Fe-Pt-C型溅射靶的制作方法
【专利摘要】一种溅射靶，其为原子数比的组成由式：(Fe100-X-PtX)100-ACA(其中，A为满足20≤A≤50的数，X为满足35≤X≤55的数)表示的烧结体溅射靶，其特征在于，具有微细分散在母材合金中的C粒子，且氧含量为300重量ppm以下。本发明的课题在于提供能够制成耐腐蚀性优良的颗粒结构磁性薄膜而且容易使L10结构有序化、微细分散有C粒子且氧含量低的Fe-Pt型溅射靶。
【专利说明】Fe-Pt-C型溅射靶
【技术领域】
[0001]本发明涉及磁记录介质中的颗粒型磁性薄膜的成膜中使用的溅射靶，并且涉及在母材合金中分散有C粒子的Fe-Pt型派射革巴。
【背景技术】
[0002]在以硬盘驱动器为代表的磁记录领域中，作为磁记录介质中的磁性薄膜的材料，使用以强磁性金属Co、Fe或Ni为基质的材料。例如，采用面内磁记录方式的硬盘的磁性薄膜一直使用以Co为主要成分的Co-Cr-Pt型强磁性合金。另外，采用近年来实用化的垂直磁记录方式的硬盘的磁性薄膜多使用包含以Co为主要成分的Co-Cr-Pt型强磁性合金与非磁性材料的复合材料。而且，从生产率高的观点出发，上述的磁性薄膜大多通过使用DC磁控溅射装置对以上述材料为成分的溅射靶进行溅射来制作。
[0003]硬盘的记录密度正逐年快速增大,预测将来会超过lTbit/in2。但是,记录密度达到lTbit/in2时，记录比特(bit)的大小会低于10nm，这种情况下，由热涨落导致的超常磁化会成为问题，预料凭目前使用的磁记录介质的材料、例如向Co-Cr基合金中添加Pt而使晶体磁各向异性提高的材料是不充分的。这是因为，以IOnm以下的大小稳定地发挥强磁性行为的磁性粒子需要具有更高的晶体磁各向异性。
[0004]基于这样的理由，具有Lltl结构的FePt有序合金作为超高密度记录介质用材料受到关注。具有LI。结构的FePt具有高的晶体磁各向异性，并且耐腐蚀性、耐氧化性优良，因此，作为适合应用于磁记录介质的材料受到期待。
[0005]使用FePt作为超高密度记录介质用材料的情况下,要求开发出使Llci结构的FePt磁性粒子在磁隔离的状态下使C轴与垂直于基板的方向一致且尽可能以高密度分散的技术。
`[0006]基于上述的理由，提出了利用氧化物或碳这样的非磁性材料使具有LIC1结构的FePt磁性粒子磁隔离而得到的颗粒结构磁性薄膜作为采用热辅助磁记录方式的下一代硬盘的磁记录介质用薄膜。具体而言，该颗粒结构磁性薄膜形成了磁性粒子的晶界由非磁性物质填满的结构。已经提出了具有颗粒结构的磁性薄膜的磁记录介质及与其相关联的技术(专利文献I~5)。
[0007]作为上述具备具有Lltl结构的FePt的颗粒结构磁性薄膜，含有以体积比率计为10~50%的C作为非磁性物质的磁性薄膜由于其高度的磁特性而特别受到关注。已知这种颗粒结构磁性薄膜通过同时对Fe祀、Pt祀、C祀进行派射或者同时对Fe-Pt合金祀、C革巴进行溅射来制作。但是，为了同时对这些溅射靶进行溅射，需要昂贵的同时溅射装置。
[0008]于是，要求廉价地进行大量生产的硬盘介质的制造业者为了使用磁控溅射装置对包含Fe-Pt合金与C的复合型溅射靶进行溅射以得到特性高的颗粒结构磁性薄膜而正在进行开发。但是，一般而言，如果要使用溅射装置对包含合金与非磁性材料的复合型溅射靶进行溅射，则会存在如下问题:溅射时非磁性材料不小心发生脱离而成为粉粒(附着在基板上的尘埃)的原因。[0009]为了解决上述问题，有效的做法是使非磁性材料微细地分散在母材合金中，并使溅射靶高密度化而提高非磁性材料与母材合金的附着性。
[0010]在母材合金中分散有非磁性材料的溅射靶一般通过粉末烧结法来制作。这种情况下，烧结的驱动力大大依赖于烧结前的金属粉末的比表面积。换言之，如果使用粒径更小的金属粉末，则能够得到更高密度的烧结体。另外，为了使非磁性材料微细地分散在母材合金中，需要准备在粒径小的金属粉末中高度分散有粒径为相同程度的非磁性材料粉末的烧结用粉末。
[0011 ] 但是，使烧结用粉末的粒径减小时，会因金属粉末的表面氧化的影响而使粉末中的氧量增加。另外，在对这种氧含量高的粉末进行烧结的情况下，烧结体中的氧量也有增加的倾向。而且，在对氧含量高的Fe-Pt-C型溅射靶进行溅射而制作颗粒结构磁性膜的情况下，有耐腐蚀性降低的担忧。这是因为考虑到氧进入到FePt磁性粒子中而形成Fe的氧化物的可能性。另外，溅射膜中存在Fe的氧化物时，在进行退火处理而使Fe-Pt相有序化时，有难以有序化的担忧。
[0012]专利文献6中记载了氧含量为500重量ppm以下的Fe-Pt-C靶，但没有记载用于减少氧量的具体对策。另外，要使C粒子以微米级以下的粒径微细分散在母材合金中时，需要使烧结用粉末的大小至少为微米级以下，这种情况下，对于专利文献6的实施例中记载的制造方法而言，即使能够使溅射靶中的氧含量为500重量ppm以下，也难以使其进一步减少至约300重量ppm以下。
[0013]专利文献7中提出了通过减少溅射成膜时使用的靶的气体成分量而得到残留气体成分量减少的Fe-Pt合金等的合金膜的方法。但是，关于减少靶中的气体成分量的对策，仅仅是使用低杂质和低气体成分的Fe锭，关于具体的对策没有任何记载。另外，对于C而言，基于磁合金膜的有序化 温度上升而导致磁特性降低的理由，认为不优选C。
[0014]现有技术文献
[0015]专利文献
[0016]专利文献1:日本特开2000-306228号公报
[0017]专利文献2:日本特开2000-311329号公报
[0018]专利文献3:日本特开2008-59733号公报
[0019]专利文献4:日本特开2008-169464号公报
[0020]专利文献5:日本特开2004-152471号公报
[0021]专利文献6:国际公开W02012/086335号
[0022]专利文献7:日本特开2003-313659号公报
【发明内容】
[0023]发明所要解决的问题
[0024]本发明的课题在于提供能够制成耐腐蚀性优良的颗粒结构磁性薄膜、而且能够容易使Lltl结构有序化、微细分散有C粒子且氧含量低的Fe-Pt型溅射靶。
[0025]用于解决问题的手段
[0026]为了解决上述课题，本发明人进行了深入研究，结果发现，通过将金属粉末与C粉末一起进行热处理，使烧结用粉末的氧化得到抑制，而且使用该烧结用粉末制作的Fe-Pt-C型溅射靶能够使氧含量为300重量ppm以下。
[0027]基于这样的发现，本发明提供:
[0028]1) 一种溅射祀，其为原子数比的组成由式:(Feicl(l_x-Ptx)lcl(l_ACA(其中，A为满足20 ≤ A ≤50的数，X为满足35 ≤ X≤55的数)表示的烧结体溅射靶，其特征在于，具有微细分散在母材合金中的C粒子，且氧含量为300重量ppm以下；
[0029]2) 一种溅射靶，其为原子数比的组成由式:(Fe1Q(l_x_Y-Ptx-MY)1(lcl_ACA(其中，M为Fe、Pt以外的金属元素，A为满足20 ≤A ≤ 50的数，X为满足35 ≤X ≤ 55的数，Y为满足
.0.5 ≤ Y ≤ 15的数)表示的烧结体溅射靶，其特征在于，具有微细分散在母材合金中的C粒子，且氧含量为300重量ppm以下；
[0030]3)如上述2)所述的溅射靶，其特征在于，金属元素M为Cu、Ag中的任意元素；
[0031]4) 一种派射祀的制造方法,其特征在于，将金属粉末与C粉末混合,将该混合粉末在惰性气体气氛下或真空气氛下、在750°C以上且1100°C以下的温度下进行热处理，将所得到的粉末作为原料粉末的一部分进行烧结；
[0032]5)如上述4)所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，将热处理后的粉末填充到模具中后，在20~50MPa的压力下进行单轴加压而成形、烧结，然后，在100~200MPa的压力下进行热等静压而成形、烧结。
[0033]发明效果
[0034]本发明的微细分散有C粒子且氧含量低的Fe-Pt型溅射靶具有如下优良效果:能够制成耐腐蚀性优良的颗粒结构磁性薄膜，而且能够容易地使Lltl结构有序化。
【专利附图】
【附图说明】
[0035]图1是用光学显微镜观察本发明的实施例1的烧结体的研磨面时的组织图像。【具体实施方式】
[0036]本发明的Fe-Pt-C型溅射靶的原子数比的组成由式:(Fe1(l(l_x-Ptx) 1(I(I_ACA(其中，A为满足20≤A≤50的数，X为满足35≤X≤55的数)表示，C粒子均匀地微细分散在母材合金中，且氧含量为300重量ppm以下。
[0037]本发明中，C粒子的含量在溅射靶组成中优选为20原子数比以上且50原子数比以下。C粒子在靶组成中的含量小于20原子数比时，有时得不到特性良好的颗粒结构磁性薄膜，超过50原子数比时，有时C粒子凝聚而使粉粒的产生增多。
[0038]另外，本发明中，Pt的含量在Fe-Pt合金组成中优选为35原子数比以上且55原子数比以下。这是因为，Pt在Fe-Pt合金中的含量小于35原子数比时，为不表现具有高的晶体磁各向异性的Lltl结构的Fe-Pt的组成区域，即使超过55原子数比，同样也为不表现LI。结构的Fe-Pt的组成区域。
[0039]另外，本发明中，可以添加Fe和Pt以外的金属元素。即，可以制成原子数比的组成由式:(Fe100_x_Y-Ptx-MY) 1QQ_ACA(其中，M为Fe、Pt以外的金属元素，A为满足20 ≤ A ≤ 50的数，X为满足35 ≤x≤ 55的数，Y为满足0.5 ≤ Y≤ 15的数)表示的溅射靶，其中，具有微细分散在母材合金中的C粒子，且氧含量为300重量ppm以下。
[0040]通过添加Fe和Pt以外的金属元素，能够降低使成膜后的颗粒结构磁性薄膜形成Ll0结构时的热处理温度，另外，能够将磁性薄膜的饱和磁化和矫顽力调节至作为磁记录介质的最佳值，因此是有效的。
[0041]另外，本发明中，在如上所述添加有Fe和Pt以外的金属元素的情况下，也优选使Pt的含量在Fe-Pt-M合金组成中为35原子数比以上且55原子数比以下。这是因为，Pt在Fe-Pt-M合金中的含量小于35原子数比或超过55原子数比时，为不表现LI。结构的Fe-Pt的组成区域。
[0042]另外，金属元素M的含量在Fe-Pt-M合金组成中优选为0.5原子数比以上且15原子数比以下。这是因为，添加金属元素在Fe-Pt-M合金中的含量小于0.5原子数比时，观察不到上述的效果，超过15原子数比时，有时得不到充分的晶体磁各向异性。
[0043]另外，本发明中，作为添加的金属元素，Cu、Ag特别有效。这是因为，这些元素具有能够特别降低使成膜后的颗粒结构磁性薄膜形成Lltl结构时的热处理温度的效果。
[0044]另外，本发明的溅射靶中，优选含有作为非磁性材料的硼化物、碳化物、氮化物、碳氮化物中的任意一种以上。这些非磁性材料与C(碳)同样地析出于Fe-Pt磁性粒子的晶界，能够对磁性粒子之间进行磁屏蔽，因此，能够得到良好的磁特性。
[0045]另外，本发明的溅射靶通过如下方法制造:将金属粉末与C粉末的混合粉末在惰性气体气氛下或真空气氛下、在750°C以上且1100°C以下的温度下进行热处理，使用所得到的粉末作为原料粉末的一部分进行烧结。
[0046]本发明中，热处理的温度很重要。将金属粉末与C粉末的混合粉末在750°C以上的温度下进行热处理时，一定量的C固溶于金属中，在冷却过程中未完全固溶在金属中的C以覆盖金属粉末的表面的方式析出，从而可以期待金属粉末的表面氧化得到抑制。另一方面，在750°C以下的温度下，金属粉末与C粉末的反应不能充分进行，因此不优选。另外，在1100°C以上的温度下，金属粉末可能会发生晶粒生长。
[0047]另外，本发明的溅射靶可以通过如下方法来制作烧结体:将热处理后的粉末填充到石墨制的模具中，在20~50MPa的压力下进行单轴加压而成形、烧结，然后，进一步在100~200MPa的压力下进行热等静压而成形、烧结。
[0048]为了抑制对靶进行溅射时从靶产生的粉尘，提高靶的密度是很重要的。本发明中，通过进一步对使用单轴加压烧结装置成形、烧结的烧结体实施热等静压加工，能够制作更致密的烧结体。为了提高靶的密度，优选在装置能够设定的压力范围内尽可能地提高加压力。
[0049]本发明的溅射靶通过粉末烧结法来制作。制作时，准备各原料粉末(Fe粉末、Pt粉末、C粉末、根据需要使用的添加金属元素粉末)。这些粉末优选使用粒径为0.1 μπι以上且10 μπι以下的粉末。原料粉末的粒径过小时，粉末发生凝聚而难以使原料粉末之间均匀混合，因此，粒径优选设定为0.5 μ m以上。另一方面，原料粉末的粒径大时，难以使C粒子微细分散在合金中，因此，优选使用ΙΟμπ?以下的粉末。
[0050]此外，作为原料粉末，可以使用合金粉末。使用合金粉末的情况下，也优选使用粒径为0.5 μ m以上且10 μ m以下的粉末。
[0051]然后，称量上述的粉末以达到期望的组成，使用球磨机等公知的方法进行粉碎、混合。接着，将用球磨机混合后的粉末在惰性气体气氛下或真空气氛下进行热处理。热处理的条件优选为在750°C以上且1100°C以下的温度下保持2小时以上。由此，能够极大地减少原料粉末中的氧量。
[0052]使用球磨机等公知的方法将这样热处理后的粉末粉碎，制成烧结用混合粉末。此时，可以混合未经热处理的粉末。例如，可以向对Fe粉末、Pt粉末、C粉末的混合粉末进行热处理而得到的粉末(一部分)中进一步添加未经热处理的C粉末。
[0053]然后，将所得到的粉末填充到碳制的模具中，通过热压进行成形、烧结。除了热压以外，也可以使用放电等离子体烧结法。烧结时的保持温度取决于溅射靶的组成，多数情况下设定为850~1400°C的温度范围。另外，加压力设定为20MPa以上，优选设定为20~50MPa。
[0054]接着，对从热压机中取出的烧结体实施热等静压加工。热等静压加工对提高烧结体的密度有效。热等静压加工的保持温度取决于烧结体的组成，多数情况下为850~1400°C的温度范围。另外，加压力设定为IOOMPa以上，优选设定为100~200MPa。
[0055]将这样得到的烧结体用车床加工成期望的形状，由此能够制作本发明的溅射靶。
[0056]通过以上操作，能够制作C粒子均匀地微细分散在母材合金中且溅射靶的氧含量为300重量ppm以下的Fe-Pt-C型溅射靶。
[0057]实施例
[0058]以下，基于实施例和比较例进行说明。另外，本实施例充其量只是一个示例，本发明不受该示例的任何限制。即，本发明仅受权利要求书的限制，包含本发明中含有的实施例以外的各种变形。
[0059](实施例1)·
[0060]作为原料粉末，准备平均粒径3 μ m的Fe粉末、平均粒径3 μ m的Pt粉末、平均粒径I μπι的C粉末。C粉末使用市售的无定形碳。
[0061]按照以下的原子数比称量这些粉末，使合计重量达到2600g。
[0062]原子数比:(Fe50-Pt50)60_C40
[0063]接着，将称量好的粉末与粉碎介质氧化锆球一起封入容量10升的球磨机罐中，使其旋转4小时而进行混合、粉碎。然后，对从球磨机取出的混合粉末实施热处理。
[0064]热处理条件设定为Ar气氛(大气压)、升温速度300°C /小时、保持温度900°C、保持时间2小时。自然冷却后，将粉末从热处理炉中取出，与粉碎介质氧化锆球一起封入容量10升的球磨机罐中，使其旋转4小时而进行粉碎。
[0065]然后，将粉碎后的粉末填充到碳制的模具中进行热压。
[0066]热压的条件设定为真空气氛、升温速度300°C /小时、保持温度1200°C、保持时间2小时，从升温开始时起到保持结束为止以30MPa进行加压。保持结束后，直接在腔室内自然冷却。
[0067]接着，对从热压模具中取出的烧结体实施热等静压加工。热等静压加工的条件设定为升温速度300°C /小时、保持温度1350°C、保持时间2小时，从升温开始时起缓慢地升高Ar气体的气压，在1350°C下保持的过程中以150MPa进行加压。保持结束后，直接在炉内自然冷却。
[0068]使用车床对这样制作的烧结体进行切削加工而得到溅射靶。同时，从烧结体切下氧分析用的样品，测定氧含量，结果为190重量ppm。另外，对烧结体进行研磨，使用光学显微镜观察其组织。如图1所示，观察到在Fe-Pt合金中(组织图像的白色部分)微细分散有C粒子(组织图像的发黑部分)的组织。
[0069](比较例I)
[0070]作为原料粉末，准备平均粒径3 μ m的Fe粉末、平均粒径3 μ m的Pt粉末、平均粒径I μπι的C粉末。C粉末使用市售的无定形碳。
[0071]按照以下的原子数比称量这些粉末，使合计重量达到2600g。
[0072]原子数比:(Fe50-Pt50)60_C40
[0073]接着，将称量好的粉末与粉碎介质氧化锆球一起封入容量10升的球磨机罐中，使其旋转4小时而进行混合、粉碎。然后，将从球磨机中取出的混合粉末填充到碳制的模具中进行热压。
[0074]热压的条件设定为真空气氛、升温速度300°C /小时、保持温度1200°C、保持时间2小时，从升温开始时起到保持结束为止以30MPa进行加压。保持结束后，直接在腔室内自然冷却。
[0075]接着，对从热压模具中取出的烧结体实施热等静压加工。热等静压加工的条件设定为升温速度300°C /小时、保持温度1350°C、保持时间2小时，从升温开始时起缓慢地升高Ar气体的气压，在1350°C下保持的过程中以150MPa进行加压。保持结束后，直接在炉内自然冷却。
[0076]使用车床对这样制作的烧结体进行切削加工而得到溅射靶。同时，从烧结体切下氧分析用的样品，测定氧含量，结果为560重量ppm。另外，将烧结体研磨后观察其截面，结果，观察到在Fe-Pt合金中微细分散有C粒子的组织。
`[0077](实施例2)
[0078]作为原料粉末，准备平均粒径3 μ m的Fe粉末、平均粒径3 μ m的Pt粉末、平均粒径3 μ m的Cu粉末、平均粒径I μ m的C粉末。C粉末使用市售的无定形碳。
[0079]按照以下的原子数比称量这些粉末，使合计重量达到2380g。
[0080]原子数比:(Fe40-Pt45-Cu15)55-C45
[0081]接着，将称量好的粉末与粉碎介质氧化锆球一起封入容量10升的球磨机罐中，使其旋转4小时而进行混合、粉碎。然后，对从球磨机取出的混合粉末实施热处理。
[0082]热处理条件设定为Ar气氛(大气压)、升温速度300°C /小时、保持温度800°C、保持时间2小时。自然冷却后，将粉末从热处理炉中取出，与粉碎介质氧化锆球一起封入容量10升的球磨机罐中，使其旋转4小时而进行粉碎。
[0083]然后，将粉碎后的粉末填充到碳制的模具中进行热压。
[0084]热压的条件设定为真空气氛、升温速度300°C /小时、保持温度1200°C、保持时间2小时，从升温开始时起到保持结束为止以30MPa进行加压。保持结束后，直接在腔室内自然冷却。
[0085]接着，对从热压模具中取出的烧结体实施热等静压加工。热等静压加工的条件设定为升温速度300°C /小时、保持温度1350°C、保持时间2小时，从升温开始时起缓慢地升高Ar气体的气压，在1350°C下保持的过程中以150MPa进行加压。保持结束后，直接在炉内自然冷却。
[0086]使用车床对这样制作的烧结体进行切削加工，得到溅射靶。同时，从烧结体切下氧分析用的样品，测定氧含量，结果为210重量ppm。另外，将烧结体研磨后观察其截面，结果，观察到在Fe-Pt-Cu合金中微细分散有C粒子的组织。
[0087](比较例2)
[0088]作为原料粉末，准备平均粒径3 μ m的Fe粉末、平均粒径3 μ m的Pt粉末、平均粒径3 μ m的Cu粉末、平均粒径I μ m的C粉末。C粉末使用市售的无定形碳。
[0089]按照以下的原子数比称量这些粉末，使合计重量达到2380g。
[0090]原子数比:(Fe40-Pt45-Cu15)55-C45
[0091]接着，将称量好的粉末与粉碎介质氧化锆球一起封入容量10升的球磨机罐中，使其旋转4小时而进行混合、粉碎。然后，将从球磨机中取出的混合粉末填充到碳制的模具中进行热压。
[0092]热压的条件设定为真空气氛、升温速度300°C /小时、保持温度1200°C、保持时间2小时，从升温开始时起到保持结束为止以30MPa进行加压。保持结束后，直接在腔室内自然冷却。
[0093]接着，对从热压模具中取出的烧结体实施热等静压加工。热等静压加工的条件设定为升温速度300°C /小时、保持温度1350°C、保持时间2小时，从升温开始时起缓慢地升高Ar气体的气压，在1350°C下保持的过程中以150MPa进行加压。保持结束后，直接在炉内自然冷却。
[0094]使用车床对这样制作的烧结体进行切削加工而得到溅射靶。同时，从烧结体切下氧分析用的样品，测定氧 含量，结果为540重量ppm。另外，将烧结体研磨后观察其截面，结果，观察到在Fe-Pt-Cu合金中微细分散有C粒子的组织。
[0095](实施例3)
[0096]作为原料粉末，准备平均粒径3 μ m的Fe粉末、平均粒径3 μ m的Pt粉末、平均粒径I μ m的Ag粉末、平均粒径I μ m的C粉末。C粉末使用市售的无定形碳。
[0097]按照以下的原子数比称量这些粉末，使合计重量达到2200g。
[0098]原子数比:(Fe42.5-Pt42.5_Ag15)60-C40
[0099]接着，将称量好的粉末与粉碎介质氧化锆球一起封入容量10升的球磨机罐中，使其旋转4小时而进行混合、粉碎。然后，对从球磨机取出的混合粉末实施热处理。
[0100]热处理条件设定为Ar气氛(大气压)、升温速度300°C /小时、保持温度850°C、保持时间2小时。自然冷却后，将粉末从热处理炉中取出，与粉碎介质氧化锆球一起封入容量10升的球磨机罐中，使其旋转4小时而进行粉碎。
[0101]然后，将粉碎后的粉末填充到碳制的模具中进行热压。
[0102]热压的条件设定为真空气氛、升温速度300°C /小时、保持温度900°C、保持时间2小时，从升温开始时起到保持结束为止以30MPa进行加压。保持结束后，直接在腔室内自然冷却。
[0103]接着，对从热压模具中取出的烧结体实施热等静压加工。热等静压加工的条件设定为升温速度300°C /小时、保持温度900°C、保持时间2小时，从升温开始时起缓慢地升高Ar气体的气压，在900°C下保持的过程中以150MPa进行加压。保持结束后，直接在炉内自然冷却。
[0104]使用车床对这样制作的烧结体进行切削加工，得到溅射靶。同时，从烧结体切下氧分析用的样品，测定氧含量，结果为270重量ppm。另外，将烧结体研磨后观察其截面，结果，观察到在Fe-Pt与Ag的两相合金中微细分散有C粒子的组织。[0105](比较例3)
[0106]作为原料粉末，准备平均粒径3 μ m的Fe粉末、平均粒径3 μ m的Pt粉末、平均粒径I μ m的Ag粉末、平均粒径I μ m的C粉末。C粉末使用市售的无定形碳。
[0107]按照以下的原子数比称量这些粉末，使合计重量达到2200g。
[0108]原子数比:(Fe42S-Pt42.S-Ag15) 60-C40
[0109]接着，将称量好的粉末与粉碎介质氧化锆球一起封入容量10升的球磨机罐中，使其旋转4小时而进行混合、粉碎。然后，将从球磨机中取出的混合粉末填充到碳制的模具中进行热压。
[0110]热压的条件设定为真空气氛、升温速度300°C /小时、保持温度900°C、保持时间2小时，从升温开始时起到保持结束为止以30MPa进行加压。保持结束后，直接在腔室内自然冷却。
[0111]接着，对从热压模具中取出的烧结体实施热等静压加工。热等静压加工的条件设定为升温速度300°c /小时、保持温度900°C、保持时间2小时，从升温开始时起缓慢地升高Ar气体的气压，在900°C下保持的过程中以150MPa进行加压。保持结束后，直接在炉内自然冷却。
[0112]使用车床对这样制作的烧结体进行切削加工而得到溅射靶。同时，从烧结体切下氧分析用的样品，测定氧含量，结果为810重量ppm。另外，将烧结体研磨后观察其截面，结果，观察到在Fe-Pt与Ag的两相合金中微细分散有C粒子的组织。
[0113]如上所述，本发明的溅射靶的实施例在任意一种情况下均得到了氧含量为300重量ppm以下且具有微细分散有C粒子的组织的结果。
[0114]产业上的可利用性
[0115]本发明具有能够提供能形成具有高的耐腐蚀性的颗粒结构磁性膜、而且容易使Ll0结构有序化、微细分散有C粒子且氧含量为300重量ppm以下的Fe-Pt-C型溅射靶的优良效果。因此，本发明对于制造具备颗粒结构磁性膜的磁记录介质有用。
【权利要求】
1.一种溅射靶，其为原子数比的组成由式:(FeicitHx-Ptx) 100_ACA (其中，A为满足20 < A < 50的数，X为满足35 < X < 55的数)表示的烧结体溅射靶，其特征在于，具有微细分散在母材合金中的C粒子，且氧含量为300重量ppm以下。
2.一种溅射靶，其为原子数比的组成由式:(FeiQ(l_x_Y-Ptx-MY)1(lcl_ACA(其中，M为Fe、Pt以外的金属元素，A为满足20 < A < 50的数，X为满足35 < X < 55的数，Y为满足0.5 < Y < 15的数)表示的烧结体溅射靶，其特征在于，具有微细分散在母材合金中的C粒子，且氧含量为300重量ppm以下。
3.如权利要求2所述的溅射靶，其特征在于，金属元素M为Cu、Ag中的任意元素。
4.一种溅射靶的制造方法，其特征在于，将金属粉末与C粉末混合，将该混合粉末在惰性气体气氛下或真空气氛下、在750°C以上且1100°C以下的温度下进行热处理，将所得到的粉末作为原料粉末的一部分进行烧结。
5.如权利要求4所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，将热处理后的粉末填充到模具中后，在20~50MPa的压力下进行单轴加压而成形、烧结，然后，在100~200MPa的压力下进行热等静压而成·形、烧结。
【文档编号】C04B35/56GK103717781SQ201280021182
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2012年7月20日 优先权日:2011年9月26日
【发明者】佐藤敦 申请人:吉坤日矿日石金属株式会社