专利名称：片材和电子元件包装容器的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子元件包装容器或载带用片材及使用了该片材的电子元件包装容器。
背景技术：
IC等电子元件的包装方式有注射成形托盘、真空成形托盘、料盒、载带(carrier tape，压纹带)等。电子元件包装容器用于电子元件的运输、贮藏等。对表面电阻率为104～108Ω/cm2的容器，通过将容器接地易于消除所发生的静电，防止电子元件的静电破坏。使表面电阻率处于上述范围的方法，公知的有在包装容器的表面涂布防带电剂的方法、涂布导电性涂料的方法、使防带电剂分散的方法、使导电性填料分散的方法等(日本专利特开昭57-78493等)。
尤其是使导电性填料分散的方法比较常用。导电性填料采用金属微细粉末、碳纤维、炭黑等(日本专利特开昭60-8362等)。可以使炭黑均匀地分散，得到稳定的表面电阻率。使炭黑分散的树脂采用热塑性树脂。例如聚氯乙烯系树脂、聚丙烯系树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯系树脂、聚苯乙烯系树脂、ABS系树脂、聚苯醚系树脂、聚碳酸酯树脂等。一般采用聚苯乙烯系树脂，如需耐热则采用聚苯醚系树脂，它们与其它树脂相比，即使添加大量的炭黑其流动性及成形性也没有明显的降低，而且在成本方面也非常低。
电子元件包装容器等的表面电阻在104～108Ω/□的范围内，虽然能够防止静电破坏，但并不能完全防止。随着电子元件高度集成化，电子元件内的配线微细化，电子元件更容易受到静电破坏。即使是具有104～108Ω/□表面电阻率的电子元件包装容器，有时也会由于电子元件和容器的摩擦及来自其它带电物的感应产生于电子元件的静电向电子元件包装容器放电，引发电子元件的破坏。一般认为静电造成电子元件破坏的原因是在极短时间从电子元件向电子元件包装容器表面放电所引起的电子元件内部温度瞬间上升。
发明的揭示为了防止电子元件的静电破坏，可以使和电子元件相接的容器的表面层具有较高的表面电阻率，在其下层叠导电性高于其的层，使表面层的表面电阻率高于其下的导电层。采用具有这种结构的电子元件包装容器，电子元件所带有的静电不会从电子元件快速地向电子元件包装容器表面放电，而是缓慢地放电，这样能够防止静电破坏。
与电子元件相接的表面层(以下称为“表面层”)的表面电阻率必须高于层叠在其下的层(以下称为“导电层”)。导电层的表面电阻率应在102～1012Ω/□的范围，较好为104～1010Ω/□，更好为104～108Ω/□。表面层的表面电阻率通常选自109～1014Ω/□，表面层使用热塑性树脂时，可以使表面电阻率比前述范围更高一些。表面层的表面电阻率高于1014Ω/□时，表面层的厚度较好为20μm以下，特好为0.1～20μm。此外，表面层最好由其带电列与所内装的电子元件的带电列相近的材料形成。
附图的简单说明
图1为用于测定因片材和IC的带电量的影响而在IC产生的带电电荷量的试验装置。1为斜面，2为进行带电量测定的片材，3为IC，4为法拉第屏障。
发明的最佳实施方式(结构)在电子元件包装容器、该包装容器所用的片材的具体的结构中，例如有表面层/导电层这种结构；或表面层/导电层/表面层的结构；增加了基材层的表面层/导电层/基材层和表面层/导电层/基材层/导电层/表面层等结构。电子元件包装容器、片材的结构并不限于这些，只要具有导电层和表面层即可。较好的是将导电层和表面层直接层叠，但也可以在导电层和表面层之间设置其它的层，例如设置导电性介于导电层和表面层之间的层。
(导电层)导电层的表面电阻率应为102～1012Ω/□，较好为104～1010Ω/□，更好为104～108Ω/□。在本发明中，表面电阻率是指每单位表面积的电阻，按照JIS K-6911规定。
导电层含有热塑性树脂和导电性填料。热塑性树脂例如可采用以GPPS(通用聚苯乙烯)或HIPS(耐冲击性聚苯乙烯)或它们的混合物为主成分的聚苯乙烯系树脂；以主体为乙烯和丙烯的均聚物及乙烯或丙烯的共聚物等为主成分的聚烯烃系树脂；聚碳酸酯树脂；以主体为丙烯腈-丁二烯-苯乙烯三种成分的共聚物为主成分的ABS系树脂；以聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸酯等聚丙烯酸酯为主成分的丙烯酸系树脂；以聚酰胺为主成分的聚酰胺系树脂；以聚酯为主成分的聚酯系树脂；以聚氨酯为主成分的聚氨酯系树脂；聚苯醚和它们的合金系树脂。
在热塑性树脂中添加碳纤维、金属纤维、金属粉末、炭黑等导电性填料，以使其具有导电性。炭黑是比较理想的导电性填料。炭黑可使用炉黑、槽法炭黑、乙炔黑等。按照使导电层的表面电阻率达到102～1012Ω/□，较好为104～1010Ω/□，更好为104～108Ω/□的要求来添加导电性填料。其添加量因炭黑的种类不同而有所不同，一般为100重量份热塑性树脂，添加约5～50重量份。
导电层的表面电阻率必须低于表面层。
(表面层)表面层具有高于导电层的表面电阻率。表面层的表面电阻率可以在109～1014Ω/□的范围内，也可以高于前述范围。
较好的是表面层中含有树脂。例如可以通过多层共挤成形法、涂布法、层压法等公知的方法将含有防带电剂的树脂层叠于导电层的表面形成表面层。
防带电剂例如有硅系化合物防带电剂，具有磺酸基的化合物系等表面活性剂，含亲水性和离子性基团的乙烯系共聚物及聚醚酰胺系共聚物这类高分子型防带电剂。若表面电阻率在109～1014Ω/□的范围内，也可以用高分子型防带电剂，或聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚丙烯腈、聚周萘(polyperinaphthalene)、聚乙炔等导电性树脂形成表面层。或者也可以使树脂含有导电性填料。
用作表面层的树脂也可以采用热塑性树脂。例如可以采用以通用的聚苯乙烯树脂(GPPS)或耐冲击性聚苯乙烯树脂(HIPS)或它们的混合物为主成分的聚苯乙烯系树脂；以主体为乙烯或丙烯的均聚物及乙烯或丙烯的共聚物等为主成分的聚烯烃系树脂；聚碳酸酯树脂；以主体为丙烯腈-丁二烯-苯乙烯三种成分的共聚物为主成分的ABS系树脂；以聚丙烯酸和聚甲基丙烯酸酯等聚丙烯酸酯为主成分的丙烯酸系树脂；以6-尼龙等聚酰胺为主成分的聚酰胺系树脂；以聚酯为主成分的聚酯系树脂；以聚氨酯为主成分的聚氨酯系树脂和它们的合金系树脂。
较好的是表面层和内装的电子元件的带电列相近似。因为在这种情况下，能够减少因和电子元件容器的摩擦而在电子元件产生的电荷的量。其结果是，能够较好地适用于对静电破坏敏感的电子元件，例如IC等。
作为测定带电列的手段有如下的方法，即如图1所示，制作由和表面层相同组成的薄膜构成的倾角30度、斜面长30cm的斜面。用离子化空气或醇、丙酮等水溶性有机溶剂除去薄膜上的电荷后，将用离子化空气或醇、丙酮等水溶性有机溶剂除去电荷后的IC从斜面上部滑落，用法拉第屏障测定产生于IC的电荷量。这时，如果产生于IC的电荷量的绝对值在1nC以下，则可以说构成斜面的薄膜和IC的带电列相近似。该电荷量的绝对值越小越好。
作为构成表面层的树脂，比较理想的是由丙烯酸酯系聚合物和聚偏1，1-二氟乙烯的混合物构成的热塑性树脂合金，因为该热塑性树脂合金能够很容易地调整带电列。丙烯酸酯系聚合物和聚偏1，1-二氟乙烯能够很容易地进行混合。此外，由于两树脂的带电列相差大，因此通过改变其混合比例，能够获得具有不同带电列的树脂组合物。
烯烃系聚合物和芳族乙烯基聚合物的混合物、聚碳酸酯和丙烯腈和芳族乙烯基化合物系聚合物的共聚物的混合物也是同样，能够通过改变含有成分的比例来调整带电列。此外，还可采用以烯烃系聚合物为主链、芳族乙烯基化合物系聚合物与其接枝而成的树脂，或与前述相反的以芳族乙烯基化合物系聚合物为主链、烯烃系聚合物与其接枝而成的聚合物。
(基材层)基材层由单层或多层的热塑性树脂形成。也可以在热塑性树脂中添加各种填料、增强剂、重整剂、增塑剂、防氧化剂等加工助剂。基材层的热塑性树脂可使用聚苯乙烯系树脂、聚烯烃系树脂、聚碳酸酯系树脂、ABS系树脂、聚酯系树脂、聚苯醚系树脂、丙烯酸系树脂、聚酰胺系树脂、聚氨酯系树脂和它们的合金系树脂。
(厚度)片材或电子元件包装容器的厚度较好为0.1～5mm。在表面层的表面电阻率超过1014Ω/□时，表面层的厚度较好为20μm以下，更好为10μm以下。表面层的表面电阻率在1014Ω/□以下时，对面层的厚度没有特别的限定，但较好在200μm以下，更好在100μm以下。除了表面层、导电层之外还设置基材层时，基材层的厚度最好占导电层和基材层的总厚度的20％以上。
(制造方法)在本发明中，对片材的制造方法没有特别的限定。例如，能够采用下述方法制造片材，即，将形成表面层、导电层的热塑性树脂和导电填料、防带电剂或导电性树脂的混合物分别用双轴挤压机、连续混炼机等各种混炼机进行混炼，使其颗粒化。然后，使用多台挤压机对该颗粒分别供给基材层和导电层、表面层的树脂，通过一次复合(feed block)法或多支管(multi-manifold)法等多层共挤压成形法形成层叠片材。
此外，还可以采用向已用挤压机成膜的基材层依次涂布、层压导电层和表面层的方法，或采用向已用挤压机成膜的导电层片涂布、层压表面层的方法来制造片材。
(用途)片材可以用于电子元件包装容器。电子元件包装容器是指IC、LED、电阻、电容器、电感器、晶体管、二极管等电子元件的容器。特别适用于易受静电破坏的IC。通过将片材真空成形、加压成形、热板成形，可以制造真空成形托盘、装运管、载带(压纹带)等包装形态的电子元件包装容器。
实施例1按每100重量份HIPS(HI-E4、东洋苯乙烯株式会社)24重量份乙炔黑(DENKA BLACK粒子、电化学工业)的比例称量原料，使用高速混炼机进行均匀混合后，再使用φ45mm曲轴式双轴挤压机进行混炼，采用切粒(strand cut)法进行颗粒化，获得了构成导电层的树脂组合物。
基材层使用ABS树脂(GR-2000、电化学工业)，通过使用了φ65mm挤压机(L/D＝28)和T模的一次复合法进行层叠，获得了总厚度为0.3mm的导电层/基材层/表面层的三层片材。该三层片材中的导电层的表面电阻率为1.5×106Ω/□。
在该片材的一面用凹版涂敷机涂布以聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)为主成分的溶解性导电性树脂(溶剂水/醇)作为表面层，使其厚度为4μm，获得表面层/导电层/基材层/导电层的四层片材。该表面层的表面电阻率为7.4×106Ω/□。表面电阻率的测定使用了SIMCO株式会社制ST-3表面电阻率测定仪。
实施例2按每100重量份HIPS(HI-E4、东洋苯乙烯株式会社司)24重量份乙炔黑(DENKA BLACK粒子、电化学工业)的比例称量原料，使用高速混炼机进行均匀混合后，再使用φ45mm曲轴式双轴挤压机进行混炼，然后采用切粒法进行颗粒化，获得了构成导电层的树脂组合物。
表面层使用APT-3010(混有防带电剂的树脂，电化学工业)，通过使用了φ65mm挤压机(L/D＝28)和T模的一次复合法进行层叠，获得了总厚度为0.3mm、各层的厚度比为90∶120∶90的表面层/导电层/表面层的三层片材。该三层片材中的导电层的表面电阻率为1.5×106Ω/□，表面层的表面电阻率为6.4×1010Ω/□。
用真空圆筒成形机将实施例1～2的片材制作成载带，使表面层与内侧、即IC相接。在该包装内装入作为内装物的IC，安装在振动试验机上，在振幅50mm、频率450rpm的条件下使其振动1小时，然后静置24小时，其后确认IC因静电引起的破损状况。该评价结果为在100个样品中都没有发现IC有损坏。
实施例3～5分别称量炭黑15重量份和耐冲击性苯乙烯树脂85重量份作为原料，使用高速混合机进行均匀混合后，使用φ45mm曲轴式双轴挤压机进行混炼，再采用切粒法进行颗粒化，获得了导电性树脂组合物。利用φ40mm挤压机(L/D＝26)将该导电性树脂组合物制成了厚度为300μm的片材。测定该片材的表面电阻率，得到了导电层的表面电阻率。
使用涂布棒在上述片材的一面涂布丙烯酸树脂，并使其厚度分别为2、5、10μm，对涂布面进行了静电衰减、碳脱离的评价。评价结果示于表1。确认了各实施例都具有防带电效果，无碳脱离。
表1
比较例1和2和实施例1～5同样，分别称量炭黑15重量份和耐冲击性苯乙烯树脂85重量份作为原料，使用高速混合机进行均匀混合后，使用φ45mm曲轴式双轴挤压机进行混炼，再采用切粒法进行颗粒化，获得导电性树脂组合物。然后，利用φ40mm挤压机(L/D＝26)将该导电性树脂组合物制成厚度为300μm的片材。测定该片材的表面电阻率，作为导电层的表面电阻率。
直接用该片材，使用涂布棒在上述片材的一面涂布丙烯酸树脂，使其厚度都为25μm，再进行静电衰减、碳脱离的评价。评价结果示于表2。没有涂布丙烯酸树脂的样品确认存在碳脱离，而涂布了厚度为25μm的丙烯酸树脂的样品无足够的防带电效果。
表2
(评价方法)静电衰减按照FTMS-101C进行，对样品施加5000V电压后，测定电位差达到2500V(50％)、500V(10％)、0V(0％)的时间。
有无碳脱离通过以15mm的行程使QFP14mm×20mm/64pin的IC在各片材和平板样品的表面往返100次，其后用显微镜观察IC的引线部，以引线部有无炭黑等黑色物体为指标进行了评价。
(表面层为和电子元件带电列相近的组成的实施例)在以下的实施例中，表面层使用了具有和电子元件相近的带电列的组合物。带电电荷量使用Electro-Tech System公司的毫微库仑测定仪和法拉第屏障，测定电子元件的带电电荷量。电离器使用了SIMCO公司的AEROSTATPC。振荡机使用了东京理科器械株式会社的Cute Mixer。
实施例6分别称量20重量份炭黑(电化学工业制商品名DENKA ACETYLENEBLACK)、70重量份HIPS(东洋苯乙烯制商品名TOYO STYROL HI-U2-301U)、10重量份苯乙烯系弹性体(JSR制商品名TR2003)作为原料，用转鼓均匀混合后，用池贝机械株式会社的φ45mm同向旋转型双轴挤压机进行混炼，再用造粒机造粒，制得了形成导电层的混合物料A。将该混合物料A用单轴挤压机再次进行熔融混炼，用T模制成了0.2mm厚的片材。该片材的表面电阻率为104Ω/□。
另外，将1，1-二氟乙烯聚合物(KYNAR株式会社制商品名720)75重量份、作为丙烯酸酯系聚合物的聚甲基丙烯酸甲酯(三菱Rayon株式会社制商品名ACRYPET G)25重量份用转鼓混合，再用池贝机械株式会社的φ45mm同向旋转型双轴挤压机进行熔融混炼挤压，制得了作为形成表面层的树脂的混合物料B。将该混合物料B用单轴挤压机再次进行熔融混炼，用T模制成了30μm厚的薄膜。
如图1所示，将薄膜贴附于倾角30度、斜面长30cm的斜面上，在薄膜表面喷射离子化空气，除去薄膜电荷。然后，同样用离子化空气除去作为电子元件的IC(MQFP型28mm见方)的电荷后，使其滑落，测定IC的带电电荷量，结果为0.02nC。
采用一次复合法，将混合物料A和混合物料B用两台φ45mm挤压机层叠后，从T模挤出，制得了总厚为0.3mm、片材两面的由混合物料B构成的表面层厚度为15μm的表面层/导电层/表面层的三层结构的片材。该片材的表面电阻率在1012Ω/□以上。
用真空成形机制成载带形状，使该片材的表面层与内侧、即IC相接触。在该包装内装入作为内装物的IC，安装在振荡机上后，以700rpm振荡1小时。然后用开路短路测试仪(东京电子交易株式会社制)确认了IC的破损状况。该评价结果为没有发现IC有损坏。
实施例7分别称量20重量份炭黑(电化学工业制商品名DENKA ACETYLENEBLACK)、70重量份高冲击强度的聚苯乙烯(东洋苯乙烯制商品名TOYOSTYROL HI-U2-301U)、10重量份苯乙烯系弹性体(JSR制商品名TR2003)作为原料，用转鼓均匀混合后，再用池贝机械株式会社的φ45mm同向旋转型双轴挤压机进行混炼，用造粒机造粒，制得了形成导电层的混合物料A。将该混合物料A用单轴挤压机再次进行熔融混炼，用T模制成了0.2mm厚的片材。该片材的表面电阻率为104Ω/□。
另外，将ABS树脂(电化学工业制商品名DENKA ABS)85重量份、持续性防带电剂(三洋化成株式会社制商品名PELESTAT NC6321)15重量份用转鼓混合，再用池贝机械株式会社的φ45mm同向旋转型双轴挤压机进行熔融混炼挤压，制得了作为形成表面层的树脂的混合物料C。将该混合物料C用单轴挤压机再次进行熔融混炼，用T模制成了30μm厚的薄膜。如图1所示，将薄膜贴附于倾角30度、斜面长30cm的斜面上，在薄膜表面喷射离子化空气以除去薄膜电荷。然后，同样用离子化空气除去作为电子元件的IC(MQFP型28mm见方)的电荷后，使其滑落，测定IC的带电电荷量，结果为-0.16nC。
采用一次复合法将混合物料A和混合物料C用两台φ45mm挤压机层叠后，从T模挤出，制得了总厚为0.3mm、片材两面的由混合物料C构成的表面层厚度为15μm的表面层/导电层/表面层的三层结构的片材。该片材的表面层的表面电阻率为1011Ω/□。
用真空成形机制成载带形状，使该片材的表面层与内侧、即IC相接触。在该包装内装入作为内装物的IC，安装在振荡机上后，以700rpm振荡1小时。然后用开路短路测试仪(东京电子交易株式会社制)确认了IC的破损状况。该评价结果为没有发现IC有损坏。
实施例8分别称量22重量份炭黑(电化学工业制商品名DENKA ACETYLENEBLACK)、78重量份低密度聚苯乙烯(日本Polychem制商品名NOVATECLC621)作为原料，用转鼓均匀混合后，用池贝机械株式会社的φ45mm同向旋转型双轴挤压机进行混炼，再用造粒机造粒，制得了形成导电层的混合物料D。将该混合物料D用单轴挤压机再次进行熔融混炼，用T模制成了0.25mm厚的片材。该片材的表面电阻率为105Ω/□。
另外，将低密度聚苯乙烯(日本Polychem制商品名NOVATEC LC621)83重量份、持续性防带电剂(三洋化成公司制商品名PELESTAT 300)17重量份用转鼓混合，再用池贝机械株式会社的φ45mm同向旋转型双轴挤压机进行熔融混炼挤出，制得了作为构成表面层的树脂的混合物料E。将该混合物料E用单轴挤压机再次进行熔融混炼，用T模制成了30μm厚的薄膜。如图1所示，将薄膜贴附于倾角30度、斜面长30cm的斜面上，在薄膜表面喷射离子化空气，除去薄膜电荷。然后同样用离子化空气除去作为电子元件的IC(MQFP型28mm见方)的电荷后，使其滑落，测定IC的带电电荷量，结果为-0.39nC。
采用一次复合法，将混合物料D和混合物料E用两台φ45mm挤压机层叠后，从T模挤出，制得了总厚为0.3mm、片材两面的由混合物料E构成的表面层厚度为20μm的表面层/导电层/表面层的三层结构的片材。该片材的表面层的表面电阻率为1010Ω/□。
用真空成形机制成载带形状，使该片材的表面层与内侧、即IC相接触。在该包装内装入作为内装物的IC，安装在振荡机上后，以700rpm振荡1小时。然后用开路短路测试仪(东京电子交易株式会社制)确认了IC的破损状况。该评价结果为没有发现IC有损坏。
实施例9分别称量22重量份炭黑(电化学工业制商品名DENKA ACETYLENEBLACK)、78重量份聚碳酸酯树脂(帝人化成制商品名Panlite L1225)作为原料，用转鼓均匀混合后，再用池贝机械株式会社的φ45mm同向旋转型双轴挤压机进行混炼，然后用造粒机造粒，制得了形成导电层的混合物料F。将该混合物料F用单轴挤压机再次进行熔融混炼，用T模制成了0.25mm厚的片材。该片材的表面电阻率为105Ω/□。
另外，将聚碳酸酯树脂(帝人化成制商品名Panlite L1225)25重量份、ABS树脂(电化学工业制商品名DENKA ABS)75重量份用转鼓混合，再用池贝机械株式会社的φ45mm同向旋转型双轴挤压机进行熔融混炼挤出，制得了作为构成表面层的树脂的混合物料E。将该混合物料G用单轴挤压机再次进行熔融混炼，用T模制成了25μm厚的薄膜。如图1所示，将薄膜贴附于倾角30度、斜面长30cm的斜面上，在薄膜表面喷射离子化空气，除去薄膜电荷。然后同样用离子化空气除去作为电子元件的IC(MQFP型28mm见方)的电荷后，使其滑落，测定IC的带电电荷量，结果为0.19nC。
将混合物料F和混合物料G用两台φ45mm挤压机从多支管模挤出，制得了总厚为0.3mm、片材两面的由混合物料G构成的表面层厚度为20μm的表面层/导电层/表面层的三层结构的片材。该片材的表面层的表面电阻率为1012Ω/□以上。
用真空成形机制成载带形状，使该片材的表面层与内侧、即IC相接触。在该包装内装入作为内装物的IC，安装在振荡机上后，以700rpm振荡1小时。然后用开路短路测试仪(东京电子交易株式会社制)确认了IC的破损状况。该评价结果为没有发现IC有损坏。
实施例10分别称量20重量份炭黑(电化学工业制商品名DENKA ACETYLENEBLACK)、70重量份高冲击强度的聚苯乙烯(东洋苯乙烯制商品名TOYOSTYROL HI-U2-301U)、10重量份苯乙烯系弹性体(JSR制商品名TR2003)作为原料，用转鼓均匀混合后，再用池贝机械株式会社的φ45mm同向旋转型双轴挤压机进行混炼，用造粒机造粒，制得了形成导电层的混合物料A。将该混合物料A用单轴挤压机再次进行熔融混炼，用T模制成了0.25mm厚的片材。该片材的表面电阻率为104Ω/□。
另外，构成表面层的树脂使用以聚乙烯为主链、聚苯乙烯为支链的接枝共聚树脂(日本油脂制商品名MODIPER A1100)。将该构成表面层的树脂H用单轴挤压机进行熔融混炼，用T模制成了25μm厚的薄膜。如图1所示，将薄膜贴附于倾角30度、斜面长30cm的斜面上，在薄膜表面喷射离子化空气，除去薄膜电荷。然后同样用离子化空气除去作为电子元件的IC(MQFP型28mm见方)的电荷后，使其滑落，测定IC的带电电荷量，结果为0.24nC。
将混合物料A和混合物料H用两台φ45mm挤压机从多支管模挤出，制得了总厚为0.3mm、片材两面的由混合物料H构成的表面层厚度为10μm的表面层/导电层/表面层的三层结构的片材。该片材的表面层的表面电阻率为1012Ω/□以上。
用真空成形机制成载带形状，使该片材的表面层与内侧、即IC相接触。在该包装内装入作为内装物的IC，安装在振荡机上后，以700rpm振荡1小时。然后用开路短路测试仪(东京电子交易株式会社制)确认了IC的破损状况。该评价结果为没有发现IC有损坏。
比较例3作为与实施例6、7的比较，除了表面层使用炭黑22重量份、高冲击强度的聚苯乙烯78重量份和苯乙烯系弹性体10重量份的组合物，形成表面层的表面电阻率为104Ω/□的树脂以外，采用同样的步骤进行操作。结果示于表2，用开路短路测试仪确认了IC的破坏状况，结果是发生了IC的损坏。
表3
表3所用的缩写符号的含义如下所示。CB炭黑，HIPS高冲击强度的聚苯乙烯，PC聚碳酸酯，SE苯乙烯系弹性体，LDPE低密度聚苯乙烯，ASA持续性防带电剂，PMMA聚甲基丙烯酸甲酯，PVDF聚偏1，1-二氟乙烯，PE-PS以聚乙烯为主链、聚苯乙烯为支链的接枝聚合物。
产业上利用的可行性采用本发明，能够利用IC等的电子元件包装容器，如注射成形托盘、真空成形托盘、料盒、载带(压纹带)等，有效地保护电子元件免受静电破坏，该静电破坏是由在运输、贮存电子元件的过程中所产生的静电引起的。采用本发明，对防止高度集成化、配线微细化的极易被静电破坏的电子元件受到静电损伤具有非常好的效果。
权利要求
1.片材，其特征在于，具有表面电阻率为102～1012Ω/□的含有热塑性树脂和导电性填料的导电层，以及位于该导电层的两面或单面的表面电阻率为109～1014Ω/□的表面层，且表面层的表面电阻率高于导电层的表面电阻率。
2.片材，其特征在于，具有表面电阻率为102～1012Ω/□的含有热塑性树脂和导电性填料的导电层，以及位于该导电层的两面或单面的厚度为20μm以下的含有热塑性树脂的表面层，且表面层的表面电阻率高于导电层的表面电阻率。
3.如权利要求1或2所述的片材，其特征还在于，具有在导电层上还层叠了基材层的表面层/导电层/基材层的结构。
4.如权利要求1或2所述的片材，其特征还在于，具有在导电层上还层叠了基材层的表面层/导电层/基材层/导电层/表面层的结构。
5.如权利要求1～4中任一项所述的片材，其特征还在于，表面层由带电列与使用了该表面层的片材所内装的电子元件的带电列相近的材质形成。
6.如权利要求5所述的片材，其特征还在于，表面层含有丙烯酸酯系聚合物和聚偏1，1-二氟乙烯。
7.如权利要求5所述的片材，其特征还在于，表面层含有烯烃系聚合物和芳族乙烯基化合物系聚合物。
8.如权利要求5所述的片材，其特征还在于，表面层含有聚碳酸酯、丙烯腈和芳族乙烯基化合物的共聚物。
9.电子元件包装容器，其特征在于，使用了权利要求1～8中任一项所述的片材。
10.载带，其特征在于，使用了权利要求1～8中任一项所述的片材。
全文摘要
为了防止电子元件的静电破坏，使与电子元件相接的容器的表面层具有较高的表面电阻率，在其下层叠导电性高于其的层，使表面层的表面电阻率高于其下的层。采用具有这种结构的电子元件包装容器，电子元件所带有的静电不会从电子元件向电子元件包装容器表面快速地放电，而是缓慢地放电，这样能够防止静电破坏。表面层最好由与电子元件的带电列相近的材质形成。
文档编号B32B7/02GK1628027SQ028291
公开日2005年6月15日 申请日期2002年6月14日 优先权日2002年6月14日
发明者小田稔, 荻田胜久, 宫川健志, 藤村徹夫, 清水美基雄 申请人:电气化学工业株式会社