等离子体显示器及其电压发生器的制作方法

专利名称：等离子体显示器及其电压发生器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子体显示装置及其电压发生器。
背景技术：
等离子体显示器采用利用气体放电过程产生的等离子体来显示字符或图像的等离子体显示面板(PDP)。根据PDP的尺寸，PDP包括以矩阵图案布 置的多于几十至几百万的像素。这样的等离子体显示器的一帧被划分成具有权值的多个子场，每个子场 包括重置期、寻址期和维持期。重置期用于初始化每个放电室的状态以便于 对放电室进行寻址操作。寻址期用于选择选通/关闭的室(即，将要选通或关 闭的室)。另外，维持期用于引起室继续进行在被寻址的室上用于显示图像的 放电或者保持非激活状态(inactive )。通常，在重置期期间，为了初始化放电室的状态，扫描电极的电压逐渐 增大到电压Vset,随后逐渐减小到电压Vnf。另外，在寻址期期间，具有扫描 电压V^的扫描脉冲和具有电压Va的寻址脉冲被分别提供到将被选通的放电室的扫描电极和寻址电极。通常，电压Vs丄和电压Vnf被设置为相同的电平。因此，因为当电压V。f等于电压Vs丄时没有适当地产生寻址放电，所以会产 生低放电。另外，当为了防止低放电而增大寻址电压电平时，在关闭的放电 室中产生寻址放电，从而会发生误点火。发明内容本发明致力于提供一种防止低放电的等离子体显示器及其驱动方法。 另外，本发明致力于提供一种用于减少防止低放电的等离子体显示器中 的电源数目的电压发生器。一种根据本发明实施例的示例性等离子体显示器包括扫描电极，用于接收扫描电压；电源，用于提供扫描电压；第一晶体管，具有电连接到扫描 电极的第一电极；齐纳二极管，具有电连接到第一晶体管的第二电极的阴极，并具有电连接到电源的阳极；至少一个第一电阻器，电连接在扫描电极和第 一晶体管的控制电极之间；至少一个第二电阻器，电连接在第一晶体管的控 制电极和齐纳二极管的阳极之间。第一晶体管的第一电极处的电压可以是高于扫描电压的第一电压。第一电压可以是在重置期期间最终提供到扫描电极的最终电压。该等离子体显示器还可包括电连接在齐纳二极管的阳极和电源之间的第 二晶体管。在第二晶体管导通时，第二晶体管可作为坡形开关来操作，以在重置期 期间将扫描电极的电压逐渐减小至高于扫描电压的第 一 电压。该等离子体显示器还可包括电连接在扫描电极和电源之间的第三晶体 管，在第三晶体管处于导通时，扫描电压被提供到扫描电极。第一电阻器和第二电阻器中的至少一个可以是可变电阻器。第一电阻器 和第二电阻器中的至少一个可以是根据温度而变化的电阻器。一种用于产生高于由电源提供的第二电压的第一电压的示例性电压发生 器包括齐纳二极管，包括电连接到电源的阳极；晶体管，包括电连接到齐 纳二极管的阴极的第一电极；至少一个第一电阻器，电连接在齐纳二极管的 阳极和晶体管的控制电极之间；至少一个第二电阻器，电连接在晶体管的控 制电极和晶体管的第二电极之间，在晶体管的第二电极处产生第一电压。第一电阻器和第二电阻器中的至少一个可以是可变电阻器。第一电压和第二电压可以驱动等离子体显示器。第二电压可以是提供到等离子体显示器的扫描电极的扫描电压，第一电 压可以是在等离子体显示器的重置期期间最终提供的最终电压。


通过参照结合附图的下面的详细描述，本发明变得更好理解，同时对本 发明更加完全的理解和本发明许多随附的优点将易于清楚，在附图中相同的 标号表示相同或相似的组件，其中图1是根据本发明示例性实施例的等离子体显示器的构造的框图。 图2是根据本发明示例性实施例的等离子体显示器的驱动波形的图。 图3是根据本发明示例性实施例的扫描电极驱动器400的图。 图4是根据本发明第一示例性实施例的AV电压发生器420a的图。图5A、图5B和图5C是具有可变电阻器的AV电压发生器的示图。 图6是根据本发明第二示例性实施例的AV电压发生器的图。 图7是才艮据本发明第三示例性实施例的AV电压发生器的图。 图8是#>据本发明第四示例性实施例的AV电压发生器的图。 图9是根据本发明第五示例性实施例的AV电压发生器的图。 图10是4艮据本发明第六示例性实施例的AV电压发生器的图。
具体实施方式
在下面的详细描述中，仅以简单地举例说明的方式示出和描述了本发明 的特定示例性实施例。如本领域技术人员将意识到的，在完全不脱离本发明 的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式来修改描述的实施例。因此， 附图和描述将被认为本质上是示出性的，并且是非限制性的。在整个说明书 中，相同的标号表示相同的元件。在后面的整个说明书和权利要求书中，当描述元件"连接到"另一元件 时，该元件可以"直接连接到"另一元件或者通过第三元件"电连接到"另 一元件。另外，除非相反地清楚描述，否则词语"包括"将被理解为意味着 包括所述元件，而不排除任何其它元件。另夕卜，下面的描述中提到的壁电荷的意思是在靠近放电室的电极的壁(例 如介电层)上形成或积聚的电荷。虽然壁电荷实际上不接触电极，但是壁电 荷将被描述为"形成，，或"积聚"在电极上。此外，壁电压的意思是由壁电 荷引起的形成在放电室的壁上的电势差。当在说明书中描述电压被保持时，不应该被严格地理解为意味着电压被 精确地保持在预定电压。相反，即使两点之间的电压差变化，则在所述变化 在设计约束条件所允许的范围内的情况下，或者在所述变化是由本领域普通 技术人员通常忽略的寄生分量(component)所引起的情况下，电压差也被表 示为保持在预定电压。另外，因为半导体元件(例如晶体管或二极管)的阈 值电压与放电电压相比非常低，所以它们被视为0V。下面参照附图来描述根据本发明示例性实施例的等离子体显示器及其电 压发生器。图1是^f艮据本发明示例性实施例的等离子体显示器的构造的示意 图。如图l所示，根据本发明示例性实施例的等离子体显示器包括等离子体显示面板(PDP) 100、控制器200、寻址电极驱动器300、扫描电极驱动器 400和维持电极驱动器500。PDP 100包括沿着列方向延伸的多个寻址电极Al-Am以及沿着行方向成 对地延伸的多个维持电极Xl-Xn和扫描电极Yl-Yn。维持电极Xl-Xn分别与 扫描电极Yl-Yn相应地形成，维持电极Xl-Xn的端部/>共地连4妄。另夕卜，PDP 100包括具有维持电极Xl-Xn和扫描电极Y1-Yn的基底(未示出)以及具有 寻址电极Al-Am的基底(未示出)。这两个基底被布置成彼此面对，且在它 们之间具有放电空间，使得扫描电极Yl-Yn和维持电极Xl-Xn可以与寻址电 极Al-Am交叉。设置在寻址电极与X电极和Y电极的交叉区的放电空间形 成放电室。等离子体显示面板100的这种构成是一个示例，用于提供将被描 述的驱动波形的面板的其它构成可应用于本发明。控制器200接收外部视频信号，并输出寻址驱动控制信号、维持电极驱 动控制信号和扫描电极驱动控制信号。另外，控制器200将帧划分成多个子 场(subfidd),每个子场按照时间方式具有重置期、寻址期和维持期。在从控制器200接收寻址驱动控制信号之后，寻址电极驱动器300将用 于选择将要显示的放电室的显示数据信号提供到对应的寻址电极Al-Am。维持电极驱动器500从控制器200接收维持电极驱动控制信号，并将驱 动电压提供到维持电极。扫描电极驱动器400从控制器200接收扫描电极驱动控制信号，并将驱 动电压提供到扫描电极。下面参照图2描述根据本发明示例性实施例的等离子体显示器的驱动波形。图2是根据本发明示例性实施例的等离子体显示器的驱动波形的图。为 了便于描述，将描述提供到形成一个室的扫描电极(下文中称作"Y电极")、 维持电极(下文中称作"X电极")和寻址电极(下文中称作"A电极")的 驱动波形。如图2所示，子场包括重置期、寻址期和维持期，重置期包括升压期和 降压期。在重置期的升压期期间，在A电极和X电极保持在基准电压(图2中的 OV)的同时，Y电极的电压从电压Vs逐渐增大至电压Vset。如图2所示，Y 电极的电压以坡形图案增大。因为在Y电极的电压增大的同时Y电极和X电极之间以及Y电极和A电极之间产生弱放电，所以在Y电极上形成(-)壁电荷，在X电极和A电极上形成(+ )壁电荷。当如图2所示Y电极的电压 逐渐改变时，放电室中发生的弱放电形成壁电荷，使得外部提供的电压和壁 电压之和可以保持在放电点火电压。形成壁电荷的这个过程在第5,745,086号 美国专利中被Weber公开。因为每个室在重置期必须被初始化，所以电压Vset 足够高，以在任何条件的室中点火放电。此外，电压Vs等于在维持期提供到 Y电极的电压，且〗氐于用于点火Y电极和X电才及之间的》文电的电压。在重置期的降压期期间，在A电极保持在基准电压且X电极被偏置成电 压Ve的同时，Y电极的电压从电压Vs逐渐减小至负电压Vnf。在Y电极的 电压减小的同时，在Y电极和X电极之间以及Y电极和A电极之间发生弱 放电。因此，消除了形成在Y电极上的负(-)壁电荷和形成在X电极和A 电极上的正(+ )壁电荷。 一般而言，电压Vrf通常被设置成接近于Y电极和 X电极之间的放电点火电压。随后，Y电极和X电极之间的壁电压变得接近 于0V,因此，可以防止在寻址期没有经历寻址放电的放电室在维持期误点火 (Y电极和X电极之间的误点火)。另外，因为A电极保持在基准电压，所 以由电压Vnf的电平确定Y电才及和A电才及之间的壁电压。接着，在寻址期期间，在X电极保持在电压Ve的同时，负电压V^的 扫描脉冲和正电压Va的寻址脉沖分别被提供到Y电极和A电极，以选择将 被选通的放电室。未选择的Y电极被偏置为高于电压VscL的电压VscH，基准 电压被提供到关闭室(即，将被关闭的室)的A电极。随后，因为在由接收 电压Va的A电极和接收电压V^的Y电极形成的放电室上发生寻址放电， 所以在Y电极上形成正(+ )壁电荷，在A电极和X电极上形成负(-)壁电 荷。对于这种操作，扫描电极驱动器400从Y电极Y1-Yn中选择接收扫描电 压V^的扫描脉冲的Y电极。例如，在单驱动方法中，可以沿着垂直方向按 照Y电极的布置顺序来选择Y电极。当Y电极被选择时，寻址电极驱动器 300从形成在被选择的Y电极上的室中选择将被选通的室。即，寻址电极驱 动器300从A电极Al-Am中选择被提供电压Va的寻址脉冲的A电极。更具体地讲，在电压Vs丄的扫描脉冲被提供到第一行的扫描电极(图1 中的Y1)的同时，电压Va的寻址脉冲被提供到位于第一行的将被选通的放 电室上的A电极。随后，在第一行的Y电极和接收电压Va的A电极之间产 生放电，在Y电极上形成正(+ )壁电荷，在A电极和X电极上形成负(-)壁电荷。因此，在Y电极和X电极之间形成壁电压Vwxy， -使得Y电极的电 势高于X电极的电势。接着，在电压V^的扫描脉冲被提供到第二行的Y电 极(图2中的Y2)的同时，电压Va的寻址脉冲被提供到位于第二行的将被 选通的放电室上的A电极。随后，如上所述，在由接收电压Va的A电极和 第二行的Y电极形成的放电室中产生寻址放电，在放电室中形成壁电荷。以 同样的方式，在电压Vscl的扫描脉冲被顺序地提供到其余行的Y电极的同时， 电压Va的寻址脉沖被提供到位于将被选通的放电室上的A电极，从而形成 壁电荷。
根据本发明示例性实施例的扫描电压Va比电压Vrf低电压AV,其中， 电压Vrf是在重置期期间提供到Y电极的最终电压。下面说明为什么当扫描
电压V^低于电压Vrf且提供电压Va时在放电室中产生寻址放电的原因，以
及为什么产生低放电的原因。
在重置期期间，当作为最终电压的电压Vnf被提供到Y电极时，A电极
和Y电极之间的壁电压与A电极和Y电极之间的外部提供的电压Vnf之和被 设置为A电极和Y电极之间的放电点火电压Vfay。
当在寻址期期间扫描电压Vs丄被提供到Y电极且OV被提供到A电极时， 因为在A电极和Y电极之间形成高于电压Vfay的电压，所以放电可以正常 地产生。然而，在上述情况下，因为放电延迟比扫描脉冲和寻址脉沖的宽度 长，所以不产生^:电。
当电压Va被提供到A电极且扫描电压Vs丄被提供到Y电极时，在A电 极和Y电极之间形成高于电压Vfay的电压，放电延迟被减小到比扫描脉冲
和寻址脉冲的宽度短，可产生放电。通常，当等于电压Vnf的扫描电压被提供
到Y电极时，因为在A电极和Y电极之间形成高于电压Vfay的电压，所以
可产生放电。然而，当如本发明示例性实施例中，比电压Vnf低电压AV的电
压V^被提供到Y电极时，A电极和Y电极之间的电压进一步增大，放电延 迟进一步减小，因此，可以适当地产生寻址放电。因此，可以防止低寻址放 电。
在维持期期间，相反相位的维持脉冲(高电平电压Vs和低电平电压OV) 被提供到Y电极和X电极。随后，在在寻址期期间被选择的放电室中产生维 , 持放电。维持脉冲的数目对应于相应的子场的权值。
通常，如在根据本发明示例性实施例的驱动波形中，为了不同地设置作为重置期期间的最终电压的电压Vnf和作为寻址期期间的扫描电压的电压 VscL，有必要单独地提供用于产生电压Vnf的电源和用于产生电压V^的电源。 在下文中，描述了用于采用单个电源产生两种电压的扫描电极驱动器400。
图3是根据本发明示例性实施例的扫描电极驱动器400的图。
如图3所示，扫描电极驱动器400包括多个扫描集成电路(IC)410、 AV 电压发生器420、晶体管Yfr和Ysd以及另一Y电极驱动电路430。在图3中， 各晶体管被示出为n-沟道场效应晶体管(FET)，更具体地讲，为N-沟道金属 氧化物半导体(NMOS)晶体管，体二极管(bodydiode)沿着从源极到漏极 的方向形成在相应的晶体管中。如果不使用NMOS晶体管，则可以使用具有 相似功能的其它晶体管。另外，在图3中，晶体管被分别示出为单个晶体管。 然而，本发明不限于此，可以由并联布置的多个晶体管来形成所述晶体管。
多个扫描IC 410分别包括晶体管YH、晶体管Yl以及公共的端子Ta和 端子Tb。晶体管YH的漏极连接到端子Ta,晶体管yl的源极连接到端子Tb。 晶体管Yh的源板速接到晶体管Yt的漏极，晶体管Yh和晶体管Y^的节点连 接到扫描电极Yl-Yn中的一个。电压VscH由电源Vsch提供到端子Ta。
晶体管Ysd的漏极连接到扫描IC 410的端子Tb，晶体管Yscl的源极连接 到用于提供电压VseL的电源VseL。 AV电压发生器420连接在端子Tb和晶体
管Yfr的漏极之间，晶体管Yfr的源极连接到用于提供电压Vs丄的电源VscL。
晶体管Yfr是坡形开关(ramp switch),它导通以向Y电极提供预定电流，并 逐渐减小Y电极的电压。通过晶体管Yfr向Y电极提供预定电流并逐渐减小 Y电极的电压的方法对本领域技术人员来说是公知的，因此省略了对其的详 细描述。AV电压发生器420产生图2中示出的电压AV (VnrVscL)，而不用 另外地设置另一电源。下面参照图4至图7描述AV电压发生器420的构造。 另一 Y电极驱动电路430连接到端子Tb和Y电极，并产生提供到Y电 极的各种驱动波形(例如重置期的升压波形和维持脉冲)。另一 Y电极驱动 电路430的构造不直接涉及本发明的示例性实施例，因此省略了对其的描述。
在重置期的降压期期间，晶体管Yfr和多个扫描IC 410的相应的晶体管
Yt导通，Y电极的电压通过AV电压发生器420逐渐减小至电压Vnf (VscL+AV)。当晶体管Yfr导通时，Y电极的电压逐渐减小至电压VscL,但是
加上AV电压发生器420产生的电压AV,所以Y电极的电压减小至电压Vnf (VscL+AV )。在寻址期期间，晶体管Ysd导通，对应于将被选择的扫描电极的扫描IC 的晶体管YL导通，扫描电压V^被提供到对应的Y电极。在对应于将不被 选择的Y电极的扫描IC中，晶体管YH导通，电压VscH被提供到将不被选择
的Y电极。
在下文中，参照图4至图IO更加详细地描述用于产生电压差AV的AV 电压发生器420。
图4是根据本发明第一示例性实施例的AV电压发生器420a的图。 △V电压发生器420a包括晶体管Q,以及电阻器R,和R2。晶体管Q,是 双极晶体管。
晶体管Qi的集电极连接到多个扫描IC410的端子Tb，晶体管Qi的发射 极连接到晶体管Yfr的漏极。电阻器R,的一端连接到晶体管Q,的集电极(即 端子Tb)，电阻器R,的另一端连接到晶体管Qi的基极。电阻器R2的一端连 接到晶体管(^的基极，电阻器R2的另一端连接到晶体管Qi的发射极。另夕卜， 电阻器Ri和R2彼此连接，它们的节点连接到晶体管Q！的基极。
当电流I。低时，晶体管Q!截止，电流I。流到电阻器R!和电阻器R2。然 而，当电流I。的流动足以导通晶体管Q,时，电流Io流到电阻器Ri和电阻器 R2以及晶体管Qi。在这种情况下，晶体管(^的集电极-发射极电压Vce由等 式1给出。
等式l:
VCE =1^+12*112
在等式l中，当忽略晶体管Qi的基极电流时，电流I!给定为L —12。电 流12给定为I2=VBE/R2。因此，晶体管Ql的集电极-发射极电压Vce由等式2 给出。
等式2:
Vc^(1+R/R2)承Vbe
晶体管Qi的集电极-发射极电压Vce是由AV电压发生器420a产生的电 压AV。参照等式2，当调整电阻器R!和电阻器R2的电阻值的比时，可以确 定晶体管的集电极-发射极电压(VCE = AV)为与晶体管Q！的基极-发射极 电压Vbe成比例的期望的植。
即，等式2给出的电压AV可通过才艮据本发明第一示例性实施例的AV 电压发生器420a来产生，AV的值由电阻器&和R2的电阻值以及晶体管Qi的基极-发射极电压vbe来确定。当晶体管Qi的基极-发射极电压Vbe根据晶
体管Q！的特性纟皮i殳置为预定值时，可通过改变电阻器Ri和电阻器R2的电阻 值来获得期望的AV。具体地讲，有必要将AV设置为不同的值来改进图2中 的低放电，可通过根据本发明第一示例性实施例的AV电压发生器改变电阻 器&和电阻器R2的电阻值来将AV设置为不同的值。
另外，如果不使用固定电阻器，则可变电阻器可用于电阻器Ri和电阻器 R2，如图5A、图5B和图5C所示。即，可变电阻器可用于电阻器R!和电阻 器R2中的任一个，或者可同时用于电阻器R!和电阻器R2。当可变电阻器用 于电阻器和电阻器R2时，在设计之后可通过调整可变电阻器来改变AV的 值。因此，可以进一步改进低放电。
另外，根据溫度而变化的电阻器可用于电阻器R,和电阻器R2。即，电 阻器R!和电阻器112可被设置为具有正温度系数(PTC)(即，电阻随着温度 的升高而增大的特性)，或者它们可被设置为具有负温度系数(NTC)(即， 电阻随着温度的升高而减小的特性)。当温度降低时，放电室中的壁电荷不积 极地变化，使低寻址放电劣化。在这种情况下，当电阻器R,被设置为具有 NTC且电阻器112被设置为具有PTC时，AV的值在温度降低时根据等式2 进一步增大。因此，可以解决在低温下的低寻址放电的问题。在其它情况下， 可以通过将电阻器R,和电阻器R2适当地设置成根据温度而变化来解决由温 度引起的问题。
根据本发明的第一示例性实施例，已经描述了晶体管Q!是双极晶体管。 然而，本发明不限于此，如下所述，可以使用金属-氧化物半导体场效应晶体 管(下文中称作"MOSFET")或绝缘栅双极晶体管(下文中称作"IGBT")。
图6是根据本发明第二示例性实施例的AV电压发生器420b的图。
如图6所示，除了使用MOSFET晶体管Mi而不是双极晶体管Qi之外， 根据本发明第二示例性实施例的AV电压发生器420b与本发明第一示例性实 施例的AV电压发生器420a相同，因此省略了对前面已经描述的部分的描述。
因为根据本发明第二示例性实施例的AV电压发生器420b使用MOSFET 晶体管M"所以作为晶体管Mi的漏极-源极电压Vos的电压AV由等式3给 出。
等式3:<formula>formula see original document page 12</formula>在等式3中，Vgs表示晶体管M!的栅极-源极电压。如等式3中所示， 当晶体管M!是MOSFET时，等式2中的晶体管的基极-发射极电压VBE 变为晶体管M,的栅极-源极电压VGS。
如上所述，在根据本发明第二示例性实施例的AV电压发生器420b中， 如等式3所示，AV的值由晶体管Mi的栅极-源极电压(Vgs)和电阻器Rj 及电阻器R2的电阻值确定。
另外，在根据本发明第二示例性实施例的AV电压发生器420b中，可以 以与本发明第一示例性实施例的方式同样的方式将电阻器R^和电阻器R2替 换为可变电阻器，且电阻器R^和电阻器R2可以被根据温度而变化的电阻器 替代。
图7是^4居本发明第三示例性实施例的AV电压发生器420c的图。
如图7所示，除了晶体管Ql被IGBT晶体管Zi替代之外，根据本发明 第三示例性实施例的AV电压发生器420c与本发明第一示例性实施例的AV 电压发生器420a相同，因此省略了对前面已经描述的部分的描述。
因为根据本发明第三示例性实施例的AV电压发生器420c使用IGBT晶 体管Z"所以作为晶体管Zi的集电极-发射极电压的VcE的电压AV由等式4 给出。
等式4:
<formula>formula see original document page 13</formula>
在等式4中，Vge表示晶体管Zj的栅极-发射极电压。如等式4中所示， 当晶体管Z,是IGBT时，晶体管Qt的基极-发射极电压Vbe被晶体管Z1的栅 极-发射极电压Vge替代。
如上所述，在4艮据本发明第三示例性实施例的AV电压发生器420c中， AV的值由晶体管Z,的栅极-发射极电压VcE和电阻器R!及电阻器R2的电阻 值确定。
另外，在根据本发明第三示例性实施例的AV电压发生器420c中，可以 以与本发明第一示例性实施例的方式同样的方式将电阻器Ri和电阻器R2替
换为可变电阻器，且电阻器R!和电阻器R2可以被根据温度而变化的电阻器替代。
用于产生更大的电压AV的AV电压发生器的描述如下。
图8是根据本发明第四示例性实施例的AV电压发生器420d的图。如图8所示，除了另外地设置齐纳二极管Dz之外，根据本发明第四示
例性实施例的AV电压发生器420d的构造与本发明第一示例性实施例的AV 电压发生器420a的构造相同，因此省略了对前面已经描述的部分的描述。齐 纳二极管Dz的阴极连接到晶体管Q,的发射极，齐纳二极管Dz的阳极连接 到晶体管Yfr的漏极。在图8中，Vz表示齐纳二极管Dz的击穿电压。
通过在等式2中用(VBE+VZ)替代VBE来获得由才艮据本发明第四示例性
实施例的AV电压发生器420d产生的电压AV。当忽略晶体管Q！的基极电流 时，I！ ^ 12,并且I2=(VBE+ Vz) /R2。因此，当I! N12且I2=(VBE+ Vz) /R2应用于 等式1时，由根据本发明第四示例性实施例的AV电压发生器420d产生的电 压AV由等式5给出。 等式5:
△V = (1 + R美)* (Vz+VBE)
因此，由才艮据本发明第四示例性实施例的AV电压发生器420d产生的电 压AV可以大于根据本发明第一示例性实施例的电压AV。通常，因为VBE是 较低的值，所以即使调整R,和R2的比，在形成高的AV值方面也存在限制。 然而，才艮据本发明第四示例性实施例，电压AV的值由VBE的值和Vz的值确 定。因此，因为使用了 Vz值高的齐纳二极管Dz，所以可以实现更大的AV 的值。
另外，在根据本发明第四示例性实施例的AV电压发生器420d中，当温 度变化时，可以获得恒定的AV的值。
如图8所示，npn双极二极管Q,的基极-发射极具有pn 二极管-连接 (diode-connection),其中，所述pn 二极管-连接按照与齐纳二极管Dz的方向 相反的方向连接。即，由于这两个二极管反向连接，因此这两个二极管之间 的温度系数相互抵消。当将根据温度的电势差应用于等式5时，结果将得到 等式6。 、
等式6: 、
AV + SV = [1 + ((!^+5R,)/(R2+SR2川* [(Vz+SVz)+(VBE-SVBE)] 在等式6中，AV、 Vz、 VBE、 R,和R2是在室温下的值，SVz、 5VBE、 SR^ 和SR2是根据温度的变化值。因为晶体管Q,的基极和发射极之间形成pn 二
极管的极性与齐纳二极管DZ的极性相反，所述示出为-SVBE。
因为电阻器的温度根据R,和112之比而变化，所以电阻器的温度变化与齐纳二极管Dz和晶体管Q！的温度变化相比较低。因此，当考虑等式6中的 第一项时，两个二极管的温度系数变化给定为(SVZ-5VBE)，因此它们相互抵消。具体地讲，当利用具有SVz-5VBE的特性的齐纳二极管Dz和晶体管时， 可以使AV的值的温度变化最小化。另外，可以以与本发明第二和第三示例性实施例的方式同样的方式将 MOSFET和IGBT用于根据本发明第四示例性实施例的AV电压发生器中的 双极晶体管Q,。图9是根据本发明第五示例性实施例的AV电压发生器420e的图，图10 是根据本发明第六示例性实施例的AV电压发生器420f的图。即，在图9中 MOSFET替代了双极晶体管Ql5在图10中IGBT替代了双极晶体管Q"通过在等式3中用(VGS+Vz)替代VGs来获得由4艮据本发明第五示例性 实施例的AV电压发生器420e产生的电压AV。另外，通过在等式4中用 (VGE+Vz)替代VGE来获得由根据本发明第六示例性实施例的AV电压发生 器420f产生的电压AV。以与本发明第四示例性实施例的方式同样的方式，根据本发明的第五和 第六示例性实施例，可以获得高的AV的值，并可以使AV电压值的温度变 化最小化。在本发明的第四至第六示例性实施例中，如果不使用电阻器R4和R2, 则可以使用可变电阻器，并可以使用根据温度而变化的电阻器。虽然已经结合当前被认为是实践性的示例性实施例的内容描述了本发 明，但是应当理解，本发明不限于公开的实施例，而是相反，本发明意在覆 盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。根据本发明的示例性实施例，通过利用单个电源可以产生重置期的扫描 电压和最终电压。另外，因为简单地改变电阻器R,和R2，所以可以不同地实 现AV的值。此外，因为另外地设置齐纳二极管，所以可以实现进一步增大 的AV的值，并可以使AV的值的温度变化最小化。
权利要求
1、一种等离子体显示器，包括扫描电极，用于接收扫描电压；电源，用于提供扫描电压；第一晶体管，具有电连接到扫描电极的第一电极；齐纳二极管，具有电连接到第一晶体管的第二电极的阴极，并具有电连接到电源的阳极；至少一个第一电阻器，电连接在扫描电极和第一晶体管的控制电极之间；至少一个第二电阻器，电连接在第一晶体管的控制电极和齐纳二极管的阳极之间。
2、 如权利要求1所述的等离子体显示器，其中，第一晶体管的第一电极 处的电压是高于扫描电压的第一电压。
3、 如权利要求2所述的等离子体显示器，其中，第一电压是在重置期期 间最终提供到扫描电极的最终电压。
4、 如权利要求1所述的等离子体显示器，还包括电连接在齐纳二极管的 阳极和电源之间的第二晶体管。
5、 如权利要求4所述的等离子体显示器，其中，在第二晶体管导通时， 第二晶体管作为坡形开关来操作，以在重置期期间将扫描电极的电压逐渐减 小至高于扫描电压的第一电压。
6、 如权利要求5所述的等离子体显示器，还包括电连接在扫描电极和电 源之间的第三晶体管，在第三晶体管处于导通时，扫描电压被提供到扫描电 极。
7、 如权利要求1所述的等离子体显示器，其中，第一电阻器和第二电阻 器中的至少一个是可变电阻器。
8、 如权利要求1所述的等离子体显示器，其中，第一电阻器和第二电阻 器中的至少 一 个是根据温度而变化的电阻器。
9、 一种用于产生第一电压的电压发生器，其中，第一电压高于由电源提 供的第二电压，所述电压发生器包括齐纳二极管，包括电连接到电源的阳极；晶体管，包括电连接到齐纳二极管的阴极的第 一 电极；至少 一个第 一 电阻器，电连接在齐纳二极管的阳极和晶体管的控制电极之间；至少一个第二电阻器，电连接在晶体管的控制电极和晶体管的第二电极 之间，在晶体管的第二电极处产生第一电压。
10、 如权利要求9所述的电压发生器，其中，第一电阻器和第二电阻器 中的至少一个是可变电阻器。
11、 如权利要求9所述的电压发生器，其中，第一电压和第二电压驱动 等离子体显示器。
12、 如权利要求9所述的电压发生器，其中，第二电压是提供到等离子 体显示器的扫描电极的扫描电压，第一电压是在等离子体显示器的重置期期 间最终提供的最终电压。
全文摘要
本发明提供了一种等离子体显示器及其电压发生器，在该等离子体显示器及其电压发生器中，晶体管的第一电极连接到扫描电极。另外，齐纳二极管的阴极连接到晶体管的第二电极，齐纳二极管的阳极连接到产生扫描电压的电源。第一电阻器连接在晶体管的第一电极和晶体管的控制电极之间，第二电阻器连接在晶体管的控制电极和齐纳二极管的阳极之间。重置期期间的最终电压由产生扫描电压的电源产生。
文档编号G09G3/288GK101231813SQ20071014929
公开日2008年7月30日 申请日期2007年9月11日 优先权日2006年9月11日
发明者安正洙, 朴正泌, 金正勋, 金石基 申请人:三星Sdi株式会社