管化无须连接至发光控制 线φ?，将使得线路设计更为简单，也无须将第一个发光闽流体L1遮盖住，并且仅需二移位 信号线Φ1、Φ2及一发光控制线φ?即可微调发光闽流体L何时开始发光及各发光闽流体L的发光时间。
[0077] 在此，移位电路300负载电阻R相对于接地电阻Rs具有一比例关系，亦即接地电 阻Rs与负载电阻R的比值位于0. 01至1. 5的范围内。在一实施例中，接地电阻Rs与负载 电阻R的比值位于0. 1至0. 5的范围内。在此，接地电阻Rs可为化欧姆（Ohm)，负载电阻 R可为10k欧姆，第一二极管D与第二二极管化的障壁电压约为1. 5伏特（Volt)。
[0078] 请参见图11，图11为本发明第二实施例的扫描发光忍片的移位信号线Φ1、Φ2信 号示意图。与前述第一实施例相同，移位信号线Φ1、Φ2的信号为两相互交错的时脉，而在 初始期间to内，每一发光闽流体L都不发光。在第一个发光期间tl内，第一个发光闽流体 L1发光；在第二个发光期间t2内，第二个发光闽流体L2发光；在第Ξ个发光期间t3内，第 Ξ个发光闽流体L3发光，W此类推。
[0079] 图12至图15分别为本发明第二实施例的初始期间to及发光时间tl、t2、t3的 移位闽流体Τ的栅极端电位示意图。请先合并参照图11与图12,于初始期间to内，由于 第一个移位闽流体T1尚未作动，而低位准线VGA的电压约为-3.3伏特。因此，第一个移位 闽流体T1的栅极端G1电位约为-1. 67伏特。而其后的移位闽流体T2的栅极端G2电位则 因第一二极管D1的障壁电压而为-3. 1伏特，而其余的移位闽流体T3、T4等的栅极端（如 G3、G4)电位则为-3. 3伏特。
[0080] 再请参照图11及图13,在发光期间tl中，由于移位信号线Φ1转变为-3. 3伏特， 使得第一个移位闽流体T1得W作动，因此第一个移位闽流体T1的栅极端G1电位为0伏特。 因第一二极管D的障壁电压的缘故，移位闽流体T2的栅极端G2、移位闽流体T3的栅极端 G3及移位闽流体T4的栅极端G4的电位分别为-1. 5伏特、-3. 1伏特及-3. 3伏特。
[0081] 接着如图11、图13及图14所示，移位闽流体T2的栅极端G2电位原为-1. 5伏特， 在发光期间t2中，由于移位信号线Φ2转变为-3. 3伏特，造成第二个移位闽流体T2启动， 使得其栅极端G2电位变为0伏特。因第一二极管D的障壁电压的缘故，移位闽流体T3的 栅极端G3及移位闽流体T4的栅极端G4的电位分别为-1. 5伏特及-3. 1伏特。此时，第一 个移位闽流体T1的栅极端G1电位再回复到-1. 67伏特。
[0082] 如图11、图14及图15所示，移位闽流体T3的栅极端G3电位原为-1. 5伏特，在发 光期间t3中，由于移位信号线Φ1转变为-3. 3伏特，造成第Ξ个移位闽流体T3启动，使得 其栅极端G3电位变为0伏特。此时，因第一个移位闽流体T1不作动，因此其栅极端G1电 位仍维持为-1. 67伏特。同样地，因第一二极管D的障壁电压的缘故，移位闽流体T2的栅 极端G2及移位闽流体T4的栅极端G4的电位分别为-3. 17伏特及-1. 5伏特。
[0083] 由上述说明可W理解，藉由接地电阻Rs与负载电阻R的阻值设计让第二二极管化 的第一端37电位在初始期间达到可使移位闽流体T作动的电位，配合适当的第一二极管D 障壁电压，使得作动的移位闽流体T的下一个移位闽流体T的栅极端33维持在可使移位闽 流体T作动的电位，配合移位信号线的时脉，移位闽流体T便可依序作动。于此，第二二极 管化的第一端37电位（即第一个移位闽流体T1的栅极端G1电位，于此为-1. 67伏特） 低于作动的移位闽流体τ所连接的第一二极管D的阴极端电位（于此为-1. 5伏特）。
[0084] 在此，如同前述，本实施例的扫描发光忍片亦可应用于打印头，可如前述图3所示 的排列方式，设置多个扫描发光忍片于打印头。
[0085] 当然，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟 悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但运些相应的改变和变 形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1. 一种扫描发光芯片，其特征在于，包含： 一移位电路，包含： 多个移位闸流体，间隔地区分为多个群组； 多个第一二极管，依序串接，且各该第一二极管分别电连接于两相邻的该些移位闸流 体之间； 多个移位信号线，每一该移位信号线分别电性连接属于该些群组其中之一的该些移位 闸流体，其中该些移位信号线的数量与该些群组的数量相同；及 一第二二极管，具有一第一端及一第二端，该第二二极管的该第一端电连接于该些第 一二极管中的第一个该第一二极管与对应的该移位闸流体的连接处；以及 一发光电路，包含： 多个发光闸流体，各该发光闸流体对应电连接该些移位闸流体的其中之一；及 一发光控制线，电性连接该些发光闸流体，并电连接至该第二二极管的该第二端。2. 根据权利要求1所述的扫描发光芯片，其特征在于，该第二二极管的该第一端为阴 极端，该第二二极管的该第二端为阳极端。3.根据权利要求1所述的扫描发光芯片，其特征在于，该发光电路更包含一遮光片，该 遮光片覆盖于该些发光闸流体中相邻于该第二二极管的该发光闸流体上。4.根据权利要求3所述的扫描发光芯片，其特征在于，该遮光片的材质为铝。5.-种扫描发光芯片，其特征在于，包含： 一移位电路，包含： 多个移位闸流体，间隔地区分为多个群组； 多个第一二极管，依序串接，且各该第一二极管分别电连接于两相邻的该些移位闸流 体之间； 多个移位信号线，每一该移位信号线分别电性连接属于该些群组其中之一的该些移位 闸流体，其中该些移位信号线的数量与该些群组的数量相同； 一第二二极管，具有一第一端及一第二端，该第二二极管的该第一端电连接于该些第 一二极管中的第一个该第一二极管与对应的该移位闸流体的连接处；及 一接地电阻，一端电连接至该第二二极管的该第二端，另一端接地；以及 一发光电路，包含： 多个发光闸流体，各该发光闸流体对应电连接该些移位闸流体的其中之一；及 一发光控制线，电性连接该些发光闸流体。6. 根据权利要求5所述的扫描发光芯片，其特征在于，该移位电路更包含多个负载电 阻，各该多个负载电阻分别电连接各该第一二极管与对应的该移位闸流体与该发光闸流体 的连接处。7.根据权利要求6所述的扫描发光芯片，其特征在于，该接地电阻与该负载电阻的电 阻值的比值位于0. 01至1. 5的范围内。8. 根据权利要求7所述的扫描发光芯片，其特征在于，该接地电阻与该负载电阻的电 阻值的比值位于0. 1至0. 5的范围内。9.根据权利要求5所述的扫描发光芯片，其特征在于，该多个移位闸流体依序作动，该 第二二极管的该第一端电位低于作动的该移位闸流体所连接的该第一二极管的阴极端电 位。10. -种打印头，其特征在于，包含多个如权利要求1至9中任意一项所述的扫描发光 芯片。
【专利摘要】一种扫描发光芯片及其打印头。扫描发光芯片主要具有移位电路及发光电路。移位电路包含多个移位闸流体、多个第一二极管、第二二极管及多个移位信号线。发光电路包含多个发光闸流体及一发光控制线。第一二极管依序串接，且各第一二极管分别电连接于两相邻的移位闸流体之间。第二二极管的第一端电连接于第一个第一二极管与其对应的移位闸流体的连接处。第二二极管的第二端可连接至发光控制线或经由接地电阻连接至接地。藉此，可仅使用很少的控制线来启动移位电路与控制发光闸流体发光。
【IPC分类】H01L27/15, B41J2/145, B41J2/14
【公开号】CN105313470
【申请号】CN201510304065
【发明人】吴俊毅
【申请人】日昌电子股份有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年6月5日
【公告号】US20150375522