专利名称：使用电容器耦合式光发射控制晶体管的显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种显示面板，其具有布置为矩阵形状的包括电流驱动类型发光元件的像素。
背景技术：
因为使用是电流驱动发光元件的有机EL元件的有机EL显示器属于自发光类型， 所以它具有高对比度和快速的响应，使其适合于诸如用于显示自然图像的电视的移动图像应用。通常，有机EL元件使用诸如晶体管的控制元件以固定电流驱动，但是这种情况下的晶体管在饱和区域中使用。因此，即使提供相同灰度电压，由于晶体管的诸如Vth(阈值电压)和迁移率的特性的变化导致在每个像素中产生不同的电流，使得难以保持发光亮度的均勻性。为了解决该问题，专利文献1中公开了具有设置在像素中用于补偿Vth的电路的
直ο专利文献1 JP2002-514320T如果使用专利公开1的图3中所示的Vth校正电路，则灰度信号电压通常被施加给驱动晶体管的栅极端子以将电流提供给有机EL元件来偏置该Vth。驱动晶体管的Vth因而被自动校正。然而，难以利用专利文献1中公开的现有技术的Vth校正电路来校正晶体管中诸如电子的载流子的迁移率，并且当像素之间的迁移率存在变化时，难以在宽灰度范围上确保高的亮度均勻性。
发明内容
本发明是一种显示装置，该显示装置具有布置为矩阵的像素，和用于控制每条线的电势的驱动器，其中每个像素包括耦合电容器，其一端连接到数据线；选择晶体管，其一端连接到该耦合电容器，并且该选择晶体管通过连接到控制端子的选择线来切换为导通或截止；驱动晶体管，其控制端子连接到选择晶体管的另一端，并且该驱动晶体管的一端连接到电源；发射控制晶体管，其一端连接到驱动晶体管的另一端，并且通过发射控制线来导通或截止；电流驱动型发光元件，其连接到发射控制晶体管的另一端；存储电容器，其连接驱动晶体管的控制端子和驱动晶体管的连接到电源侧的一端；以及重置晶体管，其连接驱动晶体管的发射控制晶体管侧的另一端和耦合电容器的选择晶体管侧的另一端，并且通过重置线来导通和截止，并且其中
驱动器经由耦合电容器将对应于提供给数据线的灰度信号的数据电压写入至存储电容器，并且在选择晶体管和发射控制晶体管处于截止状态并且重置晶体管导通的情况下，将对应于驱动晶体管的迁移率的补偿电压写入耦合电容器。电流驱动发光元件可以是有机EL元件。驱动器也可以能够在选择晶体管和发射控制晶体管处于截止状态的情况下改变重置晶体管导通的时间。驱动器也可以在选择晶体管和重置晶体管被截止的状态下导通发射控制晶体管， 并且之后在选择晶体管和发射控制晶体管被截止的情况下导通重置晶体管。驱动器也可以在同一灰度信号被提供给所有像素的状态下将补偿电压写入耦合电容器，然后截止选择晶体管，导通发射控制晶体管和重置晶体管，且将对应于驱动晶体管的电压降低的电压写入耦合电容器，之后通过基于耦合电容器处的电压使电流在驱动晶体管中流动来执行驱动晶体管的电流特性的均衡处理。发明的技术效果由于能够基于驱动晶体管的迁移率执行校正，因此，即使在每个像素的驱动晶体管之间的迁移率变化的情况下，也能够确保高的亮度均勻性。
图1是示出实施例的像素电路的一个示例的结构的图。图2是示出每条线的状态的示例的时序图。图3是示出伴随驱动晶体管的迁移率的差异的I-V曲线的图。图4是示出每条线的状态的另一示例的时序图。图5是示出每条线的状态的又一示例的时序图。图6是示出像素电路的另一示例结构的图。图7是示出像素电路的又一示例结构的图。图8是示出显示装置的整体结构的图。
具体实施例方式下面基于附图描述本发明的实施例。在图1中示出本实施例的像素的电路结构。在像素14中，有机EL元件1的阴极连接到所有像素共有的阴极电极13(用于提供规定低电压VSQ，并且有机EL元件1的阳极连接到光发射控制晶体管5的漏极端子，该光发射控制晶体管5的栅极端子连接到光发射控制线12。光发射控制晶体管5的源极端子连接到驱动晶体管2的漏极端子，该驱动晶体管2的源极连接到所有像素共用的电源线9(用于提供规定高电压VDD)。重置晶体管4的源极端子连接到光发射控制晶体管5和驱动晶体管2之间的连接点，重置晶体管4的栅极端子连接到重置线11。而且，重置晶体管4的漏极端子连接到耦合电容器6的一端和选择晶体管3的漏极端子，耦合电容器6的另一端连接到数据线8，选择晶体管3的栅极端子连接到选择线10。选择晶体管3的源极端子连接到驱动晶体管2的栅极端子和存储电容器7 的一端，存储电容器7的另一端连接到电源线9。这里，耦合电容器6具有电容值Ce，存储电容器7具有电容值Cs。优选的是，为了防止提供给数据线8的灰度信号电压Vsig的动态范围的减小，使耦合电容器的电容值Cc 比存储电容器的电容值Cs大。在本实施例中，通过跨过数据线8形成耦合电容器6来充分地确保其电容Ce。在图2中示出了用于补偿使用图1的像素14的驱动晶体管2的Vth和迁移率的控制方法。如图2中所示，一个水平时段被分为重置时段(1)、第一数据写入时段O)、电流供给时段(3)、迁移率补偿时段(4)和第二数据写入时段(5)。在用于选择一行像素14的水平时段中，选择线10变为低以选择该行像素。这里， 在该水平时段的前一半中的重置时段(1)中，重置线11变为低，选择晶体管3和重置晶体管4导通，并且驱动晶体管2被二极管连接以使得电流能够暂时在有机EL元件1中流动。 此后，由于光发射控制线12变为高且光发射控制晶体管5截止，因此使得原本在有机EL元件1中流动的电流经由重置晶体管4流到耦合电容器6和存储电容器7。当这些发生时，与电源线9上相同的电源电势VDD被提供给数据线8，因此在一定长度的时间已经过去且电流不再流动时，在耦合电容器6和存储电容器7处保持Vth。通过此时将重置线11设置为高来截止重置晶体管4，且在耦合电容器6和存储电容器7处保持的电势被固定，并且重置时段⑴完成。此后，过渡至第一写入时段(2)，如果灰度信号电势Vsig被提供给数据线8，则通过耦合电容器耦合将驱动晶体管2的栅源电势Vgs控制为Vgs = {Cc/(Cc+Cs)}*Vsig+Vth, 并且写入驱动晶体管2的Vth得到校正的灰度信号电势Vsig。接下来，通过使选择线10 变为高，该电势被写入存储电容器7 (保持上述Vgs)，并且第一数据写入时段( 完成。然而，前述重置时段不必一直持续到驱动晶体管2中基本上没有电流流动，并且可以是诸如数μ s至数十μ s的长度的时间。耦合电容器6的电容Cc充分大于存储电容器7的电容Cs，这意味着Ce/(Cc+Cs) 基本上等于1，并且维持了灰度信号电势Vsig的动态范围。如果重置时段(1)和第一数据写入时段( 完成，具体地，如果Vth得到补偿且灰度信号电势Vsig已被写入，则过渡到电流供给时段(3)，在该电流供给时段(3)光发射控制线12变为低且光发射控制晶体管5导通。因此，对应于写入的灰度信号电势Vsig的驱动电流经由光发射控制晶体管5流入有机EL元件1。在相对较短的电流供给时段(3)过去的情况下，光发射控制线12变为高，电流流动中断，并且电流供给时段(3)完成。接下来，过渡至迁移率补偿时段G)，在该迁移率补偿时段(4)重置线变为低，且在有机EL元件1中流动的电流(迁移率补偿电流)经由重置晶体管4流入耦合电容器6。 此时，提供到数据线8的灰度信号电势停留在Vsig。此时，如果驱动晶体管2的迁移率高，则迁移率补偿电流大，即，驱动晶体管2的漏极电势增加，这意味着较高的电势被写入耦合电容器6，而在低迁移率的情况下，迁移率补偿电流小且驱动晶体管2的漏极电势降低，这意味着较低的电势被写入。如果重置线11变为高，则迁移率补偿时段(4)完成，且在该耦合电容器6处固定已经根据迁移率差补偿的电势。之后，过渡到第二数据写入时段(5)，并且如果选择线10变为低且第二写入时段开始，则在驱动晶体管2的栅极端子处反映写入耦合电容器6的校正信号电势，并且通过使选择线10变为高，迁移率校正电势被写入存储电容器7。选择线10然后变为高且光发射控制线12变为低，以完成第二写入时段(5)。以此方式，在选择一行像素14的单个水平时段中，完成到该行的每个像素的数据写入。然后根据这时写入存储电容器7的得到补偿的电势执行光发射，直到在下一帧中执行写入。因此，使用具有得到补偿的Vth和迁移率的信号执行显示。如果以这种方式执行控制，则使用相当短的迁移率补偿时段At将迁移率补偿电势Vu表示为Vu = Ids* Δ t/Cc，且迁移率补偿电势Vu与驱动电流Ids和补偿时段At成比例。而且，使用迁移率U、每单位面积的栅极电容Cox和晶体管尺寸W、L，驱动电流Ids表示为Ids = 0. 5*u*CoX*(W/L)*Vsig2 (假设Vth已得到补偿且Cc充分大于Cs)，且由于其与迁移率u成比例，因此迁移率补偿电势Vu依赖于迁移率U、补偿时段At和Vsig。因此，在完成第二写入时段后，信号电势变成Vgs = {Ce/ (Cc+Cs)} *Vsig+Vth-Ids* Δ t/Cc,且从Vth 得到补偿的电势减去对应于迁移率和灰度信号电势的偏置电势Vu。将使用图3来描述该类型的迁移率补偿的效果。图3示出了 Vth得到补偿的驱动晶体管a和驱动晶体管b的I-V曲线。如果迁移率不同，则晶体管之间出现I-V曲线的倾斜度的差异，且即使施加同一信号电势Vsig，在有机EL元件1中流动的电流也不相同。例如，即使Vsigl在Vth补偿后写入像素，具有不同迁移率的晶体管a和晶体管b分别将不同的驱动电流Ia(Vsigl)和Ib(Vsigl)输出至有机EL元件1。如果采用本实施例的迁移率补偿，则从Vth得到补偿的栅极和源极间的电势减去对应于驱动电流Ids的迁移率补偿电势Vu，这意味着能够使得驱动电流均勻。例如，如果在Vth的补偿之后写入Vsigl，则对于晶体管a，电流Ia(Vsigl)在迁移率补偿时段中流动，并且对于晶体管b，电流rt (Vsigl)在迁移率补偿时段中流动，且这些电流经由重置晶体管4流入各耦合电容器6中。如图3中所示，带有更竖直的I-V曲线的驱动晶体管b具有比驱动晶体管a大的电流迁移率补偿电流，且迁移率补偿电势Vu较大。具体地，由于 Vu (lb (Vsigl)) > Vu (la (Vsigl))，因此驱动晶体管b具有较小的栅源电势，且输出电流受到限制。结果，在迁移率补偿的完成之后，如果在第二写入时段中，信号被再次写入存储电容器7，则输出至有机EL元件的驱动电流基本上是I (Vsigl)，且使得由于驱动晶体管a和 b的迁移率导致的输出电流的差均勻。即使在写入产生较小的驱动电流的Vsig2的情况下，迁移率补偿也被以同样原则执行且被使得均勻。在写入Vsigl的情况下，由于已被使得均勻的电流I (Vsigl)在驱动晶体管a和b中流动，因此电势差AVul = Vu (lb (Vsigl)) -Vu (la (Vsigl))是必要的，但是在 Vsig2 的情况下，要求该电势差 AVu2 = Vu(Ib(Vsig2))-Vu(Ia(Vsig2))小于 AVul。因此需要根据灰度信号电势Vsig调整补偿之后的电势差△ Vu，但是对于本发明的迁移率补偿， 由于根据驱动电流Ids，即Vsig自动地调节迁移率补偿电势Vu，因此在所有的灰度处执行适当的迁移率补偿。而且，对于本实施例的迁移率补偿，能够通过改变输入至重置线11的脉冲宽度或多次输入脉冲等来改变迁移率补偿时段At，且能够容易地调节迁移率补偿电势Vu。例如， 通过在具有大的迁移率变化的面板的情况下将迁移率补偿时段At设置为长，且在仅具有微小的迁移率变化的面板的情况下将迁移率补偿时段△ t设置为短，能够避免不足或过度补偿的缺点。具体地，能够通过调节迁移率补偿时段At来为每个面板实现有效的补偿量。 例如，能够在数据驱动器和选择驱动器中提供将在以后描述的用于设置At的寄存器，以在该寄存器中写入外部提供的At的设置值，且在迁移率补偿时通过选择驱动器根据写入寄存器中的At的值执行控制。在图4中示出另一使用图1的像素14的迁移率补偿方法。从图4省略了电源时段(3)。具体地，一旦在Vth补偿之后写入灰度信号电势Vsig，通过使重置线11变为低并使光发射控制线12仍然为高，迁移率补偿电流Ids从驱动晶体管2充电至耦合电容器6。此类型的控制方法成为可能的原因是就在使重置线11变为低之后，耦合电容器6 的一个端子和驱动晶体管2的漏极端子经由重置晶体管4连接，但是驱动晶体管2的漏极端子与栅极端子处于基本相同的电势，这意味着驱动晶体管工作在饱和区域中，且根据迁移率的差的迁移率补偿电流流动。因此，迁移率补偿电势Vu表示为Vu = Ids* Δ t/Cc,且实现了根据灰度的迁移率补偿。由于能够以该方式省略电流供给时段C3)，因此简化了控制且能够有效利用水平时段。例如，能够充分地确保第二写入时段，且能够缩短水平时段，且即使存在多行，也能够简化图像信号写入。此外，通过使用使用像素14的诸如图5中的控制，能够使伴随有机EL元件1的劣化的亮度的变化均勻。在图5中，驱动电压读出时段(6)和第三写入时段(7)被添加到图 4的水平时段。首先，在重置时段中补偿Vth，且在第一写入时段中写入灰度信号Vsig后补偿迁移率，且到目前为止的描述与前述相同。在使有机EL元件的劣化均勻的处理时，同一灰度像素被提供给所有像素。在图5中，在第二写入时段( 之后，过渡至驱动电压读出时段(6)。光发射控制线12变为低，并且有机EL元件1暂时发光。此时，由于驱动晶体管2的Vth和迁移率的补偿，使得在有机EL元件1中流动的电流对每个像素来说是恒定的。如果在等待规定时间过去之后重置线11变为低，则有机EL元件1的阳极电势被写入耦合电容器6的一端。当这些发生时，耦合电容器6的另一端固定在Vsig或另一任意电势。这样，能够将在固定电流流动时的有机EL元件的阳极电势读出到耦合电容器6。如果电流继续在有机EL元件中流动，则驱动电势在一定时间后升高。具体地，如果同一电流在劣化的有机EL元件中流动，则驱动电压增加。在驱动电压读出时段中读出至耦合电容器6的电势反映了有机EL元件的劣化的程度，并且有机EL元件劣化越严重，读出的电压越高。此后，如果重置线11被设置为高且驱动电压读出时段完成，则选择线10设置为低以开始第三写入时段(7)，并且读出的驱动电势反映在驱动晶体管2的栅极端子上。此时， Vtest被施加给数据线8以调节均衡处理电流，并且使用该调节电势Vtest来调节写入存储电容器7的均衡电势以控制用于均衡处理的电流。如果选择线10被设置为高且均衡电势被写入存储电容器7，则对应于均衡电势的电流在有机EL元件1中流动。在具有显著退化的有机EL元件的像素中，由于读出了高驱动电压，因此驱动晶体管2的栅极和源极间的电势Vgs变得较小，并且均衡电流变得较小，但是在只有轻微劣化的像素中，由于读出低驱动电压，所以栅极和源极间的电势Vgs变得较大，并且均衡电流增加。在均衡处理期间，较小的电流在具有更严重劣化的那些像素中流动，而较大的电流在具有轻微劣化的像素中流动。具体地，由于仅具有轻微劣化的像素快速地劣化，因此如果均衡处理继续，则劣化将在像素上变为均勻的。该均衡处理能够在显示的非使用时段期间执行。 该均衡处理也能够在和正常显示一样的60Hz的刷新率的情况下执行，或者在与正常显示的刷新率不同的刷新率的情况下执行，诸如在30Hz的低刷新率的情况下执行。以该方式， 单个水平时段变得较长，并且使得能够充分确保Vth补偿时间和劣化电势读出时间。本实施例的像素14的所有晶体管使用P型晶体管，但是也能够在一些部分使用N 型晶体管，或者全部使用N型晶体管。图6是由N型晶体管构造的像素14的一个示例，并且基于图2和图4进行控制。 首先，在重置时段中，任意电势，例如阴极电势VSS，被提供给数据线8，选择线10变为高且重置线11变为高，并且选择晶体管3和重置晶体管4导通，且通过二极管连接驱动晶体管 2，电流暂时在有机EL元件1中流动。然后，原本为高的光发射控制线12变为低，且光发射控制晶体管5截止以将驱动晶体管2的Vth写入耦合电容器6和存储电容器7。在图6的像素14的情况下，写入耦合电容器6和存储电容器7的电势并非严格意义上的驱动晶体管 2的Vth，但是可以被认为基本反映了 Vth。然后，如果重置线11被设置为低以截止重置晶体管4且过渡至第一写入时段，则信号电势Vsig被提供给数据线8，且Vth得到补偿的信号电势Vsig被写入存储电容器7。此后，选择线10被设置为低，并且如果重置线11被设置为高且重置晶体管4被导通以执行迁移率补偿，则对应于灰度信号Vsig的电流从工作在饱和区域中的驱动晶体管2通过重置晶体管4流动以对耦合电容器6进行放电。放电量取决于驱动晶体管2的迁移率，且因此在耦合电容器处产生迁移率得到补偿的电势。如果重置线 11被设置为低，则重置晶体管截止且选择线10再次被设置为高，选择晶体管3导通且迁移率得到补偿的灰度电势写入存储电容器7且通过将选择线设置为低来保持该电势。之后， 通过将光发射控制线5设置为高，Vth和迁移率得到补偿的电流在有机EL元件1中流动， 且有机EL元件发光。即，如果使用N型晶体管，则也能够有效地执行本发明的迁移率补偿。然而，由于难以读出带有图6中的像素14的有机EL元件1的驱动电势，因此在使用N型晶体管的情况下，希望具有图7的像素结构。图7示出其中有机EL元件1的阳极变为公共的像素14。因此，VDD被提供给阳极 13，而VSS被提供给电源线9。像素14的控制能够使用与图2和图4相同的方法，但是输入到选择线10、重置线11和光发射控制线12的脉冲的极性被反转。在重置时段中，当Vss 被提供给数据线8时，选择线10和重置线11变为高，且选择晶体管3和重置晶体管4导通以二极管连接驱动晶体管2。此时，电流暂时在有机EL元件1中流动，但是通过使光发射控制线12变为低且截止光发射控制晶体管5，驱动晶体管2的Vth被写入耦合电容器6和存储电容器7。接着，在第一写入时段中，在过渡至迁移率补偿时段之前，选择线变为高以保持选择晶体管3导通，重置线11变为低以截止重置晶体管4，并且提供给数据线8的灰度信号 Vsig被写入存储电容器7。在迁移率补偿时段中，重置线11变为高以导通重置晶体管4，并且迁移率补偿电流Ids从工作在饱和区域中的驱动晶体管2流至耦合电容器6，从而产生对应于迁移率和灰度信号电势Vsig的电势。通过截止重置晶体管4，在耦合电容器6处保持补偿电势，且在第二写入时段中，如果选择线10被再次设置为高以导通选择晶体管3，则在耦合电容器6处保持的补偿电势被写入存储电容器7。如果选择晶体管3截止且光发射控制晶体管5导通，则电流在有机EL元件1中流动。在使有机EL元件的劣化均勻的情况下，利用图5中所示的控制方法，执行前述Vth和迁移率补偿，并且能够将均衡电流在有机EL元件1中流动的有机EL元件1的驱动电压写入耦合电容器6中。具体地，通过使重置线11变为高且导通重置晶体管4，驱动电势被写入耦合电容器6。由于对于严重劣化的有机EL元件来说，驱动电压较大，因此阴极电势低，而对于轻微劣化的有机EL元件来说，驱动电压低，因而阴极电势高。如果重置线11被设置为低且重置晶体管4截止，则该驱动电势被暂时保持在耦合电容器6处，并且如果选择线10再次变为高以导通选择晶体管3，则该读出驱动电势接着被反映在驱动晶体管2的栅极端子处。即，在大量劣化的情况下，驱动晶体管2的栅极和源极间的电势Vgs小，且均衡电流变小，而在仅有轻微劣化的情况下，驱动晶体管的栅极和源极间的电势Vgs大，且均衡电流变大。如果选择线10变为低且选择晶体管3被截止，则均衡电流在有机EL元件1中流动直到选择线10的下次选择。在均衡处理期间，较小的电流被提供给具有较严重的劣化的像素，而较大的电流被提供给轻微劣化的像素，从而有利于均衡。与图5类似地，能够使用提供给数据线8的 Vtest来调节均衡电流。当需要更迅速地执行均衡时，优选的是，通过调节Vtest增加均衡电流，且在希望均衡处理的显示不引人注意的情况下，优选的是以小电流执行均衡处理。以该方式，即使在使用N型晶体管构成像素14的情况下，也能够以与像素14由P 型晶体管构成的情况相同的方式执行图2和图4的Vth和迁移率补偿和用于有机EL元件的劣化的均衡处理。而且，对于上述示例，对于P型或N型，固定电势VDD和VSS在重置时段中被提供给数据线8，然后利用在第一写入时段中提供的Vsig补偿Vth，但是反过来也可以。即，能够在重置时段中将Vsig提供到数据线8上，且在第一写入时段中提供构成Vref 的固定电势。如果这样做，则执行控制以在重置时段中向耦合电容器6写入Vsig和Vth之间的差，且在数据线8的电势变为Vsig时开始电流到驱动晶体管2的流动。因此，如果在第一写入时段中写入Vref，则Vref和Vsig之间的差被反映在驱动晶体管2的栅极处，并且被添加到Vth，从而补偿Vth。然后，在迁移率补偿时段中，选择晶体管3和光发射控制晶体管5被保持截止，且重置晶体管4被导通，以向耦合电容器6写入迁移率的差作为电势差。 在第二写入时段中，该电势被写入到存储电容器7以执行迁移率补偿。以该方式，即使Vth 补偿方法不同，也能够有效地利用本实施例的迁移率补偿。图8示出由本发明的像素14的阵列形成的有机EL显示器100的整体结构。有机 EL显示器100包括像素阵列15、用于驱动数据线8的数据驱动器16和用于驱动选择线10、 重置线11和发射控制线12的选择驱动器17，其中像素阵列15具有在玻璃基板或塑料基板等上排列成阵列的像素14。然而，从图中省略了所有像素共用的电源线9和阴极端子13。 在像素阵列15中，全色像素的示例被示出为由R(红)、G(绿)和B(蓝)子像素形成，但是也能够具有其中添加W(白)以获得RGBW的全色像素的结构。该数据驱动器16使用移位寄存器等将以点为单元从外部传输的图像数据转换为线单元数据，且通过数模转换以线为单元将模拟信号电势输出至数据线8。在重置时段中， 为了写入Vth，输出VDD和VSS信号电势，但是在写入时段中，提供灰度信号电势Vsig。因此，以行为单元执行Vth和迁移率补偿。选择驱动器17每行具有三个输出，具体地驱动选择线10的输出，驱动重置线11的输出且驱动该光发射控制线12的输出，但是各条线被以图4和图5的时序选择性地驱动为高或低。能够在与像素14同一基板上由诸如低温多晶硅的元件形成数据驱动器16和选择驱动器17，或者数据驱动器16和选择驱动器17能够被提供作为驱动器IC，其中这些IC的输出连接到每条线。从图8的结构中，在像素14中有效地执行Vth补偿和迁移率补偿，以及有机EL元件的劣化的均衡。 本实施例的结构不仅能够用于有机EL元件，也可以用于使用电流驱动型发光元件的任何其他显示装置。
权利要求
1.一种显示装置，该显示装置包括像素，它们按矩阵形式布置，每个像素包括耦合电容器，其一端连接到数据线；选择晶体管，其一端连接到所述耦合电容器，并且所述选择晶体管通过连接到控制端子的选择线来切换为导通和截止；驱动晶体管，其控制端子连接到开关晶体管的另一端，并且所述驱动晶体管的一端连接到电源；光发射控制晶体管，其一端连接到所述驱动晶体管的另一端，并且所述光发射控制晶体管通过光发射控制线来导通或截止；电流驱动型发光元件，其连接到所述光发射控制晶体管的另一端；存储电容器，其连接所述驱动晶体管的控制端子和所述驱动晶体管的连接到电源侧的一端；以及重置晶体管，其连接所述驱动晶体管的所述光发射控制晶体管侧的另一端和所述耦合电容器的选择晶体管侧，并且所述重置晶体管通过重置线来导通和截止；以及驱动器，其用于控制各条线的电势；其中所述驱动器经由所述耦合电容器将对应于提供给所述数据线的灰度信号的数据电压写入所述存储电容器，并且在所述选择晶体管和所述光发射控制晶体管处于截止状态且所述重置晶体管导通的情况下，将根据所述驱动晶体管的迁移率的补偿电压写入所述耦合电容器。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述电流驱动型发光元件是有机EL元件。
3.如权利要求1或权利要求2所述的显示装置，其中所述驱动器能够在所述选择晶体管和所述光发射控制晶体管处于截止状态的情况下改变所述重置晶体管导通的时间。
4.如权利要求1至权利要求3中的任一项所述的显示装置，其中所述驱动器在所述选择晶体管和所述重置晶体管被截止的状态下导通所述光发射控制晶体管，并且之后在所述选择晶体管和所述光发射控制晶体管被截止的情况下导通所述重置晶体管。
5.如权利要求1至权利要求4中的任一项所述的显示装置，其中所述驱动器在同一灰度信号被提供给所有像素的状态下将校正电压写入所述耦合电容器，然后截止所述选择晶体管，导通所述光发射控制晶体管和所述重置晶体管，并且将对应于所述驱动晶体管的电压降低的电压写入所述耦合电容器，之后通过基于所述耦合电容器处的电压使电流在所述驱动晶体管中流动来执行所述驱动晶体管的电流特性的均衡处理。
全文摘要
为了有效执行对驱动晶体管的阈值补偿，耦合电容器(6)的一端连接到数据线(8)。耦合电容器(6)的另一端连接到选择晶体管(3)和重置晶体管(4)的一端。驱动晶体管(2)的控制端子连接到选择晶体管(3)的另一端，并且有机EL元件(1)经由光发射控制晶体管(5)连接到该驱动晶体管。对应于提供给数据线(8)的灰度信号的数据电压经由耦合电容器(6)写入存储电容器(7)，并且在选择晶体管(3)和光发射控制晶体管(5)处于截止状态且重置晶体管(4)导通的情况下，对应于驱动晶体管(2)的迁移率的程度的补偿电压被写入耦合电容器(6)。
文档编号G09G3/36GK102396020SQ201080016684
公开日2012年3月28日 申请日期2010年4月13日 优先权日2009年4月13日
发明者川边和佳 申请人:全球Oled科技有限责任公司