元的内侧壁连接，所述若干第一气孔设于所述吹扫单元的上端。优选地，所述若干第一气孔3为竖直向上设置、或被吹扫对象沿圆周旋转的切线方向与竖直向上方向之间呈预设角度倾斜设置。优选地,所述供气管道包括自气体供应单元向吹扫单元方向依次连通的中空管4、连接管5和连接通道6，所述连接通道6与所述吹扫单元I的通气管2连通。参照图I 4，优选地，所述连接通道6沿所述吹扫单元I的直径设置，所述连接通道6的外表面7为柱体，且横截面为梯形，所述连接通道6横截面的上底长度大于下底长度、且两腰之间呈钝角的夹角，所述连接通道6的外表面7的下端与所述中空管4连通，所述连接通道6通过安装孔8与所述中空管4连接。优选地，所述连接通道6的上端设有若干第二气孔9，所述若干第二气孔9分别与所述通气管2连通，所述若干第一气孔和若干第二气孔的形状可以为圆形、扇形、三角形的其中的一种或几种，但不限于这几种 形状。优选地，所述气体供应单元所供应的气体包括惰性气体，例如氩气、氮气等。为加快去除晶片上的化学试剂及清洗产物产生的湿痕，优选地，所述气体供应单元所供应的气体还包括易挥发气体，所述易挥发气体为能够与水混溶、且易挥发的气体，该气体由醇类、酮类及其一种或几种的混合溶剂加热后产生，该混合溶剂在标准大气压下的沸点为70 85°C之间。优选地，所述装置应用于单晶片清洗设备中，本实施方式中，所述单晶片清洗设备包括中空的旋转轴10、与所述旋转轴10相连的旋转主体11、设于所述旋转主体上的晶片支架12、喷嘴和阻 挡侧壁，所述中空管4设置于所述旋转轴10的中心，在所述旋转轴10旋转时，所述中空管4不随所述旋转轴10旋转。本实施方式的防污染装置的工作原理为将晶片放置于晶片支架12上，所述旋转轴带动旋转主体旋转，旋转主体通过晶片支架带动晶片在大于Orpm、且小于2000rpm的转速下旋转运动，晶片的上表面在被单晶片清洗设备中的喷嘴所喷射的化学试剂进行清洗，由于晶片在旋转运动时，使晶片上表面的化学试剂及清洗产物沿晶片切线方向运动，但液体本身的重力导致部分液滴会沿晶片边缘流下，吹扫单元上的若干第一气孔不断吹扫晶片边缘，克服液滴的重力，使得液滴沿晶片切线方向脱离晶片；当晶片上表面的化学试剂及清洗产物较多或晶片的转速不够，导致有部分液滴沿晶片边缘向下滴落，优选地，所述吹扫单元上端的外侧壁与内侧壁之间的夹角为锐角，可防止滴落的液滴对第一气孔的影响，还可防止清洗过程中离心运动甩出的液滴打在阻挡侧壁上后，反溅到晶片背面，另外，由于吹扫单元上的若干第一气孔不断吹出气体，形成了“气墙”，对反溅的液滴起到了阻挡作用；为克服液滴的重力，优选地，所述若干第一气孔可以为竖直向上设置，另外，为了加强液滴沿晶片切线方向的力，所述若干第一气孔为按被吹扫对象沿圆周旋转的切线方向与竖直向上方向之间呈预设角度倾斜设置；当晶片上表面的化学试剂及清洗产物较多或晶片的转速不够，导致有部分液滴沿晶片背面向下滴落，为防止滴落的液滴打到连接通道的上表面后，反溅至晶片背面，优选地，所述连接通道沿所述吹扫单元的直径设置，所述连接通道的外表面为柱体，且横截面为梯形，所述连接通道横截面的上底长度小于下底长度、且两腰之间呈钝角的夹角；当晶片的背面有液滴流过后，为迅速将该湿痕去除，优选地，所述连接通道的上端设有若干第二气孔，所述若干第二气孔分别与所述通气管连通。以上实施方式仅用于说明本实用新型，而并非对本实用新型的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本实用新型的范畴，本实用新型的专利保护范围应由权利要求限定。
权利要求1.ー种防污染装置，其特征在于，包括吹扫单元、供气管道和气体供应单元，在所述吹扫单元内设有通气管，所述吹扫単元的上端设有若干第一气孔，所述若干第一气孔分别与所述通气管连通，所述供气管道的一端与所述通气管连通，所述供气管道的另一端与所述气体供应单元连通。
2.如权利要求I所述的装置，其特征在于，所述吹扫单元为中空的圆台形、且上底面的直径小于下底面的直径，所述通气管绕所述吹扫单元的圆周方向一周设置，所述吹扫単元上端的外侧壁与内侧壁之间的夹角为锐角。
3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述吹扫単元的上端为圆环形。
4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述若干第一气孔为竖直向上设置、或按被吹扫对象沿圆周旋转的切线方向与竖直向上方向之间呈预设角度倾斜设置。
5.如权利要求I所述的装置，其特征在于，所述供气管道包括自气体供应单元向吹扫単元方向依次连通的中空管、连接管和连接通道，所述连接通道与所述吹扫単元的通气管连通。
6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述连接通道沿所述吹扫単元的直径设置，所述连接通道的外表面为柱体，且横截面为梯形，所述连接通道横截面的上底长度小于下底长度、且两腰之间呈钝角的夹角。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述连接通道的上端设有若干第二气孔，所述若干第二气孔分别与所述通气管连通。
专利摘要本实用新型公开了一种防污染装置，涉及半导体晶片工艺技术领域，包括吹扫单元、供气管道和气体供应单元，在所述吹扫单元内设有通气管，所述吹扫单元的上端设有若干第一气孔，所述若干第一气孔分别与所述通气管连通，所述供气管道的一端与所述通气管连通，所述供气管道的另一端与所述气体供应单元连通。本实用新型通过设置吹扫单元，实现了防止清洗液及清洗产物沿晶片边缘进入晶片背面，从而防止晶片背面和边缘形成缺陷。
文档编号B08B3/00GK202366896SQ201120361230
公开日2012年8月8日 申请日期2011年9月23日 优先权日2011年9月23日
发明者刘效岩 申请人:北京七星华创电子股份有限公司