一种半导体硅片晶粒分裂装置制造方法
【专利摘要】本实用新型的一种半导体硅片晶粒分裂装置，包括底座和碾压装置，碾压装置包括手柄，手柄的前端设置有辊子支架，辊子支架上设置有橡胶辊子，辊子支架两侧分别连接有弹性支腿，弹性支腿末端设置有滚轮；手柄的后端转动连接有带尖端的裂片头；底座上设置有圆形的凸台，凸台两侧的底座上设置有与滚轮相配合的长条形的滑槽。本实用新型的有益效果是：划片后的硅片在橡胶辊子的碾压下，经划片后产生的划痕发生分裂，得到晶粒；操作简单，便于握持，使得裂片的效率高，同时，能够提高晶粒的良品率。
【专利说明】—种半导体硅片晶粒分裂装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体硅片晶粒分裂装置。
【背景技术】
[0002]光刻是半导体制造过程中一道非常重要的工序，它是将一系列掩模版上的芯片图形通过曝光依次转移到硅片相应层上的工艺过程，被认为是大规模集成电路制造中的核心步骤。半导体制造中一系列复杂而耗时的光刻工艺主要由相应的光刻机来完成。而光刻技术的发展或者说光刻机的技术进步则主要围绕着线宽、套刻精度和生产率这三大指标展开。
[0003]在半导体硅片进行激光划片以后就需要进行裂片。也就是将硅片裂成小晶粒。目前裂片主要是依靠人工用圆柱形的裂片笔进行滚压，然后再进行进一步的检查和裂片。裂片的效率低，较难进行大规模生产；同时，由于人工在进行滚压过程中，裂片笔不好握持，而且用力的大小不好掌握，使得对硅片的冲击力无法调整，导致晶粒无法裂开或者分割后的晶粒发生崩裂损伤等情况，晶粒的良品率低。
【发明内容】
[0004]为解决以上技术上的不足，本实用新型提供了一种裂片效率高的半导体硅片晶粒分裂装置。
[0005]本实用新型是通过以下措施实现的:
[0006]本实用新型的一种半导体硅片晶粒分裂装置，包括底座和碾压装置，所述碾压装置包括手柄，所述手柄的前端设置有辊子支架，辊子支架上设置有橡胶辊子，辊子支架两侧分别连接有弹性支腿，弹性支腿末端设置有滚轮；手柄的后端转动连接有带尖端的裂片头；所述底座上设置有圆形的凸台，凸台两侧的底座上设置有与滚轮相配合的长条形的滑槽。
[0007]上述手柄表面设置有防滑凸起。
[0008]本实用新型的有益效果是:划片后的硅片在橡胶辊子的碾压下，经划片后产生的划痕发生分裂，得到晶粒；操作简单，便于握持，使得裂片的效率高，同时，能够提高晶粒的良品率。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型的碾压装置的结构示意图。
[0010]图2为本实用新型的底座的结构示意图。
[0011]其中:1手柄，2裂片头，3辊子支架，4弹性支腿，5滚轮，6橡胶辊子，7防滑凸起，8底座，9凸台，10滑槽。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本实用新型做进一步详细的描述:
[0013]如图1、2所示，本实用新型的一种半导体硅片晶粒分裂装置，包括底座8和碾压装置，碾压装置包括手柄1，手柄I的前端设置有辊子支架3，辊子支架3上设置有橡胶辊子6，辊子支架3两侧分别连接有弹性支腿4，弹性支腿4末端设置有滚轮5 ;手柄I的后端转动连接有带尖端的裂片头2 ;底座8上设置有圆形的凸台9，凸台9两侧的底座8上设置有与滚轮5相配合的长条形的滑槽10。手柄I表面设置有防滑凸起7。
[0014]使用时，将激光划片后的硅片放置在底座8的凸台9上，然后手持手柄1，将橡胶辊子6放在硅片上，同时两侧的滚轮5分别放在滑槽10内，用手推动橡胶辊子6在硅片上碾压，弹性支腿4可以起到一定的缓冲作用，而滚轮5和滑槽10起到导向作用，避免碾压时橡胶辊子6发生倾斜，进而造成硅片的受力不均，防止晶粒受损。最后将裂片头2转出，用裂片头2将剩余连在一起的晶粒分离开。在橡胶辊子6的碾压下，经划片后产生的划痕发生分裂，得到晶粒；操作简单，便于握持，使得裂片的效率高，同时，能够提高晶粒的良品率。
[0015]以上所述仅是本专利的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本专利的保护范围。
【权利要求】
1.一种半导体硅片晶粒分裂装置，其特征在于:包括底座和碾压装置，所述碾压装置包括手柄，所述手柄的前端设置有辊子支架，辊子支架上设置有橡胶辊子，辊子支架两侧分别连接有弹性支腿，弹性支腿末端设置有滚轮；手柄的后端转动连接有带尖端的裂片头；所述底座上设置有圆形的凸台，凸台两侧的底座上设置有与滚轮相配合的长条形的滑槽；所述手柄表面设置有防滑凸起。
【文档编号】B28D5/00GK204045555SQ201420448886
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年8月11日 优先权日:2014年8月11日
【发明者】史国顺 申请人:山东芯诺电子科技有限公司