显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备的制作方法

专利名称：显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备，特别是涉及
包含电光元件的像素以行列状(矩阵状)二元配置而成的平面型(flat panel 型)的显示装置、该显示装置的驱动方法以及具有该显示装置的电子设备。
背景技术：
近年来，在进行图像显示的显示装置的领域，迅速普及包含发光元件的 像素(像素电路)以行列状配置而成的平面型的显示装置。作为平面型的显 示装置，作为像素的发光元件，开发使用了根据流过设备的电流值而发光亮 度变化的所谓的电流驱动型的电光元件、例如利用了对有机薄膜施加电场则 发光的现象的有机EL (电致发光Electro Luminescence )元件的有机EL显 示装置，并发展其商品化。
有机EL显示装置具有以下的特点。即，由于有机EL元件能够以10V 以下的施加电压来驱动因此低耗电。有机EL元件是自发光元件，因此与通 过对每个像素由液晶控制来自光源(背光灯)的光强度从而显示图像的液晶 显示装置相比，图像的可见性高，而且由于无需背光灯等照明部件，因此容 易实现轻量化和薄型化。另外，由于有机EL元件的响应速度为数(isec左右， 非常快，因此不发生运动图像显示时的余像。
在有机EL显示装置中，与液晶显示装置相同地，作为其驱动方法，能 够采用单纯(无源passive)矩阵方式和有源矩阵(active matrix )方式。其 中，单纯矩阵方式的显示装置虽然结构简单，但电光元件的发光期间由于扫 描线(即、像素数)的增加而减少，因此存在难以实现大型且高精度的显示 装置等问题。
因此，近年来，盛行通过设置在与电光元件同一像素内的有源元件，例 如绝缘栅极型场效应晶体管( 一般为TFT(薄膜晶体管Thin Film Transistor )), 从而控制流过电光元件的电流的有源矩阵方式的显示装置的开发。有源矩阵 方式的显示装置由于电光元件经过1帧的期间持续发光，因此容易实现大型且高精度的显示装置。
但是， 一般，已知有机EL元件的I一V特性(电流一电压特性)随着时
间的经过而劣化(即，经时劣化)。在使用了 N沟道型的TFT作为用于电流 驱动有机EL元件的晶体管(以下，称为"驱动晶体管")的像素电路中，由 于在驱动晶体管的源极侧连接有机EL元件，因此若有机EL元件的I一V特 性经时劣化，则驱动晶体管的栅极一源极间电压Vgs变化，其结果，有机EL 元件的发光亮度也变化。
对此更具体地进行说明。驱动晶体管的源极电位由驱动晶体管和有机EL 元件的动作点来决定。且，若有机EL元件的I—V特性劣化，则导致驱动晶 体管和有机EL元件的动作点变动，因此即使对驱动晶体管的栅极施加相同 的电压，驱动晶体管的源极电位也变化。由此，由于驱动晶体管的源极一栅 极间电压Vgs变化，因此流过驱动晶体管的电流值变化。其结果，流过有机 EL元件的电流值也变化，因此，有机EL元件的发光亮度变化。
此外，在使用了多晶硅(poly silicon ) TFT的像素电路中，除了有机EL 元件的I—V特性的经时劣化以外，驱动晶体管的阈值电压Vth和构成驱动晶 体管的沟道的半导体薄膜的迁移率(以下、称为"驱动晶体管的迁移率")p 随着时间而变化，或者由于制造工艺的偏差而阈值电压Vth和迁移率p的晶 体管特性对每个像素而不同(每个像素的晶体管特性具有偏差)。
由于若驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率p对每个像素不同，则对每 个像素流过驱动晶体管的电流值产生偏差，因此即使在像素之间对驱动晶体 管的栅极施加相同的电压，在像素之间有机EL元件的发光亮度产生偏差， 其结果，画面的一致性(uniformity)受到破坏。
因此，为了即使有机EL元件的I一V特性经时劣化，或者驱动晶体管的 阈值电压Vth和迁移率(i经时变化，也不受其影响地将有机EL元件的发光 亮度保持一定，采用以下结构使每个像素电路具有对于有机EL元件的特 性变动的补偿功能，且具有对于驱动晶体管的阈值电压Vth的变动的校正(以 下，称为"阈值校正")、和对于驱动晶体管的迁移率p的变动的校正(以下， 称为"迁移率校正")的各个校正功能(例如参照专利文献l)。
由此，通过使各个像素电路具有对于有机EL元件的特性变动的补偿功 能以及对于驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率|i的变动的校正功能，从而 即使有机EL元件的I一V特性经时劣化，或者驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率p经时变化，也能够不受其影响地将有机EL元件的发光亮度保持一 定，因此能够提高有机EL显示装置的显示质量。 专利文献1:(曰本)特开2006-133542号公报
这样，在具有阈值校正和迁移率校正的校正功能的像素的驱动中，在发 光期间，通过对用于对视频信号进行采样从而写入像素内的写入晶体管(也 称为采样晶体管)的栅极施加负的偏置电压、例如-3V左右的电压，从而写 入晶体管成为非导通状态。
另一方面，属于1个像素列的各个像素的写入晶体管的源极共同连接在 1条信号线，在本身的像素行处于发光期间时，其他的像素行中能够进行视 频信号的写入，因此通过信号线的电位，写入晶体管的信号线侧的电位(源 极电位)成为0~6V左右的电位。其结果，成为写入晶体管中被施加负偏置 的状态。这里，负偏置是指相对于源极电位，栅极电位成为负的偏置状态。
由于该负偏置，写入晶体管的阈值电压Vth的晶体管特性(以下，记为 "写入晶体管的Vth特性")从在对栅极施加了写入脉沖时形成沟道而在源极 一漏极间流过电流的增强状态(enhancement),转移到在对4册极不施加写入 脉沖的状态下在源极一漏极间流过电流的降低状态(depression )。
若写入晶体管的Vth特性转移到降低状态，则迁移率校正的动作点偏移， 迁移率校正的校正时间变长(对此细节，将在后面叙述)，因此导致对迁移率 校正进行过校正。其结果，有机EL元件的发光电流慢慢下降。由于这与显 示面板的随着时间的亮度低下有关系，因此需要对于在发光期间写入晶体管 的Vth特性由于负偏置而转移到降低状态的情况的对策。

发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种能够抑制发光期间的负偏置所引起的 写入晶体管的Vth特性向降低状态转移而造成的发光电流的下降的显示装 置、该显示装置的驱动方法以及使用了该显示装置的电子设备。
本发明的显示装置包括
像素阵列单元，像素以行列状配置，所述像素包含电光元件、写入视
频信号的写入晶体管、保持通过所述写入晶体管而写入的所述视频信号的保
持电容、基于在所述保持电容中所保持的所述视频信号驱动所述电光元件的 驱动晶体管；以及驱动单元，驱动所述像素阵列单元的各个像素， 所述驱动单元，
在所述电光元件的非发光期间，依次执行阈值校正处理，以所述驱动 晶体管的栅极的初始化电位作为基准，使所述驱动晶体管的所述电光元件侧 的电极的电位向从该初始化电位减去所述驱动晶体管的阈值电压的电位方向 变化；以及迁移率校正，使流过所述驱动晶体管的电流负反馈至该驱动晶体 管的栅极侧，
在所述驱动晶体管中没有流过电流时，对所述写入晶体管的栅极施加正 偏置电压。
示装置的电子设备中，在驱动晶体管中不流过电流时，对写入晶体管的栅极 施加正偏置电压，从而写入晶体管的Vth特性向增强状态侧移位。由此，能 够抑制发光期间的负偏置所引起的写入晶体管的Vth特性向降低状态转移而 造成的发光电流的下降，因此迁移率校正的动作点的变动被抑制。
根据本发明，在对驱动晶体管没有电流流过时，通过对写入晶体管的栅 极施加正偏置电压，从而能够抑制迁移率校正的动作点的变动，因此能够抑 制发光期间的负偏置所引起的写入晶体管的Vth特性向降低状态转移而造成
的发光电流的下降。


图1是表示应用本发明的有机EL显示装置的结构的概略的系统结构图。 图2是表示像素(像素电路)的具体的结构例的电3各图。 图3是表示像素的截面结构的一例的截面图。
图4是用于说明应用本发明的有机EL显示装置的基本的电路动作的定
时波形图。
图5 (A)至图5 (D)是基本的电路动作的说明图(之一)。 图6 (A)至图6 (D)是基本的电路动作的说明图(之二)。 图7是用于说明起因于驱动晶体管的阈值电压Vth的偏差的课题的特性图。
图8是用于说明起因于驱动晶体管的迁移率ii的偏差的课题的特性图。 图9 (A)至图9 (C)是用于说明基于阈值校正、迁移率校正的有无的视频信号的信号电压Vsig和驱动晶体管的漏极/源极间电流Ids的关系的特性图。
图10是表示施加负偏置时的阈值电压Vth的变动特性的一例的图。 图11是表示写入脉冲WS的上升波形和迁移率校正的最佳校正时间t之 间关系的波形图。
图12是用于说明起因于由于在发光期间的负偏置所引起的写入晶体管 Vth特性向降低状态转移的不恰当的波形图。
图13是表示施加正偏置时的阈值电压Vth的变动特性的一例的图。
图14是用于说明实施例1的驱动方法的电路动作的定时波形图。
图15是用于说明实施例2的驱动方法的电路动作的定时波形图。
图16是表示应用本发明的电视机的外观的斜视图。
图17是表示应用本发明的数字照相机的外观的斜视图，图17(A)是从 前面看去的斜视图，图17 (B)是从后面看去的斜视图。
图18是表示应用本发明的笔记本型个人计算机的外观的斜视图。
图19是表示应用本发明的摄像机的外观的斜视图。
图20是表示应用本发明的移动电话机的外观图，图20(A)是打开状态 下的主视图，图20 (B)是其侧视图，图20 (C)是关闭状态下的主视图， 图20 (D)是左侧视图，图20 (E)是右侧视图，图20 (F)是俯视图，图 20 (G)是仰视图。
标号说明
IO...有机EL显示装置、20…像素(像素电路)、21...有机EL元件、22... 驱动晶体管、23...写入晶体管、24...保持电容、25...辅助电容、30...像素阵 列单元、31 (31-l~31-m)...扫描线、32 ( 32陽l 32-m)...电源供给线、33 (33-l~33-n)...信号线、34...公共电源供给线、40...写入扫描电路、50...电 源供给扫描电路、60...信号输出电路、70...显示面板
具体实施例方式
以下，参照附图详细i兌明本发明的具体实施方式
。 [系统结构]
图1是表示应用本发明的有源矩阵型显示装置的结构的概略的系统结构这里，作为一例，举例说明以下情况，即使用根据流过设备的电流值而 发光亮度变化的电流驱动型的电光元件、例如有机EL元件(有机电场发光
元件)作为像素(像素电路)的发光元件的有源矩阵型有机EL显示装置的情况。
如图1所示，参考例的有机EL显示装置10包括包含发光元件的多个 像素(PXLC) 20、该像素20以行列状(矩阵状)二元配置的像素阵列单元 30、以及配置在该像素阵列单元30的周围的用于驱动各个像素20的驱动单 元。作为驱动像素20的驱动单元，例如，设置有写入扫描电路40、电源供 给扫描电路50以及信号输出电路60。
这里，当有机EL显示装置IO为彩色显示用的显示装置时， 一个像素由 多个副像素(子像素)构成，该副像素相当于像素20。更具体地说，在彩色 显示用的显示装置中， 一个像素由发出红色光(R)的副像素、发出绿色光(G) 的副像素、发出蓝色光(B)的副像素3个副像素构成。
其中，作为一个像素，并不限于RGB的三原色的副像素的组合，也可以 对三原色的副像素还增加一个颜色或多个颜色的副像素而构成一个像素。更 具体地说，例如，也可以为了提高亮度增加发出白色光(W)的副像素而构 成一个像素，或者为了扩大颜色再现范围而增加发出互补色光的至少一个副 像素构成一个像素。
在像素阵列单元30中，对于m行n列的像素20的排列，对每个像素行 沿着第1方向(在图1中为左右方向/水平方向)布线扫描线31-l 31-m和电 源供给线32-l~32-m,对每个像素列沿着与第1方向正交的第2方向(在图1 中为上下方向/垂直方向)布线信号线33-l~33-n。
扫描线31 -1 ~31 -m分别连接在与写入扫描电路40对应的行的输出端。电 源供给线32-l 32-m分别连接在与电源供给扫描电路50对应的行的输出端。 信号线33-l 33-n分别连接在与信号输出电路60对应的列的输出端。
像素阵列单元30通常形成在玻璃基板等透明绝缘基板上。由此，有机 EL显示装置IO成为平面型(flat型)的面板结构。像素阵列单元30的各个 像素20的驱动电路能够使用非晶硅TFT ( Thin Film Transistor;薄膜晶体管) 或者低温多晶硅TFT来形成。在使用了低温多晶硅TFT的情况下，写入扫描 电路40、电源供给扫描电路50以及水平驱动电路60也能够安装在形成像素 阵列单元30的显示面板(基板)70上。写入扫描电路40由与时钟脉沖ck同步地依次移位(传送)开始脉冲sp 的移位寄存器(shift register)而构成，对像素阵列单元30的各个像素20写 入视频信号时，通过对扫描线31-l~31-m依次提供写入脉冲(扫描信号) WSl WSm，从而以行为单位依次扫描(线依次扫描)像素阵列单元30的各 个像素20。
电源供给扫描电路50由与时钟脉沖ck同步地依次移位开始脉冲sp的移 位寄存器(shift register)等而构成，通过与写入扫描电路40的线依次扫描同 步地、对电源供给线32-l 32-m提供由第1电位Vccp和比该第1电位Vccp 低的第2电位Vini来切换的电源供给线电位DSl DSm，从而进行像素20的 发光/非发光的控制，并对作为发光元件的有机EL元件提供驱动电流。
信号输出电路60适当选择与从信号供给源(未图示)提供的亮度信息对 应的视频信号的信号电压(以下，有时仅称为"信号电压")Vsig和基准电位 Vofs的任意一个，并通过信号线33-1~33-n例如以行为单位对像素阵列单元 30的各个像素20写入。即，信号输出电路60采用以行(line)为单位写入 视频信号的信号电压Vsig的线依次写入的驱动方式。
这里，基准电压Vofs是成为与亮度信息对应的视频信号的信号电压Vsig 的基准的基准电位(例如，相当于黑电平的电位)。此外，第2电源电位Vini 被设定为，比基准电位Vofs低的电位，例如将驱动晶体管22的阈值电压设 为Vth时比Vofs-Vth低的电位，优选比Vofs-Vth低得多的电位。
(像素电路)
图2是表示像素(像素电路)20的具体的结构例的电路图。
如图2所示，像素20由根据流过设备的电流值而发光亮度变化的电流驱 动型的电光元件、例如有机EL元件21、和用于驱动该有机EL元件21的驱 动电路构成。有机EL元件21,其阴极连接在对所有的像素20共同布线(所 谓的全面布线)的公共电源供给线34 。
驱动有机EL元件21的驱动电路包括驱动晶体管22、写入晶体管23、 保持电容24、以及辅助电容25。这里，使用N沟道型的TFT作为驱动晶体 管22和写入晶体管23。其中，驱动晶体管22和写入晶体管23的导电型的 组合只是一例，并不限定于这些组合。
另外，如果使用N沟道型的TFT作为驱动晶体管22和写入晶体管23, 则能够使用非晶硅(a—Si)工艺。通过使用a—Si工艺，能够实现用于生成TFT的基板的低成本化，进而能够实现本有机EL显示装置IO的低成本化。 此外，设驱动晶体管22和写入晶体管23为相同导电型的组合，则能够由相 同工艺制作两个晶体管22、 23,因此对低成本化作贡献。
驱动晶体管22，其一个电极(源极/漏极)连接在有机EL元件21的阳 极，另一个电极(漏极/源极)连接在电源供给线32 (32-l~32-m)。
写入晶体管23,其栅极电极连接在扫描线31 (31-l 31-m),其余电极中 的一个电极(源极/漏极)连接在信号线33 ( 33-l~33-n)，另一个电极(漏极 /源极)连接在驱动晶体管22的^f册极。
在驱动晶体管22和写入晶体管23中， 一个电极是指在源极/漏极区域电 连接的金属布线，另一个电极是在漏极/源极区域电连接的金属布线。此外， 根据一个电极和其他的电极的电位关系， 一个电极可成为源极也可成为漏极， 另 一个电极可成为漏极也可成为源极。
保持电容24，其一个电极连接在驱动晶体管22的栅极，另一个电极连 接在驱动晶体管22的另一个电极和有机EL元件21的阳极。
辅助电容25，分别其一个电极连接在有机EL元件21的阳极，另一个电 极连接在公共电源供给线34。该辅助电容25是为了补充有才几EL元件21的 电容不足量，提高对于保持电容24的视频信号的写入增益，根据需要而被设 置的电容。即，辅助电容25不是必须的结构要素，在有机EL元件21的电 容足够的情况下，可省略。
这里，设辅助电容25的另一个电极连接在公共电源供给线34,但作为 其他的电极的连接目的地，不一定限于公共电源供给线34,只要是固定电位 的节点，就能够达到补充有机EL元件21的电容不足量，提高对于保持电容 24的视频信号的写入增益的所期望的目的。
在上述结构的像素20中，写入晶体管23响应于从写入扫描电路40通过 扫描线31而施加到栅极的高电平的扫描信号WS而成为导通状态，从而对与 通过信号线33从信号输出电路60提供的亮度信息对应的视频信号的信号电 压Vsig或基准电压Vofs进行采样并写入像素20内。该被写入的信号电压Vsig 或者基准电压Vofs，被施加到驱动晶体管22的栅极并保持在保持电容24中。
驱动晶体管22在电源供给线32 ( 32-l~32-m)的电位DS为第1电源电 位Vccp时， 一个电极成为漏极，另 一个电极成为源极从而在饱和区域动作， 并从电源供给线32接受电流的供给，从而以电流驱动对有机EL元件21进行发光驱动。更具体地说，驱动晶体管22通过在饱和区域动作，从而对有机
EL元件21提供与保持在保持电容24中的信号电压Vsig的电压值对应的电 流值的驱动电流(发光电流)，并对该有机EL元件21进行电流驱动，从而
使其发光。
而且驱动晶体管22在电源供给线32 (32-l 32-m)的电位DS从第1电 源电位Vccp切换为第2电源电位Vini时， 一个电极成为源极，另一个电极 成为漏极而作为开关晶体管动作，并停止对有机EL元件21提供驱动电流， 使有机EL元件21处于非发光状态。即，驱动晶体管22还具有作为控制有 机EL元件21的发光/非发光的晶体管的功能。
根据该驱动晶体管22的开关动作，设置有机EL元件21成为非发光状 态的期间(非发光期间)，进行用于控制有机EL元件21的发光期间和非发 光期间的分配(占空比)的占空比控制，从而能够减少1帧期间像素持续发 光而导致的余像模糊。从而能够提高尤其是运动图像的品味。 (像素结构)
图3是表示像素20的截面结构的一例的截面图。如图3所示，像素20 成为以下结构即在包含驱动晶体管22等的驱动电路被形成的玻璃基板201 上依次形成有绝缘膜202、绝缘平坦膜203以及围绕(wind)绝缘膜204,并 在该围绕绝缘膜204的凹部分204A设置有机EL元件21 。这里，驱动电路的 各个结构元件中，仅图示了驱动晶体管22，省略表示其他的结构元件。
有机EL元件21包括由在上述围绕绝缘膜204的凹部分204A的底部 形成的金属等构成的阳极205、在该阳极205上形成的有机层(电子输送层、 发光层、空穴(hole)输送层/空穴注入层)206、以及在该有机层206上对全 部像素公共地形成的由透明导电膜等构成的阴极207。
在该有机EL元件21中，有机层206在阳极205上依次堆积空穴输送层 /空穴注入层2061、发光层2062、电子输送层2063以及电子注入层(未图示) 而形成。而且，在图2的驱动晶体管22的电流驱动下，从驱动晶体管22通 过阳极205对有才几层206流过电流，从而在该有机层206内的发光层2062中 电子和空穴再结合时发光。
驱动晶体管22包括栅极电极221、设置在半导体层222的一侧的源极 /漏极区域223 、设置在半导体层222的另 一侧的漏极/源极区域224、以及与 半导体层222的栅极电极221相对的部分的沟道形成区域225。源极/漏极区域223通过连接孔(contact hole )与有机EL元件21的阳极205电连接。
而且，如图3所示，在包含驱动晶体管22的像素电路被形成的玻璃基板
201上，经由绝缘膜202、绝缘平坦膜203以及围绕绝缘膜204,以像素为单
位形成有机EL元件21后，经由钝化(passivation )膜208，密封基板209通
过粘接剂210被连接，通过该密封基板209有机EL元件21被密封，从而形
成显示面板70。
(有机EL显示装置的基本的电路动作) 接着，基于图4的定时波形图，利用图5和图6的动作说明图，说明上
述结构的像素20以行列状二元配置而成的有机EL显示装置10的基本的电
路动作。
另外，在图5和图6的动作说明图中，为了简化图面，以开关符号表示 写入晶体管23。此外，有机EL元件21具有电容分量，将该电容分量和辅助 电容25的合成电容图示为Csub。
在图4的定时波形图中，表示扫描线31 (31-1 31-m)的电位(扫描信 号)WS的变化、电源供给线32 (32-l 32-m)的电位DS的变化、驱动晶体 管22的栅极电位Vg以及源极电位Vs的变化。此外，栅极电位Vg的波形以 点划线表示，以虚线表示源极电位Vs的波形，从而能够识别两者。
<前帧的发光期间>
在图4的定时波形图中，时刻tl之前，成为前帧的有机EL元件21发光 期间。在该发光期间，电源供给线32的电位DS为第1电源电位(以下，称 为"高电位")Vccp,此外，写入晶体管23为非导通状态。
此时，由于驱动晶体管22^皮设定为在饱和区域动作，因此如图5(A) 所示，从电源供给线32通过驱动晶体管22对有机EL元件21提供与驱动晶 体管22的栅极一源极间电压Vgs对应的驱动电流(漏极一源极间电流)Ids。 从而，有机EL元件21以与驱动电流Ids的电流值对应的亮度进行发光。
<阈值校正准备期间>
此后，成为时刻tl时，进入线依次扫描的新的帧(当前帧)。然后，如 图5 (B)所示，电源供给线32的电位DS从高电位Vccp切换为相对于信号 线33的基准电压Vofs比Vofs-Vth还要充分低的第2电源电位(以下，称为 'M氐电4立")Vini。
这里，在将有机EL元件21的阈值电压设为Vel,将公共电源供给线34的电位设为Vcath时，若将低电位Vini设为Vini<Vel+Vcath,则驱动晶体管 22的源极电位Vs几乎等于低电位Vini,因此有机EL元件21成为反偏置状 态而熄灭。
接着，在时刻t2扫描线31的电位WS从低电位侧转移至高电位侧，从 而如图5(C)所示，写入晶体管23成为导通状态。此时，从信号输出电路 60对信号线33提供基准电压Vofs，因此驱动晶体管22的栅极电位Vg成为 基准电压Vofs。此外，驱动晶体管22的源极电位Vs为比基准电压Vofs充分 j氐的电4立Vini。
此时，驱动晶体管22的栅极一源极间电压Vgs成为Vofs-Vini。这里， 若Vofs-Vini不比驱动晶体管22的阈值电压Vth大，则由于不能进行后述的 阈值校正处理，因此需要设定为Vofs-Vini>Vth的电位关系。
由此，进行后述的阈值校正处理之前的准备(阈值校正准备)的处理是 指分别将驱动晶体管22的栅极电位Vg固定为基准电压Vofs,将源极电位 Vs固定为低电位Vini (使其确定)，从而进行初始化的处理。这里，基准电 压Vofs和低电位Vini为驱动晶体管22的栅极电位Vg和源极电位Vs的各个 初始4匕电4立。
<阈值校正期间>
接着，在时刻t3，如图5(D)所示，电源供给线32的电位DS从低电 位Vini切换为高电位Vccp时，在保持驱动晶体管22的栅极电位Vg的状态 下，驱动晶体管22的源极电位Vs向从该栅极电位Vg减去驱动晶体管22的 阈值电压Vth的电位方向开始上升。立刻，驱动晶体管22的栅极一源极间电 压Vgs收敛于该驱动晶体管22的阈值电压Vth，相当于该阈值电压Vth的电 压保持在保持电容24中。
这里，为了便于说明，将进行以下处理的期间称为阈值校正期间。即在 保持驱动晶体管22的栅极电位Vg的状态下，以驱动晶体管22的栅极的初 始化电位(基准电位)Vofs为基准，使驱动晶体管22的源极电位Vs向从该 初始化电位Vofs减去驱动晶体管22的阈值电压Vth的电位方向变化，更具 体地说使其上升，检测最终收敛的驱动晶体管22的栅极一源极间电压Vgs 作为驱动晶体管22的阈值电压Vth,从而将相当于该阈值电压Vth的电压保 持在保持电容24中。
另外，在该阈值校正期间，为了使电流全部流过保持电容24侧，而不流过有机EL元件21侧，设预先设定公共电源供给线34的电位Vcath,以使有 才几EL元件21成为截止状态。
接着，如图6(A)所示，在时刻t4扫描线31的电位WS转移到低电位 侧，从而写入晶体管23成为非导通状态。此时，驱动晶体管22的栅极从信 号线33电切换而离开，成为浮动状态，但由于栅极一源极间电压Vgs等于驱 动晶体管22的阈值电压Vth,因此该驱动晶体管22成为截止状态。从而， 驱动晶体管22中不流过漏极一源极间电流Ids。
<写入期间/迁移率校正期间>
接着，如图6(B)所示，在时刻t5，信号线33的电位从基准电压Vofs 切换为视频信号的信号电压Vsig。接着，在时刻t6，扫描线31的电位WS 转移到高电位侧，从而如图6 (C)所示，写入晶体管23成为导通状态，从 而对视频信号的信号电压Vsig进行采样，将其写入像素20内。
通过该写入晶体管23的信号电压Vsig的写入，驱动晶体管22的栅极电 位Vg成为信号电压Vsig。然后，在根据视频信号的信号电压Vsig而驱动晶 体管22驱动时，该驱动晶体管22的阈值电压Vth与保持在保持电容24中的 相当于阈值电压Vth的电压相抵，从而进行阈值校正。对于阈值校正的原理， 将在后面4又述。
此时，有机EL元件21通过开始处于截止状态(高阻抗状态)，因此， 根据视频信号的信号电压Vsig从电源供给线32流过驱动晶体管22的电流(漏 极一源极间电流Ids )流进与有机EL元件21并联连接的合成电容Csub。从 而，该合成电容Csub开始充电。
根据合成电容Csub的充电，驱动晶体管22的源极电位Vs随着时间的 经过而上升。此时，驱动晶体管22的阈值电压Vth的每个像素的偏差已被校 正，驱动晶体管22的漏极一源极间电流Ids依赖于该驱动晶体管22的迁移 率H。
这里，若假设写入增益(保持电容24的保持电压Vgs对于视频信号的 信号电压Vsig的比率)为1 (理想值)，则驱动晶体管22的源极电位Vs上 升至Vofs-Vth+A V的电位，从而驱动晶体管22的4册极一源极间电压Vgs成 为Vsig-Vofs+Vth-AV。
即，驱动晶体管22的源极电位Vs的上升量AV从保持在保持电容24 的电压(Vsig-Vofs+Vth)被减去，换言之，起到对保持电容24的充电电荷进行放电的作用，等于被施加负反馈。从而，源极电位Vs的上升量AV成为负
反馈的反馈量。
由此，通过将流过驱动晶体管22的漏极一源;〖及间电流Ids输入到该驱动 晶体管22的栅极，即负反馈至栅极一源极间电压Vgs，从而消除对驱动晶体 管22的漏极一源极间电流Ids的迁移率n的依赖性，即进行校正迁移率n的 每个像素的偏差的迁移率校正。
更具体地说，由于视频信号的信号电压Vsig越高漏极一源极间电流Ids 越大，因此负反馈的反馈量(校正量)AV的绝对值也变大。由此，进行基 于发光亮度电平的迁移率校正。
此外，在将视频信号的信号电压Vsig设为一定时，驱动晶体管22的迁 移率p越大负反馈的反馈量AV的绝对值也变得越大，因此能够去除每个像 素的迁移率^的偏差。对于迁移率校正的原理，将在后面叙述。
<发光期间>
接着，如图6 (D)所示，通过在时刻t7,扫描线31的电位WS转移至 低电位侧，从而写入晶体管23成为非导通状态。由此，驱动晶体管22的栅 极从信号线33电切断而成为浮动状态。
这里，在驱动晶体管22的栅极处于浮动状态时，通过在驱动晶体管22 的栅极一源极间连接保持电容24，从而若驱动晶体管22的源极电位Vs变动， 则联动(跟随)于该源极电位Vs的变动而驱动晶体管22的4册极电位Vg也 变动。这样，驱动晶体管22的栅极电位Vg联动于源极电位Vs的变动而变 动的动作，就是基于保持电容24的自举(bootstrap )动作。
驱动晶体管22的栅极成为浮动状态，与此同时，驱动晶体管22的漏极 一源极间电流Ids开始流过有机EL元件21,从而有机EL元件21的阳极电 位根据驱动晶体管22的漏极一源极间电流Ids而上升。
然后，若有机EL元件21的阳极电位超过Vel+Vcath,则有机EL元件 21中开始流过驱动电流(发光电流)，因此有才几EL元件21开始发光。此外， 有机EL元件21的阳极电位的上升即是驱动晶体管22的源极电位Vs的上升。 若驱动晶体管22的源极电位Vs上升，则由于保持电容24的自举动作，驱动 晶体管22的4册极电位Vg也联动地上升。
此时，假设自举增益为1 (理想值)时，栅极电位Vg的上升量等于源极 电位Vs的上升量。因此，发光期间驱动晶体管22的栅极一源极间电压Vgs固定保持在Vsig-Vofs+Vth- △ V。 (阈值校正的原理)
这里，说明驱动晶体管22的阈值校正的原理。驱动晶体管22被设计为 在饱和区域动作，因此作为恒流源而工作。由此，从驱动晶体管22对有机 EL元件21提供由下式(1 )提供的固定的漏极一源极间电流(驱动电流)Ids。
Ids二 ( 1/2 ) |1 ( W/L ) Cox(Vgs-Vth)2 ...... ( 1 )
这里，W是驱动晶体管22的沟道宽度，L是沟道长度，Cox是单位面积 的栅极电容。
图7表示驱动晶体管22的漏极一源极间电流Ids对lt极一源极间电压 Vgs的特性。
如该特性图所示，若不进行对于驱动晶体管22的阈值电压Vth的每个像 素的偏差的校正，则在阈值电压Vth为Vthl时，与栅极一源极间电压Vgs 对应的漏4及一源才及间电流Ids成为Idsl 。
与此相反，在阈值电压Vth为Vth2 ( Vth2>Vthl )时，与相同栅极一源 极间电压Vgs对应的漏极一源极间电流Ids成为Ids2 (Ids2<Ids )。即，若驱 动晶体管22的阈值电压Vth变动，则即使栅极一源极间电压Vgs固定，漏极 —源才及间电流Ids也变动。
另一方面，在上述结构的像素(像素电路)20中，如先前所述，由于发 光时的驱动晶体管22的栅极一源极间电压Vgs为Vsig-Vofs+Vth-△ V,因此 若将其代入式(1 )，则漏极一源极间电流Ids表示为
Ids= ( 1/2 ) p ( W/L ) Cox(Vsig-Vofs - △ V)2 ...... ( 2 )
即，驱动晶体管22的阈值电压Vth的项被取消，从驱动晶体管22提供 给有机EL元件21的漏极一源极间电流Ids不依赖于驱动晶体管22的阈值电 压Vth。其结果，即使由于驱动晶体管22的制造工艺的偏差和经时变化而驱 动晶体管22的阈值电压Vth对每个像素变动，由于漏极一源极间电流Ids不 变动，因此能够将有机EL元件21的发光亮度保持为一定。 (迁移率校正的原理)
接着，说明驱动晶体管22的迁移率校正的原理。图8以对驱动晶体管 22的迁移率ia相对较大的像素A、和驱动晶体管22的迁移率p相对较小的 像素B进行比较的状态表示特性曲线。在由多晶硅薄膜晶体管等构成驱动晶 体管22的情况下，如像素A和像素B那样，不能避免在像素间迁移率！i偏差。
在像素A和像素B中对迁移率|Ll存在偏差的状态下，例如对两个像素A、
B写入相同电平的视频信号的信号电压Vsig的情况下，若不进行这些迁移率 p的校正，则导致在流过迁移率ji较大的像素A的漏极一源极间电流Idsl，和 流过迁移率p较小的像素B的漏极一源极间电流Ids2，之间存在较大的差异。 这样，若起因于迁移率p的每个像素的偏差而在像素之间漏极一源极间电流 Ids产生较大的差异，则画面的均匀性受损。
这里，从先前所述的式(1 )的晶体管特性式可知，迁移率p越大漏极一 源极间电流Ids越大。从而，迁移率p越大负反馈的反4赍量△ V越大。如图8 所示，迁移率p较大的像素A的反馈量AV1，比迁移率p较小的像素B的反 馈量AV2大。
因此，通过迁移率校正处理将驱动晶体管22的漏极一源极间电流Ids负 反馈至视频信号的信号电压Vsig侧，从而迁移率ia越大负反馈越大，因此能 够抑制迁移率p的每个像素的偏差。
具体地说，在迁移率p较大的像素A施加反馈量AV1的校正，则漏极 —源极间电流Ids从Idsl，大幅下降至Idsl。另一方面，由于迁移率ii较小的 像素B的反馈量AV2较小，因此漏极一源极间电流Ids从Ids2，下降至Ida2, 并不下降很大程度。其结果，像素A的漏极一源极间电流Idsl和像素B的漏 极一源极间电流Ids2变得几乎相等，因此迁移率p的每个像素的偏差被校正。
总结以上内容，在存在迁移率(i不同的像素A和像素B的情况下，迁移 率p较大的像素A的反馈量AV1，比迁移率n较小的像素B的反馈量AV2 大。即，迁移率p越大的像素反馈量AV越大，漏极一源极间电流Ids的减 小量越大。
从而，通过将驱动晶体管22的漏极一源极间电流Ids负反馈至被施加浮见 频信号的信号电压Vsig的驱动晶体管22的栅极侧，从而迁移率ji不同的像 素的漏极一源极间电流Ids的电流值被均匀化。其结果，能够校正迁移率p 的每个像素的偏差。即，使流过驱动晶体管22的电流(漏极一源极间电流Ids) 负反馈至驱动晶体管22的栅极侧的处理成为迁移率校正处理。
这里，使用图9说明，在图2所示的像素(像素电路)20中，基于阈值 校正、迁移率校正的有无的视频信号的信号电位(采样电位)Vsig、和驱动 晶体管22的漏极/源极间电流Ids之间的关系。在图9中，(A )表示阈值校正和迁移率校正都不进行的情况，(B )表示 不进行迁移率校正，仅进行阈值校正的情况，(C)表示阚值校正和迁移率校 正同时进行的情况。如图9(A)表示，在阈值校正和迁移率校正都不进行的 情况下，起因于阈值电压Vth和迁移率p的每个像素A、 B的偏差，在像素 A、 B间漏极一源极间电流Ids产生较大的差异。
与此相反，在仅进行阈值校正的情况下，如图9(B)所示，虽然根据该 阈值校正能够一定程度上减小漏极一源极间电流Ids的偏差，但还残留起因 于迁移率p的每个像素A、 B的偏差的、在像素A、 B之间的漏极一源极间 电流Ids的差异。
而且，如图9(C)所示，由于通过同时进行阈值校正和迁移率校正，从 而能够几乎消除由于阈值电压Vth和迁移率p的每个像素A、 B的偏差所引 起的像素A、 B之间的漏极一源极间电流Ids的差异，因此，无论哪个色阶， 都不发生有机EL元件21的亮度偏差，能够得到画质良好的显示图像。
此外，图2所示的像素20除了阈值校正和迁移率校正的各校正功能之外， 还具有先前所述的基于保持电容24的自举动作的功能，/人而能够得到以下的 作用效果。
即，即使有机EL元件21的I一V特性经时变化，与此同时驱动晶体管 22的源极电位Vs变化，根据保持电容24的自举动作，能够使驱动晶体管22 的栅极一源极间电位Vgs维持为固定，因此流过有机EL元件21的电流不变 化。从而，由于有机EL元件21的发光亮度也保持为一定，因此即使有机EL 元件21的I—V特性经时变化，也能够实现没有与其伴随的亮度劣化的图像 显示。
(发光期间的缺陷)
但是，在发光期间，由于对写入晶体管23的栅极施加负偏置电压，例如 -3V左右的电压，因此写入晶体管23成为非导通状态。此外，在发光期间， 由于对有机EL元件21流过电流，因此有机EL元件21的阳极电位(驱动晶 体管22的源极电位)上升至固定的电位、例如上升至5V左右。
而且，在白色阶的显示等中，若将白色阶的信号电压Vsig设为例如5V， 则驱动晶体管22的栅极电位比源极电位还要高5V，成为IOV左右。另一方 面，在本身的像素行处于发光期间时在其他的像素行进行视频信号的信号电 压Vsig的写入，根据此时的信号线33的电位，写入晶体管23的信号线33侧的电位(源极电位)成为0~6V左右的电位。
其结果，成为写入晶体管23的栅极被施加-3V左右的电压，信号线33 侧的电极(源极)被施加0~6V左右的电压，写入晶体管23被施加负偏置的 状态，同时成为栅极一漏极间被施加13V左右的高电压的状态。
由于该负偏置，产生写入晶体管23的阈值电压Vth向降低的方向变动的 现象，写入晶体管23的Vth特性从对栅极施加写入脉冲(扫描信号)WS时 形成构成到/人而在源极一漏极间流过电流的增强状态(enhancement )，转移 至在对栅极不施加写入脉冲WS的状态下在源极一漏极间流过电流的降低状 态(depression),这一情况被本申请人确认。
图IO表示施加负偏置时的阈值电压Vth的变动特性的一例。在图10中， 横轴表示对写入晶体管23的栅极施加负偏置的强调(stress)时间，纵轴表 示阈值电压Vth的变动量AVth。从该图可知，强调时间越长阈值电压Vth越
另一方面，迁移率校正的最佳校正时间t由式
t=C/ (kpVsig) …(3 ) 提供。这里，常数k是k-( 1/2) ( W/L) Cox。此外，C是进行迁移率校正时 被放电的节点的电容，在图2的电路例中成为有机EL元件21的等效电容、 保持电容24和辅助电容25的合成电容。
此外，迁移率校正的校正时间t由写入晶体管23从导通状态转移到非导 通状态的定时决定。然后，写入晶体管23即使栅极电位和信号线33的电位 之间的电位差、即栅极/源极间电压成为阈值电压Vth也截止，即从导通状态
转移到非导通状态。
但是，申请人确认通过进行设定，以使迁移率校正的校正时间t与视 频信号的信号电压Vsig成反比例，即使得信号电压Vsig较大时校正时间t 变短，在信号电压Vsig较小时校正时间t变长，从而能够更可靠地消除驱动 晶体管22的漏极一源极间电流Ids对于迁移率n的依赖性，即能够更可靠地 校正迁移率|a的每个像素的偏差。
由此，设定施加到写入晶体管23的栅极的写入脉沖WS,使得如图11 所示，从高电平转移到低电平时的下降波形(写入晶体管23为P沟道型时为 上升波形)成为与视频信号的信号电压Vsig成反比例的波形。
通过设定使写入脉冲WS的下降波形与视频信号的信号电压Vsig成反比例，从而即使写入晶体管23的栅极一源极间电压成为阈值电压Vth，由于该 写入晶体管23截止，因此能够进行设定使得迁移率校正的校正时间t与视频 信号的信号电压Vsig成反比例。
具体来说，由图11的波形图可知，在与白色电平对应的信号电压Vsig (白)时，为了写入晶体管23的栅极一源极间电压成为Vsig (白)+Vth时 截止，迁移率的校正时间t (白)被设定为最小，在与灰色电平对应的信号电 压Vsig (灰色)时，为了写入晶体管23的栅极一源极间电压成为Vsig (灰) 十Vth截止，因此校正时间t (灰)被设定为比校正时间t (白)长。
由此，通过进行设定使得迁移率校正的校正时间t与视频信号的信号电 压Vsig成反比例，从而能够与信号电压Vsig对应地设定最佳校正时间t，因 此在从黑电平至白电平的信号电压Vsig的全部范围(全色阶)内，能够更可 靠地消除驱动晶体管22的漏极一源极间电流Ids对于迁移率p的依赖性，即 能够更可靠地校正迁移率p的每个像素的偏差。
另一方面，如先前所述，若在发光期间由于负偏置而写入晶体管23的 Vth特性移位到降低状态，更具体地说，如图12所示，若写入晶体管23的 阈值电压Vth从Vthl的初始状态变动为比其4氐的Vth2，则迁移率校正的动 作点偏移，迁移率校正的一交正时间W人初始状态tl变化为比其长的时间t2。
而且，若迁移率校正的校正时间t变长，则对迁移率校正被进行过校正。 这里有机EL元件21的发光电流(驱动电流)Ids由以下式(4)提供。
Ids=k|i[Vsig/{l+Vsig(kM/C)t}〗2...... ( 4 )
如上述的式(4)可知，如果迁移率校正的校正时间t变长，被进行过校 正，则由于导致有机EL元件21的发光电流Ids緩慢下降，因此成为导致显 示面板的随时间的亮度降低的主要原因。
因此，在本实施方式的有机EL显示装置10中，在有机EL元件21的非 发光期间，在驱动晶体管22中不流过电流时，更具体地说在电源供给线32 的电位DS处于低电位Vini时，设对写入晶体管23的栅极施加正偏置电压， 即施加比视频信号的信号电压Vsig的最小振幅电平还要高的偏置电压。
更具体地说，在进行阈值电压校正处理时和在进行信号写入处理和迁移 率校正处理时，写入晶体管23的栅极从扫描电路40通过扫描线31 (31-l~31-m)被施加写入脉冲WS,但在非发光期间，在驱动晶体管22中没有流过电流时也将该写入脉冲WS施加到写入晶体管23的栅极。
一般，在晶体管中，在正的栅极偏置中Vth特性移位到增强状态侧。图
13表示正偏置施加时的阈值电压Vth的变动特性的一例。在图13中，横轴
表示对写入晶体管23的栅极施加正偏置的强调(stress)时间，纵轴表示阈
值电压Vth的变动量AVth。
从图13可知，对写入晶体管23的栅极施加正偏置的强调时间越长阈值
电压Vth越向增大的方向变化，写入晶体管23的Vth特性转移到增强状态侧。 这样，在有机EL元件21的非发光期间，在驱动晶体管22中不流过电
流时，更具体地说电源供给线32的电位DS处于低电位Vini时，向写入晶体
管23的栅极施加正偏置电压，从而能够使写入晶体管23的Vth特性转移到
增强状态侧。
这里，对写入晶体管23的栅极施加正偏置电压，更具体地说施加写入脉 冲WS,从而写入晶体管23成为导通状态，驱动晶体管22的栅极电位被改 写，但由于驱动晶体管22中不流过电流，因此有机EL元件21维持非发光 状态。
即，在驱动晶体管22中不流过电流时，对写入晶体管23的栅才及施加正 偏置电压，并使写入晶体管23的Vth特性转移到增强状态侧的动作，对有机 EL元件21的发光/非发光动作不带来任何影响。
而且，在非发光期间，通过使写入晶体管23的Vth特性转移到增强状态 侧，从而能够抑制发光期间的负偏置所引起的写入晶体管23的Vth特性向降 低状态侧移位，优选能够抵消。
由此，能够抑制迁移率校正的动作点的变动，因此能够在最佳校正时间 进行迁移率校正。其结果，能够抑制发光期间的负偏置所引起的写入晶体管 23的Vth特性向降低状态转移而造成的有机EL元件21的发光电流的下降， 因此能够抑制显示面板70的随时间的亮度下降。
为了提高对该写入晶体管23的栅极施加正偏置电压而Vth特性向降低状 态的转移效果，最好将正偏置电压、更具体地说写入脉冲SW的峰值设定为 在写入晶体管23的耐压的范围内尽可能大的值。
下面，说明用于在非发光期间，在驱动晶体管22不流过电流时，对写入 晶体管23的栅极施加正偏置电压的具体的实施例。 (实施例1 )图14是用于说明实施例1的驱动方法的电路动作的定时波形图。
如图14的定时波形图所示，在时刻tl进入新帧(当前帧)，在时刻t2 进行分别将驱动晶体管22的栅极电位Vg初始化为基准电压Vofs，将源极电 位Vs初始化为低电位Vini的处理之后，在时刻t3-t4的期间进行阈值校正处 理，此后在时刻t6-t7期间进行视频信号的信号电压Vsig的写入处理和迁移 率校正处理，这些一连串的处理与先前所述的基本的电路动作的情况相同。
除了此一连串的处理之外，在实施例l的驱动方法中，在进入阈值校正 处理之前的非发光期间，在驱动晶体管22中不流过电流时，在本像素行的阈 值校正期间之前的至少1H期间，例如多H期间，在时刻tll、 ...tlm中与其 他的像素行的阈值校正处理(包括驱动晶体管22的栅极电位的初始化处理) 同步地对写入晶体管23的栅极施加正偏置电压，具体地说使写入脉沖WS处 于有效(高电平)状态。
这里，对于写入晶体管23的^f册极施加正偏置电压时，最好，在多个H 期间，在信号线33的电位处于基准电压Vofs时对各个H期间间歇地使写入 脉沖WS处于有效状态。以下说明其理由。
即，若使写入脉冲WS多次处于有效状态，则由于在相同定时对于1条 信号线33多个像素行的写入晶体管23处于导通状态，因此导致信号线33的 电容增加。随着该电容增加，导致信号线33的过渡响应恶化。
尤其是，在其他的像素行，在写入视频信号的信号电压Vsig时，如果信 号线33的过渡响应恶化，则在信号电压Vsig的写入完成之前信号写入期间 结束，不能充分写入信号电压Vsig,因此成为画质下降和亮度下降的原因。 由于这样的理由，最好在多个H期间，在信号线33的电位处于基准电压Vofs 时使写入脉冲WS处于有效状态。 (实施例2)
图15是用于说明实施例2的驱动方法的电路动作的定时波形图。 在实施例1中，在多个H期间对各个H期间间歇地4吏写入脉冲WS处于 有效状态，从而对写入晶体管23的4册极施加正偏置电压。与此相反，在本实 施例2中，在从时刻tll至通过阈值4交正处理而进入驱动晶体管22的槺极电 位的初始化处理之前的时刻tin为止的多个H期间，连续地使写入脉冲WS 处于有效状态，并对写入晶体管23的栅极施加正偏置电压。
由此，在多个H期间连续地使写入脉沖WS处于有效状态的情况下，如先前所述，虽然信号线33的过渡响应恶化，但与间歇地使写入脉冲WS处于 有效状态的实施例1的情况相比，能够较长地确保对写入晶体管23的栅极施 加正偏置电压的时间，因此对写入晶体管23的栅极施加正偏置电压而引起的 Vth特性的向降低状态的转移效果较大。 [变形例]
在上述实施方式中，说明了适用了采用仅执行1次阚值校正处理的驱动 方法的情况的例子，但本发明不限于此，同样可运用于采用以下驱动方法的 情况，该驱动方法除了迁移率校正和信号写入处理一同进行的1水平扫描期 间之外，还将阈值校正处理分割到在该1水平扫描期间之前的多个水平扫描 期间而多次执行的、进行所谓的分割Vth校正。
这样，通过分割到在进行迁移率校正和信号写入的1水平扫描期间、和 该1水平扫描期间之前的多个水平扫描期间而设置阈值校正期间，从而即使 随着高精度化的多像素化而分配给1水平扫描期间的时间变短，也能够确保 充分的时间作为阈值校正期间，因此能够可靠地检测驱动晶体管22的阈值电 压Vth从而维持保持电容24,由此能够可靠地进行阄值校正处理。
而且，即使在采用进行分割Vth校正的驱动方法的情况下，在驱动晶体 管22中不流过电流时，通过对写入晶体管23的栅极施加正偏置电压，从而 能够抑制发光期间的负偏置所引起的写入晶体管23的Vth特性向降低状态转 移而造成的发光电流的下降，因此能够抑制显示面板70的随时间的亮度降 低。
此外，根据上述实施方式，作为写入晶体管23而使用N沟道型的晶体 管从而写入脉沖WS的高电平成为有效，因此在驱动晶体管22中不流过电流 时，对写入晶体管23的栅极施加正偏置电压，但在作为写入晶体管23而使 用P沟道型晶体管的像素电路的情况下，对写入晶体管23的栅极施加负偏置 即可。即，施加与使写入晶体管23成为非导通状态时的偏置电压相反极性的 偏置电压即可。
而且，在上述实施方式中，应用以下结构的有机EL显示装置的情况为 例进行说明即省略提供给驱动晶体管22的电源电位DS能够以第1电位 Vccp和第2电位Vini进行切换，通过该电源电位DS的切换而控制有才几EL 元件21的发光/非发光的晶体管、和初始化驱动晶体管22的源极电位Vs的 晶体管，而且通过采用从和视频信号的信号电压Vsig相同的信号线提供提供Vg的基准电位Vofs，从而省略用于初始化驱动 晶体管22的栅极电位Vg的晶体管，但本发明不限于该应用例。
即，同样可应用于具有除了驱动晶体管22的写入晶体管23之外，也 可以具有控制有机EL元件21的发光/非发光的晶体管，或具有初始化驱动晶 体管22的源极电位Vs的晶体管，或具有初始化驱动晶体管22的栅极电位 Vg的晶体管的结构的像素的有机EL显示装置。
此外，在上述实施方式中，举例说明应用于作为像素电路20的电光元件 使用有机EL元件的的有机EL显示装置的情况，但本发明不限于该应用例。 具体地说，可应用于使用了无机EL元件、LED元件、半导体激光元件等根 据流过设备的电流值而发光亮度变化的电流驱动型的电光元件(发光元件) 的所有显示装置。
以上说明的本发明的显示装置，作为一例，可适用于如图16~图20所示 的各种各样的电子设备的显示装置，例如将被输入到数字照相机、笔记本型 个人计算机、移动电话等的移动终端装置、摄像机等电子设备的视频信号或 者在电子设备内生成的视频信号作为图像或视频来显示的所有领域的电子设 备的显示装置。
这样，由先前所述的实施方式的说明可知，通过作为所有领域的电子设 备的显示装置而使用本发明的显示装置，从而本发明的显示装置能够抑制发 光期间的负偏置所引起的写入晶体管的Vth特性向降低状态移位而造成的发 光电流的下降，并能够抑制显示面板的随时间的亮度降低，因此在各种各样 的电子设备中，能够进行高品味的图像显示。
另外，本发明的显示装置还包括被密封构成的模块形状的装置。例如， 相当于在像素阵列单元30上粘贴在透明的玻璃等相对部分而形成的显示模 块。该透明的相对部分上还可以设置滤色器、保护膜等、还可以设置上述的 遮光膜。另外，在上述显示模块上还可以设置用于输入输出从外部到像素阵 列单元的信号等的电路单元和FPC (柔性印刷电路flexible print circuit)等。
以下，说明应用本发明的电子设备的具体例子。
图16是表示应用了本发明的电视机的外观的斜视图。本应用例的电视机 包括由前面板102和过滤玻璃103构成的S见频显示画面单元101，作为该视 频显示画面单元101而使用本发明的显示装置。图17是表示应用本发明的数字照相机的外观的斜视图，(A)是从前面 看的斜视图，(B)是从后面看的斜视图。本应用例的数字照相机包括闪光用 的发光单元lll、显示单元112、菜单开关113、以及快门按钮114等，作为 其显示单元112而使用本发明的显示装置。
图18是表示应用本发明的笔记本型个人计算机的外观的斜视图。本应用 例的笔记本型个人计算机，其本体121包括在输入字符等时被操作的键盘 122、以及显示图像的显示单元123等，作为其显示单元123而使用本发明的 显示装置。
图19是表示应用本发明的摄像机的外观的斜视图。本应用例的摄像机包 括本体单元131、向着前方的侧面的被摄体摄影用的镜头132、摄像时的开始 /停止开关133、以及显示单元134等，作为其显示单元134而使用本发明的
显示装置。
图20是表示应用本发明的移动终端装置、例如移动电话机的外观图， (A)是打开的状态下的正面图，(B)是其侧面图，(C)是关闭状态下的正 面图，(D)是左侧面图，(E)是右侧面图，(F)是上面图，(G)是下面图。 本应用例的移动电话机包括上侧箧体141、下侧箧体142、连接部分(这里 为铰链部分)143、显示器144、子显示器145、图像灯(picture light) 146、 以及照相机147等，且作为该显示器144和子显示器145而^f吏用本发明的显 示装置。
权利要求
1、一种显示装置，其特征在于，包括像素阵列单元，像素以行列状配置，所述像素包含电光元件、写入视频信号的写入晶体管、保持通过所述写入晶体管而写入的所述视频信号的保持电容、基于在所述保持电容中所保持的所述视频信号驱动所述电光元件的驱动晶体管；以及驱动单元，驱动所述像素阵列单元的各个像素，所述驱动单元，在所述电光元件的非发光期间，依次执行阈值校正处理，以所述驱动晶体管的栅极的初始化电位作为基准，使所述驱动晶体管的所述电光元件侧的电极的电位向从该初始化电位减去所述驱动晶体管的阈值电压的电位方向变化；以及迁移率校正处理，使流过所述驱动晶体管的电流负反馈至该驱动晶体管的栅极侧，在所述驱动晶体管中没有流过电流时，对所述写入晶体管的栅极施加正偏置电压。
2、 如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在执行所述阈值校正处理和所述迁移率校正处理的1水平扫描期间之前 的至少1水平扫描期间，所述驱动单元对所述写入晶体管的栅极施加正偏置 电压。
3、 如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，在执行所述阈值校正处理和所述迁移率校正处理的1水平扫描期间之前 的多个水平扫描期间的每一个，所述驱动单元间歇地对所述写入晶体管的栅 极施加正偏置电压。
4、 如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述初始化电位通过提供视频信号的信号线选择性地被提供给所述像素，所述驱动单元在所述信号线的电位处于所述初始化电位时，对所述写入 晶体管的栅极施加正偏置电压。
5、 如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，在执行所述阈值校正处理和所述迁移率校正处理的1水平扫描期间之前的多个水平扫描期间，所述驱动晶体管持续对所述写入晶体管的栅极施加正 偏置电压。
6、 一种显示装置的驱动方法，所述显示装置包括像素以行列配置的像素 阵列单元，所述像素包含电光元件、写入视频信号的写入晶体管、保持通 过所述写入晶体管而写入的所述视频信号的保持电容、基于在所述保持电容 中所保持的所述视频信号驱动所述电光元件的驱动晶体管，所述驱动方法的 特征在于，在所述电光元件的非发光期间，依次执行阈值校正处理，以所述驱动 晶体管的栅极的初始化电位作为基准，使所述驱动晶体管的所述电光元件侧 的电极的电位向从该初始化电位减去所述驱动晶体管的阈值电压的电位方向 变化；以及迁移率校正处理，使流过所述驱动晶体管的电流负反馈至该驱动 晶 体管的栅极侧，在所述驱动晶体管中没有流过电流时，对所述写入晶体管的栅极施加正 偏置电压。
7、 一种电子设备，具有显示装置，所述显示装置包括 像素阵列单元，像素以行列状配置，所述像素包含电光元件、写入视频信号的写入晶体管、保持通过所述写入晶体管而写入的所述视频信号的保 持电容、基于在所述保持电容中所保持的所述视频信号驱动所述电光元件的 驱动晶体管；以及驱动单元，驱动所述像素阵列单元的各个像素，所述电子设备的特征在于，所述驱动单元，在所述电光元件的非发光期间，依次执行阈值校正处理，以所述驱动 晶体管的栅极的初始化电位作为基准，使所述驱动晶体管的所述电光元件侧 的电极的电位向从该初始化电位减去所述驱动晶体管的阈值电压的电位方向 变化;以及迁移率校正处理，使流过所述驱动晶体管的电流负反馈至该驱动 晶 体管的4册极侧，在所述驱动晶体管中没有流过电流时，对所述写入晶体管的栅极施加正 偏置电压。
全文摘要
本发明涉及显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备。抑制发光期间的负偏置所引起的写入晶体管的Vth特性向降低状态转移而造成的发光电流的下降。在有机EL元件的非发光期间，在电流驱动该有机El元件的驱动晶体管中不流过电流时，在本像素行的阈值校正期间之前的至少1H期间，例如多个H期间，设写入脉冲WS处于有效(高电平)状态，并对写入晶体管的栅极施加正偏置电压，从而使写入晶体管的Vth特性向增强状态侧移位。
文档编号G09G3/30GK101430860SQ200810174848
公开日2009年5月13日 申请日期2008年11月7日 优先权日2007年11月7日
发明者内野胜秀, 山下淳一, 山本哲郎 申请人:索尼株式会社