晶体管及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及晶体管及其制造方法，特别涉及一种具有宽带隙发射极的晶体管及其制造方法。
【背景技术】
[0002]随着半导体技术的飞速发展，人们迫切需要在CMOS制造工艺中制作更加高性能的晶体管。
[0003]图1示出了一种现有的晶体管结构。如图1所示，目前采用的一种晶体管包括在半导体基底中形成的N阱(NW)和P阱(PW)，在N阱之上形成的发射极和基极，以及在P阱之上形成的集电极，三个极之间通过绝缘材料彼此间隔。在图1所示的例子中，对发射极和集电极的对应区域进行离子注入处理，从而形成P+区域。对基极的对应区域进行离子注入处理，从而形成N+区域。
[0004]但是，这种结构的晶体管已经不能满足半导体工艺发展的需要，并且不能提供更好的性能。
【发明内容】
[0005]本发明的发明人发现上述现有技术中存在问题，并因此针对所述问题中的至少一个问题提出了一种新的技术方案。
[0006]本发明的一个目的是提供一种晶体管及其制造方法。
[0007]在本发明的一个实施例中，提供了一种晶体管，包括:半导体基底；位于所述半导体基底中的第一区域和第二区域，所述第一区域掺杂有N型杂质，所述第二区域掺杂有P型杂质；位于所述第一区域上的发射极和基极，所述发射极的材料为掺杂有硼的锗硅材料；位于所述第二区域上的集电极。
[0008]优选地，所述基极掺杂有N型杂质，且基极中N型杂质的浓度高于所述第一区域中的N型杂质的浓度。
[0009]优选地，所述集电极掺杂有P型杂质，且集电极中P型杂质的浓度高于所述第二区域中的P型杂质的浓度。
[0010]优选地，所述基极的材料为掺杂有磷的SiC材料。
[0011]优选地，所述集电极的材料为掺杂有硼的锗硅材料。
[0012]根据本发明的另一个实施例，提供了一种晶体管，包括:半导体基底；位于所述半导体基底中的第一区域和第二区域，所述第一区域掺杂有P型杂质，所述第二区域掺杂有N型杂质；位于所述第一区域上的发射极和基极，所述发射极的材料为掺杂有磷的SiC材料；位于所述第二区域上的集电极。
[0013]优选地，所述基极掺杂有P型杂质，且基极中P型杂质的浓度高于所述第一区域中的P型杂质的浓度。
[0014]优选地，所述集电极掺杂有N型杂质，且集电极中N型杂质的浓度高于所述第二区域中的N型杂质的浓度。
[0015]根据本发明的又一个实施例，提供了一种晶体管，包括:半导体基底；位于所述半导体基底中的第一区域和第二区域，所述第一区域掺杂有P型杂质，所述第二区域掺杂有N型杂质；位于所述第一区域上的发射极和基极，所述发射极的材料为掺杂有硼的锗硅材料；位于所述第二区域上的集电极。
[0016]优选地，所述基极的材料为掺杂有磷的SiC材料。
[0017]优选地，所述集电极的材料为掺杂有硼的锗硅材料。
[0018]根据本发明的又一个实施例，提供了一种晶体管的制造方法，包括以下步骤:提供半导体基底；在所述半导体基底中形成第一区域和第二区域，所述第一区域掺杂有N型杂质，所述第二区域掺杂有P型杂质；分别在所述第一区域和第二区域上形成发射极和集电极，所述发射极的材料为掺杂有硼的锗硅材料；以及在所述第一区域上形成基极。
[0019]优选地，所述基极掺杂有N型杂质，且基极中N型杂质的浓度高于所述第一区域中的N型杂质的浓度。
[0020]优选地，所述集电极掺杂有P型杂质，且集电极中P型杂质的浓度高于所述第二区域中的P型杂质的浓度。
[0021]优选地，所述基极的材料为掺杂有磷的SiC材料。
[0022]优选地，所述集电极的材料为掺杂有硼的锗硅材料。
[0023]根据本发明的又一个实施例，提供了一种晶体管的制造方法，包括以下步骤:提供半导体基底；在所述半导体基底中形成第一区域和第二区域，所述第一区域掺杂有P型杂质，所述第二区域掺杂有N型杂质；分别在所述第一区域和第二区域上形成发射极和集电极，所述发射极的材料为掺杂有磷的SiC材料；以及在所述第一区域上形成基极。
[0024]优选地，所述基极掺杂有P型杂质，且基极中P型杂质的浓度高于所述第一区域中的P型杂质的浓度。
[0025]优选地，所述集电极掺杂有N型杂质，且集电极中N型杂质的浓度高于所述第二区域中的N型杂质的浓度。
[0026]根据本发明的又一个实施例，提供了一种晶体管的制造方法，包括以下步骤:提供半导体基底；在所述半导体基底中形成第一区域和第二区域，所述第一区域掺杂有P型杂质，所述第二区域掺杂有N型杂质；分别在所述第一区域和第二区域上形成发射极和集电极，所述发射极的材料为掺杂有硼的锗硅材料；以及在所述第一区域上形成基极。
[0027]优选地，所述基极的材料为掺杂有磷的SiC材料。
[0028]优选地，所述集电极的材料为掺杂有硼的锗硅材料。
[0029]根据本发明的又一个实施例，提供了一种半导体器件，包括上述根据本发明的晶体管。
[0030]通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
【附图说明】
[0031]构成说明书的一部分的附图描述了本发明的实施例，并且连同说明书一起用于解释本发明的原理。
[0032]参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本发明，其中:
[0033]图1是示出现有技术中的晶体管结构的示图。
[0034]图2是示出根据本发明的一个实施例的晶体管结构的示图。
[0035]图3A-3F是示出制造根据本发明的一个实施例的晶体管的流程图。
[0036]图4是示出根据本发明的另一个实施例的晶体管结构的示图。
[0037]图5A-5E是示出制造根据本发明的另一个实施例的晶体管的流程图。
[0038]图6是示出根据本发明的又一个实施例的晶体管结构的示图。
[0039]图7A-7F是示出制造根据本发明的又一个实施例的晶体管的流程图。
[0040]图8是示出根据本发明的又一个实施例的晶体管结构的示图。
[0041]图9A-9F是示出制造根据本发明的又一个实施例的晶体管的流程图。
[0042]图10是示出根据本发明的又一个实施例的晶体管结构的示图。
[0043]图11A-11F是示出制造根据本发明的又一个实施例的晶体管的流程图。
[0044]图12是示出根据本发明的又一个实施例的晶体管结构的示图。
[0045]图13A-13F是示出制造根据本发明的又一个实施例的晶体管的流程图。
【具体实施方式】
[0046]现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
[0047]同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。
[0048]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
[0049]对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
[0050]在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。
[0051]应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一