专利名称：：粘接片、接合方法及接合体的制作方法
技术领域：
：本发明涉及粘接片、接合方法及接合体。
背景技术：
：目前，在将具备具有规定功能的功能性基板的粘接片与被粘接体(对向基板)接合时，多利用在功能性基板的一面设置由环氧系粘接剂、聚氨脂系粘接剂、硅系粘接剂等粘接剂构成的接合膜，通过该接合膜将功能性基板与被粘接体接合的方法。通常，粘接剂不根据进行接合的功能性基板及被粘接体的材质而表示优异的粘接性。因此，可以将由各种材料构成的功能性基板和被粘接体进行各种各样的组合而粘接。即，不根据进行接合的功能性基板及被粘接体的材质，就能够将具备功能性基板的粘接片与被粘接体粘接。在使用由这种粘接剂构成的接合膜将粘接片与被粘接体粘接的情况下，预先准备在功能性基板上设置有硬化前的接合膜的粘接片，在接合膜介于功能性基板和被粘接体之间的状态下，使该粘接片与被粘接体接触。其后，利用热或光的作用使接合膜硬化(固化)，由此，将功能性基板及被粘接体粘接。但是，在使用了由这种粘接剂构成的接合膜的接合中，存在以下问题。粘接强度低尺寸精度低由于硬化时间长，因此粘接需要较长时间在许多情况下，为了提高粘接强度，需要使用底涂剂，由此造成的成本和工时导致粘接工艺的高成本化、复杂化。另一方面，作为不经由接合膜将功能性基板与被粘接体直接接合的方法，具有固体接合的方法(例如，参照专利文献l)。根据这种固体接合，由于不需要形成接合膜，因此，可以将粘接片对被粘接体以高的尺寸精度进行接合。但是，在固体接合中，存在以下问题。对进行接合的功能性基板及被粘接体的材质有限制*在接合工序中，伴有在高温(例如，70080(TC程度)下的热处理接合工序中的气氛局限于负压气氛受这些问题的启发，正在寻求开发一种粘接片，不根据供接合的功能性基板及被粘接体的材质，就能以高的尺寸精度牢固地、且在低温下高效地将具备功能性基板的粘接片与被粘接体接合。专利文献l:(日本)特开平5-82404号公报
发明内容本发明的目的在于，提供粘接片、接合方法及接合体，粘接片具备能够以高的尺寸精度牢固地、且在低温下高效地与被粘接体进行接合的接合膜；接合方法能够在低温下高效地将这样的粘接片和被粘接体接合；接合体由粘接片和被粘接体以高的尺寸精度牢固地接合而成且可靠性高。这样目的可以通过下述的本发明实现。本发明提供一种粘接片，其特征在于，与被粘接体粘接使用，具有功能性基板，其具有规定功能；接合膜，其设置在该功能性基板的一面侧，且含有金属原子、与该金属原子结合的氧原子、与所述金属原子及所述氧原子中至少一方结合的脱离基，将能量赋予所述接合膜的至少局部区域，所述接合膜的表面附近存在的所述脱离基自所述金属原子及所述氧原子中至少一方脱离，由此，在所述接合膜的表面的所述区域显现与所述被粘接体的粘接性。由此，能够制成具备接合膜的粘接片，该接合膜能够以高的尺寸精度牢固地、且在低温下高效地与被粘接体接合。在本发明的粘接片中，所述脱离基优选在所述接合膜的表面附近偏在。由此，能够对接合膜最佳地发挥作为金属氧化物膜的功能。即，除作为接合膜的功能以外，可以对接合膜最佳地赋予作为导电性及透光性等特性优异的金属氧化物膜的功能。在本发明的粘接片中，所述金属原子优选为铟、锡、锌、钛、及锑中至少一种。将接合膜作成含有这些金属原子的膜，由此，接合膜发挥优异的导电性和透明性。在本发明的粘接片中，所述脱离基优选为氢原子、碳原子、氮原子、磷原子、硫原子及卤原子、或由这些原子构成的原子团中至少一种。这些脱离基在能量的赋予发生的结合/脱离的选择性上比较优异。因此，通过赋予能量，可以获得比较简单地且均匀地进行脱离的脱离基，可以将粘接片的粘接性更高级化。在本发明的粘接片中，所述接合膜优选是将氢原子作为脱离基导入铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锑锡氧化物(ATO)、含氟铟锡氧化物(FTO)、氧化锌(ZnO)或二氧化钛(Ti02)中而成的接合膜。如此构成的接合膜其自身具有优异的机械特性。另外，对多数材料表示特别优异的粘接性。因此，这种接合膜可以与基板进行特别牢固地粘接，并且，即使对对向基板也表示特别强的被粘接力，作为结果，可以将基板与对向基板牢固地接合。在本发明的粘接片中，所述接合膜中的金属原子和氧原子的存在比优选为3:7~7:3。由此，接合膜的稳定性高，且能够更牢固地将粘接片和被粘接体接合。本发明的粘接片，其特征在于，与被粘接体粘接使用，具有功能性基板，其具有规定功能；接合膜，其设置在该功能性基板的一面侧，且含有金属原子、由有机成分构成的脱离基，将能量赋予所述接合膜的至少局部区域，所述接合膜的表面附近存在的所述脱离基自该接合膜脱离，由此在所述接合膜的表面的所述区域显现与所述被粘接体的粘接性。由此，能够制成具备接合膜的粘接片，其接合膜能够以高的尺寸精度牢固地、且在低温下高效地与被粘接体接合。在本发明的粘接片中，所述接合膜优选以有机金属材料为原材料且利用有机金属化学气相成长法进行成膜。利用这样的方法，可以通过比较简单的工序进行成膜，且成膜均匀膜厚的接合膜。在本发明的粘接片中，所述接合膜优选在低还原性气氛下进行成膜。由此，可以在基板上形成纯粹的金属膜，且可以在使有机金属材料中所含的有机物的一部分残留的状态下进行成膜。即，可以形成作为接合膜及金属膜双方的特性都优异的接合膜。在本发明的粘接片中，所述脱离基优选残留有所述有机金属材料中所含的有机物的一部分。这样，在成膜时，将残留在膜中的残留物用作脱离基进行构成，由此，不需要将脱离基导入已形成的金属膜中，且可以通过比较简单的工序进行成膜。在本发明的粘接片中，所述脱离基优选以碳原子为必需成分，由含有氢原子、氮原子、磷原子、硫原子及卤原子中至少一种的原子团构成。这些脱离基在能量的赋予发生的结合/脱离的选择性上比较优异。因此，通过赋予能量，可以获得比较简单地且均匀地进行脱离的脱离基，可以将功能性基板的粘接性更高级化。在本发明的粘接片中，所述脱离基优选为烷基。由烷基构成的脱离基化学稳定性高，因此，具备烷基作为脱离基的接合膜耐风化性及耐药品性优异。在本发明的粘接片中，所述有机金属材料优选为金属络合物。通过用金属络合物成膜接合膜，可以在残留有金属络合物中所含的有机物的一部分的状态下，可靠地形成接合膜。在本发明的粘接片中，所述金属原子优选为铜、铝、锌及铁中至少一种。将接合膜作成含有这些金属原子的膜，由此，接合膜发挥优异的导电性。在本发明的粘接片中，所述接合膜中的金属原子和碳原子的存在比优选为3:7~7:3。将金属原子和碳原子的存在比设定在所述范围内，由此，接合膜的稳定性高，可以更牢固地将粘接片和被粘接体接合，另外，可以使接合膜发挥优异的导电性。在本发明的粘接片中，所述接合膜优选在其至少表面附近存在的所述脱离基自该接合膜脱离后，l产生活性键。由此，可以获得基于化学性的结合可牢固地与被粘接体接合的粘接片。在本发明的粘接片中，所述活性键优选为未结合键或羟基。由此，可特别牢固地与被粘接体接合。在本发明的粘接片中，所述接合膜的平均厚度优选为11000nrn。由此，能够防止接合粘接片和被粘接体的接合体的尺寸精度显著降低，且能够更牢固地将它们接合。在本发明的粘接片中，所述接合膜优选成不具有流动性的固体状。由此，利用粘接片得到的接合体的尺寸精度与现有相比格外地高。另外，与现有相比，在短时间内，可达到强固的接合。在本发明的粘接片中，所述功能性基板优选具有挠性。由此，即使被粘接体的使粘接片粘接的面为弯曲面即不由平面构成的面，也可以追随该进行粘接的面的形状使粘接片变形。另外，即使在被粘接体成板状且横跨该被粘接体的表面和背面双方将粘接片粘接的情况下，也可以通过弯曲将粘接片粘附在被粘接体的表面及背面双方。在本发明的粘接片中，所述功能性基板优选形成片状。在本发明的粘接片中，所述功能性基板优选被形成为图案。在本发明的粘接片中，所述功能性基板优选具有布线、电极、端子、电路、半导体电路、电波的收发信部、光学元件、显示体及功能性薄膜中至少一种功能。可以使用具有如此功能的基板作为本发明的粘接片具备的功能性基板。在本发明的粘接片中，所述功能性基板的至少形成所述接合膜的部分优选以硅材料、金属材料或玻璃材料为主要材料构成。由此，即使不实施表面处理也可以获得足够的接合强度。在本发明的粘接片中，对具备所述接合膜的所述一面优选预先实施提高与所述接合膜的密合性的表面处理。由此，可以将功能性基板的表面净化及活性化，且能够提高接合膜和对向基板的接合强度。在本发明的粘接片中，所述表面处理优选为等离子体处理。由此，为了形成接合膜，可以将功能性基板的表面特别地最佳化。在本发明的粘接片中，中间层优选介于所述功能性基板和所述接合膜之间。由此，可以获得可靠性高的接合体。在本发明的粘接片中，所述中间层优选以氧化物系材料为主要材料构成。由此，能够特别提高功能性基板和接合膜之间的接合强度。本发明的接合方法，其特征在于，具有准备工序，准备本发明的粘接片和所述被粘接体；赋予能量的工序，对该粘接片具有的所述接合膜的至少局部区域赋予能量；获得接合体的工序，将所述粘接片和所述被粘接体按照使所述接合膜和所述被粘接体密合的方式粘合。由此，能够在低温下高效地将粘接片和被粘接体接合。本发明的接合方法，其特征在于，具有-准备本发明的粘接片和所述被粘接体的工序；将所述粘接片和所述被粘接体按照使所述接合膜和所述被粘接体密合的方式粘合，获得层叠体的工序；通过对该层叠体中的所述接合膜的至少局部区域赋予能量，将所述粘接片和所述被粘接体接合，获得接合体的工序。由此，能够在低温下高效地将粘接片和被粘接体接合。另外，在层叠体的状态下，由于粘接片和被粘接体之间未接合，因此，在将粘接片和被粘接体重合后，可以容易地微调它们的位置。其结果是能够提高接合膜的表面方向上的位置精度。在本发明的接合方法中，所述能量的赋予优选利用对所述接合膜照射能量线的方法、加热所述接合膜的方法、及将压縮力赋予所述接合膜的方法中至少一个方法进行。由此，可以比较简单地高效地对接合膜赋予能量。在本发明的接合方法中，所述能量线优选为波长126300nrn的紫外线。由此，由于赋予接合膜的能量量可以最佳化，因此，能够使接合膜中的脱离基可靠地脱离。其结果是能够防止接合膜的特性(机械特性、化学特性等)降低，且能够在接合膜上显现粘接性。在本发明的接合方法中，所述加热的温度优选为25~100°C。由此，能够可靠地防止接合体因热而变质、劣化，且能够切实提高接合强度。在本发明的接合方法中，所述压縮力优选为0.210MPa。由此，能够防止压力过高对基板及被粘接体产生损伤等，且能够切实提高接合体的接合强度。在本发明的接合方法中，所述能量的赋予优选在大气气氛中进行。由此，通过控制气氛，不需要花费工时及成本，可以更简单地进行能量的赋予。在本发明的接合方法中，所述被粘接体优选具有预先实施了提高与所述接合膜的密合性的表面处理的表面。所述粘接片优选对实施了所述表面处理的表面按照所述接合膜密合的方式粘合。由此，能够进一步提高粘接片和被粘接体的接合强度。在本发明的接合方法中，所述被粘接体优选预先具有表面，该表面具有选自官能团、自由基、开环分子、不饱和键、卤素及过氧化物构成的组中的至少一种基团或物质，所述粘接片优选对具有所述基团或物质的表面按照所述接合膜密合的方式粘合。由此，能够充分提高粘接片和被粘接体的接合强度。在本发明的接合方法中，优选还具有对所述接合体进行提高其接合强度的处理。由此，能够实现接合体的接合强度进一步提高。在本发明的接合方法中，提高所述接合强度的处理的工序优选利用对所述接合体照射能量线的方法、加热所述接合体的方法、及将压縮力赋予所述接合体的方法中至少一个方法进行。由此，能够实现接合体的接合强度进一步提高。本发明的接合体，其特征在于，具有本发明的粘接片和被粘接体，将它们经由所述接合膜粘接而成。由此，获得粘接片和被粘接体以高的尺寸精度牢固地接合而成的可靠性高的接合体。图1是用于说明本发明的粘接片的图(立体图)；图2是表示本发明的粘接片具备的I构成的接合膜的能量赋予前的状态的局部放大图3是表示本发明的粘接片具备的I构成的接合膜的能量赋予后的状态的局部放大图4是示意性地表示成膜I构成的接合膜时所用的成膜装置的纵剖面图5是表示图4所示的成膜装置具备的离子源构成的示意图；图6是表示本发明的粘接片具备的II构成的接合膜的能量赋予前的状态的局部放大图7是表示本发明的粘接片具备的II构成的接合膜的能量赋予后的状态的局部放大图8是示意性地表示成膜II构成的接合膜时所用的成膜装置的纵剖面图9是用于说明粘接片其它构成的图(立体图)；图10是用于说明用本发明的粘接片接合粘接片和被粘接体的接合方法之第一实施方式的图(纵剖面图)；图11是用于说明用本发明的粘接片接合粘接片和被粘接体的接合方法之第一实施方式的图(纵剖面图)；图12是用于说明用本发明的粘接片接合粘接片和被粘接体的接合方法之第二实施方式的图(纵剖面图)；图13是用于说明用本发明的粘接片接合粘接片和被粘接体的接合方法之第三实施方式的图(纵剖面图)；图14是用于说明用本发明的粘接片接合粘接片和被粘接体的接合方法之第四实施方式的图(纵剖面图)；图15是表示使用本发明的接合体获得的表面声波元件的平面图16是图15所示的表面声波元件的纵剖面图17是表示使用本发明的接合体获得的布线基板的分解立体图。符号说明1、粘接片2、功能性基板25、上面3、3a、接合膜303、脱离基304、活性键3c、间隙35、表面350、规定区域4、被粘接体5、5b、5c、接合体6、掩模61、窗部200、成膜装置211、室212、基板支架215、离子源216、靶217、靶支架219、气体供给源220、第一挡板221、第二挡板230、排气装置231、排气管线232、泵233、阀250、开口253、格网254、格网255、磁铁256、离子发生室257、灯丝260、气体供给装置261、气体供给管线262、泵263、阀264、储气罐410、布线基板412、电极413、绝缘基板414、引线415、电极416、导电层500、成膜装置511、室512、基板支架521、挡板530、排气装置531、排气管线532、泵533、阀560、有机金属材料供给装置561、气体供给管线562、贮存槽563、阀564、泵565、储气罐570、气体供给装置571、气体供给管线573、阀574、泵575、储气罐610、表面声波元件620、基板621、基部622、底层623、压电体层630、IDT(输入侧电极)631、电极指640、IDT(输出侧电极)641、电极指650、绝缘保护膜具体实施例方式下面，基于附图所示的最佳实施方式对本发明的粘接片、接合方法及接合体进行详细地说明。本发明的粘接片具备具有规定功能的功能性基板(以下，有时也简称"基板")和设置于该功能性基板一面的接合膜，与被粘接体(对向基板)粘接(粘合)而使用。该粘接片具备的接合膜具有通过能量的赋予而进行脱离的脱离基，通过对接合膜中至少局部区域的能量赋予，脱离基脱离，从而在该脱离基脱离的区域显现与被粘接体(对向基板)的粘接性。具备具有这种特征的接合膜的粘接片可以高的尺寸精度牢固地、且在低温下高效地与被粘接体接合。而且，通过使用这样的粘接片，可以获得基板和基板牢固地接合而成的可靠性高的接合体。〈第一实施方式〉首先，对本发明的粘接片、将该粘接片和被粘接体(对向基板)接合的接合方法(本发明的接合方法)、及具备本发明的粘接片的接合体的各第一实施方式进行说明。图1是用于说明本发明的粘接片的图(立体图)，图2是表示本发明的粘接片具备的I构成的接合膜的能量赋予前的状态的局部放大图，图3是表示本发明的粘接片具备的I构成的接合膜的能量赋予后的状态的局部放大图，图4是示意性地表示成膜I构成的接合膜时所用的成膜装置的纵剖面图，图5是表示图4所示的成膜装置具备的离子源的构成的示意图，图6是表示本发明的粘接片具备的I构成的接合膜的能量赋予前的状态的局部放大图，图7是表示本发明的粘接片具备的I构成的接合膜的能量赋予后的状态的局部放大图，图8是示意性地表示成膜I构成的接合膜时所用的成膜装置的纵剖面图，图9是用于说明粘接片其它构成的图(立体图)，图10及图11是用于说明用本发明的粘接片接合粘接片和被粘接体的接合方法之第一实施方式的图(纵剖面图)。另外，在下面的说明中，将图1~图11中的上侧称为"上"，将下侧称为"下"。下面，首先对本发明的粘接片的第一实施方式进行说明。在本实施方式中，如图1所示，粘接片具有功能性基板2(也简称"基板2")和设置在功能性基板上(一面)的接合膜3。该粘接片l经由接合膜3将功能性基板2与被粘接体4粘接使用。功能性基板2具有规定功能，在将粘接片1与被粘接体4粘接时，发挥其功能。该基板2只要具有规定功能且具有支承接合膜3的程度的刚性，则由任何材料构成都可以。具体而言，基板2的构成材料例举有聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)等聚烯烃、环状聚烯烃、变性聚烯烃、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸脂、聚-(4-甲基戊烯-l)、离聚物、丙烯酸树脂、聚甲基丙烯酸甲脂、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS树脂)、'丙烯晴-苯乙烯共聚物(AS树脂)、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚甲醛、聚乙烯醇(PVA)、乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)、聚对苯二甲酸乙二醇脂(PET)、聚荼二甲酸乙二醇脂、聚对苯二甲酸丁二醇脂(PBT)、聚对苯二甲酸环己垸对二甲醇酯(PCT)等聚脂、聚醚、聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亚胺、聚縮醛(POM)、聚苯醚、变性聚苯撑氧、聚砜、聚醚砜、聚苯硫、多芳基化合物、芳香族聚脂(液晶聚合物)、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯、其它氟系树脂、苯乙烯系、聚烯烃系、聚氯乙烯系、聚氨脂系、聚脂系、聚酰胺系、聚丁二烯系、反式聚异戊二烯系、含氟橡胶系、氯化聚乙烯系等各种热可塑性弹性体、环氧树脂、酚醛树脂、尿素树脂、密胺甲醛树脂、芳族聚酰胺系树脂、不饱和聚脂、硅酮树脂、聚氨脂等、或以这些为主的共聚物、混合物、聚合物合胶等树脂系材料，Fe、Ni、Co、Cr、Mn、Zn、Pt、Au、Ag、Cu、Pd、Al、w、Ti、V、Mo、Nb、Zr、Pr、Nd、Sm那样的金属、或含这些金属的合金、碳素钢、不锈钢、铟锡氧化物(ITO)、砷化镓那样的金属系材料，Si、Ge、InP、GaPN那样的半导体系材料，单晶硅、多晶硅、非晶硅、聚硅那样的硅系材料，硅酸玻璃(石英玻璃)、硅酸碱玻璃、钠钙玻璃、铅(碱)玻璃、钡玻璃、硼硅酸玻璃那样的玻璃系材料，氧化铝、氧化锆、铁素体、羟基磷灰石、氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化钛、碳化硅、碳化硼、碳化钛、碳化钨那样的陶瓷系材料，石墨那样的碳系材料，或将这些材料中一种或二种以上组合的复合材料等，另外，基板2也可以对其表面实施镀镍那样的电镀处理、铬酸盐光泽处理那样的钝态化处理、或氮化处理等。由以上那样的材料构成的基板2具有布线、电极、端子、电路、半导体电路、电波的收发信部、光学元件、功能性薄膜及显示体中一个或两个以上的功能。其中，作为电波的收发信部，例举有具备例如RFID(RadioFrepoencyIdentification)电缆接头的天线部等。作为光学元件，例举有例如光学滤光器、反射镜、半透明反射镜、射束分裂器、偏振光板(偏光镜)及透旋光板(透旋光镜)等。作为功能性薄膜，例举有例如相对于下述的被粘接体4的保护薄膜、防水薄膜、气体阻挡薄膜、隔热薄膜(隔热层)、传热薄膜(传热层散热器)、用于调节色调的薄膜及用于调节滑动性(摩擦系数)薄膜等。在本实施方式中，如图1所示，基板2的形状成片状(板状〉。成这种形状的基板2能够比较容易地与被粘接体4进行粘接(粘附)。另外，该基板2优选具有挠性。由此，即使被粘接体4的粘接粘接片1面不由弯曲的平面构成，也能够使粘接片追随该进行粘接的面的形状变形。另外，被粘接体4成板状，即使在将粘接片1横跨该被粘接体4的表面和背面双方进行粘接的情况下，也能够将粘接片l通过弯曲粘附在被粘接体4的表面及背面双方。另外，具有挠性的基板2也可以具有塑性变形、或具有弹性变形任一种，但优选具有弹性变形。由此，例如，即使作为被粘接体4在粘接粘接片l后重复变形使用，粘接片1也不会产生疲劳破坏，也能对应被粘接体4的形状进行变形。另外，在基板2具有挠性的情况下，基板2的平均厚度不作特别限定，但优选0.0110mm程度，更优选0.13mm程度。接合膜3在将粘接片1与被粘接体4粘接时，位于功能性基板2和被粘接体(对向基板)4之间，且承担这些基板2和被粘接体4的接合。通过该接合膜3相对于其至少局部区域即平面看的接合膜的全面或局部区域的能量的赋予，接合膜3的表面附近存在的脱离基303进行脱离(参照图2)。并且，这种接合膜3通过脱离基303的脱离，在其表面的赋予能量的区域显现与被粘接体4的粘接性。在本发明的粘接片l中，主要在该接合膜3的构成方面具有特征，具体而言，作为接合膜3，采用下面那种第I或第II的构成。下面，分别对i及n构成的接合膜3进行详述。I-首先，I构成的接合膜3设置在基板2上，且含有金属原子、与该金属原子结合的氧原子、与这些金属原子及氧原子中至少一方结合的脱离基303(参照图2)。换言之，可以说接合膜3将脱离基303导入由金属氧化物构成的金属氧化物膜。这种接合膜3当赋予能量时，脱离基303自接合膜3(金属原子及氧原子中至少一方)脱离，如图3所示，在接合膜3的至少表面35的附近产生活性键304。并且，由此在接合膜3表面显现粘接性。表现这样的粘接性时，具备接合膜3的粘接片1对被粘接体4以高的尺寸精度牢固地高效地可接合。另外，接合膜3为由金属原子、与该金属原子结合的氧原子构成的膜，即脱离基303与金属氧化物结合的膜，因此，为难以变形的强固的膜。因此，接合膜3自身尺寸精度高，且可将粘接片1与被粘接体4粘接。即使在下述的接合体5中，也可获得尺寸精度高的接合体。另外，接合膜3为不具有流动性的固体状。因此，与至今使用的具有流动性的液体状或粘液状(半固体状)的粘接剂相比，粘接层(接合膜3)的厚度及形状几乎没有变化。因而，用粘接片1获得的接合体5的尺寸精度与现有相比格外地高。另外，由于不需要粘接剂的硬化所需要的时间，因此，在短时间内可达到强固的接合。另外，在本发明中，在将接合膜3作成I构成的膜的情况下，接合膜3优选具有导电性。由此，在下述的接合体5中，可以将接合膜3作为电连接功能性基板2和被粘接体4的端子使用。另外，接合膜3优选具有透光性。由此，可以将本发明的接合体5应用在光学元件等的需要透光性的领域。另外，脱离基303只要至少在接合膜3的表面35附近存在即可，可以在接合膜3的大致整体存在，也可以在接合膜3的表面35附近偏在。另外，通过脱离基303在接合膜3的表面35附近偏在的构成，可以对接合膜3最佳地发挥作为金属氧化物膜的功能。即，在接合膜3上，除作为接合膜的功能之外，也取得能够最佳地赋予作为导电性及透光性等特性优异的金属氧化物膜的功能的优点。按照最佳地发挥以上那种接合膜3的功能的方式选择金属原子。具体而言，作为金属原子，不作特别限定，例举有例如Li、Be、B、Na、Mg、Al、K、Ca、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Sn、Sb、Cs、Ba、La、Hf、Ta、W、Ti及Pb等。其中，优选In(铟)、Sn(锡)、Zn(锌)、Ti(钛)及Sb(锑)中一种或将两种以上组合使用。将接合膜3作成含有这些金属原子的膜，即作成将脱离基303导入含有这些金属原子的金属氧化物的膜，由此接合膜3发挥优异的导电性和透明性。更具体而言，作为金属氧化物，例举有例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锑锡氧化物(ATO)、含氟铟锡氧化物(FTO)、氧化锌(ZnO)及二氧化钛(Ti02)等。另外，作为金属氧化物，在使用铟锡氧化物(ITO)的情况下，铟和锡的原子比(铟/锡比)优选99/1-80/20，更优选97/3~85/15。由此，能够更显著地发挥上述的效果。另外，接合膜3中的金属原子和氧原子的存在比优选3:7~7:3程度，更优选4:6~6:4程度。将金属原子和氧原子的存在比设定在上述范围内，由此能够提高接合膜3的稳定性，且能够将粘接片1和被粘接体4更牢固地接合。另外，如上所述，脱离基303自金属原子及氧原子中至少一方脱离，由此进行作用以使接合膜3上产生活性键。因此，在通过对脱离基303赋予能量而比较简单地且均匀地进行脱离的脱离基未赋予能量时，以不脱离的方式可靠地与接合膜3结合是最佳的选择。从这样的观点看，对于脱离基303，最佳地使用氢原子、碳原子、磷原子、硫黄原子及卤原子、或由这些原子构成的原子团中至少一种。这样的脱离基303在能量的赋予发生的结合/脱离的选择性上比较优异。因此，这种脱离基303能充分满足上述的需要性，能够将粘接片1的粘接性作成更高级。另外，作为由上述各原子构成的原子团(基)，例举有例如甲(垸)基、乙(烷)基那样的烷基、甲氧基、乙氧基那样的垸氧基、羧基、氨基及磺酸基等。在以上那样的各原子及原子团中，在I构成的接合膜3中，脱离基303也特别优选氢原子。由氢原子构成的脱离基303化学稳定性高，因此，具备氢原子作为脱离基303的接合膜3耐风化性及耐药品性优异。考虑以上的情况时，作为接合膜3，最好选择将氢原子作为脱离基303导入铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锑锡氧化物(ATO)、含氟铟锡氧化物(FTO)、氧化锌(ZnO)及二氧化钛(Ti02)的金属氧化物。这样的构成的接合膜3其自身具有优异的机械特性。另外，对许多材料显示特别优异的粘接性。因此，这种接合膜3能够与基板2特别牢固地粘接，并且即使对被粘接体4也表现特别强的粘附力，其结果是能够将基板2和被粘接体4牢固地接合。另夕卜，接合膜3的平均厚度优选11000nm程度，更优选2~800nm程度。通过使接合膜3的平均厚度在上述范围内，能够防止接合粘接片l和被粘接体4的接合体5的尺寸精度显著降低，且能够更牢固地将它们接合。艮口，在接合膜3的平均厚度低于上述下限值的情况下，可能不能获得足够的接合强度。另一方面，在接合膜3的平均厚度超过上述上限值的情况下，接合体5的尺寸精度可能会显著降低。另外，只要接合膜3的平均厚度在上述范围内，即可确保接合膜3上的某程度的形状追随性。因此，例如在基板2的接合面(与接合膜3邻接的面)内存在有凹凸的情况下，也能够使接合膜3以根据其凹凸的高度而追随凹凸的形状的方式粘附。其结果是接合膜3能够吸收凹凸且能够缓和产生于其表面的凹凸的高度。而且，在将粘接片1和被粘接体4粘合时，能够提高接合膜3对被粘接体4的密合性。另外，上述那样的形状追随性的程度随着接合膜3的厚度越厚越显著。因此，为了充分确保形状追随性，只要使接合膜3的厚度尽量厚即可。如上所述的接合膜3在接合膜3的大致整体存在脱离基303的情况下，例如I一A在含有构成脱离基303的原子成分的气氛下，利用物理性气相成膜法，可以通过将含有金属原子和氧原子的金属氧化物材料进行成膜而形成。另外，在脱离基在接合膜3的表面35附近偏在的情况下，例如I一B成膜含有金属原子和上述氧原子的金属氧化物膜后，可以通过将脱离基303导入含于该金属氧化物膜的表面附近的金属原子及氧原子中至少一方而形成。下面，对用I一A及I一B的方法成膜接合膜3的情况进行详述。I一A:在I一A的方法中，如上所述，接合膜3在含有构成脱离基303的原子成分的气氛下，利用物理性气相成膜法(PVD法)，通过将含有金属原子和氧原子的金属氧化物材料进行成膜而形成。这样，只要为使用PVD法的构成，则在使金属氧化物材料向基板2渐近时，能够比较容易地将脱离基303导入金属原子及氧原子中至少一方，因此，能够将脱离基303遍及接合膜3的大致整体而导入。另外，根据PVD法，能够高效地成膜致密且均质的接合膜3。由此，用PVD法成膜的接合膜3能与被粘接体4特别牢固地接合。另外，用PVD法成膜的接合膜3能比较长时间地维持赋予能量而活性化的状态。因此，能够实现接合体5的制造过程的简化、有效化。另外，作为PVD法，例举有真空蒸镀法、溅射法、离子镀膜法、激光烧蚀沉积法等，但其中优选采用溅射法。根据溅射法，不会割断金属原子和氧原子的结合，在含有构成脱离基303的原子成分的气氛中，能够撞击出金属氧化物的粒子。并且，在撞击出金属氧化物的粒子的状态下，可以使其与含有构成脱离基303的原子成分的气体接触，因此，能够更圆滑地进行脱离基303导入金属氧化物(金属原子或氧原子)。下面，作为由PVD法成膜接合膜3的方法，以利用溅射法(离子束溅射镀膜法)成膜接合膜3的情况为代表进行说明。首先，为了说明接合膜3的成膜方法，先对在基板2上利用离子束溅射镀膜法成膜接合膜3时所使用的成膜装置200进行说明。图4所示的成膜装置200按照离子束溅射镀膜法的接合膜3的形成在室(装置)内进行的方式进行构成。具体而言，成膜装置200具有室(真空室)211、基板支架(成膜对象保持部)212、离子源(离子供给部)215、靶支架(靶保持部)217，其中，基板支架(成膜对象保持部)212设置在该室211内保持基板2(成膜对象物)；离子源(离子供给部)215设置在室211内向室211内照射离子束B;靶支架(靶保持部)217保持通过照射离子束B使含有金属原子和氧原子的金属氧化物(例如，ITO)产生的靶(金属氧化物材料)216。另外，室211具有供给含有构成脱离基303的原子成分的气体(例如，氢气)的气体供给装置260、在室211内进行排气并控制压力的排气装置230。另外，在本实施方式中，基板支架212安装在室211的天井部。该基板支架212可转动。由此，能够以均质且均匀的厚度成膜接合膜3。如图5所示，离子源(离子枪)215具有形成有开口(照射口)250的离子发生室256、设置在离子发生室256内的灯丝257、格网253、254、设置在离子发生室256的外侧的磁铁255。另外，如图4所示，向其内部供给气体(溅射用气体)的气体供给源219与离子发生室256连接。在该离子源215中，在离子发生室256内，在自气体供给源219供给气体的状态下，将灯丝257通电加热时，自灯丝257发射电子，被发射的电子通过磁铁255的磁场进行运动并与供给于离子发生室256内的气体分子碰撞。由此，气体分子进行离子化。该气体的离子I+利用格网253和格网254之间的电压梯度从离子发生室256内引出并进行加速，经由开口250作为离子束B自离子源215发射(照射)。自离子源215照射的离子束B与靶216的表面碰撞并从靶216上撞击出粒子(溅射粒子)。该靶216由上述的金属氧化物材料构成。在该成膜装置200中，离子源215以其开口位于室211内的方式固定(设置)于室211的侧壁。另外，离子源215也可以构成为配置在远离室211的位置，通过连接部与室211连接，但是，通过作成本实施方式那样的构成，能够实现成膜装置200的小型化。另外，离子源215的设置方式为其开口250向与基板支架212不同的方向，在本实施方式中，向室211的底部侧。另外，离子源215的设置个数不局限于一个，也可以作成多个。通过设置多个离子源215，可以使接合膜3的成膜速度更快。另外，在耙支架217及基板支架212的附近分别配设有能够覆盖它们的第一挡板220及第二挡板221。这两个挡板220、221分别用于防止靶216、基板2及接合膜3暴露于无用的气氛等。另外，排气装置230由泵232、将泵232和室211连通的排气管线231、设置在排气管线中途的阀233构成，可以将室211内减压到要求的压力。另外，气体供给装置260由储气罐264、气体供给管线261、泵262、阀263构成，其中，储气罐264贮存含有构成脱离基303的原子成分的气体(例如，氢气)；气体供给管线261将该气体自储气罐264导入室211;泵262设置在气体供给管线261的中途，可将含有构成脱离基303的原子成分的气体供给到室211内。用如上构成的成膜装置200，如下所述，在基板2上形成接合膜3。首先，准备功能性基板2，将该基板2搬入成膜装置200的室211内且安装(固定)在基板支架212上。接着，通过使排气装置230工作即在使泵232工作的状态下开启阀233，使室211内成为负压状态。该负压的程度(真空度)不作特别限定，但优选为1X10—7~1X10—4Torr程度，更优选为1X10—6~1X10—5Torr程度。另外，通过使气体供给装置260工作即在使泵262工作的状态下开启阀263，向室211内供给含有构成脱离基303的原子成分的气体。由此，能够将室内设为含有这样的气体的气氛下(氢气气氛下)。含有构成脱离基303的原子成分的气体的流量优选为l-100ccm程度，更优选为1060ccm程度。由此，能够可靠地将脱离基303导入金属原子和氧原子中至少一方。另外，室211内的温度只要在25。C以上即可，但优选为25-100。C程度。通过设定在这样的范围内，能够高效地进行金属原子或氧原子与含有上述原子成分的气体的反应，能够可靠地将含有上述原子成分的气体导入金属原子及氧原子。接着，打开第二挡板221，再使第一挡板220成为开的状态。在该状态下，将气体导入离子源215的离子发生室256内，并且对灯丝257通电并进行加热。由此，从灯丝257上发射电子，通过气体分子与该发射的电子碰撞，气体分子进行离子化。该气体的离子I+利用格网253和格网254进行加速，从离子源215发射且与由阴极材料构成的靶216碰撞。由此，从靶216上撞击出金属氧化物(例如，ITO)的粒子。这时，室211内为包含含有构成脱离基303的原子成分的气体的气氛下(例如，氢气气氛下)，因此，在室211内，脱离基303导入撞击出的粒子所包含的金属原子及氧原子内。而且，通过导入有该脱离基303的金属氧化物粘附在基板2上，形成接合膜3。另外，在本实施方式中说明的离子束溅射镀膜法中，在离子源215的离子发生室256内，进行放电且产生电子e_，但该电子e—利用格网253进行屏蔽，从而防止向室211内发射。另外，由于离子束B的照射方向(离子源215的开口250)朝向靶216(与室211的底部侧不同的方向)，因此，能够更可靠地防止在离子发生室256内产生的紫外线照射到已成膜的接合膜3上，且能够可靠地防止在接合膜3的成膜中导入的脱离基303脱离。如上所述，能够遍及厚度方向的大致整体而成膜存在有脱离基303的接合膜3。I一B:另外，在I一B的方法中，接合膜3通过成膜含有金属原子和氧原子的金属氧化物膜后将脱离基303导入该金属氧化物膜的表面附近所包含的金属原子及氧原子中至少一方而形成。根据这样的方法，可以用比较简单的工艺，使脱离基303在偏在的状态下导入金属氧化物膜的表面附近，能够形成作为接合膜及金属氧化物膜这双方的特性优异的接合膜3。在此，金属氧化物膜用任何方法成膜都可以，可以利用例如PVD法(物理性的气相成膜法)、CVD法(化学性的气相成膜法)、离子体聚合法那样的各种气相成膜法及各种液相成膜法等成膜，但其中优选利用PVD法成膜。根据PVD法，能够高效地成膜致密且均质的金属氧化物膜。另外，作为PVD法，例举有真空蒸镀法、溅射法、离子镀膜法及激光烧蚀沉积法，但其中优选使用溅射法。根据溅射法，由于能够在气氛中撞击出金属氧化物的粒子并供给到基板2上，因此，能够成膜特性优异的金属氧化物膜。另外，作为将脱离基303导入金属氧化物膜的表面附近的方法，使用有各种方法，例举有例如I一B1:在含有构成脱离基303的原子成分的气氛下，将金属氧化物膜进行热处理(退火)的方法；I一B2:离子注入法等，但其中特别优选I一B1的方法。根据I一B1的方法，能够比较容易地将脱离基303选择性地导入金属氧化物膜的表面附近。另外，通过适当设定实施热处理时的气氛温度及处理时间等处理条件，能够可靠地进行导入的脱离基303的量、还有导入脱离基303的金属氧化物膜的厚度的控制。下面，以利用溅射法(离子束溅射镀膜法)将金属氧化物膜成膜，然后，通过在含有构成脱离基303的原子成分的气氛下将获得的金属氧化物膜进行热处理而获得接合膜3的情况为代表进行说明。另外，用I一B的方法成膜接合膜3时也使用有和用I一A的方法成膜接合膜3时所使用的成膜装置200相同的成膜装置，因此，省略关于成膜装置的说明。首先，准备功能性基板2。而后，将该基板2搬入成膜装置200的室211内且安装(固定)在基板支架212上。接着，通过使排气装置230工作，即在使泵232工作的状态下打开阀233，而使室211内成为负压状态。该负压的程度(真空度)不作特别限定，但优选为1X10—7~1X10—4Toit程度，更优选为lX10_6~lX10_5Torr程度。另外，此时，使加热装置工作，将室211内进行加热。室211内的温度只要在25'C以上即可，但优选为2510(TC程度。通过设定在这样的范围内，能够成膜膜密度高的金属氧化物膜。接着，打开第二挡板221，再使第一挡板220成为开的状态。在该状态下，将气体导入离子源215的离子发生室256内，并且对灯丝257通电并进行加热。由此，从灯丝257上发射电子，通过气体分子与该发射的电子碰撞，气体分子进行离子化。该气体的离子I+利用格网253和格网254进行加速，且从离子源215发射且与由阴极材料构成的靶216碰撞。由此，从靶216上撞击出金属氧化物(例如，ITO)的粒子且粘附在基板2上，从而形成含有金属原子和与该金属原子结合的氧原子的金属氧化物膜。另外，在本实施方式中说明的离子束溅射镀膜法中，在离子源215的离子发生室256内，进行放电且产生电子e—，但该电子f利用格网253进行屏蔽，从而防止向室211内发射。另外，由于离子束B的照射方向(离子源215的开口250)朝向靶216(与室211的底部侧不同的方向)，因此，能够更可靠地防止在离子发生室256内产生的紫外线照射到已成膜的接合膜3上，且能够可靠地防止在接合膜3的成膜中导入的脱离基303脱离。其次，在打开第二挡板221的状态下，关闭第一挡板220。在该状态下，使加热装置工作，将室211内进行加热。室211内的温度设定为向金属氧化物膜的表面可高效地导入脱离基303的温度，优选为10060(TC程度，更优选15030(TC程度。通过设定在这样的范围内，在下道工序中，不会使基板2及金属氧化物膜变质、劣化，能够将脱离基303高效地导入金属氧化物膜的表面。接着，使气体供给装置260工作，即在使泵262工作的状态下打开阀263，由此将含有构成脱离基303的原子成分的气体供给到室211内。由此，可以将室211内作成含有这样的气体的气氛下(氢气气氛下)。这样，在上道工序中，在加热室211内的状态下，当将室211内作成含有构成脱离基303的原子成分的气体的气氛下(例如，氢气气氛下)时，将脱离基303导入金属氧化物膜的表面附近存在的金属原子及氧原子中至少一方，从而形成接合膜3。含有构成脱离基303的原子成分的气体的流量优选为l-100ccm程度，更优选为1060ccm程度。由此，能够可靠地将脱离基303导入到金属原子及氧原子中至少一方。另外，在上述工序中，室211内优选维持通过使排气装置230工作进行调节的负压状态。由此，能够更圆滑地进行脱离基303对金属氧化物膜的表面附近的导入。另外，仍然维持上述工序的负压状态，在本工序中，通过将室211内作成负压的构成，节省再次进行负压的工时，因此，也得到能够实现削减成膜时间及成膜成本等这种优点。该负压的程度(真空度)不作特别限定，但优选为1X10—7~1X10—4TOit程度，更优选为1X10—61X10—5Torr程度。另外，实施热处理的时间优选为15~120分钟程度，更优选为30~60分钟程度。根据导入的脱离基303的种类等也不同，但通过将实施热处理的条件(室211内的温度、真空度、气体流量、处理时间)设定在上述范围内，能够选择性地将脱离基303导入金属氧化物膜的表面附近。如上所述，能够成膜脱离基303在表面35附近偏在的接合膜3。II-其次，1I构成的接合膜3设置在基板2上且含有金属原子和由有机成分构成的脱离基303(参照图6)。这种接合膜3在赋予能量时，脱离基303从接合膜3中至少表面35附近脱离，如图7所示，活性键304在接合膜3中至少表面35附近产生。而且，由此粘接性表现在接合膜3的表面。当表现这样的粘接性时，具备接合膜3的粘接片1可对被粘接体4以高的尺寸精度牢固地高效地接合。另外，接合膜3为含有金属原子和由有机成分构成的脱离基303的膜，即为有机金属膜，因此成为难变形的强固的膜。因此，接合膜3自身尺寸精度高，即使在将粘接片1与被粘接体4粘接而获得的下述的接合体5中也可获得尺寸精度高的接合体。这种接合膜3成不具有流动性的固体状。.因此，与至今所使用的具有流动性的液体状或粘液状(半固体状)的粘接剂相比，粘接层(接合膜3)厚度及形状几乎没有变化。因而，用粘接片获得的接合体5尺寸精度与现有相比，格外地高。另外，因不需要粘接剂硬化需要的时间，所以可在短时间内牢固地粘合。另外，在本发明中，在将接合膜3作成II构成的膜的情况下，接合膜3优选具有导电性。由此，在下述的接合体中，可以将接合膜3作为将功能性基板2和被粘接体4进行电连接的端子等使用。以最佳地发挥作为以上那种接合膜3的功能的方式选择金属原子及脱离基303。具体而言，作为金属原子，例举有例如Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、各种镧系元素、各种锕系元素那样的过渡金属元素、Li、Be、Na、Mg、Al、K、Ca、Zn、Ga、Rb、Sr、Cd、In、Sn、Sb、Cs、Ba、Ti、Pd、Bi、Po那种典型金属元素等。在此，过渡金属元素在过渡金属元素间只存在最外层电子数不同的差异，因此，物理性类似。而且，通常，过渡金属硬度及熔点高且电传导性及热传导性高。因此，用过渡金属元素作金属原子的情况下，能够进一步提高接合膜3所表现的粘接性。另外，与此同时，能够进一步提高接合膜3的导电性。另外，在将Cu、Al、Zn及Fe中的一种或两种以上组合用作金属原子的情况下，接合膜3发挥优异的导电性。另外，在用下述的有机金属化学气相成长法成膜接合膜3的情况下，将含有这些金属的金属络合物等作原材料用，能够比较容易且成膜均匀的膜厚的接合膜3。另外，如上所述，脱离基303通过自接合膜3脱离，在接合膜3上作用以使活性键产生。因此，在通过对脱离基303赋予能量而比较简单地且均匀地脱离的未赋予能量时，与接合膜3可靠地结合以使其不脱离是最佳的选择。具体而言，在II构成的接合膜3中，最好选择以碳原子为必需成分，且含有氢原子、氮原子、磷原子、硫原子及卤原子中至少一种的原子团作为脱离基。这样的脱离基303在赋予能量的结合/脱离的选择性上比较优异。因此，这样的脱离基303能充分满足上述的必需性，能够将粘接片l的粘接性作成更高级。更具体而言，作为原子团(基)，例举有例如甲(垸)基、乙(烷)基那样的烷基、甲氧基、乙氧基那样的烷氧基、除羧基之外，上述烷基的末端以异氰酸盐基、氨基及磺酸基等作终端的基。在上述的原子团中，脱离基303特别优选烷基，由烷基构成的脱离基303化学稳定性高，因此，具备垸基作脱离基303的接合膜3耐风化性及耐药品性优异。另外，在如此构成的接合膜3中，金属原子和氧原子的存在比优选为3:7~7:3程度，更优选为4:66:4程度。通过设定金属原子和氧原子的存在比以使其达到上述范围内，可以提高接合膜3的稳定性，且能够将粘接片1和被粘接体4更牢固地接合。另外，能够使接合膜3发挥优异的导电性。另外，接合膜3的平均厚度优选为11000nm程度，更优选为50800nrn程度。通过使接合膜3的平均厚度在上述范围内，能够防止将粘接片1和被粘接体4接合的接合体5的尺寸精度显著降低，且能够据此而牢固地接艮P，在接合膜3的平均厚度低于上述下限值的情况下，可能得不到足够的接合强度。另一方面，在接合膜3的平均厚度大于上述上限值的情况下，接合体5的尺寸精度有可能会显著降低。另外，只要接合膜3的平均厚度在上述范围内，即可在接合膜3上确保某程度的形状追随性。因此，例如，即使在基板2的接合面(与接合膜3邻接的面)内存在有凹凸的情况下，也能够以按照其凹凸的高度而追随凹凸的形状的方式粘附接合膜3。其结果是接合膜3能够吸收凹凸且能够缓和产生于其表面的凹凸的高度。并且，在粘接片1和被粘接体4粘合时，能够提高接合膜3与被粘接体4的密合性。另外，上述那种形状追随性的程度随着接合膜3的厚度越厚越显著。因此，为了充分确保形状追随性，只要使接合膜3的厚度尽量厚即可。如上所述的接合膜3用任何方法成膜都可以，例举有例如II一A:在由金属原子构成的金属膜上，将含有脱离基(有机成分)303的有机物赋予金属膜的大致整体而形成接合膜3的方法，II一B:在由金属原子构成的金属膜上，将含有脱离基(有机成分)303的有机物选择性地赋予(化学修饰)金属膜的表面附近而形成接合膜3的方法，II一C:以具有金属原子和含有脱离基303的有机物的有机金属材料为原材料，用有机金属化学气相成长法形成接合膜3的方法。其中优选利用II一C的方法成膜接合膜3。根据这样的方法，能够以比较简单的工序形成均匀的膜厚的接合膜。下面，以利用II—C的方法即以具有金属原子和含有脱离基303的有机物的有机金属材料为原材料，用有机金属化学气相成长法形成接合膜3的方法而获得接合膜3的情况为代表进行说明。首先，为了说明接合膜3的成膜方法，先对成膜接合膜3时所使用的成膜装置500进行说明。图8所示的成膜装置500的构成方式为在室511内进行有机金属化学气相成长法(以下，有时也简称为"MOCVD法")的接合膜3的形成。具体而言，成膜装置500具有室(真空室)511、设置在该室511内保持基板2(成膜对象物)的基板支架(成膜对象物保持部)512、将气化或雾化的有机金属材料供给到室511内的有机金属材料供给装置560、供给用于将室511内作成低还原性气氛下的气体的气体供给装置570、进行室511内的排气并控制压力的排气装置130、加热基板支架512的加热装置(未图示)。在本实施方式中，基板支架512安装在室511的底部。该基板支架512通过电动机的工作可转动。由此，能够在基板2上以均质且均匀的厚度成膜接合膜。另外，在基板支架512的附近分别配设有能够覆盖这些的挡板521。该挡板521用于防止基板2及接合膜3暴露于不需要的气氛等中。有机金属材料供给装置560与室511连接。该有机金属材料供给装置560由贮存槽562、储气罐565、气体供给管线561、泵564、阀563构成，其中，贮存槽562贮存固体状的有机金属材料；储气罐565贮存向室511内输送气化或雾化的有机金属材料的载体气体；气体供给管线561将载体气体和气化或雾化的有机金属材料导入室511内；泵564设置在气体供给管线561的中途。在如此构成的有机金属材料供给装置560中，贮存槽562具有加热装置，通过该加热装置的工作，可以将固体状的有机金属材料加热气化。因此，在开启阀563的状态下，当使泵564工作将载体气体自储气罐565供给到贮存槽562内时，与该载体气体一起气化或雾化的有机金属材料通过供给管561供给到室511内。另外，作为载体气体，不作特别限定，最佳地使用氮气、氩气及氦气等。另外，在本实施方式中，气体供给装置570与室511连接。气体供给装置570由储气罐575、气体供给管线571、泵574及阀573构成，其中，储气罐575贮存用于使室511内成为低还原性气氛下的气体；气体供给管线571将用于成为上述低还原性气氛下的气体导入室511内；泵574设置在气体供给管线571的中途。在如此构成的气体供给装置570中，在打开阀573的状态下，当使泵574工作时，用于成为上述低还原性气氛下的气体从储气罐575经由供给管571供给到室511内。通过如此构成气体供给装置570，能够使室511内可靠地对有机金属材料设为低还原的气氛。其结果是在以有机金属材料为原材料且用MOCVD法成膜接合膜3时，在残留有有机金属材料所含的有机成分中至少一部分作为脱离基303状态下，成膜接合膜3。作为使室511内成为低还原性气氛下的气体，不作特别限定，例举有例如氮气及氦、氩、氙那样的惰性气体等，可以将其中一种或两种以上组合使用。另外，在用下述的2、4—戊二酮(《>夕y、才冬一卜)一铜(II)及{Cu(hfac)(VTMS)}等分子结构中含有氧原子的材料作为有机金属材料的情况下，优选在用于成为低还原性气氛下的气体中添加氢气。由此，可以提高相对于氧原子的还原性，且可以按照在接合膜中不残留有多余的氧原子的方式成膜接合膜3。其结果是该接合膜3其膜中的金属氧化物的存在率低，且可发挥优异的导电性。另外，在用上述的氮气、氩气及氦气中至少一种作为载体气体的情况下，在该载体气体中，也可以发挥作为用于成为低还原性气氛下的气体的功能。另外，排气装置530由泵532、排气管线531、阀533构成，其中，排气管线531将泵532和室511连通；阀533设置在排气管线531的中途，能够将室511内减压到要求的压力。用上述构成的成膜装置500，利用MOCVD法，如下所述，在基板2上形成接合膜3。首先，准备功能性基板2。并且，将该基板搬入成膜装置500的室511内且安装(固定)在基板支架512上。接着，使排气装置530工作，即在使泵532工作的状态下开启阀533，由此使室511内成为负压状态。该负压的程度(真空度)不作特别限定，但优选为1X10—7~1X10—4Torr程度，更优选为1X10—6~1X10_5Torr程度。另外，使气体供给装置570工作，即在使泵574工作的状态下开启阀573，由此向室511内供给用于成为低还原气氛下的气体，从而使室511内成为低还原气氛下。由此，气体供给装置570的上述气体的流量不作特别限定，但优选0.110sccm程度，更优选0.55sccm程度。另外，此时使加热装置工作，加热基板支架512。基板支架512的温度根据形成的接合膜3的种类即形成接合膜3时所用的原材料的种类也稍有不同，但优选8(TC30(TC程度，更优选10(TC275。C程度。通过设定在如此范围内，能够由有机金属材料成膜具有优异的粘接性的接合膜3。接着，使挡板521成为开的状态。并且，使贮存固体状有机金属材料的贮存槽562具备的加热装置工作，由此在使有机金属材料氧化的状态下，使泵564工作，同时打开阀563，由此将气化或雾化的有机金属材料和载体气体一起导入室内。这样，在上述工序中，在加热基板支架512的状态下，在向室511内供给气化或雾化的有机金属材料时，在基板2上加热有机金属材料，由此，在残留有有机金属材料中所含的有机物的一部分的状态下，能够在基板2上形成接合膜3。艮P，根据MOCVD法，只要按照残留有有机金属材料中所含的有机物的一部分的方式形成含有金属原子的膜，就能够在基板2上形成该有机物的一部分作为脱离基303发挥功能的接合膜3。作为用于这种MOCVD法的有机金属材料，不作特别限定，例举有例如2、4—戊二酮一铜(11)、3(8-喹啉)铝(Alq3)、3(4-甲基-8喹啉)铝(III)(Alq2)、(8-羟基喹啉)锌(Znq2)、酞青铜、Cu(六氟乙酰乙酰)、(乙烯三甲基硅烷)(Cu(hfac)(VTMS)}、Cu(六氟乙酰乙酰)(2-甲基-l-己烯-3-盐){Cu(hfac)(MHY)}、Cu(全氟乙酰乙酰)(乙烯三甲基硅烷)(Cu(hfac)(VTMS)}、Cu(全氟乙酰乙酰)(2-甲基-1-己烯-3-盐)(Cu(hfac)(MHY))那样的金属络合物、三甲基钾、三甲基铝、二乙锌那样的垸基金属及其衍生物等。其中，作为有机金属材料，优选金属络合物。通过使用金属络合物，能够在残留有金属络合物中所含有机物的一部分的状态下，可靠地形成接合膜3。另外，在本实施方式中，通过使气体供给装置570工作，使室511内成为低还原性气氛下，但是，在这种气氛下，不会在基板2上形成纯粹的金属膜，而是可以在残留有有机金属材料中所含的有机物的一部分的状态下进行成膜。即，能够形成作为接合膜及金属膜双方的特性都优异的接合膜3。气化或雾化的有机金属材料的流量优选0.1~100ccm程度，更优选0.560ccm程度。由此，能够在以均匀的膜厚且残留有有机金属材料中所含的有机物的一部分的状态下，成膜接合膜3。如上所述，在成膜接合膜3时，通过将残留在膜中的残留物作为脱离基303的构成，可以不需要将脱离基导入已形成的金属膜等，能够以比较简单的工序成膜接合膜3。另外，可以使残留在有机金属材料形成的接合膜3中的上述有机物的全部作为脱离基303发挥功能，也可以使其一部分作为脱离基303发挥功能。如上所述能够在功能性基板2上成膜接合膜3。另外，在基板2的至少需形成接合膜3的区域，为了利用上述方法形成接合膜3，优选先根据基板2的构成材料，预先实施提高基板2和接合膜3的密合性的表面处理。作为这样的表面处理，例举有例如溅射处理、喷丸处理那样的物理性的表面处理、用氧等离子体、氮等离子体等的等离子体处理，电晕放电处理、酸浸处理、电子线照射处理、紫外线照射处理、臭氧暴露处理那样的化学性的表面处理、或使这些组合的处理等。通过实施这样的处理，能够净化基板2的需形成接合膜3的区域，同时使该区域活性化。由此，能够提高接合膜3和基板2的接合强度。另外，通过在这些表面处理中也使用等离子体处理，而形成接合膜3，因此，尤其能够将基板2的表面最佳化。另外，在实施表面处理的基板2的表面由树脂材料(高分子材料)构成的情况下，尤其适合使用电晕放电处理、氮等离子体处理等。另外，即使根据基板2的构成材料实施上述那样的表面处理，接合膜3的接合强度也可充分提高。作为获得这种效果的基板2的构成材料，例举有例如以上述那样的各种金属系材料、各种硅系材料、各种玻璃系材料等为主要材料的材料。由这种材料构成的基板2其表面由氧化膜覆盖，比较活性的高的羟基与该氧化膜的表面结合。因此，在使用由这种材料构成的基板2时，即使不实施上述那样的表面处理，也能够牢固地将粘接片1(接合膜3)与被粘接体4接合。另外，该情况下，也可以由上述那样的材料不构成基板2的整体，只要至少形成接合膜3的区域的表面附近由上述那样的材料构成即可。另外，也可以在基板2的至少需形成接合膜3的区域，预先形成中间层以代替表面处理。该中间层具有任何功能都可以，不作特别限定，但优选具有例如提高与接合膜3的密合性的功能、缓冲性(缓冲功能)、缓和应力集中的功能、成膜接合膜3时促进接合膜3的膜成长的功能(强化层)、保护接合膜3的功能(壁垒层)等。通过这种中间层，能够将基板2和接合膜3粘合，且能够得到可靠性高的接合体。作为该中间层的构成材料，例举有例如铝、钛、钨、铜及其合金等金属系材料、金属氧化物、金属氮化物、硅氧化物那样的氧化物系材料、金属氮化物、硅氮化物那样的氮化物系材料、石墨、类钻石碳膜那样的碳系材料、硅垸耦合剂、硫真赶系化合物、金属醇盐、金属卤素化合物那样的自行组织化膜材料、树脂系粘接剂、树脂薄膜、敷层材料、各种橡胶材料、各种弹性体那样的树脂系材料等，可以将它们中的一种或两种以上组合使用。另外，在由该各种材料构成的中间层中，尤其根据由氧化物构成的中间层，能够提高基板2和接合膜3之间的接合强度。如上所述能够制造功能性基板2的一面侧具备接合膜3的粘接片1。另外，粘接片1除其形状成上述那样的板状(片状)的情况外，也可以成带状及标签状，另外，也可以形成为图案以使其成为梳齿形状(参照图9)。成图9所示的梳齿形状的粘接片除事先准备成梳齿形状的功能性基板2后，通过在该基板2上形成接合膜3可以获得之外，将上述的板状粘接片通过用各种蚀刻法形成为图案而获得。另外，形成为图案的形状不局限于梳齿形状，可以作成L字形状、U字形状、框状及S形状等任意形状。下面，对本实施方式的粘接片的接合方法进行说明。本实施方式的接合方法具有准备工序，其准备粘接片；使接合膜活性化的工序，其通过对粘接片的接合膜赋予能量使脱离基自接合膜中脱离而使接合膜活性化；获得接合体的工序，其准备被粘接体(对向基板)，使粘接片具备的接合膜与被粘接体密合而将粘接片与被粘接体粘合。下面，对本实施方式的接合方法的各工序依次进行说明。(1)首先，用上述的方法准备粘接片l(本发明的粘接片)(参照图10(a))。〔2)其次，对粘接片1的接合膜3的表面35赋予能量。在此，将能量赋予接合膜3后，在接合膜3中，脱离基303的结合键断开并自接合膜3的表面35附近脱离，在脱离基303脱离后，活性键在接合膜3的表面35附近产生。由此，在接合膜3的表面35显现与被粘接体4的粘接性。这种状态的粘接片1与被粘接体4基于化学性的结合可牢固地接合。在此，对接合膜3赋予的能量用任何方法赋予都可以，例举有例如对接合膜3照射能量线的方法、加热接合膜3的方法、将压縮力(物理性的能量)赋予接合膜3)的方法、将接合膜3暴露于等离子体(赋予等离子能量)的方法、将接合膜3暴露于臭氧气体(赋予化学性的能量)的方法。其中，在本实施方式中，作为对接合膜3赋予能量方法，尤其优选对接合膜3照射能量线的方法。该方法能够比较简单地高效地对接合膜3赋予能量，因此，作为赋予能量方法是最佳的。其中，作为能量线，例举有例如紫外线、激光那样的光、X线、Y线、电子线、离子束那样的粒子线等及、或将这些能量线进行两种以上组合。在这些能量线中，尤其优选使用波长126~300nm程度的紫外线(参照图10(b))。利用该范围内的紫外线，所赋予的能量可以最佳化，因此，能够使接合膜3中的脱离基303可靠地脱离。由此，能够防止接合膜3的特性(机械性特性、化学性特性等)降低且在接合膜3上可靠地表现粘接性。另外，利用紫外线，可以在短时间内进行使大范围均匀地处理，因此，能够高效地进行脱离基303的脱离。另外，对紫外线而言，具有可以利用UV灯等简单的设备使其产生的优点。再有，紫外线的波长优选126200nm程度。另外，在利用UV灯的情况下，其输出根据接合膜3的面积不同而不同，优选lmW/cm2lW/cm2程度，更优选5mW/cm2~50mW/cm2程度。另外，在该情况下，UV灯和接合膜3的间距优选33000mm程度，更优选101000mm程度。另外，照射紫外线的时间优选能够将接合膜3的表面35附近的脱离基303脱离的程度的时间，即对接合膜3不照射必要以上的紫外线的程度的时间。由此，能够有效地防止接合膜3变质、劣化。具体而言，虽然根据紫外线的光量、接合膜3的构成材料等不同而稍有不同，但优选0.530分钟程度，更优选110分钟程度。另外，紫外线可以长时间地连续照射，也可以间歇性(脉冲状)地照射。另一方面，作为激光，例举有例如激元激光器的脉冲振荡激光(脉冲激光)、碳酸气体激光、半导体激光的连续振荡激光等。其中，优选使用脉冲激光。在脉冲激光中，在接合膜3的照射激光的部分，难以时效性地蓄积热量，因此，能够可靠地防止蓄积的热量造成的接合膜3的变质、劣化。即利用脉冲激光，能够防止蓄积的热量的影响遍布接合膜3的内部。另外，脉冲激光的脉冲幅度在考虑热量影响时，优选尽可能地短。具体而言，脉冲幅度优选lps(皮可秒)以下，更优选500fs(飞母托秒)以下。只要使脉冲幅度在上述范围内，就能够可靠地控制随着激光照射而产生在接合膜3的热量的影响。另外，脉冲幅度小于上述范围内程度的脉冲激光叫做"飞母托秒激光"。另外，激光的波长不作特别限定，但例如优选2001200nm程度，更优选4001000nm程度。另外，激光的峰值输出在脉冲激光的情况下，根据脉冲幅度不同而不同，优选0.110W程度，更优选15W程度。另外，脉冲激光的重复频率优选0.1~100kHz程度，更优选110kHz程度。将脉冲激光的频率设定在上述范围内，由此照射激光的部分的温度显著上升而能够将脱离基303从接合膜3的表面35附近可靠地切断。另外，这种激光的各种条件优选适当调节，以使照射激光的部分的温度优选常温(室温)60(TC程度，更优选20060(TC程度，进一步优选300400。C程度。由此，照射激光的部分的温度显著上升而能够将脱离基303从接合膜3上可靠地切断。另外，照射到接合膜3的激光在将其焦点与接合膜3的表面重合的状态下，优选沿该表面35进行扫描。由此，由激光照射而产生的热量局部性地蓄积在表面35附近。其结果是能够使接合膜3的表面35存在的脱离基303选择性地进行脱离。另外，能量线相对于接合膜3的照射在任何气氛中进行都可以，具体而言，例举有大气、氧气那样的氧化性气体气氛、氢气那样的还原性气体气氛、氮气、氩气那样的惰性气体气氛、或将这些气氛减压的负压(真空)气氛等，其中，尤其优选在大气气氛中进行。由此，通过控制气氛，不需要消耗工时及成本，且能够更简单地进行能量线的照射。这样，根据照射能量线的方法，可容易地进行对接合膜3的表面35附近选择性地赋予能量，因此，能够防止例如能量的赋予造成的基板2及接合膜3的变质、劣化即粘接片1的变质、劣化。另外，根据照射能量线的方法，可以高精度且简单地调节赋予的能量的大小。因此，可调节自接合膜3脱离的脱离基303的脱离量。通过如此调节脱离基303的脱离量，能够容易地控制粘接片1和被粘接体4之间的接合强度。艮P，通过增大脱离基303的脱离量，可在接合膜3的表面35附近产生更多的活性键，因此，能够进一步提高接合膜3表现的粘接性。另一方面，通过减少脱离基303的脱离量，可减少产生于接合膜3的表面35附近的活性键，且能够抑制接合膜3表现的粘接性。另外，为了调节赋予的能量的大小，只要调节例如能量线的种类、能量线的输出、能量线的照射时间等条件即可。另外，根据照射能量线的方法，在短时间内能够赋予大的能量，因此，能够更高效地进行能量的赋予。在此，如图2及图6所示，赋予能量前的接合膜3在其表面35附近具有脱离基303。当对这样的接合膜303赋予能量时，脱离基303(在图2中为氢原子，在图6中为甲基)自接合膜3脱离。由此，如图3及图7所示，在接合膜3的表面35附近产生活性键304且被活性化。其结果是在接合膜3的表面表现粘接性。在此，在本说明书中，所谓接合膜3"被活性化"的状态，就是如上所述，接合膜3的表面35及内部的脱离基303脱离，在接合膜3的构成原子中，除产生未被终端化的结合键(以下也称"未结合键"或"悬空键"。)的状态之外，该未结合键利用羟基(OH基)被终端化的状态，还包含这两种状态混合的状态，而称接合膜3"被活性化"的状态。因此，如图3及图7所示，所谓活性键304，就是指未结合键(悬空键)或未结合键利用羟基被终端化。只要这种活性键304存在，即可与被粘接体4进行特别强固的接合。另外，例如，在大气气氛中对接合膜3照射能量线，由此大气中的水分将未结合键终端化，因而，容易生成后者的状态(未结合键利用羟基被终端化的状态)。另外，在本实施方式中，对在将粘接片1与被粘接体4粘接(粘合)前预先对粘接片1的接合膜3赋予能量线的情况进行了说明，但是，这样的能量赋予也可以在将粘接片1和被粘接体4粘合(重合)时、或粘合(重合)后进行。另外，对这种情况在下述的第二实施方式中进行说明。(3)下面，准备被粘接体(另一被粘接体)4。并且，如图10(c)所示，使被活性化的接合膜3和被粘接体4密合并使粘接片1与被粘接体4接触。由此，在上述工序〔2)中，接合膜3相对于被粘接体4所表现的粘接性，因此，接合膜3和被粘接体4进行化学性地结合，且粘接片l与被粘接体4粘接，从而得到图ll(d)所示的接合体5。在如此得到的接合体5中，不是像现有接合方法中所使用的粘接剂那样主要基于拉桩效果那样的物理性结合的粘合，而是基于在共价键那样的短时间内产生的强固的化学性结合而接合粘接片1和被粘接体4。因此，接合体5可以在短时间内形成，且极难剥离，也难以产生粘合不均等。另外，根据获得使用这种粘接片1得到的接合体5的方法，不需要像现有固体接合那样在高温(例如，70(TC以上)下的热处理，因此，也能够供接合由耐热性低的材料构成的基板2及被粘接体4。另外，由于经由接合膜3接合基板2和被粘接体4，因此具有不受基板2及被粘接体4的构成材料的制约的优点。由以上可知，根据本发明，可以分别扩大基板2及被粘接体4的各构成材料的范围。另外，在固体接合中，由于不经由接合膜，因此，在基板2和被粘接体4之间的热膨胀率方面差别大的情况下，基于其差，应力易集中于接合合界面，可能会产生剥离，但是，在接合体(本发明的接合体)5中，利用接合膜3，应力集中被缓和，能够可靠地抑制或防止剥离产生。在此，粘接粘接片1的被粘接体4和基板2同样，也可以由任何材料构成。具体而言，被粘接体4可由与基板2的构成材料相同的材料构成。另外，被粘接体4不局限于图IO所示的板状，也可以为块状(块状)、棒状。但是，被粘接体4的构成材料可以与基板2不同，也可以相同，但优选被粘接体4的各热膨胀率与基板2大致相等的材料。只要基板2和被粘接体4的各热膨胀率大致相等，在将粘接片1和被粘接体4粘合时，在其接合界面上，伴随热膨胀的应力就难以产生。其结果是，在最终得到的接合体5中，能够可靠防止产生剥离等麻烦。另外，如下所述，即使在基板2和被粘接体4的各热膨胀率彼此不同的情况下，也优选将粘接片1和被粘接体4粘合时的条件如下进行最佳化。由此，能够以高的尺寸精度牢固地接合粘接片1和被粘接体4。艮P，在基板2和被粘接体4的热膨胀率彼此不同的情况下，优选在尽可能地低温下进行。通过在低温下进行，可以实现产生于接合界面的热应力进一步降低。具体而言，根据基板2和被粘接体4的热膨胀率之差，优选在基板2及被粘接体4的温度为255(TC程度的状态下将粘接片1与被粘接体4粘合，更优选在254(TC程度的状态下进行粘合。只要在这样的温度范围内，即使基板2和被粘接体4的热膨胀率之差较大，也能够充分降低产生于接合界面上的热应力。其结果是能够可靠抑制或防止接合体5的挠曲及剥离等产生。另外，在该情况下，尤其推荐在具体的基板2和被粘接体4的热膨胀系数之差大于5xl(TS/K的情况下，如上所述，在尽可能地低温下进行接合。另外，基板2和被粘接体4优选刚性彼此不同。由此，能够更牢固地接合粘接片1和被粘接体4。在供与上述的被粘接体4的粘接片1接合的区域，和基板2同样，优选在根据被粘接体4的构成材料进行接合前，预先实施提高被粘接体4和接合膜3的密合性的表面处理。由此，更能够提高粘接片1和被粘接体4接合强度。另外，作为表面处理，可以使用与对基板2实施的上述那样的表面处理同样的处理。另外，即使根据被粘接体4的构成材料实施上述那样的表面处理，也可充分提高粘接片1和被粘接体4的接合强度。在得到这种效果的被粘接体4的构成材料方面，可以使用与上述的基板2的构成材料同样的材料即各种金属材料、各种硅系材料、各种玻璃系材料等。另外，在供与被粘接体4的粘接片1接合的区域具有以下的基团及物质的情况下，即使实施上述那样的表面处理，也能够充分提高粘接片l和被粘接体4的接合强度。作为这样的基及物质，例举有选自由例如氢原子、羟基、硫赶基、羧基、氨基、硝基、咪唑基那样的官能团、原子团、开环分子、双重键、三重键那样的不饱和键、F、Cl、Br、I那样的卤素、过氧化物构成的组中的至少一种基团或物质。具有这样的基团或物质的表面能够实现粘接片1相对于接合膜3的接合强度进一步提高。另外，适当选择并进行上述那样的各种表面处理，以获得具有这样的基团或物质的表面，由此可以获得可与粘接片1特别牢固地接合的被粘接体4。另外，在供与被粘接体4的粘接片1接合的区域，优选预先形成具有提高与接合膜3的密合性的功能的中间层以代替表面处理。由此，经由这样的中间层将粘接片l和被粘接体4接合，可以获得接合强度更高的接合体5。在这样的中间层的构成材料方面，可以使用与形成于上述基板2的中间层的构成材料同样的材料。在此，在本工序中，对接合粘接片1和被粘接体4的机理进行说明。例如，在以供与被粘接体4的粘接片1粘合的区域露出羟基的情况为例进行说明时，在本工序中，在按照粘接片1的接合膜3与被粘接体4接触的方式将它们粘合时，粘接片1的接合膜3的表面35存在的羟基和被粘接体4的上述区域存在的羟基利用氢键彼此联系，且在羟基彼此之间产生引力。推测利用其引力接合粘接片1和被粘接体4。另外，利用该氢键彼此联系的羟基彼此根据温度条件等随着脱水缩合从表面起切断。其结果是在粘接片1和被粘接体4的接触界面上，结合有羟基的结合键彼此结合。由此推测粘接片1和被粘接体4被更牢固地接合。另外，在上述工序(2)中被活性化的接合膜3的表面其活性状态必然会时效性地缓和。因此，优选在上述工序(2)结束后，尽可能早地进行本工序(3)。具体而言，在上述工序(2)结束后，优选在60分钟以内进行本工序(3)，更优选在5分钟以内进行。只要在这样的时间内，接合膜3的表面保持足够的活性状态，因此，在本工序中，将粘接片l(接合膜3)粘合在被粘接体4上时，就能够在它们之间获得足够的接合强度。换言之，活性化前的接合膜3在具备脱离基303的状态下为化学性较稳定的膜，且耐风化性优异。因此，活性化前的接合膜3适合长期保存。因此，大量地制造或购入那样的粘接片1(具备接合膜3的基板2)并保存，在本工序进行粘合之前，只要对仅需要的个数进行上述工序(2)中记载的能量赋予，从接合体5的制造效率的观点看，即可提高效率。如上所述，能够得到图11(d)所示的接合体(本发明的接合体)5。另外，在图11(d)中，以覆盖粘接片1的接合膜3的全面的方式重合被粘接体4，但它们的相对位置也可以彼此错开。即，也可以按照被粘接体4从接合膜3突出的方式重合粘接片1和被粘接体4。这样获得的接合体5其基板2和被粘接体4之间的接合强度优选为5MPa(50kgf/cm2)以上，更优选为lOMPa(100kgf/cm2)以上，具有这种接合强度的接合体5可以充分防止其剥离。并且，如下所述，在用接合体5构成例如表面声波元件的情况下，可以获得耐用性优异的表面声波元件。另外，根据本发明的粘接片1，能够高效地制作以上述那样大的接合强度接合基板2和被粘接体4的接合体5。另外，在直接接合现有硅基板彼此的固体接合中，即使使供接合的基板的表面活性化，其活性状态在大气中也只能维持数秒数十秒的极短时间。因此，存在不能充分确保在表面进行活性化之后，粘合进行接合的两个基板等作业中所需要的时间这个问题。与之相对，根据本发明，能够较长时间地保持活性状态。因此，能够充分确保粘合作业所需要的时间，且能够提高粘合作业的效率。另外，推测之所以能够较长时间地保持活性状态，原因是由有机成分构成的脱离基303脱离的活性化状态稳定化。另外，在获得接合体5〔3)时或得到接合体5之后，也可以根据需要对该接合体5(粘接片1和被粘接体4的层叠体)进行下面三个工序((4A)、(4B)、〔4C))中至少一个工序(提高接合体5的接合强度的工序)。由此，能够实现接合体5的接合强度的进一步提高。〔4A〕在本工序中，如图11(e)所示，对得到的接合体5沿基板2和被粘接体4彼此接近的方向进行加压。由此，接合膜3的表面分别与基板2的表面及被粘接体4的表面更接近，能够进一步提高接合体5的接合强度。另外，通过对接合体5加压，挤紧接合体5中的接合界面残留的间隙，能够扩大接合面积。由此，能够再次提高接合体5的接合强度。此时，加压接合体5时的压力在接合体5不受损伤的程度的压力中，优选尽可能高的压力。由此，可以与该压力成正比的方式提高接合体5的接合强度。另外，该压力只要根据基板2及被粘接体4的各构成材料及各厚度、接合强度等条件进行适当调节即可。具体而言，优选根据基板2及被粘接体4的各构成材料及各厚度等不同而稍不同的0.210MPa程度，更优选15MPa程度。由此，能够切实提高接合体5的接合强度。另外，该压力即使大于上述上限值也可以，但可能会根据基板2及被粘接体4的各构成材料的不同，对基板2及被粘接体4产生损伤。另外，加压的时间不作特别限定，但优选10秒30分钟程度。还有，加压的时间只要根据加压时的压力适当变更即可。具体而言，即使加压接合体5时的压力越高越縮短加压的时间，也能够实现接合强度的提高。〔4B〕在本工序中，如图11(e)所示，对得到的接合体5进行加热。由此，能够进一步提高接合体5的接合强度。此时，加热接合体5时的温度只要比室温高且低于接合体5的耐热温度即可，不作特别限定，但优选25'C10(TC程度，更优选50'C10(TC程度。只要在这样的范围内加热即可可靠防止接合体5因热而变质、劣化，且能够切实提高接合强度。另外，加热时间不作特别限定，但优选130分钟程度。另外，在进行上述工序〔4A)、〔4B)的双方的情况下，优选将它们同时进行。即，如图11(e)所示，优选对接合体5加压且加热。由此，可以成倍地发挥加压的效果和加热的效果，能够特别提高接合体5的接合强度。〔4C)在本工序中，如图11(f)所示，对得到的接合体5照射紫外线。由此，能够使形成于接合膜3和基板2及被粘接体4之间的化学键增加，能够分别提高基板2及被粘接体和接合膜3之间的接合强度。其结果是能够特别提高接合体5的接合强度。此时，照射的紫外线的条件只要和上述工序〔2)所示的紫外线的条件同等即可。另外，进行本工序(4C)时，基板2及被粘接体4中任一方需要具有透光性。并且，从具有透光性的基板侧照射紫外线，由此能够可靠地对接合膜3照射紫外线。通过进行上述的工序，能够容易地实现接合体5的接合强度进一步提咼°(第二实施方式)下面，对本发明的粘接片、接合该粘接片和被粘接体的接合方法(本发明的接合方法)及具备本发明的粘接片的接合体的各第二实施方式进行说明。图12是用于说明用本发明的粘接片接合该粘接片和被粘接体的接合方法的第二实施方式的图(纵剖面图)。另外，在以下的说明中，将图12中的上侧称为"上"，将下侧称为"下"。下面，对第二实施方式的接合方法进行说明，但以与上述第一实施方式的不同点为中心进行说明，关于同样的事项，省略其说明。本实施方式的接合方法在将粘接片1与被粘接体4重合(接触)后，对接合膜3赋予能量，将粘接片1与被粘接体4粘接，除此之外，与上述第一实施方式相同。艮P，本实施方式的接合方法具有准备工序，其准备本发明的粘接片1;重合工序，其准备被粘接体(对向基板)4，然后按照粘接片l具备的接合膜3和被粘接体4密合的方式使两者重合；获得接合体5的工序，其对重合后的层叠体中的接合膜3赋予能量，从而使接合膜3活性化，由此，将粘接片1与被粘接体4接合而成接合体5。下面，对本实施方式的接合方法的各工序依次进行说明。〔1)首先，与上述第一实施方式同样，准备粘接片1(参照图12(a))。〔2)其次，如图12(b)所示，准备被粘接体4，然后按照接合膜3的表面35和被粘接体4密合(接触)的方式将粘接片1和被粘接体4重合而获得层叠体。另外，在该层叠体的状态中，由于粘接片l和被粘接体4之间未接合，因此可以调节粘接片1相对于被粘接体4的相对位置。由此，在粘接片1和被粘接体4重合后，可以容易地微调两者的位置。其结果是能够提高接合膜3的表面35方向上的位置精度。(3)接着，如图12(c)所示，对层叠体中的接合膜3赋予能量。对接合膜3赋予能量后，在接合膜3上显现与被粘接体4的粘接性。由此，接合粘接片1和被粘接体4而获得接合体5(参照图12(d))。在此，赋予接合膜3的能量用任何方法都可以，但用例如上述第一实施方式中例举的方法进行赋予。另外，在本实施方式中，作为对接合膜3赋予能量的方法，尤其优选使用对接合膜3照射能量线的方法、加热接合膜3的方法、及将压縮力(物理性的能量)赋予接合膜3的方法中至少一种方法。这些方法能够比较简单且高效地对接合膜3赋予能量，因此，作为能量赋予方法是最佳的。其中，作为对接合膜3照射能量线的方法，可以使用与上述第一实施方式相同的方法。另外，在该情况下，能量线透过基板2或被粘接体4照射到接合膜3。因此，基板2或被粘接体4中照射能量线侧的基板由具有透光性的基板构成。另一方面，在通过加热接合膜3对接合膜3赋予能量的情况下，优选将加热温度设定为25℃10℃程度，更优选设定为5℃10℃程度。只要以该范围的温度加热，即可可靠地防止基板2或被粘接体4因热而变质、劣化，且能够可靠地使接合膜3活性化。另外，加热时间只要是能够将接合膜3的脱离基303脱离的程度的时间即可，具体而言，只要加热温度在上述范围内，优选130分钟。另外，接合膜3用任何方法加热都可以，可以用如下各种方法进行加热使用加热器的方法、照射红外线的方法、与火焰接触的方法等。另外，在用照射红外线的方法的情况下，基板2或被粘接体4优选由具有光吸收性的材料构成。由此，照射红外线的基板2或被粘接体4进行高效放热。其结果是能够高效地加热接合膜3。另外，在用使用加热器的方法或与火焰接触的方法的情况下，基板2或被粘接体4中接触加热器或火焰侧的基板优选由传热性优异的材料构成。由此，能够高效地经由基板2或被粘接体4对接合膜3传热，且能够高效地加热接合膜3。另外，在通过将压縮力赋予接合膜3而对接合膜3赋予能量的情况下，沿粘接片1和被粘接体4彼此接近的方向，优选以0.210MPa程度的压力进行压縮，更优选以15MPa程度的压力进行压縮。由此，只进行压縮即可简单地对接合膜3赋予适度的能量，且在接合膜3上显现与被粘接体4足够的粘接性。另外，该压力也可以大于上述上限值，但因基板2和被粘接体4的各构成材料可能会对基板2及被粘接体4产生损伤等。另外，赋予压縮力的时间不作特别限定，但优选10秒30分钟程度。另外，赋予压縮力的时间只要根据压縮力的大小进行适当变更即可。具体而言，压缩力的大小越大，可以越縮短赋予压缩力的时间。如上所述，可以将粘接片1与被粘接体4粘接而获得接合体5。〈第三实施方式〉下面，对本发明的粘接片、接合该粘接片和被粘接体的接合方法(本发明的接合方法)及具备本发明的粘接片的接合体的各第三实施方式进行说明。图13是用于说明用本发明的粘接片接合粘接片和被粘接体的接合方法的第三实施方式的图(纵剖面图)。另外，在以下的说明中，将图13中的上侧称为"上"，将下侧称为"下"。下面，对第三实施方式的接合方法进行说明，但以与上述第一实施方式或上述第二实施方式的不同点为中心进行说明，关于同样的事项，省略其说明。本实施方式的接合方法通过选择性地仅使接合膜3的局部的规定区域活性化，而在上述规定区域350中将粘接片1与被粘接体4进行部分性地粘接(粘合)，除此之外，与上述第一实施方式相同。艮P，本实施方式的接合方法具有准备工序，其准备本发明的粘接片1;活性化工序，其对粘接片1的接合膜3并选择性地对局部的规定区域赋予能量而选择性地使上述规定区域350活性化；获得接合体5b的工序，其准备被粘接体(对向基板)4，然后按照粘接片1具备的接合膜3和被粘接体4密合的方式将两者粘合，在上述规定区域350中，将粘接片l与被粘接体4部分性地接合而成接合体5b。下面，依次对本实施方式的接合方法的各工序进行说明。〔1〕首先，准备粘接片l(本发明的粘接片)(参照图13(a))。(2〕其次，如图13(b)所示，对粘接片1的接合膜3的表面35中局部的规定区域350选择性地赋予能量。赋予能量后，在接合膜3中，在规定区域350中，图2及图6所示的脱离基303自接合膜3脱离。并且，在脱离基303脱离后，在规定区域350中，如图3及图7所示，在接合膜3的表面35附近产生活性基304，接合膜3被活性化。由此，在接合膜3的规定区域350中显现与被粘接体4的粘接性，另一方面，在接合膜3的规定区域350以外的区域，该粘接性未完全显现或者即使显现也认作几乎不显现。这种状态的粘接片1在规定区域350中可与被粘接体4部分性地粘接。在此，赋予接合膜3的能量用任何方法都可以，但用例如上述第一实施方式中例举的方法进行赋予。另外，在本实施方式中，作为对接合膜3赋予能量的方法，尤其优选使用对接合膜3照射能量线的方法。该方法能够比较简单且高效地对接合膜3赋予能量，因此，作为能量赋予方法是最佳的。另外，在本实施方式中，作为能量线，尤其优选使用激光、电子线那样的定向性高的能量线。只要是这样的能量线，即可向目标方向照射，由此能够选择性地且简单地对规定区域照射能量线。另外，即使是定向性低的能量线，只要是覆盖(隐藏)接合膜3的表面35中需照射能量线的规定区域350以外的区域进行照射，也能够选择性地对规定区域350照射能量线。具体而言，如图13(b)所示，只要在接合膜3的表面35的上方设置具有窗部61的掩模6，且经由掩模6照射能量线即可，其窗部61小城与需照射能量线的规定区域350的形状对应的形状。只有这样，选择性地对规定区域350照射能量线才能容易地进行。〔3)接着，如图13(c)所示，准备被粘接体(对向基板)4。并且，按照选择性地使规定区域350活性化的接合膜3和被粘接体4密合的方式将粘接片1和被粘接体4粘合。由此，获得图13(d)所示的接合体5b。如此得到的接合体5b不是接合基板2和被粘接体4的对向面整体，而是只部分性地接合局部区域(规定区域350)。并且，该接合时，只控制对接合膜3赋予能量的区域，由此能够简单地选择粘合的区域。由此，通过控制例如使粘接片1的接合膜3活性化的区域(在本实施方式中，规定区域350)的面积，能够容易地调节接合体5b的接合强度。其结果是获得例如能够容易地分离粘合后的部位的接合体5b。另外，通过适当控制图13(d)所示的粘接片1和被粘接体4的接合部(规定区域350)的面积及形状，能够缓和产生于接合部的应力的局部集中。由此，即使在例如基板2和被粘接体4之间热膨胀率之差大的情况下，也能够可靠地接合粘接片1和被粘接体4。另外，在接合体5b中，粘接片1和被粘接体4的间隙中，在进行接合后的规定区域350以外的区域产生微小的间隙(残留有)。因此，通过适当调节该规定区域350的形状，能够容易地在粘接片1和被粘接体4之间形成例如闭空间及通路等。另外，如上所述，通过控制粘接片1和被粘接体4的接合部(规定区绵350)的面积，可调节接合体5b的接合强度，同时可调节分离接合体5t时的强度(可裂强度)。从这样的观点出发，在制作可容易分离的接合体5b时，接合体5b的接合强度优选人工可容易分离的程度的大小。由此，在分离接合体5b时，可以不用装置等简单地进行。如上所述，可以获得接合体5b。另外，得到接合体5b后，也可以根据需要对该接合体5b进行上述第一实施方式的工序(4A)、(4B〕及〔4C)中至少一道工序。此时，在接合体5b的接合膜3和被粘接体4的界面中规定区域350以外的区域(非接合区域)产生微小间隙(残留有)。因此，在对接合体5b加压且加热时，优选在规定区域350以外的区域且在未接合接合膜3和被粘接体4的条件下进行。另外，在考虑上述事项进行上述第一实施方式的工序〔4A〕、(4B)及〔4C)中至少一道工序的时，优选对规定区域350选择性地进行这些工序。由此，能够防止在规定区域350以外的区域接合接合膜3和被粘接体4。〈第四实施方式〉下面，对本发明的粘接片、接合该粘接片和被粘接体的接合方法(本发明的接合方法)、及具备本发明的粘接片的接合体的各第四实施方式进行说明。图14是用于说明用本发明的粘接片接合粘接片和被粘接体的接合方法的第四实施方式的图(纵剖面图)。另外，在以下的说明中，将图14中的上侧称为"上"，将下侧称为"下"。下面，对第四实施方式的接合方法进行说明，但以与上述第一实施方式上述第三实施方式的不同点为中心进行说明，关于同样的事项，省略其说明。本实施方式的接合方法通过选择性地仅在基板2的上面25中局部的规定区域350中形成接合膜3a，而在上述规定区域350中将粘接片1与被粘接体4进行部分性地接合，除此之外，与上述第一实施方式相同。艮P，本实施方式的接合方法具有准备工序，准备基板2和只形成于基板2上的局部的规定区域350的具有接合膜3a的粘接片1;活性化工序，其对粘接片1的接合膜3a赋予能量使接合膜3a活性化；获得接合体5c的工序，其准备被粘接体(对向基板)4，然后按照粘接片1具备的接合膜3a和被粘接体4密合的方式将两者粘合，经由接合膜3a将粘接片1与被粘接体4接合而成。下面，依次对本实施方式的接合方法的各工序进行说明。(1)首先，如图14(a)所示，在基板2的上面25的上方设置形成与规定区域350的形状对应的形状的具有窗部61的掩模6。其次，经由掩模6在基板2的上面25成膜接合膜3a。例如，如图14(a)所示，经由掩模6成膜接合膜3a，由此选择性地在规定区域350形成接合膜3a。〔2)接着，如图14(b)所示，对接合膜3a赋予能量。由此，在粘接片1中，在接合膜3a上显现与被粘接体4的粘接性。另外，在本工序中，在赋予能量时，也可以选择性地对接合膜3a赋予能量，也可以对含有接合膜3a的基板2的上面25整体赋予能量另外，赋予接合膜3a的能量用任何方法都可以，但用例如上述第一实施方式中例举的方法进行赋予。〔3)接着，如图14(c)所示，准备被粘接体(对向基板)4。并且，按照接合膜3a和被粘接体4密合的方式将粘接片1和被粘接体4粘合。由此，获得图14(d)所示的接合体5c。如此得到的接合体5c不是将基板2和被粘接体4的对向面整体接合，而是只部分性地接合局部区域(规定区域350)。并且，形成接合膜3a时只控制形成区域，由此能够简单地选择接合的区域。由此，通过控制例如形成接合膜3a区域(规定区域350)的面积，能够容易地调节接合体5c的接合强度。其结果是获得例如能够容易地分离粘合后的部位的接合体5c。另外，通过适当控制图14(d)所示的粘接片1和被粘接体4的接合部(规定区域350)的面积及形状，能够缓和产生于接合部的应力的局部集中。由此，即使在例如基板2和被粘接体4之间热膨胀率之差大的情况下，也能够可靠地接合粘接片1和被粘接体4。另外，在接合体5c的基板2和被粘接体4之间，在规定区域350以外的区域形成有相当于接合膜3a的厚度的间距3c(参照图14(d))。因此，通过适当调节规定区域350的形状及接合膜3a的厚度，能够在粘接片1和被粘接体4之间容易地形成要求形状的闭空间及通路等。如上所述，可以获得接合体5c。另外，得到接合体5c后，也可以根据需要对该接合体5c进行上述第一实施方式的工序〔4A)、〔4B)及(4C)中至少一道工序。使用上述各实施方式的粘接片1的接合方法能够适用于将粘接片1与各种被粘接体4接合的情况。作为由这种粘接片1与被粘接体4的接合获得的构件(接合体)，例举有例如晶体管、二极管、存储器那样的半导体元件、晶体振子、表面声波元件那样的压电元件、反射镜、光学透镜、衍射(光)栅、光学滤光器那样的光学元件、太阳能电池那样的光电变换元件、半导体基板和搭载于半导体基板的半导体元件、绝缘性基板和布线或电极、喷墨式记录头、微型电抗器、微型镜那样的MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)部件、压力传感器、加速度传感器那样的传感器部件、半导体元件及电子部件的封装部件、磁记录介质、光磁记录介质、光记录介质那样的记录介质、液晶显示元件、有机EL元件、电泳显示元件那样的显示元件用部件、燃料电池用部件等。人表面声波元件〉在此，对将本发明的接合体应用于表面声波元件(SAW设备)情况的实施方式进行说明。图15是表示使用本发明的接合体得到的表面声波元件的平面图；图16是图15所示的表面声波元件的纵剖面图。另外，在下面的说明中，将图16中的上侧称为"上"，将下侧称为"下"。图15及图16所示的表面声波元件610为横向型结构的表面声波元件，具有至少表面附近具有压电性的基板620、设置在基板620上的输入用的IDT630及输出用的IDT640、设置在各IDT630、640的上面的绝缘保护膜650。基板620的构成为在基部621上依次层叠有底层622及压电体层623。作为基部621的构成材料，例举有例如Si、GaSi、SiGa、GaAs、STC、InP那样的各种半导体材料、各种玻璃材料、各种陶瓷材料、聚酰亚胺、聚碳酸脂那样的各种树脂材料等。基部621的平均厚度不作特别限定，但优选0.05lmm程度，更优选0.10.8mm程度。另外，基部621不仅由单层构成，也可以由多个层的层叠体构成，此时，各层可以将上述的材料任意组合使用。底层622具有设定(规定)在压电体层623中被励振的表面声波的特性(条件)的功能。作为该特性，例举有例如振动频率、振幅、传播速度等。通过设置底层622且适当设定其构成材料，可以将表面声波的特性设定为要求的特性。作为该底层622的构成材料，优选以例如金刚石、硅、蓝宝石、晶体、钽酸锂、铌酸钾、铌酸锂中至少一种为主的材料，尤其以金刚石、蓝宝石、钽酸锂、铌酸钾中至少一种为主的材料是最佳的。由此，能够有助于以对无线LAN及光缆通信等高速通信领域的应用为目的要求的表面声波的高频化。底层622的平均厚度不作特别限定，但优选l~20pm程度，更优选31(Him程度，再优选35^m程度。另外，底层622不仅可以由单层构成，而且也可以根据作为目的的表面声波的特性，由多个层的层叠体构成。还有，底层622也可以根据需要设置，也可以省略。压电体层623作为表面声波的传播介质发挥功能。作为压电体层623的构成材料，优选以氧化锌、氮化铝、钽酸锂、铌酸锂、铌酸钾中至少一种为主的材料。由这种材料构成压电体层623，由此可以获得高频且温度特性优异的表面声波元件610。另外，压电体层623的平均厚度不作特别限定，但优选例如0.015pm程度，更优选0.12pm程度。再有，对于基板620而言，可以使用单层构成的基板以代替多层构成的基板。IDT(输入侧电极)630将电压附加于压电体层623，并具有使表面声波在压电体层623励振的功能，另一方面，IDT(输出侧电极)640具有检测传播压电体层623的表面声波且将表面声波变换为电信号并输出到外部的功能。因此，向IDT630输入驱动电压后，在压电体层623中励振表面声波，滤波功能产生的特定频带的电信号自IDT640输出。各IDT630、640分别由具有电极指631、641的成梳齿形状的一对梳齿电极构成，通过调节梳齿电极的电极指631、641的宽度、间距、厚度等，可以将表面声波的振动频率特性设定为要求的特性。作为各IDT(基材)630、640的构成材料，分别例举有例如Al、Cu、W、Mo、Ti、Au、Y、Pb、Sc或含有它们的合金等，且可以将它们中的一种或两种以上组合使用。绝缘保护膜650防止异物附着在IDT630、640，且防止通过异物的电极指631、641间的短路。该绝缘保护膜650以彼此大致相同的形状且大致相等的面积的方式，形成在IDT(梳齿电极)630、640的上面。在该表面声波元件610中，绝缘保护膜650及IDT630、640分别由功能性基板2及接合膜3构成。如此构成的表面声波元件610可以通过如下方式进行制造将分别对应绝缘保护膜650及IDT630、640的形状的功能性基板2及具备接合膜3的粘接片1与基板(被粘接体)620粘接。通过这样的构成，在表面声波传播的路线上，从绝缘保护膜650到基板620没有材质变化，在该路线上的材质变化实际上只是从电极指631、641到基板620的变化。因此，可以抑制材质变化引起的表面声波的反射及该反射造成的能量损失，且获得高的输出效率。〈布线基板〉另外，对将本发明的接合体应用于布线基板时的实施方式进行说明。图17是表示使用本发明的接合体得到的布线基板的立体图。图17所示的布线基板410具有绝缘基板413、配设在绝缘基板413上的电极412、引线414、以与电极412对向的方式设置在引线414的一端的电极415、电性接合电极412和电极415的导电层416。在该布线基板410中，电极415及导电层416分别由功能性基板2及接合膜3构成。在如此构成的布线基板410中，可以通过如下方式进行制造将分别对应电极415及导电层416的形状的功能性基板2及具备接合膜3的粘接片1与电极412粘接。在如此制造的布线基板410中，电极412、415之间由导电层416进行牢固地接合，可以可靠地防止各电极412、415之间的层间剥离等，并且可以获得可靠性高的布线基板410。另外，导电层416将电极415及导电层416接合，并且还承担将各电极412、415之间导通的功能。导电层416即使非常薄也发挥足够的接合力。因此，可以将各电极412、415之间的间隙进一步减小，能够实现各电极412、415之间的电阻成分(接触阻力)的降低。其结果是能够进一步提高各电极412、415之间的导电性。另外，如上所述，导电层416能够以高的精度容易地控制其厚度。由此，布线基板410其尺寸精度更高，且还能够容易地控制各电极412、415之间的导电性。以上，基于图示的实施方式对本发明的粘接片、接合方法及接合体进行了说明，但是，本发明不局限于这些。例如，本发明的接合方法也可以将上述各实施方式中任意一种或两种以上进行组合。另外，在本发明的接合方法中，也可以根据需要追加一道以上的任意目的的工序。(实施例)下面，对本发明的具体实施例进行说明。再有，在下面中，以评价粘接片具备的接合膜相对于被粘接体的接合强度等特性为目的，以经由接合膜接合各种基板和各种对向基板的情况为例进行评价。(实施例1A)首先，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的单晶硅基板作为基板，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的玻璃基板作为对向基板。接着，将单晶硅基板收纳在图4所示的成膜装置200的室211内，进行氧等离子体的表面处理。其次，在进行表面处理后的面上，用离子束溅射法成膜氢原子导入ITO中的接合膜(平均厚度100nm)。再有，成膜条件如下所示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage54</formula>〈离子束溅射法的成膜条件〉*靶室的达到真空度，成膜时室内的压力氢气的流量室内的温度离子束的加速电压对离子发生室侧格网的附加电压对室侧格网的附加电压离子束电流供给离子发生室的气体种类处理时间如此成膜的接合膜由氢原子导入靶构成，且含有金属原子(铟及锡)、与该金属原子结合的氧原子、与上述金属原子及上述氧原子中至少一方结合的脱离基(氢原子)。由此得到在单晶硅基板上形成有接合膜的本发明的粘接片。接着，在如下所示的条件下，对得到的接合膜照射紫外线。〈紫外线照射条件〉氮气20。C大气压(100kPa)172nm5分钟另一方面，对玻璃基板(对向基板)的一面进行氧等离子的表面处理。接着，在照射紫外线l分钟后，以接合膜的照射紫外线的面和玻璃基板的实施表面处理的面接触的方式，将单晶硅基板和玻璃基板重合，由此得到接合体。接着，对得到的接合体以3MPa进行加压，且以80'C进行加热，然后保持15分钟。由此实现接合体的接合强度的提高。(实施例2A)气氛气体的成分气氛气体的温度气氛气体的压力紫外线的波长-紫外线的照射时间:将加压且加热接合体时的加热温度从80'C变更到25'C以得到接合体，除此之外，与上述实施例1A同样。(实施例3A13A)将基板的构成材料及对向基板的构成材料分别变更为表1所示的材料以得到接合体，除此之外，与上述实施例1A同样。(实施例14A)首先，与上述实施例1A同样，准备单晶硅基板和玻璃基板(基板及对向基板)，且分别进行氧等离子体的表面处理。其次，与上述实施例1A同样，在硅基板的进行表面处理的面上成膜接合膜。由此得到粘接片。接着，以粘接片的接合膜和玻璃基板的进行表面处理的面接触的方式，将粘接片和玻璃基板重合。并且，在如下所示的条件下，对重合后的各基板照射紫外线。〈紫外线照射条件〉气氛气体的成分氮气气氛气体的温度2(TC气氛气体的压力大气压(100kPa)紫外线的波长172nm，紫外线的照射时间5分钟由此，接合各基板以获得接合体。接着，对得到的接合体以3MPa进行加压，且以8(TC进行加热，然后保持15分钟。由此实现接合体的接合强度的提高。(实施例15A)首先，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的单晶硅基板作为基板，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的不锈钢基板作为对向基板。接着，将单晶硅基板收纳在图4所示的成膜装置200的室211内，进行氧等离子体的表面处理。其次，在进行表面处理后的面上，成膜氢原子导入ITO中的接合膜(平均厚度100nm)。再有，成膜条件如下所示。〈离子束溅射法的成膜条件〉靶ATO室的达到真空度2X10_6Torr成膜时室内的压力-1X10—3Torr氢气的流量60sccm室内的温度20°C离子束的加速电压600V对离子发生室侧格网的附加电压+400V对室侧格网的附加电压一200V离子束电流200mA供给离子发生室的气体种类-Kr气体处理时间20分钟接着，在如下所示的条件下，对得到的接合膜照射紫外线。再有，照射紫外线的区域在形成于硅基板的接合膜的表面中为周缘部的宽度3mm的框状区域。〈紫外线照射条件〉气氛气体的成分氮气气氛气体的温度20°C*气氛气体的压力大气压(100kPa)紫外线的波长172nm，紫外线的照射时间5分钟接着，和硅基板同样，也对不锈钢基板进行氧等离子的表面处理。接着，将硅基板和不锈钢基板按照接合膜的照射紫外线的面和不锈钢基板的进行表面处理的面接触的方式重合，由此得到接合体。接着，对得到的接合体以3MPa进行加压，且以8(TC进行加热，然后保持15分钟。由此，实现接合体的接合强度的提高。(实施例16A)将加热的温度从80'C变更到25'C以得到接合体，除此之外，与上述实施例15A同样。(实施例17A19A)将基板的构成材料及对向基板的构成材料分别变更为表2所示的材料以得到接合体，除此之外，与上述实施例15A同样。(实施例1B)首先，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的单晶硅基板作为基板，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的玻璃基板作为对向基板。接着，将单晶硅基板收纳在图4所示的成膜装置200的室211内，进行氧等离子体的表面处理。其次，在进行表面处理后的面上，用离子束溅射法成膜平均厚度1OOnm的ITO膜作为金属氧化物膜。再有，成膜条件如下所示。〈离子束溅射法的成膜条件〉.靶ITO室的达到真空度2X10_6Torr，成膜时室内的压力1X10—3Torr室内的温度20。C离子束的加速电压600V对离子发生室侧格网的附加电压+400V对室侧格网的附加电压一200V离子束电流200mA供给离子发生室的气体种类-Kr气体处理时间20分钟接着，在如下所示的条件下，对得到的金属氧化物膜实施热处理，并将氢原子导入金属氧化物膜(ITO膜)的表面附近，由此形成接合膜。再有，热处理的条件如下所示。〈热处理的条件〉热处理时室内的压力1X10—3Torr氢气的流量60sccm.室内的温度20'C*处理时间60分钟如上那样成膜的接合膜由氢原子导入ITO膜的表面附近进行构成，且含有金属原子(铟及锡)、与该金属原子结合的氧原子、与上述金属原子及上述氧原子中至少一方结合的脱离基(氢原子)。由此得到在单晶硅基板上形成有接合膜的本发明的粘接片。接着，在如下所示的条件下，对得到的接合膜照射紫外线。〈紫外线照射条件〉，紫外线的照射时间5分钟另一方面，对玻璃基板(对向基板)的单面进行氧等离子的表面处理。接着，在照射紫外线l分钟后，将单晶硅基板和玻璃基板按照接合膜的照射紫外线的面和玻璃基板的实施表面处理的面接触的方式重合。由此得到接合体。接着，对得到的接合体以3MPa进行加压，且以80'C进行加热，然后保持15分钟。由此实现接合体的接合强度的提高。(实施例2B)将加压且加热接合体时的加热温度从80'C变更到25°C以得到接合体，除此之外，与上述实施例1B同样。(实施例3B13B)将基板的构成材料及对向基板的构成材料分别变更为表3所示的材料以得到接合体，除此之外，与上述实施例1B同样。(实施例14B)首先，与上述实施例1B同样，准备单晶硅基板和玻璃基板(基板及对向基板)，且分别进行氧等离子的表面处理。其次，与上述实施例1B同样，在硅基板的进行表面处理的面上成膜接合膜。由此得到粘接片。接着，将粘接片和玻璃基板按照粘接片的接合膜和玻璃基板的进行表面处理的面接触的方式重合。并且，在如下所示的条件下，对重合后的各基板照射紫外线。〈紫外线照射条件〉*气氛气体的成分大气(空气)气氛气体的成分气氛气体的温度气氛气体的压力紫外线的波长大气压(100kPa)气氛气体的温度20°C气氛气体的压力大气压(100kPa)紫外线的波长172nm，紫外线的照射时间5分钟由此，接合各基板以得到接合体。接着，对得到的接合体以3MPa进行加压，且以8(TC进行加热，然后保持15分钟。由此，实现接合体的接合强度的提高。(实施例15B)首先，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的单晶硅基板作为基板，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的不锈钢基板作为对向基板。接着，将单晶硅基板收纳在图4所示的成膜装置200的室211内，进行氧等离子体的表面处理。其次，在进行表面处理后的面上，成膜平均厚度100nm的ATO膜作为金属氧化物膜。再有，成膜条件如下所示。〈离子束溅射法的成膜条件〉靶ATO室的达到真空度2X10—6Torr成膜时室内的压力1X10_3Torr室内的温度20°C离子束的加速电压600V对离子发生室侧格网的附加电压+400V对室侧格网的附加电压一200V离子束电流200mA供给离子发生室的气体种类Kr气体处理时间20分钟接着，在如下所示的条件下，对在基板上得到的金属氧化物膜实施热处理，并将氢原子导入金属氧化物膜(ATO膜)的表面附近，由此形成接合膜。再有，热处理的条件如下所示。〈热处理的条件〉热处理时室内的压力lX10_3Torr氢气的流量60sccm*室内的温度150°C.处理时间60分钟接着，在如下所示的条件下，对在基板上得到的接合膜照射紫外线。再有，照射紫外线的区域为在硅基板上形成的接合膜的表面中周缘部的宽度3mm的框状区域。〈紫外线照射条件〉气氛气体的成分气氛气体的温度气氛气体的压力大气(空气)20。C大气压(100kPa)紫外线的波长172nm，紫外线的照射时间5分钟接着，和硅基板同样，也对不锈钢基板进行氧等离子体的表面处理。接着，将硅基板和不锈钢基板按照接合膜的照射紫外线的面和不锈钢基板的进行表面处理的面接触的方式重合，由此得到接合体。接着，对得到的接合体以3MPa进行加压，且以80'C进行加热，然后保持15分钟。由此，实现接合体的接合强度的提高。(实施例16B)将加热的温度从8(TC变更到25。C以得到接合体，除此之外，与上述实施例15B同样。(实施例17B、18B、19B)将基板的构成材料及对向基板的构成材料分别变更为表4所示的材料以得到接合体，除此之外，与上述实施例15B同样。(实施例1C)首先，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的单晶硅基板作为基板，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的玻璃基板作为对向基板。接着，将单晶硅基板收纳在图8所示的成膜装置500的室511内，进行氧等离子体的表面处理。其次，在进行表面处理后的面上，以2、4-戊二酮一铜(II)为原材料，用MOCVD法成膜平均厚度100nm的接合膜。再有，成膜条件如下所示。〈成膜条件〉室内的气氛气有机金属材料(原材料)雾化的有机金属材料的流:载体气体载体气体的流量氢气的流量室的达到真空度成膜时室内的压力基板支架的温度-处理时间氮气+氢气2、4一戊二酮一铜(II)lsccm氮气500sccm0.2sccm2X10—6TorrlX10_3Torr275°C10分钟以上那样成膜的接合膜残留有有机物的一部分，其有机物含有铜原子作为金属原子，含有2、4一戊二酮一铜(II)作为脱离基。由此，获得单晶硅基板上形成有接合膜的本发明的粘接片。接着，在如下所示的条件下，对得到的接合膜照射紫外线。〈紫外线照射条件〉氮气20。C大气压U00kPa)172nm5分钟另一方面，对玻璃基板(对向基板)的单面进行氧等离子的表面处理。接着，在照射紫外线1分钟后，将单晶硅基板和玻璃基板按照接合膜的照射紫外线的面和玻璃基板的实施表面处理的面接触的方式重合。由此得到接合体。接着，对得到的接合体以10MPa进行加压，且以12(TC进行加热，然后保持15分钟。由此，实现接合体的接合强度的提高。(实施例2C)将加压且加热接合体时的加热温度从120'C变更到25X:以得到接合体，除此之外，与上述实施例1C同样。气氛气体的成分气氛气体的温度气氛气体的压力紫外线的波长紫外线的照射时间:(实施例3C13C)将基板的构成材料及对向基板的构成材料分别变更为表5所示的材料以得到接合体，除此之外，与上述实施例1C同样。(实施例14C)首先，与上述实施例1C同样，准备单晶硅基板和玻璃基板(基板及对向基板)，且分别进行氧等离子的表面处理。其次，与上述实施例1C同样，在硅基板的进行表面处理的面上成膜接合膜。由此得到粘接片。接着，将粘接片和玻璃基板按照粘接片的接合膜和玻璃基板的进行表面处理的面接触的方式重合。并且，在如下所示的条件下，对重合后的各基板照射紫外线。〈紫外线照射条件〉气氛气体的成分氮气气氛气体的温度20°C*气氛气体的压力大气压(100kPa)紫外线的波长172nm，紫外线的照射时间5分钟由此，接合各基板以获得接合体。接着，对得到的接合体以10MPa进行加压，且以80'C进行加热，然后保持15分钟。由此，实现接合体的接合强度的提高。(实施例15C)首先，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的单晶硅基板作为基板，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的不锈钢基板作为对向基板。接着，将硅基板收纳在图8所示的成膜装置500的室511内，进行氧等离子体的表面处理。其次，在进行表面处理后的面上，以2、4一戊二酮一铜(II)为原材料，用MOCVD法成膜平均厚度100nm的接合膜作为金属氧化物膜。再有，成膜条件如下所示。〈成膜条件〉，室内的气氛气氮气+氢气有机金属材料(原材料)雾化的有机金属材料的流量:载体气体-载体气体的流量氢气的流量室的达到真空度成膜时室内的压力基板支架的温度处理时间2、4—戊二酮一铜(II)lsccm500sccm0.2sccm2X10—6TorrlX10_3Torr275°C10分钟接着，在如下所示的条件下，对在基板上得到的接合膜照射紫外线。再有，照射紫外线的区域为在硅基板上形成的接合膜的表面中周缘部的宽度3mm的框状区域。〈紫外线照射条件〉气氛气体的成分-气氛气体的温度-'气氛气体的压力紫外线的波长，紫外线的照射时间:氮气20°C大气压(100kPa)172nrn5分钟接着，和硅基板同样，也对不锈钢基板进行氧等离子的表面处理。接着，将硅基板和不锈钢基板按照接合膜的照射紫外线的面和不锈钢基板的进行表面处理的面接触的方式重合，由此获得接合体。接着，对得到的接合体以lOMPa进行加压，且以12(TC进行加热，然后保持15分钟。由此，实现接合体的接合强度的提高。(实施例16C)将加热的温度从12(TC变更到80'C以得到接合体，除此之外，与上述实施例15C同样。(实施例17C、18C、19C)将基板的构成材料及对向基板的构成材料分别变更为表6所示的材料以得到接合体，除此之外，与上述实施例15C同样。(比较例1~3)分别以表5所示的材料为基板的构成材料及对向基板的构成材料，用能量系粘接剂将各基材间粘接以获得接合体，除此之外，与上述实施例1C同样。(比较例4~6)以表5所示的材料为基板的构成材料及对向基板的构成材料，用Ag糊将各基材间粘接以得到接合体，除此之外，与上述实施例1C同样。(比较例7~9)以表6所示的材料为基板的构成材料及对向基板的构成材料，在周缘部的宽度为3mm的框状区域中，用能量系粘接剂将各基材间进行部分性地粘接以得到接合体，除此之外，与上述实施例1C同样。2、接合体的评价2.1接合强度(可裂强度)的评价对由各实施例1A14A、各实施例1B14B、各实施例1C14C、及各比较例16得到的接合体，分别测定接合强度。接合强度的测定通过如下方式进行将各功能性基板剥离时，测定剥下之前的强度。并且，按照以下的标准评价接合强度。〈接合强度的评价标准〉◎:10MPa(100kgf/cm2)以上〇5MPa(100kgf/cm2)~10MPa(100kgf/cm2)△:IMPa(100kgf/cm2)~5MPa(100kgf/cm2)X:IMPa(100kgf/cm2)以下2.2尺寸精度的评价对由各实施例及各比较例得到的接合体，分别测定厚度方向的尺寸精度。尺寸精度的测定通过如下方式进行测定正方形接合体的各角部的厚度，算出四个部位的厚度的最大f和最小值之差。并且，按照以下的标准对该差进行评价。〈尺寸精度的评价标准〉〇10pm以下X:lOpm以上2.3耐药品性的评价在以下的条件下，将由各实施例及各比较例得到的接合体在保持80°C的喷墨打印机用墨水(二-乂>社制，"HQ4")中浸渍三周。其后，将各功能性基板剥离，断定墨水是否浸入接合界面。并且，按照以下的标准对其结果进行评价。〈耐药品性的评价标准〉未全浸入〇仅角部浸入沿边缘部浸入X:浸入内侧2.4电阻率的评价对由各实施例12A、13A、12B、13B、12C、13C、及各比较例5、6得到的层叠体，分别测定接合部分的电阻率。并且，按照以下的标准对测定的电阻率进行评价。〈电阻率的评价标准〉〇1x10—3Q'cm以下X:1x10—3Q'cm以上2.5形状变化的评价对由各实施例15A19A、各实施例15B19B、各实施例15C-19C及各比较例79得到的接合体，测定每个接合体接合前后的形状变化。具体而言，在粘合前后，测定接合体的挠曲量，且按照以下的标准进行评价。〈挠曲量的评价标准〉在粘合前后，挠曲量几乎不变化〇在粘合前后，挠曲量稍有变化在粘合前后，挠曲量变化较大X:在粘合前后，挠曲量变化大表1表6表示以上2.1~2.5的各表评价结果。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage66</column></row><table>※PET:聚对苯二甲酸乙二醇脂PI:聚酰亚胺表2<table>tableseeoriginaldocumentpage66</column></row><table>表3<table>tableseeoriginaldocumentpage67</column></row><table>※PET:聚对苯二甲酸乙二醇脂PI:聚酰亚胺表4<table>tableseeoriginaldocumentpage67</column></row><table>表5<table>tableseeoriginaldocumentpage68</column></row><table>表6<table>tableseeoriginaldocumentpage69</column></row><table>PI:聚酰亚胺表1表6表明，由各实施例获得的接合体在接合强度、尺寸精度、耐药品性及电阻率中任一项中，都表示优异的特性。另外，由各实施例获得的接合体其挠曲量的变化比由各比较例获得的接合体还小。另一方面，由各比较例获得的接合体其耐药品性不充分。另外，断定尺寸精度特别低。还有，电阻率高。权利要求1、一种粘接片，其特征在于，与被粘接体粘接使用，具有具有规定功能的功能性基板；接合膜，其设于该功能性基板的一面侧，且含有金属原子、与该金属原子结合的氧原子、与所述金属原子及所述氧原子中至少一方结合的脱离基，将能量赋予所述接合膜的至少局部区域，在所述接合膜的表面附近存在的所述脱离基从所述金属原子及所述氧原子中至少一方脱离，由此，在所述接合膜的表面的所述区域显现与所述被粘接体的粘接性。2、如权利要求1所述的粘接片，其中，所述脱离基在所述接合膜的表面附近偏在。3、如权利要求1或2所述的粘接片，其中，所述金属原子为铟、锡、锌、钛、及锑中至少一种。4、如权利要求1所述的粘接片，其中，所述脱离基为氢原子、碳原子、氮原子、磷原子、硫原子及卤原子、或由这些各原子构成的原子团中至少一种。5、如权利要求1所述的粘接片，其中，所述接合膜是将氢原子作为脱离基导入铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锑锡氧化物(ATO)、含氟铟锡氧化物(FTO)、氧化锌(ZnO)或二氧化钛(Ti02)中而成的接合膜。6、如权利要求1所述的粘接片，其中，所述接合膜中的金属原子和氧原子的存在比为3:77:3。7、一种粘接片，其特征在于，与被粘接体粘接使用，具有具有规定功能的功能性基板；接合膜，其设于该功能性基板的一面侧，且含有金属原子、由有机成分构成的脱离基，将能量赋予所述接合膜的至少局部区域，在所述接合膜的表面附近存在的所述脱离基从该接合膜脱离，由此，在所述接合膜的表面的所述区域显现与所述被粘接体的粘接性。8、如权利要求7所述的粘接片，其中，所述接合膜以有机金属材料为原材料且利用有机金属化学气相成长法进行成膜。9、如权利要求8所述的粘接片，其中，所述接合膜在低还原性气氛下成膜。10、如权利要求8或9所述的粘接片，其中，所述脱离基是所述有机金属材料中所含的有机物的一部分残留而成的。11、如权利要求8所述的粘接片，其中，所述脱离基以碳原子为必需成分，由含有氢原子、氮原子、磷原子、硫原子及卤原子中至少一种的原子团构成。12、如权利要求ll所述的粘接片，其中，所述脱离基为垸基。13、如权利要求8所述的粘接片，其中，所述有机金属材料为金属络合物。14、如权利要求7所述的粘接片，其中，所述金属原子为铜、铝、锌及铁中的至少一种。15、如权利要求7所述的粘接片，其中，所述接合膜中的金属原子和碳原子的存在比为3:7~7:3。16、如权利要求1或7所述的粘接片，其中，所述接合膜在至少表面附近存在的所述脱离基从该接合膜脱离后，产生活性键。17、如权利要求16所述的粘接片，其中，所述活性键为未结合键或羟基。18、如权利要求1或7所述的粘接片，其中，所述接合膜的平均厚度为11000nm。19、如权利要求1或7所述的粘接片，其中，所述接合膜形成为不具有流动性的固体状。20、如权利要求1或7所述的粘接片，其中，所述功能性基板具有挠性。21、如权利要求1或7所述的粘接片，其中，所述功能性基板形成为片状。22、如权利要求1或7所述的粘接片，其中，所述功能性基板被形成为图案。23、如权利要求1或7所述的粘接片，其中，所述功能性基板具有布线、电极、端子、电路、半导体电路、电波的收发信部、光学元件、显示体及功能性薄膜中至少一种功能。24、如权利要求1或7所述的粘接片，其中，所述功能性基板的至少形成所述接合膜的部分以硅材料、金属材料或玻璃材料为主材料构成。25、如权利要求1或7所述的粘接片，其中，对具备所述接合膜的所述一面预先实施提高与所述接合膜的密合性的表面处理。26、如权利要求25所述的粘接片，其中，所述表面处理为等离子体处理。27、如权利要求1或7所述的粘接片，其中，在所述功能性基板和所述接合膜之间设有中间层。28、如权利要求27所述的粘接片，其中，所述中间层以氧化物系材料为主材料而构成。29、一种接合方法，其特征在于，具有准备权利要求1~28中任一项所述的粘接片和所述被粘接体的工序；对该粘接片所具有的所述接合膜的至少局部区域赋予能量的工序；以使所述接合膜和所述被粘接体密合的方式，将所述粘接片和所述被粘接体粘合，获得接合体的工序。30、一种接合方法，其特征在于，具有准备权利要求1~28中任一项所述的粘接片和所述被粘接体的工序；以使所述接合膜和所述被粘接体密合的方式，将所述粘接片和所述被粘接体粘合，获得层叠体的工序；通过对该层叠体中的所述接合膜的至少局部区域赋予能量，将所述粘接片和所述被粘接体接合，获得接合体的工序。31、如权利要求29或30所述的接合方法，其中，所述能量的赋予通过对所述接合膜照射能量线的方法、加热所述接合膜的方法以及将压縮力赋予所述接合膜的方法中至少一个方法进行。32、如权利要求31所述的接合方法，其中，所述能量线为波长126300nm的紫外线。33、如权利要求31或32所述的接合方法，其中，所述加热的温度为25100C。34、如权利要求31所述的接合方法，其中，所述压縮力为0.210MPa。35、如权利要求31所述的接合方法，其中，所述能量的赋予在大气气氛中进行。36、如权利要求29或30所述的接合方法，其中，所述被粘接体具有预先实施了提高与所述接合膜的密合性的表面处理的表面，所述粘接片以相对于实施了所述表面处理的表面使所述接合膜密合的方式粘合。37、如权利要求29或30所述的接合方法，其中，所述被粘接体具有预先具有从官能团、自由基、开环分子、不饱和键、卤素及过氧化物中选出的至少一种基团或物质的表面，所述粘接片以相对于具有所述基团或物质的表面使所述接合膜密合的方式粘合。38、如权利要求29或30所述的接合方法，其中，还具有对所述接合体进行提高其接合强度的处理的工序。39、如权利要求38所述的接合方法，其中，所述进行提高接合强度的处理的工序通过对所述接合体照射能量线的方法、加热所述接合体的方法以及将压縮力赋予所述接合体的方法中至少一个方法进行。40、一种接合体，其特征在于，具有权利要求1~28中任一项所述的粘接片和被粘接体，将它们经由所述接合膜接合而成。全文摘要本发明提供一种粘接片、接合方法及接合体，粘接片具备接合膜，接合膜能够以高的尺寸精度牢固地、且在低温下高效地与被粘接体接合；接合方法能在低温下高效地将这样的粘接片和被粘接体接合；接合体的可靠性高，将粘接片和被粘接体以高的尺寸精度牢固地接合而成。本发明的粘接片具有功能性基板(2)和接合膜(3)，与被粘接体(4)粘接而使用。该粘接片具备的接合膜(3)通过对其至少局部区域赋予能量，使表面(35)附近存在的脱离基脱离，由此，在接合膜(3)的表面(35)可显现与被粘接体(4)的粘接性。文档编号B32B37/00GK101391497SQ20081014899公开日2009年3月25日申请日期2008年9月22日优先权日2007年9月21日发明者五味一博申请人:精工爱普生株式会社