专利名称：制造半导体器件中晶体管的方法
技术领域：
本发明涉及一种制造半导体器件中晶体管的方法，尤其涉及一种制造晶体管的方法，通过在硅基片上形成N+区来抑制短沟道效应，和通过在制造P型晶体管时用硼硅玻璃(BSG)层在N+区形成P--层，该方法能形成浅结深的结和实现高跨导。
通常，在制造具有N型和P型晶体管的C-MOS晶体管过程中，与N型晶体管相比，由于短沟道效应使P型晶体管具有缺点。下面将参照附
图1A和1B对制造半导体器件中晶体管的常规方法进行说明。
参照图1A，在具有N阱2的半导体基片1上依次形成栅氧化层3和多晶硅层。将杂质离子注入到多晶硅层，用栅极掩模进行光刻工艺，使多晶硅层和栅氧化层3依次构图，由此形成栅极4。通过将LDD(轻掺杂漏)离子注入进硅基片1，在其上形成LDD区5。
图1B是表示在栅极6的两个侧壁上形成氧化调整垫4和由注入高浓度的杂质离子在硅基片1内形成结区7的剖面图。
在上述工艺中如果N+型杂质离子是注入进多晶硅层，便可获得与N型MOS晶体管相同的N+多晶栅。因此，对制造成本是有利的，但将象硼这样的P+杂质离子注入进多晶硅层，硼离子会通过栅氧化层3渗透到硅基片1中，而降低跨导。
因此，本发明的目的是提供一种制造半导体器件中晶体管的方法，通过在硅基片里形成N+区和用BSG层在N+区上形成P--区，能解决上述问题。
为实现上述目的，根据本发明第一个实施例制造半导体器件中晶体管的方法包括以下步骤一种制造半导体器件中晶体管的方法包括以下步骤在具有N阱的硅基片上生长氧化层；在所说硅基片内形成N+区；除去所说氧化层，此后，在所得结构上形成第一BSG层；在所说N+区上形成P--区；除去所说第一BSG层，然后，在所得结构上依次形成栅氧化层和多晶硅层；将P+杂质离子注入到所说多晶硅层，依次使所说多晶硅层和所说氧化层构图，从而形成栅极；在所说栅极的两个侧壁上形成调整垫层；在形成所说垫层后，在所得结构上淀积第二BSG层；将P+杂质离子注入到所说硅基片内从而形成结区；进行快速热退火工艺；和除去所说第二BSG层。
根据本发明的第二个实施例制造半导体器件中晶体管的方法包括以下步骤在硅基片上生长氧化层，和在硅基片里形成N阱；除去所说氧化层，然后，在所得结构上形成BSG层；在所说N阱上形成P--层，除去所说BSG层，然后，在所得结构上依次形成栅氧化层和多晶硅层；
将P+杂质离子注入到所说多晶硅层和所说氧化层，从而形成栅极；在所说栅极的两个侧壁上形成氧化调整垫；和将P+杂质离子注入到所说硅基片，从而形成结区。
为了充分理解本发明的性质和目的，下面参照附图对本发明进行详细说明，其中图1A和1B是用于解释制造半导体器件中晶体管的常规方法的剖面图；图2A-2E是用于解释根据本发明第一实施例制造半导体器件中晶体管的方法的剖面图；和图3A-3C是用于解释本发明第二实施例的剖面图。
在各附图中相应的附图标记表示相应的部件。
图2A-2E是用来解释本发明的第一实施例的剖面图。
参照图2A，在具有N阱(未示出)的硅基片10上生长氧化层11，然后，通过注入N+杂质离子在硅基片10内形成N+区12，再进行热处理工艺。N+区的杂质浓度高于N阱的杂质浓度。
参照图2B，除去氧化层11，然后，在所得结构上淀积第一BSG层13。进行快速热退火工艺，就在N+区12上形成P--层20，其中P--层是在快速热退火工艺中，由P--离子从第一BSG层13的扩散形成的。
参照图2C，除去BSG层，然后，在所得结构上依次形成栅氧化层23和多晶硅层。将P+杂质离子注入到多晶硅层中，利用栅极掩模，使多晶硅层和栅氧化层23依次构图，从而形成栅极14。在栅极14的两个侧壁上形成氧化调整垫16。
参照图2D，在形成氧化调整垫16后，在所得结构上淀积第二BSG层，然后进行快速热退火工艺，由此工艺，在P--层20中的硼离子做最终扩散，从而在处于氧化调整垫16下面的硅基片内形成P-区18。但是，由于P--层20的缘故，在栅极14中的硼离子并没有渗透到硅基片10中。
参照图2E，除去第二BSG层15，从而制成P型MOS晶体管。
图3A-3C是用来解释本发明第二个实施例的剖面图。
参照图3A，在硅基片10上形成氧化层21，然后，注入N型杂质离子，再进行推进工艺，从而在硅基片10中形成N阱22。
参照图3B，除去氧化层21，然后，在所得结构上淀积BSG层19。通过进行热退火工艺，在N阱22上形成P--层2 4，这里P--层24是在快速热退火工艺中，由P--离子从BSG层19的扩散形成的。
参照图3C，除去BSG层19，然后，在所得结构上依次形成氧化层33和多晶硅层。将P+杂质离子注入到多晶硅层中，然后，利用栅极掩模，使多晶硅层和栅氧层依次构图，从而形成栅极34。在栅极34的两个侧壁上形成氧化调整垫26，然后，通过将P+杂质离子注入到硅基片10中而形成结区27。在形成结区后，进行快速热退火工艺，其中，在P-层24中的硼离子进行最终扩散，由此，在氧化调整垫26之下的硅基片中形成P-区28。但是，由于P-层24的缘故栅极34中的硼离子并没有渗透到硅基片中。
如上所述，根据本发明，通过在硅基片中形成N+区，和利用BSG层在N+区形成P--层，形成浅结深的结区是可能的。另外，有可能有效地抑制短沟道效应和获得高跨导。
尽管，上面对本发明的优选实施例进行了特定程度地说明，但上述说明只是对本发明的原理的说明。应该理解到，本发明并不限于这里所公开和说明的优选实施例。因此，不脱离本发明的精神和范围的所有可能的变型，皆包含在本发明的进一步的实施例中。
权利要求
1一种制造半导体器件中晶体管的方法，包括以下步骤在具有N阱的硅基片上生长氧化层；在所说硅基片内形成N+区；除去所说氧化层，此后，在所得结构上形成第一BSG层；在所说N+区上形成P--区；除去所说第一BSG层，然后，在所得结构上依次形成栅氧化层和多晶硅层；将P+杂质离子注入到所说多晶硅层，依次使所说多晶硅层和所说氧化层构图，从而形成栅极；在所说栅极的两个侧壁上形成调整垫层；在形成所说垫层后，在所得结构上淀积第二BSG层；将P+杂质离子注入到所说硅基片内从而形成结区；进行快速热退火工艺；和除去所说第二BSG层。
2根据权利要求1的方法，其特征是所说N+区是由注入N+杂质离子，并进行热处理而形成的。
3根据权利要求1的方法，其特征是所说P--层是通过对所说第一BSG层快速退火形成的。
4根据权利要求1的方法，其特征是所说N+区的杂质浓度比所说N阱的杂质浓度高。
5一种制造半导体器件中晶体管的方法，包括以下步骤在硅基片上生长氧化层，和在硅基片里形成N阱；除去所说氧化层，然后，在所得结构上形成BSG层；在所说N阱上形成P--层，除去所说BSG层，然后，在所得结构上依次形成栅氧化层和多晶硅层；将P+杂质离子注入到所说多晶硅层和所说氧化层，从而形成栅极；在所说栅极的两个侧壁上形成氧化调整垫；和将P+杂质离子注入到所说硅基片，从而形成结区。
6根据权利要求5的方法，其特征是所说N+阱是通过将N型杂质离子注入所说硅基片，并进行推进而形成的。
7根据权利要求5的方法，其特征是所说P--层是通过对所说BSG层进行快速退火而形成的。
全文摘要
该发明涉及一种制造晶体管的方法，通过在硅基片上形成N
文档编号H01L29/08GK1136709SQ96105950
公开日1996年11月27日 申请日期1996年3月22日 优先权日1995年3月22日
发明者黄儁 申请人:现代电子产业株式会社