专利名称：低温高硅炻瓷及其制作工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种以成分为特征的陶瓷制品及其制作工艺，是一种低温高硅高膨胀系数炻瓷的新材质，属于陶瓷中炻瓷的范畴，专用于膨胀系数较高的特殊艺术釉瓷。
背景技术：
日用炻瓷中有许多艺术效果较好的釉。比如烧成时流动性很强的亮光釉，有些具有分相效果的结晶釉，釉的膨胀系数普遍较高，许多釉的膨胀系数都在8×10-6以上，而我们传统高硅的炻瓷膨胀系数一般都在6.5～7.5×10-6之间，用这些艺术釉上此类坯体，烧成后易产生釉面开裂，或后期龟裂现象，严重影响着产品的使用性能。因此很有必要对此加以改进。
发明内容
本发明的目的正是为了克服上述坯釉结合性的不足，提供了一种高膨胀系数坯体，解决了特殊性釉易发生釉裂或后期龟裂的问题.
本发明的实现方式在于针对传统高硅炻瓷的膨胀系数与一些特殊艺术釉不匹配的问题，在保证其理化性能的前提下，在坯体中引入大量的不同颗粒级别的石英，增大坯体的膨胀系数。
传统炻瓷主要的示性矿物组成为长石、高岭土和石英，且各组成的配比如下长石 20～35％ 高岭土为 35～45％ 石英 20～35％本发明的高硅炻瓷的组成是在原组成的基础上，加入不同颗粒级别的石英，主要示性矿物组成为长石、高岭土、石英和白云石，且各组成的配比如下钠长石 15～35％ 高岭土 25～40％ 石英 35～50％白云石 1～5％。
根据本发明的配比所得理想的化学组成为SiO272～79％ Al2O314.5～18％ Fe2O30.5～1.5％TiO20.1～1.5％ CaO+MgO0.3～2.5％K2O0.2～1％Na2O1.5～3.5％ I.L4.0～6.5％其余为杂质。
所用原料的化学组成如表1所示表1 本发明的烧制工艺与普通低温炻瓷烧制工艺一样，烧成温度范围为1175～1225℃，吸水率控制在1～4％之间。
本发明同传统的炻瓷相比，本发明有如下特点1、采用钠长石降低烧成温度，因为钠长石的始熔点较低，且熔解石英的能力较强，另外引入了部分CaO、MgO作矿化剂，进一步降低坯体的烧成温度。
2、坯体中石英的引入量较大，一般情况下引入量都高于40％，并且在引入石英的同时注重了石英粗细颗粒级别的搭配，特别引进了部分超细的粉石英，所占比例为5～15％，引入超细石英的目的是烧成时便于一部分熔解于钠长石玻璃中，形成粘度较高的固熔体，另一部分则以方石英的晶体存在，起着增大膨胀系数及强度的效果。
3、本发明的另一特点便是烧成温度低并且烧成范围较宽，烧成温度范围为1175～1225℃，吸水率控制在1～4％之间，理化性能较好，热稳定性180～20℃，一次性不裂。
4、生产成本低。
其一，所使用的原料都是普通廉价原料，特别是石英，可使用本地的普通石英砂，也可以从本地的普通高硅粘土原料中引入。
其二，由于坯体的烧成温度低，且烧成收缩小，特别适合快速烧成，起到了节能降耗的理想效果。
具体实施例方式下面将结合具体实施例对本发明作进一步得描述。
实施例一一种高硅炻瓷，主要示性矿物组成为长石、高岭土、石英和白云石，且各组成的配比如下钠长石15％ 高岭土35％ 石英45％，白云石5％本高硅炻瓷的烧制工艺与普通炻瓷烧制工艺一样，烧成温度范围为1175～1225℃，吸水率控制在1～4％之间。
实施例二一种高硅炻瓷，主要示性矿物组成为长石、高岭土、石英和白云石，且各组成的配比如下钠长石30％ 高岭土29％ 石英40％， 白云石1％本高硅炻瓷的烧制工艺与普通炻瓷烧制工艺一样，烧成温度范围为1175～1225℃，吸水率控制在1～4％之间。
上述实施例的配比所得理想的化学组成为SiO272～79％ Al2O314.5～18％ Fe2O30.5～1.5％TiO20.1～1.5％CaO+MgO0.3～2.5％K2O0.2～1％Na2O1.5～3.5％I.L4.0～6.5％其余为杂质。
实施例三本发明的理想配方如下钠长石 25％ 高岭土 32％ 粗石英 31.5％超细粉石英 10％ 白云石 1.5％坯体的化学组成为SiO274.25％ Fe2O30.73％ Al2O316.08％TiO20.15％CaO0.61％ MgO0.31％K2O0.62％ Na2O2.68％ I.L4.5膨胀系数为8.26×10-6。
本高硅炻瓷的烧制工艺与普通炻瓷烧制工艺一样，烧成温度范围为1175～1225℃，吸水率控制在1～4％之间。
权利要求
1.低温高硅炻瓷，其特征在于在保证其理化性能的前提下，在坯体中引入大量的不同颗粒级别的石英，增大坯体的膨胀系数；主要示性矿物组成为长石、高岭土、石英和白云石，且各组成的配比如下钠长石15～35％；高岭土25～40％；石英35～50％；白云石1～5％。
2.如权利要求3所述的低温高硅炻瓷，其特征在于所述高硅炻瓷的各组成的配比如下钠长石25％；高岭土32％；粗石英31.5％；超细粉石英10％；白云石1.5％。
3.如权利要求3所述的低温高硅炻瓷，其特征在于所述的高硅炻瓷的化学组成为SiO272～79％ Al2O314.5～18％ Fe2O30.5～1.5％TiO20.1～1.5％CaO+MgO0.3～2.5％ K2O0.2～1％Na2O1.5～3.5％I.L4.0～6.5％ 其余为杂质。
4.如权利要求3所述的低温高硅炻瓷，其特征在于所述的高硅炻瓷的化学组成为SiO274.25％ Fe2O30.73％ Al2O316.08％TiO20.15％ CaO0.61％ MgO0.31％K2O0.62％Na2O2.68％ I.L4.56％
5.一种如权利要求3所述低温高硅炻瓷的加工工艺，采用普通炻瓷烧制工艺，其特征在于烧成温度范围为1175～1225℃，吸水率控制在1～4％之间。
全文摘要
低温高硅炻瓷及其制作工艺，针对传统高硅炻瓷的膨胀系数与一些特殊艺术釉不匹配的问题，在保证其理化性能的前提下，在坯体中引入大量的不同颗粒级别的石英，增大坯体的膨胀系数。在原炻瓷组成的基础上，加入不同颗粒级别的石英，主要示性矿物组成为长石、高岭土、石英和白云石，且各组成的配比如下钠长石15～35％；高岭土25～40％；石英35～50％；白云石1～5％。采用普通炻瓷烧制工艺，其特征在于烧成温度范围为1175～1225℃，吸水率控制在1～4％之间。
文档编号C04B35/80GK101066862SQ20071003513
公开日2007年11月7日 申请日期2007年6月14日 优先权日2007年6月14日
发明者曾友强 申请人:湖南华联溢百利瓷业有限公司