有机发光显示器及其驱动方法

专利名称：有机发光显示器及其驱动方法
技术领域：
本发明涉及一种有机发光显示器及其驱动方法，具体地讲，涉及一种能 够显示具有基本均匀的亮度的图像的有机发光显示器及其驱动方法。
背景技术：
近来，已经开发出了重量减轻且体积减小的各种平板显示装置，其中， 重量大且体积大是阴极射线管的缺点。平板显示装置的类型包括液晶显示器
(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)和有机发光显 示器等。
这些平板显示装置中的有机发光显示器利用有机发光二极管(OLED) 来显示图像，所述有机发光二极管利用电子和空穴的复合来发光。这样的有 机发光显示器的优点在于其响应速度快，并且以低功耗来驱动。
图1是示出有机发光显示器的像素的电路图。参照图1，有机发光显示 器的像素4包括像素电路2，像素电路2连接到有机发光二极管OLED、数据 线Dm和用于控制有机发光二极管OLED的扫描线Sn。
有机发光二极管OLED的阳极电极连4妄到像素电路2，有机发光二极管 OLED的阴极电极连接到第二电源ELVSS。有机发光二极管OLED按照与像 素电路2供应的电流对应的亮度来发光。
当扫描信号被供应到扫描线Sn时，像素电路2对应于供应到数据线Dm 的数据信号来控制供应到有机发光二极管OLED的电流的量。
为此，像素电路2包括第二晶体管M2，连接在第一电源ELVDD和有 机发光二极管OLED之间；第一晶体管Ml,连接在第二晶体管M2、数据线 Dm和扫描线Sn之间；存储电容器Cst,连接在第二晶体管M2的第一电极 和才册电4及之间。
第一晶体管Ml的栅电极连接到扫描线Sn，第一晶体管Ml的第一电极 连接到数据线Dm。第一晶体管Ml的第二电极连接到存储电容器Cst的一端。 这里，第一电极是源电极和漏电极中的一个电极，第二电极是源电极和
漏电极中的另一个电极。例如，如果第一电极是源电极，则第二电极是漏电
极。当从扫描线Sn供应扫描信号时，连接到扫描线Sn和数据线Dm的第一 晶体管Ml导通，从而将由数据线Dm供应的数据信号供应到存储电容器Cst。 此时，存储电容器Cst充有与数据信号对应的电压。
第二晶体管M2的栅电极连接到存储电容器Cst的一端，第二晶体管M2 的第一电极连接到存储电容器Cst的另一端和第一电源ELVDD。第二晶体管 M2的第二电极连接到有机发光二极管OLED的阳极电极。
第二晶体管M2控制乂人第一电源ELVDD经有机发光二才及管OLED流到 第二电源ELVSS的电流的量，其中，所述电流的量对应于存储在存储电容器 Cst中的电压值。此时，有机发光二极管OLED产生与第二晶体管M2供应的 电流的量对应的光。
然而，存在这样的问题因为根据有机发光二极管OLED的劣化的效率 变化，所以这样的有机发光显示器不能显示具有期望亮度的图像。
在实践中，有机发光二极管OLED随着时间的过去而劣化，从而产生亮 度逐渐降低的光。此外，该传统的有机发光显示器的问题在于因为像素4 中包括的驱动晶体管M2的阈值电压/迁移率的不均匀性，所以不能显示具有 均匀亮度的图像。

发明内容
根据本发明示例性实施例的 一方面在于提供一种能够显示具有基本均匀 的亮度的图像而与有机发光二极管的劣化和驱动晶体管的阈值电压/迁移率 无关的有机发光显示器及其驱动方法。
根据本发明示例性实施例的有机发光显示器包括多个像素，位于数据 线、扫描线和发射控制线的交叉部分，多个像素中的每个像素包括用于发光 的有机发光二极管和用于驱动有机发光二极管的驱动晶体管；传感器，用于 感测有机发光二极管的劣化信息和驱动晶体管的迁移率信息；转换器，用于 存储有机发光二极管的劣化信息和驱动晶体管的迁移率信息，并用于通过利 用所述劣化信息和迁移率信息将输入数据转换成校正数据；数据驱动器，用 于接收从转换器输出的校正数据，并用于利用校正数据产生通过数据线将被 供应到多个像素的数据信号。
根据本发明实施例的有机发光显示器的驱动方法包括以下步骤产生第
一电压，同时将第一电流供应到多个像素中包括的有机发光二极管；将第一
电压转换成第一数字值，并将第一数字值存储在存储器中；产生第二电压， 同时吸收通过多个像素中的驱动晶体管的第二电流；产生第三电压，同时吸 收通过多个像素中的驱动晶体管的第三电流；将与第二电压和第三电压之差 对应的信息转换成第二数字值，并将第二数字值存储在存储器中；利用存储 在存储器中的第 一数字值和第二数字值将输入数据转换成校正数据，以显示 具有基本均匀的亮度的图像，而与有机发光二极管的劣化和驱动晶体管的迁 移率无关；将与校正数据对应的数据信号提供到数据线。
根据本发明另 一 实施例的有机发光显示器的驱动方法包括以下步骤通 过利用第 一 电流测量多个像素中的有机发光二极管的电压变化，并存储所述 电压变化；顺序地吸收通过多个像素中的驱动晶体管的第二电流和第三电流， 从而测量对应于第二电流的第二电压和对应于第三电流的第三电压，并存储 第二电压和第三电压之差；利用所述电压变化与第二电压和第三电压之差将 输入数据转换成校正数据，从而补偿有机发光二极管的劣化和驱动晶体管中 的迁移率的变化；在显示时间段期间，将对应于校正数据的数据信号施加到 多个像素，并通过初始化过程4卜偿多个像素的相应像素电路中的驱动晶体管 的阈值电压。


通过下面结合附图对特定示例性实施例进行描述，本发明的这些和/或其 它实施例及特征将变得清楚且更易于理解，在附图中 图l是示出像素的电路图2是示出根据本发明实施例的有机发光显示器的示意性框图； 图3是示出图2中示出的像素的第一实施例的电路图； 图4是示出图2中示出的像素的第二实施例的电路图； 图5是示出图2中示出的开关单元、传感器和转换器的框图； 图6是示出图5中示出的感测电路的示意性框图； 图7是示出图2中示出的数据驱动器的实施例的示意性框图； 图8A至图8G是用于示出根据本发明第一实施例的有机发光显示器的驱 动方法的示意性电^各图9A至图9G是用于示出根据本发明第二实施例的有机发光显示器的驱
动方法的示意性电i 各图。
具体实施例方式
在下文中，将参照附图描述根据本发明的特定示例性实施例。这里，当 第 一元件被描述为连接到第二元件时，第 一元件不但可以直接连接到第二元 件，而且可以选择性地通过第三元件间接地连接到第二元件。此外，为了清 楚起见，省略了对完全理解本发明不必要的一些元件。此外，相同的标号始 终表示相同的元件。
在下文中，将参照附图来描述根据本发明的示例性实施例。
图2是示出根据本发明实施例的有机发光显示器的示意性框图。
参照图2,根据本发明实施例的有机发光显示器包括显示区130,具有 连接到扫描线Sl至Sn、发射控制线El至En、感测线CL1至CLn和数据线 Dl至Dm的像素140;扫描驱动器110,用于驱动扫描线Sl至Sn和发射控 制线El至En;感测线驱动器("感测驱动器")160，用于驱动感测线CL1 至CLn;数据驱动器120,用于驱动数据线Dl至Dm;时序控制器150，控 制扫描驱动器110、数据驱动器120和感测线驱动器160。
此外，根据本发明该实施例的有机发光显示器还包括传感器180,用 于提取相应的像素140中包括的有机发光二极管的劣化信息和驱动晶体管的 迁移率信息；开关单元170,用于选择性地将传感器180和数据驱动器120 连接到数据线Dl至Dm;转换器190,用于存储利用传感器180感测的信息 并转换输入数据，从而利用存储的信息来显示具有基本均匀的亮度的图像， 而与有机发光二极管的劣化和驱动晶体管的迁移率无关。
显示区130包括像素140，像素140位于扫描线Sl至Sn、发射控制线 El至En和数据线Dl至Dm的交叉部分("交叉处")。从外部电源将第一电 源ELVDD和第二电源ELVSS供应给像素140。像素140根据数据信号控制 从第一电源ELVDD经相应的有机发光二极管供应到第二电源ELVSS的电流 的量。随后，由有机发光二极管产生具有对应的亮度(例如，预定亮度)的 光。
扫描驱动器IIO根据时序控制器150的控制将扫描信号供应到扫描线Sl 至Sn。此外，扫描驱动器IIO根据时序控制器150的控制将发射控制信号供 应到发射控制线E1至En。
感测线驱动器160根据时序控制器150的控制将感测信号供应到感测线 CX1至CLn。
数据驱动器120根据时序控制器150的控制将数据信号供应到数据线D1 至Dm。
开关单元170选择性地将传感器180和数据驱动器120连接到数据线D1 至Dm。为此，开关单元170包括分别连接到H据线Dl至Dm的一对开关元 件(即，用于每个通道(channel)的一对开关元件)。
传感器180提取包括在每个像素140中的有机发光二极管的劣化信息， 并将所提取的劣化信息供应到转换器190。此外，传感器180提取包括在每 个像素140中的驱动晶体管的迁移率信息，并将所提fU々迁移率信息供应到 转换器190。为此，传感器180包括分别连接到数据线Dl至Dm的感测电路 (即，用于每个通道的感测电路)。
根据一个示例性实施例，在将电源施加到有机发光显示器之后且在显示 图像之前的第一非显示时间段(或第一非显示时间)中，执行有机发光二极 管的劣化信息的提取。换言之，在每次将电源施加到有机发光显示器时，可 执行有机发光二极管的劣化信息的提取。
在所描述的实施例中，在将电源施加到有机发光显示器之后且在显示图 像之前的第二非显示时间段(或第二非显示时间)中，执行驱动晶体管的迁 移率信息的提取。此外，在有机发光显示器作为产品发布(distribute)之前， 可执行有机发光二极管的劣化信息的提取，使得当发布产品时，迁移率信息 可作为预先规定的信息来提供。换言之，根据一个实施例，在每次将电源施 加到有机发光显示器时，执行驱动晶体管的迁移率信息的提取。可选择地， 在发布产品之前可以预先存储性能结果，从而可以使用预先存储的信息，而 无需在每次施加电源时执行迁移率信息的提取。
转换器190接收由传感器180供应的劣化信息和迁移率信息，并存储相 应地包括在所有像素中的驱动晶体管的迁移率信息和有机发光二极管的劣化 信息。为此，转换器190包括存储器和转换电路，所述转换电路用于将从时 序控制器输入的输入数据Data转换成校正数据Data',以利用存储在存储器
中的信息来显示具有基本均匀的亮度的图像，而与有机发光二极管的劣化和 驱动晶体管的迁移率无关。
时序控制器150控制数据驱动器120、扫描驱动器110和感测线驱动器
160。
此外，利用时序控制器150的输出将从外部数据源输入的数据Data转换 成校正数据Data，，以利用转换器190补偿有机发光二极管的劣化和驱动晶体 管的迁移率的偏移，且校正数据Data，被供应到数据驱动器120。随后，数据 驱动器120利用被转换的校正数据Data，来产生数据信号，并将所产生的数据 信号供应到像素140。
在根据本发明的一个实施例中，利用传感器180和转换器190来补偿有 机发光二极管的劣化和驱动晶体管的迁移率，且在像素结构内自补偿驱动晶 体管的阈值电压之间的差，如下面将描述的。
图3示出了图2中示出的像素的第一实施例。为了便于描述，图3示出 了连接到第m数据线(Dm)和第n扫描线(Sn )的像素。
参照图3，根据本发明第一实施例的像素140包括有机发光二极管OLED 和用于将电流供应到有机发光二极管OLED的像素电^各142。
有机发光二极管OLED的阳极电极连接到像素电路142，有机发光二极 管OLED的阴极电极连接到第二电源ELVSS。有机发光二极管OLED对应于 从像素电路142供应的电流来发光。
当扫描信号被供应到扫描线Sn时，像素电路142供应有被供应到数据线 Dm的数据信号。此外，当感测信号被供应到感测线CLn时，像素电路142 将有机发光二极管OLED的劣化信息和/或驱动晶体管(即，第二晶体管M2 ) 的迁移率信息提供到传感器180。为此，像素电路142包括六个晶体管Ml 至M6与两个电容器C1和C2。
第一晶体管Ml的栅电极连接到扫描线Sn,第一晶体管Ml的第一电极 连接到数据线Dm。第一晶体管Ml的第二电极连接到第一节点A。
第二晶体管M2的栅电极连接到第二节点B,第二晶体管M2的第一电 极连接到第 一 电源ELVDD。
此外，第一电容器Cl连接在第一电源ELVDD和第二节点B之间，第 二电容器C2连接在第一节点A和第二节点B之间。
第二晶体管M2根据存储在第一电容器C1和第二电容器C2中的电压值 来控制从第一电源ELVDD经有机发光二极管OLED流到第二电源ELVSS的 电流的量。此时，有机发光二极管OLED产生与由第二晶体管M2供应的电 流的量对应的光。
第三晶体管M3的栅电极连接到发射控制线En，第三晶体管M3的第一 电极连接到第二晶体管M2的第二电极。第三晶体管M3的第二电极连接到 有机发光二极管OLED。当发射控制信号被供应到发射控制线En时(高电平)， 第三晶体管M3截止；当发射控制信号不被供应到发射控制线En时(低电平)， 第三晶体管M3导通。这里，在与数据信号对应的电压被充电在第一电容器 Cl和第二电容器C2中的时间段(编程时间段)、阈值电压被存储的时间段(Vth 存储时间段)以及有机发光二极管OLED的劣化信息被感测的时间段(OLED 劣化感测时间段)期间，供应发射控制信号(高电平)。
第四晶体管M4的栅电极连接到感测线CLn,第四晶体管M4的第一电 极连接到第三晶体管M3的第二电极。此外，第四晶体管M4的第二电极连 接到数据线Dm。当感测信号被供应到感测线CLn时，第四晶体管M4导通； 在其它情况下，第四晶体管M4截止。这里，在有机发光二极管OLED的劣 化信息被感测的时间段(OLED劣化感测时间段)和第二晶体管M2 ("驱动 晶体管")的迁移率信息被感测的时间段期间，供应感测信号。
第五晶体管M5的栅电极连接到前一行像素的扫描线Sn-l ("前一扫描 线")，第五晶体管M5的第一电极连接到第二晶体管M2的栅电极。此外， 第五晶体管M5的第二电极连接到第二晶体管M2的第二电极。换言之，当 第五晶体管M5导通时，第二晶体管M2为二极管接法的(diode-connected)晶 体管。
第六晶体管M6的栅电极连接到前一行像素的扫描线Sn-l ("前一扫描 线")，第六晶体管M6的第一电极连接到参考电压(Vref),第六晶体管M6 的第二电极连接到第一节点A。换言之，当第六晶体管M6导通时，第二电 容器C2的第一电极被供应有参考电压Vref。
根据图3的实施例，第一晶体管Ml至第六晶体管M6是PMOS晶体管， 但是本发明不限于此。例如，在其它实施例中，第一晶体管Ml至第六晶体 管M6可以实现为NMOS晶体管。
图4示出了图2中示出的像素的第二实施例。为了便于描述，图4示出 了连接到第m数据线(Dm)和第n扫描线(Sn )的像素。
参照图4,根据本发明第二实施例的像素140，包括有机发光二极管OLED 和用于将电流供应到有机发光二极管OLED的像素电路142，。根据第二实施 例的像素140，与图3中示出的根据第一实施例的像素140的不同之处在于
像素电路142，包括七个晶体管Ml，至M7'、两个电容器Cl，和C2，以及一个开 关元件Tl。
在像素电路142，中，第一晶体管Ml，的栅电极连接到扫描线Sn,第一晶 体管Ml，的第一电极连接到数据线Dm。第一晶体管Ml，的第二电极连接到第 一节点A。
第二晶体管M2，的栅电极连接到第二节点B,第二晶体管M2，的第一电 极连接到第 一 电源ELVDD 。
此外，第一电容器Cl，连接在第一电源ELVDD和第二节点B之间，第 二电容器C2，连接在第一节点A和第二节点B之间。
第二晶体管M2，根据存储在第一电容器Cl，和第二电容器C2，中的电压 值来控制^v第一电源ELVDD经有才几发光二极管OLED流到第二电源ELVSS 的电流的量。此时，有机发光二极管OLED产生与由第二晶体管M2，供应的 电流的量对应的光。
第三晶体管M3，的栅电极连接到发射控制线En，第三晶体管M3，的第一 电极连接到第二晶体管M2，的第二电极。第三晶体管M3，的第二电极连接到 有机发光二极管OLED。当发射控制信号被供应到发射控制线En时(高电平)， 第三晶体管M3，截止；当发射控制信号不被供应到发射控制线En时(低电平)， 第三晶体管M3，导通。这里，在有机发光二极管OLED的劣化信息被感测的 时间段(OLED劣化感测时间段)、第二晶体管M2，的迁移率信息被感测的时 间段(迁移率感测时间段)、初始化时间段、阈值电压被存储的时间段以及与 数据信号对应的电压被充电的时间段(Vth存储和编程时间段)期间，供应 发射控制信号(高电平)。
第四晶体管M4，的栅电极连接到感测线CLn，第四晶体管M4，的第一电 极连接到第三晶体管M3，的第二电极。此外，第四晶体管M4，的第二电极连 接到数据线Dm。当感测信号被供应到感测线CLn时，第四晶体管M4，导通； 在其它情况下，第四晶体管M4，截止。这里，在有机发光二极管OLED的劣 化信息被感测的时间段(OLED劣化感测时间段)，供应感测信号。
第五晶体管M5，的栅电极连接到扫描线Sn,第五晶体管M5，的第一电极 连接到第二晶体管M2，的栅电极。此外，第五晶体管M5，的第二电极连接到 第二晶体管M2，的第二电极。换言之，当第五晶体管M5，导通时，第二晶体 管M2，为二极管接法的晶体管。
第六晶体管M6，的栅电极连接到发射控制线En,第六晶体管M6，的第一 电极连接到开关元件Tl ("开关")，第六晶体管M6，的第二电极连接到第一 节点A。
此外，当开关元件T1导通时，开关元件T1连接到传感器180;当开关 元件T1截止时，开关元件Tl连接到参考电压(Vref)源。换言之，当开关 元件T1导通时，像素140，通过与数据线Dm不同的单独的控制线Cm连接到 传感器180;当开关元件Tl截止时，像素140，接收参考电压Vref。
换言之，在作为驱动晶体管的第二晶体管M2，的迁移率信息被感测的时 间段中，像素140，通过控制线Cm连接到传感器180。
第七晶体管M7，连接到前一行像素的扫描线Sn-l ("前一扫描线，，)，第 七晶体管M7，的第一电极连接到第六晶体管M6，的第一电极，第七晶体管M7， 的第二电极连接到第二晶体管M2，的栅电极。
根据图4的实施例，第一晶体管Ml，至第七晶体管M7，为PMOS晶体管， 但是本发明不限于此。例如，在其它实施例中，第一晶体管Ml，至第七晶体 管M7，可以实现为NMOS晶体管。
图5是示出图2中示出的开关单元、传感器和转换器的框图。然而，为 了便于描述，图5示出了这些器件仅连接到与第m数据线Dm连接的像素140。
参照图5,开关单元170中的每个通道设置有一对开关SW1和SW2。此 外，传感器180中的每个通道设置有感测电路181和模数转换器(在下文中， 称作"ADC") 182。(这里，可以每一个通道或多个通道i殳置一个ADC,或 者所有的通道共用一个ADC)。此外，转换器190包括存储器191和转换电 路192。
开关单元170的第一开关swl位于数据驱动器120和凄史据线Dm之间。 当通过数据驱动器120供应数据信号时，第一开关swl导通。换言之，在有 机发光显示装置显示图像(例如，预定图像)的时间段期间，第一开关swl 保持导通状态。
此外，开关单元170的第二开关sw2位于传感器180和^t据线Dm之间。 在通过传感器180感测由显示区的相应像素提供的第二晶体管M2的迁移率 信息和有机发光二极管OLED的劣化信息的时间段期间，第二开关sw2导通。
这里，在从将电源施加到有机发光显示器之后到显示图像之前的非显示 时间段(或非显示时间)期间，第二开关sw2保持导通状态；或者在发布产 品之前的非显示时间段(或非显示时间)期间，第二开关SW2保持导通状态。 更具体地讲，根据一个示例性实施例，在从将电源施加到有机发光显示
器之后到显示图像之前的非显示时间段中，执行有机发光二极管OLED的劣 化信息的感测。换言之，在每次将电源施加到有机发光显示器时，执行该实 施例中的有机发光二极管OLED的劣化信息的感测。
根据另一示例性实施例，在从将电源施加到有机发光显示器之后到显示 图像之前的第二非显示时间段中，执行驱动晶体管的迁移率信息的感测，也 可在有机发光显示器作为产品第 一次发布之前执行驱动晶体管的迁移率信息 的感测。
换言之，在每次将电源施加到有机发光显示器时，可执行驱动晶体管的 迁移率信息的感测；或者通过在发布产品之前预先存储性能结果，可使用预 先存储的信息，而无需在每次施加电源时执行迁移率信息的提取。
感测电路181包括电流源单元("电流源")185、第一电流吸收单元("电 流吸收器")186和第二电流吸收单元187以及开关元件SW1、 SW2和SW3, 开关元件SW1、 SW2和SW3分别连接到电流源单元185、第一电流吸收单 元186和第二电流吸收单元187中对应的元件，如图6中所示。
当第一开关元件SW1导通时，电流源单元185将第一电流供应到像素 140;当供应第一电流时，电流源单元185将数据线Dm中产生的电压(例如， 预定电压)供应到ADC 182。这里，通过像素140中包括的有机发光二极管 OLED供应第一电流。因此，由电流源单元185产生的电压(例如，第一电 压或第一预定电压)具有有机发光二极管OLED的劣化信息。
更具体地讲，随着有机发光二极管OLED劣化，有机发光二极管OLED 的电阻值改变。因此，电压的电压值对应于有机发光二极管OLED的劣化而 改变，从而可以提取有机发光二极管OLED的劣化信息。
另一方面，第一电流的电流值可被不同地设定，以能够在限定的时间内 被施加有预定电压。例如，第一电流可被设定为当像素140以最大亮度发光 时流到有机发光二4及管OLED的电流值Imax。
当第二开关元件SW2导通时，第一电流吸收单元186吸收来自^象素140 的第二电流；当第二电流-陂吸收时，第一电流吸收单元186测量数据线Dm 或控制线Cm中产生的电压(例如，第二电压或第二预定电压)。
换言之，在应用图3中示出的第一实施例的像素140的情况下，测量数
据线Dm中产生的第二电压；在应用图4中示出的第二实施例的像素140，的 情况下，测量控制线Cm中产生的第二电压。
此外，当第二开关元件SW2截止且第三开关元件SW3导通时，第二电 流吸收单元187吸收来自像素140的第三电流；当第三电流被吸收时，测量 数据线Dm或控制线Cm中产生的预定电压(第三电压)。
换言之，在应用图3中示出的第一实施例的^^素140的情况下，测量数 据线Dm中产生的第三电压；在应用图4中示出的第二实施例的像素140，的 情况下，测量控制线Cm中产生的第三电压。
此时，与第二电压和第三电压之间的差对应的信息被供应到ADC 182。
这里，通过像素140和140，中包括的第二晶体管M2和M2，来吸收第二 电流和第三电流。因此，通过第一电流吸收单元186和第二电流吸收单元187 产生的数据线Dm或控制线Cm的电压之间的差的绝对值(I第二电压-第三 电压I )具有第二晶体管M2和M2，的迁移率信息。
换言之，在应用图4中示出的第二实施例的像素140，的情况下，当第二 电流和第三电流被吸收时，像素140，内的开关元件Tl导通，使得第二晶体管 M2，的迁移率信息被传输到的通路中不包括有机发光二极管OLED的阳极电 极。
由此，第二晶体管M2，的迁移率信息不受有机发光二极管OLED的劣化 程度的影响，从而可以获得更准确的信息。
ADC 182将由感测电路181供应的第一电压转换成第一数字值，并将第 二电压和第三电压之间的差转换成第二数字值。
此外，转换器l卯包括存储器191和转换电路192。存储器191存储来 自ADC 182的第一数字值和第二数字值。实际上，存储器191存储显示区130 中包括的相应像素140或140，中的有机发光二极管OLED的劣化信息与第二 晶体管M2或M2，的迁移率信息。
转换电路192使用存储在存储器191中的第一数字值和第二数字值，以 将由时序控制器150传输的输入数据Data转换成校正数据Data',从而可以 显示具有基本均匀的亮度的图像，而与有机发光二极管OLED的劣化与驱动 晶体管M2或M2，的迁移率无关。
例如，随着有机发光二极管OLED劣化，转换电^各192通过参照第一数 字值来增大输入数据的Data的比特值，从而产生校正数据Data，。所产生的
校正数据Data，被传输到数据驱动器120，最终，与校正数据Data，一致的数据 信号被供应到像素140或140，。因此，随着有机发光二极管劣化，可以减少 或防止产生低亮度的光。
此外，转换电路192参照第二数字值来转换输入数据Data，从而可补偿 第二晶体管M2或M2，的迁移率。结果，可以显示具有基本均匀的亮度的图 像，而与第二晶体管M2或M2，的迁移率无关。
数据驱动器120使用校正数据Data，来产生数据信号，并将所产生的数据 信号供应到像素140或140，。
图7是示出数据驱动器120的实施例的示意性框图。
参照图7，数据驱动器120包括移位寄存单元121、取样锁存单元122、 保持锁存单元123、数模转换器(在下文中，称为"DAC") 124和緩冲单元 125。
移位寄存单元121被供应有来自时序控制器150的源起始脉冲SSP和源 移位时钟SSC。被供应有源移位时钟SSC和源起始脉冲SSP的移位寄存单元 121将源起始脉沖SSP移位源移位时钟SSC的每一周期，同时顺序地产生m 个取样信号。为此，移位寄存单元121包括m个移位寄存器1211至121m。
取样锁存单元122响应由移位寄存单元121顺序地供应的取样信号来顺 序地存储校正数据Data，。为此，取样锁存单元122包括用于存储m个校正 数据Data，的m个取样锁存器1221至122m。
保持锁存单元123被供应有来自时序控制器150的源输出使能(SOE) 信号。被供应有源输出使能(SOE)信号的保持锁存单元123从取样锁存单 元122接收校正数据Data',并存储校正数据Data'。并且，保持锁存单元123 将存储在其中的校正数据Data，供应到数模转换单元(DAC单元)124。为此， 保持锁存单元123包括m个保持锁存器1231至123m。
DAC单元124从保持锁存单元123接收校正数据Data，，并产生与所输 入的校正数据Data，对应的m个数据信号。为此，DAC单元124包括m个数 模转换器(DAC) 1241至124m。换言之，DAC单元124利用位于相应通道 的DAC 1241至124m来产生m个数据信号并将所产生的m个数据信号供应 到緩冲单元125。
緩冲单元125将由DAC单元124供应的m个数据信号分别供应到m条 数据线Dl至Dm。为此，緩沖单元125包括m个緩冲器1251至125m。
图8A至图8G是用于示出根据本发明第一实施例的有机发光显示器的驱
动方法的示意性电路图。
然而，为了便于描述，图8A至图8G将仅参照连接到第n扫描线Sn和 第m数据线Dm的像素140 (示出在图3中)来说明第一实施例。
如上所述，在每次将电源施加到有机发光显示器时可执行驱动晶体管的 迁移率信息的感测，或者在发布产品之前可执行驱动晶体管的迁移率信息的 感测，从而预先存储性能结果。利用第二种方法，可以使用驱动晶体管的迁 移率信息的预先存储的信息，而无需在每次施加电源时执行迁移率信息的提 取。
图8A至图8G示出了在每次将电源施加到有机发光显示器时执行驱动晶 体管的迁移率信息的感测的示例。然而，本领域技术人员应该清楚的是，本 发明不限于此。
在下文中，将参照图8A至图8G更详细地描述根据本发明一个实施例的 有机发光显示器的驱动方法。
首先，图8A示出了在从将电源施加到有才几发光显示器之后到显示图像 之前的第 一 非显示时间段期间的操作。
在第一非显示时间段中，执行用于感测有机发光二极管OLED的劣化信 息(OLED劣化感测)的操作。
如图8A所示，在第一非显示时间段中，以高电平施加扫描信号Sn和 Sn-l，以低电平施加感测信号CLn，以高电平施加发射控制信号En,使得仅 有像素140的像素电路内的第四晶体管M4导通。
此外，在开关单元170中，第一开关swl截止，第二开关sw2导通，从 而像素140连接到传感器180。
此外，在感测电路181内，连接到电流源单元185的第一开关元件SW1 导通，连接到第一电流吸收单元186和第二电流吸收单元187的第二开关元 件SW2和第三开关元件SW3截止。此时，例如，由电流源单元185供应的 第一电流Iref可被设定为当像素140以最大亮度发光时流到有机发光二极管 OLED的电流值Imax。才艮据上述信号的施加，由电流源单元185供应的第一 电流Iref通过数据线Dm和像素140内的第四晶体管M4 ^皮施加到有机发光 二极管OLED。
因此，施加到有机发光二极管OLED的阳极电极的电压(预定电压或第
一电压，V0LED )被等同地施加到感测电路181 ，第 一 电压V0LED被供应到ADC 182。
换言之，通过电流源单元185产生的第一电压VoLED具有有机发光二极
管OLED的劣化信息。
ADC 182将由感测电路181供应的第 一 电压V0LED转换成第 一数字值， 存储器191存储由ADC 182供应的第一数字值。在实践中，存储器191存储 显示区130中包括的所有像素140的相应的有机发光二极管OLED的劣化信 台、
心o
接着，图8B和图8C示出了从图8A的第一非显示时间段之后至显示图 像之前的第二非显示时间段的操作。
在第二非显示时间段中，执行作为像素140内的驱动晶体管的第二晶体 管M2的迁移率信息的感测操作。
在本发明的所描述的实施例中，为了感测第二晶体管M2的迁移率信息， 将第二非显示时间段划分为两个时间段，从而独立地执行吸收电流的操作。
在其它实施例中，如上所述，在发布产品之前可以执4亍第二晶体管M2 的迁移率信息的感测，从而预先存储性能结果。这样，可以使用驱动晶体管 的迁移率信息的预先存储的信息，而不用在每次施加电源时执行迁移率信息 的提取。
如图8B所示，在第二非显示时间段的第一时间段中，以低电平施加前 一行像素的前一扫描信号Sn-l，以高电平施加扫描信号Sn,以低电平施加感 测信号CLn，以低电平施加发射控制信号En，使得像素140的像素电路内的 第三晶体管M3、第四晶体管M4和第五晶体管M5导通。此外，因为第五晶 体管M5导通，所以第二晶体管M2是二极管接法的晶体管并且导通。
此外，因为以低电平施加前一扫描信号Sn-l，所以第六晶体管M6导通。 因此，施加到第六晶体管M6的第一电极的参考电压Vref被施加到第一节点 A。
此外，在开关单元170中，第一开关swl截止，第二开关sw2导通，从 而像素140连接到传感器180。
此外，在感测电3各181内，连接到电流源单元185的第一开关元件SW1 截止，连接到第一电流吸收单元186的第二开关元件SW2导通，连接到第二 电流吸收单元187的第三开关元件SW3截止。此时，作为示例，第一电流吸收单元186中吸收的第二电流可以是(l/4)plmax (|3是常数)，如图8B所示。 此外，有机发光二极管OLED的阴极电极被施加有高电平电压，而不是 第二电压ELVSS。这是为了防止第一电流吸收单元186中吸收的电流被供应 到有机发光二极管(OLED)。
第一电流吸收单元186吸收第二电流，即，根据上述信号的施加来自第 一电源ELVDD并且经过第二开关元件SW2、数据线Dm、第四晶体管M4、 第三晶体管M3和第二晶体管M2的(l/4)pimax。当第二电流被吸收在第一电 流吸收单元186中时，第二电压VG1—!被施加到第 一电流吸收单元186。 即，第二电压VGI i如下
第二晶体管M2的迁移率，W/L:第二晶体管M2的沟道的宽度与 长度之比，Vth:第二晶体管M2的阈值电压)
如以上等式所示，因为第二电流通过第二晶体管M2被吸收，所以第二 电压VG1—,包括第二晶体管M2的阔值电压/迁移率信息。
接着，如图8C所示，在第二非显示时间段的第二时间段中，以低电平 施加前一扫描信号Sn-l，以高电平施加扫描信号Sn，以低电平施加感测信号 CLn,以低电平施加发射控制信号En,使得像素140的像素电路内的第三晶 体管M3、第四晶体管M4和第五晶体管M5导通。此外，因为第五晶体管 M5导通，所以第二晶体管M2是二极管接法的晶体管并导通。
此外，因为以低电平施加前一级的扫描信号Sn-l,所以第六晶体管M6 导通。因此，施加到第六晶体管M6的第一电极的参考电压Vref被施加到第 一节点A。
此外，在开关单元170中，第一开关swl截止，第二开关sw2导通，从 而像素140连接到传感器180。
此外，在感测电路181内，连接到电流源单元185的第一开关元件SW1 截止，连接到第一电流吸收单元186的第二开关元件SW2截止，连接到第二 电流吸收单元187的第三开关元件SW3导通。此时，作为示例，第二电流吸 收单元187中吸收的第三电流可以是pimax (卩是常数)，如图8B所示。
换言之，第三电流对应于在第一电流吸收单元186中吸收的电流的四倍。 然而，这仅仅是一个实施例，本发明不限于此。通过示例的方式，第三电流
对应于第二电流的4j (j是整数)倍。
此外，有机发光二极管OLED的阴极电极被施加有高电平电压，而不是 第二电压ELVSS。这是为了防止第二电流吸收单元187中吸收的电流被供应 到有机发光二极管(OLED)。
第二电流吸收单元187吸收第三电流，即，4艮据上述信号的施加来自第 一电源ELVDD且经过第三开关元件SW3、数据线Dm、第四晶体管M4、第 三晶体管M3和第二晶体管M2的pimax。当第三电流^皮吸收在第二电流吸收 单元187中时，第三电压VG1—2-故施加到第二电流吸收单元187。 即，第三电压VGI 2如下
如该等式所示，因为第三电流通过第二晶体管M2被吸收，所以第三电 压VG1—2包括第二晶体管M2的阈值电压/迁移率信息。
当通过第一电流吸收单元186和第二电流吸收单元187的第二电压Vcn—i
和第三电压VG12被测量时，与第二电压VG1—,和第三电压VG1—2之差对应的信
息被供应到ADC 182。
此时，第二电压和第三电压之差的绝对值(I第二电压-第三电压I )为
因此，ADC 182将由感测电^各181供应的第二电压VG1 j和第三电压VG1—2 之间的差转换成第二数字值，并且存储器191存储由ADC 182供应的第二数 字值。在实践中，存储器191存储显示区130中包括的所有像素140的相应 的驱动晶体管M2的迁移率信息。
换言之，存储器191存储通过图8A至图8C中示出的^喿作由ADC 182 供应的第一数字值和第二数字值。因此，存储器191存储显示区130中包括 的每个像素140的第二晶体管M2的迁移率信息和有^L发光二极管OLED的 劣化信息。
转换电路192利用存储在存储器191中的第一数字值和第二数字值将由 时序控制器150传输的输入数据Data转换成校正凄t据Data，，从而可以显示 具有基本均匀的亮度的图像，而与有机发光二极管OLED的劣化和驱动晶体
丄I ，層
。如所示出的，该等式具有第二晶体管M2的迁移
率信息
管M2的迁移率无关。
换言之，转换电路192通过参照第一数字值来确定每个像素140中包括 的有机发光二极管OLED的劣化程度，同时通过参照第二数字值来测量每个 像素140中包括的第二晶体管M2的迁移率，从而将从时序控制器150输入 的数据Data转换成校正数据Data，。随后，转换电路192将校正数据Data，供 应到数据驱动器120。这样，可以显示具有基本均匀的亮度的图像，而与第 二晶体管M2的迁移率无关，同时减少或防止随着有机发光二极管OLED的 劣化而产生低亮度的光。
接着，与校正数据("转换数据")Data，对应的数据信号被提供到像素140, 最终，像素发射，从而具有对应于数据信号的灰度级。
通过将校正数据Data，输入到像素140来发光的过程被划分成初始化时 间段、阈值电压存储(Vth存储)时间段、对应于数据信号的电压被充电的 时间段(即，编程时间段)和发射时间段。以下将参照图8D至图8G来描述 这些时间段的操作。
图8D对应于初始化时间段。在初始化时间段中，以低电平施加前一扫 描信号Sn-l,以高电平施加扫描信号Sn,以高电平施加感测信号CLn,以低 电平施加发射控制信号En，如图8D所示。
因此，第六晶体管M6导通，使得参考电压Vref被施加到第一节点A, 第五晶体管M5和第三晶体管M3导通，使得第二晶体管M2的栅电极，即， 第二节点B的电压纟皮初始化成施加到有机发光二极管OLED的阴极电极的第 二电压ELVSS。
此时，参考电压Vref为高电平电压，并可由第一电源ELVDD来供应， 第二电源ELVSS可由地电源(GND， 0V)来供应。换言之，第二节点B的 电压可纟皮初始化成0V。
此外，在开关单元170中，第一开关swl导通，第二开关sw2截止，使 得像素140连接到数据驱动器120。因此，感测电路181内的第一开关元件 SW1、第二开关元件SW2和第三开关元件SW3全部都截止。
图8E对应于阈值电压存储(Vth存储)时间段。在Vth存储时间段中， 以低电平施加前一扫描信号Sn-l，以高电平施加扫描信号Sn,以高电平施加 感测信号CLn,以高电平施加发射控制信号En,如所示出的，使得像素140 的像素电路内的第五晶体管M5和第六晶体管M6导通。因为第五晶体管M5
导通，所以第二晶体管M2是二极管接法的晶体管并导通。
换言之，第一节点A被施加有与前一时间l爻相同的参考电压Vref，第二 节点B利用第二晶体管M2和第五晶体管M5的导通净皮施加有与第一电压 ELVDD和第二晶体管M2的阈值电压Vth之差对应的电压ELVDD-Vth。
因此，如上所述，当参考电压Vref等于第一电压ELVDD时，连接在第 一节点A和第二节点B之间的第二电容器C2存储有第二晶体管M2的阈值 电压Vth。
此外，如在初始化时间—敬中，在开关单元170中，第一开关swl导通， 第二开关sw2截止，使得像素140连接到数据驱动器120。因此，感测电路 181中的第一开关元件SW1、第二开关元件SW2和第三开关元件SW3全部 都截止。
图8F对应于与数据信号对应的电压被充电的时间段，即，编程时间段。 在编程时间l殳中，以高电平施加前一扫描信号Sn-l,以j氐电平施加扫描信号 Sn,以高电平施加感测信号CLn,以高电平施加发射控制信号En，如所示出 的，使得仅有像素140的像素电路内的第一晶体管Ml导通。
因此，由数据驱动器120输出的数据信号可被施加到像素140的像素电路。
此时，数据信号是与经转换的校正数据Data，对应的数据信号，从而可以 显示具有基本均匀的亮度的图像，而与有机发光二极管OLED的劣化和驱动 晶体管M2的迁移率无关。
数据信号被施加到像素的像素电路，使得第一节点A的电压被改变。因 此，第二节点B的电压通过第一电容器Cl和第二电容器C2的连接而改变。
因此，作为示例，通过编程时间段被施加到第二节点B的电压如下
腳D —(~^~) _ — k
Cl + C2 ~觸-a 2K—1 //Cox(『/Z)
其中，100/(100-a)是用于补偿有机发光二极管OLED的劣化程度的电流 比，Data/(2k-l)是被控制成利用第一输入数据Data来表示灰度级的值(k是数 据驱动器内的DAC的比特数)，(3是吸收电流((1/4)Imax、 Imax )的电流比。
此外，如在前面的初始化时间段中，在开关单元170中，第一开关swl 导通，第二开关sw2截止，使得像素140连接到数据驱动器120。因此，感 测电路181内的第一开关元件SW1、第二开关元件SW2和第三开关元件SW3
全部都截止。
最后，图8G对应于有机发光二极管OLED按照与被充电的数据信号对 应的灰度级发光的时间段。在发光时间段中，以高电平施加前一扫描信号 Sn-l,以高电平施加扫描信号Sn，以高电平施加感测信号CLn，以^f氐电平施 加发射控制信号En，如图8G所示。因此，第三晶体管M3导通。
换言之，第三晶体管M3导通，使得与编程电压对应的电流通过第三晶 体管M3被施加到有机发光二极管OLED。因此，有机发光二极管OLED最 终按照与该电流对应的灰度级发光。
此外，如在前面的初始化时间—敬中，在开关单元170中，第一开关swl 导通，第二开关sw2截止，使得像素140连接到数据驱动器120。因此，感 测电路181内的第一开关元件SW1、第二开关元件SW2和第三开关元件SW3 全部都截止。
与编程电压对应的电流ID可由下面的等式来表示。<formula>formula see original document page 25</formula>
由以上等式可以理解，被输入到有机发光二极管OLED的电流补偿有机 发光二极管OLED的劣化程度，并不反映驱动晶体管M2的迁移率和阈值电 压的特性。因此，可以显示具有基本均勻的亮度的图像，而与有机发光二极 管OLED的劣化和驱动晶体管M2的迁移率无关。
图9A至图9G是用于示出根据本发明第二实施例的有机发光显示器的驱 动方法的示意性电路图。
为了便于描述，图9A至图9G将仅参照连接到第n扫描线Sn和第m数 据线Dm的像素140，(示出在图4中)来说明第二实施例。
如上所述，在每次将电源施加到有机发光显示器时可执行驱动晶体管的 迁移率信息的感测，或者在发布产品之前可执行驱动晶体管的迁移率信息的 感测，从而预先存储性能信息。利用第二种方法，可以使用驱动晶体管的迁 移率信息的预先存储的信息，而无需在每次施加电源时执行迁移率信息的提 取。
图9A至图9G示出了在每次将电源施加到有机发光显示器时执行驱动晶 体管的迁移率信息的感测的示例。然而，本领域技术人员应该清楚的是，本 发明不限于此。
在下文中，将参照图9A至图9G更详细地描述根据本发明一个实施例的 有机发光显示器的驱动方法。
首先，图9A示出了在从将电源施加到有机发光显示器之后到显示图像 之前的第 一 非显示时间段期间的操作。
在第一非显示时间段中，执行用于感测有机发光二才及管OLED的劣化信 息(OLED劣化感测)的操作。
如图9A所示，在第一非显示时间段中，以高电平施加扫描信号Sn和 Sn-l，以低电平施加感测信号CLn，以高电平施加发射控制信号En,使得仅 有像素140，的像素电路内的第四晶体管M4，导通。
此外，在开关单元170中，第一开关swl截止，第二开关sw2导通，从 而像素140，连接到传感器180。
此外，在感测电3各181内，连接到电流源单元185的第一开关元件SW1 导通，连接到第一电流吸收单元186和第二电流吸收单元187的第二开关元 件SW2和第三开关元件SW3截止。此时，例如，由电流源单元185供应的 第一电流Iref可被设定为当像素140，以最大亮度发光时流到有机发光二极管 OLED的电流值Imax。才艮据上述信号的施加由电流源单元185供应的第 一 电 流Iref通过数据线Dm和像素140，内的第四晶体管M4，净皮施加到有机发光二 极管OLED。
因此，施加到有机发光二极管OLED的阳极电极的电压(预定电压或第 一电压)被等同地施加到感测电路181,第一电压被供应到ADC 182。
换言之，通过电流源单元185产生的第一电压具有有机发光二极管OLED
的劣化信息。
ADC 182将由感测电路181供应的第一电压转换成第一数字值，存储器 191存储由ADC 182供应的第一数字值。在实践中，存储器191存储显示区 中包括的所有像素140，的相应的有机发光二极管OLED的劣化信息。
接着，图9B和图9C示出了从图9A的第一非显示时间段之后至显示图 像之前的第二非显示时间段的操作。
在第二非显示时间段中，执行作为像素140，内的驱动晶体管的第二晶体
管M2，的迁移率信息的感测操作。
在本发明的所描述的实施例中，为了感测第二晶体管M2，的迁移率信息，
将第二非显示时间段划分为两个时间段，从而独立地执行吸收电流的操作。
在其它实施例中，如上所述，在发布产品之前可以执行第二晶体管M2， 的迁移率信息的感测，从而预先存储性能结果。这样，可以使用驱动晶体管 的迁移率信息的预先存储的信息，而不用在每次施加电源时执行迁移率信息 的提取。
如图9B所示，在第二非显示时间段的第一时间段中，以低电平施加前 一行像素的前一扫描信号Sn-l,以低电平施加扫描信号Sn，以高电平施加感 测信号CLn,以高电平施加发射控制信号En,使得像素140，的像素电路内的 第一晶体管Ml'、第五晶体管M5，和第七晶体管M7，导通。此外，因为第五 晶体管M5，导通，所以第二晶体管M2，是二极管接法的晶体管并且导通。
此外，高电平信号被施加到像素140，中包括的开关元件Tl以导通开关 元件Tl,使得像素140，通过控制线Cm连4姿到感测单元180。此时，在开关 单元170中，第一开关swl和第二开关sw2都截止。
此外，在感测电3各181内，连接到电流源单元185的第一开关元件SW1 截止，连接到第一电流吸收单元186的第二开关元件SW2导通，连接到第二 电流吸收单元187的第三开关元件SW3截止。此时，作为示例，第一电流吸 收单元186中吸收的第二电流可以是(l/4)pimax,如图9B所示，其中|3是常 数。
第一电流吸收单元186吸收第二电流，即，根据上述信号的施加从第一 电源ELVDD经过第二开关元件SW2、控制线Cm、〗象素中的开关元件T1、 第七晶体管M7，、第五晶体管M5，和第二晶体管M2，的(l/4)pimax。当第二电 流被吸收在第一电流吸收单元186中时，第二电压VG1—j皮施加到第一电流吸 收单元186。
即，第二电压VG1 !如下
(p:第二晶体管M2，的迁移率，W/L:第二晶体管M2，的沟道的宽度与 长度之比，Vth:第二晶体管M2，的阈值电压)。
如以上等式所示，因为第二电流通过第二晶体管M2，被吸收，所以第二
电压VG1J包括第二晶体管M2，的阈值电压/迁移率信息。
接着，如图9c所述，在第二非显示时间^a的第二时间段中，以低电平
施加前一扫描信号Sn-l,以低电平施加扫描信号Sn，以高电平施加感测信号 CLn,以高电平施加发射控制信号En，使得像素140，的像素电路内第一晶体 管M1，、第五晶体管M5，和第七晶体管M7，导通。此外，因为第五晶体管M5， 导通，所以第二晶体管M2，是二极管接法的晶体管并导通。
此外，高电平信号被施加到像素140，中包括的开关元件Tl以导通开关 元件Tl,使得像素140，通过控制线Cm连接到感测单元180。此时，在开关 单元170中，第一开关swl和第二开关sw2全部都截止。此外，在感测电路 181内，连接到电流源单元185的第一开关元件SW1截止，连接到第一电流 吸收单元186的第二开关元件SW2截止，连接到第二电流吸收单元187的第 三开关元件SW3导通。此时，作为示例，第二电流吸收单元187中吸收的第 三电流可以是(3Imax,如图9B所示，其中卩是常数。
换言之，第三电流对应于第 一电流吸收单元186中吸收的电流的四倍。 然而，这仅仅是一个实施例，本发明不限于此。通过示例的方式，第三电流 对应于第二电流的4j (j是整数)倍。
第二电流吸收单元187吸收第三电流，即，根据上述信号的施加从第一 电源ELVDD经过第三开关元件SW3、控制线Cm、像素140，中的开关元件 Tl、第七晶体管M7，、第五晶体管M5，和第二晶体管M2，的(3Imax。当第三 电流被吸收在第二电流吸收单元187中时，第三电压VG12被施加到第二电流 吸收单元187。
即，第三电压VG1 2如下
如该等式所示，因为第三电流通过第二晶体管M2，被吸收，所以第三电 压VG1—2包括第二晶体管M2，的阈值电压/迁移率信息。
当通过第 一 电流吸收单元186和第二电流吸收单元187的第二电压VG1J 和第三电压VG1—2被测量时，与第二电压VG1—i和第三电压VG1—2之差对应的信 息被供应到ADC 182。
此时，第二电压和第三电压之差的绝对值(I第二电压-第三电压I )为
KC1 2-rcl 1=丄I，皿。如所示出的，该等式具有第二晶体管M2,的迁移
率信息。
因此，ADC 182将由感测电路181供应的第二电压VG1—!和第三电压VG1—2 之间的差转换成第二数字值，并且存储器191存储由ADC 182供应的第二数 字值。在实践中，存储器191存储显示区中包括的所有像素140，的相应的驱 动晶体管M2，的迁移率信息。
换言之，存储器191存储通过图9A至图9C中示出的操作由ADC 182 供应的第一数字值和第二数字值。因此，存储器191存储显示区130中包括 的每个像素140，的第二晶体管M2，的迁移率信息和有机发光二极管OLED的 劣化信息。
转换电路192利用存储在存储器191中的第一数字值和第二数字值将由 时序控制器150传输的输入数据Data转换成校正数据Data，，从而可以显示 具有基本均匀的亮度的图像，而与有机发光二极管OLED的劣化和驱动晶体 管M2，的迁移率无关。
换言之，转换电路192通过参照第一数字值来确定每个像素140，中包括 的有机发光二极管OLED的劣化程度，同时通过参照第二数字值来测量每个 像素140，中包括的第二晶体管M2，的迁移率，从而将从时序控制器150输入 的数据Data转换成校正数据Data，。随后，转换电路192将校正数据Data，供 应到数据驱动器120。这样，可以显示具有基本均匀的亮度的图像，而与第 二晶体管M2，的迁移率无关，同时减少或防止随着有机发光二4及管OLED的 劣化而产生低亮度的光。
接着，与校正数据("转换数据")Data，对应的数据信号被提供到像素 140，，最终，像素发射，从而具有对应于数据信号的灰度级。
通过将校正数据Data，输入到像素140，来发光的过程被划分成初始化时 间段、阈值电压存储时间段和对应于数据信号的电压被充电(编程)的时间 段(Vth存储和编程时间段)、升压时间段以及发射时间段。以下将参照图9D 至图9G来描述这些时间^:的操作。
图9D对应于初始化时间段。在初始化时间段中，以低电平施加前一扫 描信号Sn-l,以高电平施加扫描信号Sn,以高电平施加感测信号CLn,以低 电平施加发射控制信号En,如图9D所示。
此外，开关元件T1截止，使得参考电压Vref被施加到第六晶体管M6， 的第一电极。
此时，例如，参考电压Vref为地电压(GND， 0V )。
因此，第七晶体管M7，导通，使得施加到第七晶体管M7，的第二电极的 电压，即第二晶体管M2，的栅极电压被初始化成参考电压Vref。
此外，在开关单元170中，第一开关swl和第二开关sw2在初始化时间 段中都截止，使得像素140，不连接到数据驱动器120和感测单元180。
图9E对应于阈值电压存储和编程(Vth存储和编程)时间段。在Vth存 储和编程时间段中，以高电平施加前一扫描信号Sn-l，以低电平施加扫描信 号Sn,以高电平施加感测信号CLn，以高电平施加发射控制信号En，如所示 出的，使得开关元件T1截止，以将第六晶体管M6，的第一电极连接到参考电 压(Vref)源。
因此，像素140，的像素电路内的第一晶体管Ml，和第五晶体管M5，导通。 此外，因为第五晶体管M5，导通，所以第二晶体管M2，是二极管接法的晶体 管并且导通。
换言之，利用第二晶体管M2，和第二晶体管M5，的导通，第二节点B被 施加有与第一电压ELVDD和第二晶体管M2，的阈值电压Vth之差对应的电 压ELVDD-Vth。
因此，如上所述，当参考电压Vref等于第一电压ELVDD时，连接在第 一节点A和第二节点B之间的电容器C2存储有第二晶体管M2，的阈值电压。
此外，在开关单元170中，第一开关swl导通，第二开关sw2截止，使 得像素140，连接到数据驱动器120。因此，感测电路181内的第一开关元件 SW1、第二开关元件SW2和第三开关元件SW3全部都截止。
换言之，在由数据驱动器120施加的数据信号(即，与校正数据Data， 对应的数据信号)被施加到像素140，的时间段中，该数据信号通过数据线Dm 和第一晶体管Ml，被施加到第一节点A。
此时，作为示例，利用该数据信号施加到第一节点A的电压如下
<formula>formula see original document page 30</formula>
其中，100/(100-a)是用于补偿有机发光二极管OLED的劣化程度的电流 比，Data/(2k-l)是被控制成利用第一输入数据Data来表示灰度级的值(k是数
据驱动器内的DAC的比特数)，卩是吸收电流((1/4)Imax、 Imax)的电流比。 图9F对应于升压时间段。在升压时间段中，以高电平施加前一扫描信号， 以高电平施加扫描信号Sn,以高电平施加感测信号CLn,发射控制信号En 转变成低电平，如所示出的，使得像素140，的像素电路内的第六晶体管M6，导通。
因此，供应到第六晶体管M6，的第一电极的参考电压Vref被施加到第一 节点A,从而利用在前面的编程时间段施加的数据信号来改变第一节点A的 电压。因此，根据第一电容器C1和第二电容器C2通过升压来改变第二节点 B的电压。
因此，作为示例，通过升压时间段被施加到第二节点B的电压如下
<formula>formula see original document page 31</formula>
此外，如在前面的编程时间,殳中，在开关单元170中，第一开关swl导 通，第二开关sw2截止，使得像素140，连接到数据驱动器120。因此，感测 电路181内的第一开关元件SW1、第二开关元件SW2和第三开关元件SW3
全部都截止。
最后，图9G对应于有机发光二极管OLED按照与被充电的数据信号对 应的灰度级发光的时间段。在发光时间段中，以高电平施加前一扫描信号 Sn-l,以高电平施加扫描信号Sn,以高电平施加感测信号CLn,以j氐电平施 加发射控制信号En,如图9G所示。因此，第三晶体管M3，导通。
换言之，第三晶体管M3，导通，使得与编程电压对应的电流通过第三晶 体管M3，被施加到有机发光二极管OLED。因此，有机发光二极管OLED最 终按照与该电流对应的灰度级发光。
此外，如在前面的时间段中，在开关单元170中，第一开关swl导通， 第二开关sw2截止，使得像素140，连接到数据驱动器120。因此，感测电路 181内的第一开关元件SW1、第二开关元件SW2和第三开关元件SW3全部 都截止。
与编程电压对应的电流Io可由下面的等式来表示。
<formula>formula see original document page 31</formula>C2
2风
C1 + C2T100-" 2* — 1 ^C(汰(ff/Z)
义
Cl + C2
100
V
訓一a
八
細JT
由以上等式可以理解，被输入到有机发光二极管OLED的电流补偿有机 发光二极管OLED的劣化程度，并不反映驱动晶体管M2，的迁移率和阈值电 压的特性。因此，可以显示具有基本均匀的亮度的图像，而与有机发光二极 管OLED的劣化和驱动晶体管M2，的迁移率无关。
本发明的实施例具有这样的优点，即，可以显示具有基本均匀的亮度的 图像，而与有机发光二极管的劣化和驱动晶体管的阈值电压/迁移率无关。
权利要求
1.一种有机发光显示器，包括:多个像素，位于数据线、扫描线和发射控制线的交叉部分，多个像素中的每个像素包括用于发光的有机发光二极管和用于驱动有机发光二极管的驱动晶体管；传感器，用于感测有机发光二极管的劣化信息和驱动晶体管的迁移率信息；转换器，用于存储有机发光二极管的劣化信息和驱动晶体管的迁移率信息，并用于通过利用所述劣化信息和迁移率信息将输入数据转换成校正数据；数据驱动器，用于接收从转换器输出的校正数据，并用于利用校正数据产生通过数据线将被供应到多个像素的数据信号。
2、 如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括用于选"^性地将传感器 或数据驱动器连接到数据线的开关单元。
3、 如权利要求2所述的有机发光显示器，其中，开关单元包括用于每个 通道的一对开关，所述一对开关包括第一开关和第二开关，第一开关位于数 据驱动器和对应的一条数据线之间并被构造成当供应数据信号时导通，第二 开关位于传感器和所述对应的 一条数据线之间并被构造成当感测所述劣化信 息和迁移率信息时导通。
4、 如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，传感器包括感测电路， 每个感测电路对应于每个通道。
5、 如权利要求4所述的有机发光显示器，还包括至少一个模数转换器， 模数转换器用于将有机发光二极管的劣化信息转换成第一数字值并将驱动晶 体管的迁移率信息转换成第二数字值。
6、 如权利要求5所述的有机发光显示器，其中，转换器包括 存储器，用于存储第一数字值和第二数字值；转换电路，用于利用存储在存储器中的第一数字值和第二数字值将输入 数据转换成校正数据，从而显示具有均匀的亮度的图像，而与有机发光二极 管的劣化和驱动晶体管的迁移率无关。
7、 如权利要求4所述的有机发光显示器，其中，感测电路包括 电流源单元，用于将第 一 电流供应到多个像素中对应的^象素； 第 一 电流吸收单元，用于吸收来自多个像素中所述对应的像素的第二电、、云 第二电流吸收单元，用于吸收来自多个像素中所述对应的像素的第三电流o
8、 如权利要求7所述的有机发光显示器，其中，感测电路还包括连接到 第 一电流吸收单元和第二电流吸收单元的多个开关元件。
9、 如权利要求7所述的有机发光显示器，其中，第三电流对应于第二电 流的4j倍，j是整数。
10、 如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，多个像素中的每个像 素还包括第一晶体管，连接在对应的数据线和第一节点之间，第一晶体管的栅电 极连接到对应的扫描线，其中，驱动晶体管是第二晶体管，第二晶体管具有 连接到第二节点的栅电极并具有连接到第 一 电源的第 一 电极；第三晶体管，连接在第二晶体管的第二电极和有机发光二极管的阳极电 极之间，第三晶体管的栅电极连接到对应的发射控制线；第四晶体管，连接在所述对应的数据线和第三晶体管的第二电极之间， 第四晶体管的栅电极连接到感测线；第五晶体管，连接在第二晶体管的栅电极和第二电极之间，第五晶体管 的栅电极连接到扫描线中的前 一 扫描线；第六晶体管，连接在参考电压源和第一节点之间，第六晶体管的栅电极 连接到所述前一扫描线；第一电容器，连接在第一电源和第二节点之间；第二电容器，连接在第一节点和第二节点之间。
11、 如权利要求IO所述的有机发光显示器，其中，第一晶体管、第二晶 体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管包括PMOS晶体管。
12、 如权利要求11所述的有机发光显示器,其中，在与对应的数据信号 对应的电压被充电在第一电容器和第二电容器中的时间段、第二晶体管的阈 值电压被存储的时间段以及有机发光二极管的劣化信息被感测的时间段中， 以高电平施加被供应到发射控制线的发射控制信号。
13、 如权利要求11所述的有机发光显示器，其中，在有才几发光二极管的 劣化信息;故感测的时间-敬和第二晶体管的迁移率信息-故感测的时间段中，以 低电平施加#1供应到感测线的感测信号。
14、 如权利要求IO所述的有机发光显示器，其中，参考电压源的电压的电压电平与来自第一电源的功率的电压的电压电平相同。
15、 如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，多个像素中的每个像 素包括第一晶体管，连接在对应的数据线和第一节点之间，第一晶体管的栅电 极连接到对应的扫描线，其中，驱动晶体管是第二晶体管，第二晶体管具有 连接到第二节点的栅电极并具有连接到第 一 电源的第 一 电极；第三晶体管，连接在第二晶体管的第二电极和有机发光二极管的阳极电 极之间，第三晶体管的栅电极连接到对应的发射控制线；第四晶体管，连接在所述对应的数据线和第三晶体管的第二电极之间， 第四晶体管的栅电极连接到感测线；第五晶体管，连接在第二晶体管的栅电极和第二电极之间，第五晶体管 的栅电极连接到所述对应的扫描线；第六晶体管，连接在参考电压源或控制线和第一节点之间，第六晶体管 的栅电极连接到所述对应的发射控制线；开关元件，用于将第六晶体管的第 一 电极连接到参考电压源或控制线；第一电容器，连接在第一电源和第二节点之间；第二电容器，连接在第一节点和第二节点之间；第七晶体管，连接在第六晶体管的第一电极和第二晶体管的栅电极之间， 第七晶体管的栅电极连接到扫描线中的前 一扫描线。
16、 如权利要求15所述的有机发光显示器，其中，第一晶体管、第二晶 体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管包 括PMOS晶体管。
17、 如权利要求16所述的有机发光显示器，其中，在有机发光二极管的 劣化信息被感测的时间段、第二晶体管的迁移率信息被感测的时间段和第二 晶体管的阈值电压一皮存储的时间段中，以高电平施加^皮供应到发射控制线的发射控制信号。
18、 如权利要求16所述的有机发光显示器，其中，在有机发光二极管的 劣化信息被感测的时间段中，以低电平施加被供应到感测线的感测信号。
19、 如权利要求15所述的有机发光显示器，其中，在第二晶体管的迁移 率信息被感测的时间段中，开关元件导通，多个像素中对应的像素通过不同 于数据线的单独的控制线连接到传感器。
20、 如权利要求15所述的有机发光显示器，其中，参考电压源的电压的 电压电平与地电源的电压的电压电平相同。
21、 一种有机发光显示器的驱动方法，所述方法包括以下步骤a) 产生第一电压，同时将第一电流供应到多个像素中包括的有机发光二 极管；b) 将第一电压转换成第一数字值，并将第一数字值存储在存储器中；c) 产生第二电压，同时吸收通过多个像素中的驱动晶体管的第二电流；d) 产生第三电压，同时吸收通过多个像素中的驱动晶体管的第三电流；e) 将与第二电压和第三电压之差对应的信息转换成第二数字值，并将第 二数字值存储在存储器中；f) 利用存储在存储器中的第一数字值和第二数字值将输入数据转换成 校正数据，以显示具有均匀的亮度的图像，而与有机发光二极管的劣化和驱 动晶体管的迁移率无关；g) 将与校正数据对应的数据信号提供到数据线。
22、 如权利要求21所述的方法，其中，在从将功率从电源施加到有机发 光显示器之后到显示图像之前的非显示时间段中，执行步骤a)至步骤g)，并 且在每次将功率从电源施加到有机发光显示器时，执行步骤a)至步骤g)。
23、 如权利要求21所述的方法，其中，在有机发光显示器作为产品发布 之前执行步骤c)至步骤e),从而预先存储性能结果，并在每次将功率从电源 施加到有机发光显示器时利用预先存储的性能结果。
24、 如权利要求21所述的方法，其中，第三电流对应于第二电流的4j 倍，j是整数。
25、 如权利要求21所述的方法，其中，第一电压包括有机发光二极管的 劣化信息。
26、 如权利要求21所述的方法，其中，第二电压和第三电压之差包括驱 动晶体管的迁移率信息。
27、 一种有机发光显示器的驱动方法，所述方法包括以下步骤通过利用第 一 电流测量多个像素中的有机发光二极管的电压变化，并存 储所述电压变化；顺序地吸收通过多个像素中的驱动晶体管的第二电流和第三电流，从而 测量对应于第二电流的第二电压和对应于第三电流的第三电压，并存储第二 电压和第三电压之差；利用所述电压变化与第二电压和第三电压之差将输入数据转换成校正数据，从而补偿有机发光二极管的劣化和驱动晶体管中的迁移率的变化；在显示时间段期间，将对应于校正数据的数据信号施加到多个像素，并 通过初始化过程补偿多个像素的相应像素电路中的驱动晶体管的阈值电压。
28、 如权利要求27所述的方法，其中，在从将功率/人电源施加到有机发 光显示器之后到显示图像之前的非显示时间段中，执行所述测量多个像素中 的有机发光二极管的电压变化并存储所述电压变化的步骤，并且在每次将功 率从电源施加到有机发光显示器时，执行所述测量多个像素中的有机发光二 极管的电压变化并存储所述电压变化的步骤。
29、 如权利要求27所述的方法，其中，在有机发光显示器作为产品发布 之前执行所述测量第二电压和第三电压并存储第二电压和第三电压之差的步 骤，从而预先存储性能结果，并在每次将功率从电源施加到有机发光显示器 时利用预先存储的性能结果。
30、 如权利要求27所述的方法，其中，在初始化过程期间，驱动晶体管 是二极管接法的晶体管，使得驱动晶体管的栅电极的电压与有机发光二极管 的阴极电极的电压相同。
31、 如权利要求27所述的方法，其中，通过初始化过程，驱动晶体管的 栅电极的电压与参考电压相同。
32、 如权利要求31所述的方法，其中，参考电压的电压值与地电源的电 压值相同。
全文摘要
本发明公开了一种有机发光显示装置及其驱动方法，该有机发光显示装置包括多个像素，位于数据线、扫描线和发射控制线的交叉部分；传感器，用于感测每个像素中包括的有机发光二极管的劣化信息和驱动晶体管的迁移率信息；转换器，用于存储利用传感器感测的有机发光二极管的劣化信息和驱动晶体管的迁移率信息，并通过利用所存储的信息将输入数据转换成校正数据；数据驱动器，接收校正数据，并产生将被供应的数据信号。
文档编号G09G3/32GK101373578SQ20081021331
公开日2009年2月25日 申请日期2008年8月22日 优先权日2007年8月23日
发明者权五敬 申请人:三星Sdi株式会社;汉阳大学校产业协力团