专利名称：复合式显示装置的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种显示装置，且特别是有关于一种共享一个薄膜晶体管(TFT)基板的复合式显示装置(hybrid display device)。
背景技术：
随着科技的进步，各种的显示器已广泛地应用于许多电子产品中。当消费者想要播放静态图像与文字，可使用低耗电的电子纸(electronic paper),若想要播放动态影像时，可选择具有高彩度与高反应速度的有机发光二极管显示器(OLED)，然而单一显示器并无法同时具有高彩度与低耗电的优点，因此整合两种显示装置的复合式显示装置(hybriddisplay device)开始受到研究的瞩目。目前复合式显示装置是分别制作两个不同的显示装置，之后通过粘合剂将两个显示装置粘贴，然而两显示装置需要两个TFT以分别驱动显示装置，且分别具有两个基板，如此一来，复合式显示装置不但整体装置厚度提高，且制程的整合亦是另一个挑战。若能提出一种复合式显示装置，其能共享一个TFT基板，并通过单一 TFT基板达到双边主动驱动，此复合式显示装置不但可减少显示装置的厚度，亦可简化制程步骤与成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种复合式显示装置，其能共享一个TFT基板，并通过单一 TFT基板达到双边主动驱动，此复合式显示装置不但可减少显示装置的厚度，亦可简化制程步骤与成本。本发明提供一种复合式显不装置，包括基板，其中该基板包括第一表面与一第二表面；薄膜晶体管阵列层(TFT array layer)，形成于该基板的第一表面上；第一显示装置，形成于该薄膜晶体管阵列层之上；以及第二显示装置，形成于该基板的第二表面上，其中该基板的介电常数值(k)与该基板的厚度(t)具有一对应关系，以通过该薄膜晶体管阵列层主动驱动该第一显示装置与该第二显示装置，且该基板的介电常数值(k)为约1-100，该基板的厚度⑴为约0. 1-60 V- m。本发明另提供一种复合式显不装置，包括基板，其中该基板包括第一表面与一第二表面；薄膜晶体管阵列层，形成于该基板的第一表面上；第一显示装置，形成于该薄膜晶体管阵列层之上；以及第二显示装置，形成于该基板的第二表面上，其中该薄膜晶体管阵列层主动驱动该第一显示装置与该第二显示装置，且该第一显示装置为电流或电压驱动显示装置，该第二显示装置为电压驱动显示装置。本发明所提供的复合式显示装置，可通过选择特定的基板介电常数值与基板厚度，以利用单一组薄膜晶体管阵列层主动驱动两个显示装置，如此一来，不但可减少复合式显示装置之整体厚度，且可简化制程步骤与成本。为让本发明的特征能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下
图1为一剖面图，用以说明本发明的复合式显示装置；图2为一剖面图，用以说明本发明的模拟显示装置；图3A-3B为一系列剖面图，用以说明本发明的复合式显示装置的实施例；图4A-4H为一系列剖面图，用以说明本发明的复合式显示装置制法的流程图；图5为驱动电压、基板的介电常数值与基板的厚度的关系图，用以说明本发明的基板介电常数值与厚度的对应关系。主要组件符号说明100 复合式显示装置；120 基板；120a 基板的第一表面；120b 基板的第二表面；130 薄膜晶体管阵列层；140 第一显示装置；160 第二显示装置；200 模拟显示装置；210 承载基板；215 第一电极；220 基板；240 显示装置；245 第二电极；300A.300B 复合式显示装置；320 基板；320a 第一表面；320b 第二表面；330 薄膜晶体管阵列层；340a 顶部发射型有机发光二极管；340b 底部发射型有机发光二极管；341 光线；345 封装材料； 350 粘着层；360 电流体显示器(EFT)；361 光线；410 暂时基板；411 离型层；420 基板；430 薄膜晶体管阵列层；440 第一显不介质；
445 封装材料；447 切割步骤；460 第二显示装置。
具体实施例方式本发明提供一种复合式显示装置，此复合式显示装置中具有两个显示装置，且通过共享一组薄膜晶体管阵列层主动驱动两个显示装置。请参见图1，复合式显示装置100包括基板120，其中基板120包括第一表面120a与第二表面120b ;于基板120第一表面120a之上依序形成薄膜晶体管阵列层(TFT arraylayer) 130与第一显示装置140，于基板120第二表面120b之上形成第二显示装置160。上述的第一显示装置140可为电流或电压驱动显示装置，而第二显示装置160可为电压驱动显示装置。电流驱动显示装置包括有机发光二极管(OrganicLight EmittingDevice, 0LED)或高分子发光二极管(Polymer Light EmittingDevice,PLED)。电压驱动显示装置包括液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)、胆固醇液晶显示器(CholestericLiquid Crystal Display, Ch-LCD)或电流体显不器(Electro-Fluidics DisplayTechnology, EFT),其中电流体显示器包括电湿润显示器(Electrowetting Display,EWD)、电泳显不器(Electrophoretic Display, EF1D)、电驱动显不装器(ElectrokineticDisplay, EKD)或快速反应液态粉状显不器(quick response liquid powder display)。薄膜晶体管阵列层(TFT array layer) 130中的薄膜晶体管结构可以是顶部闸极结构(top gate)或是底部闸极结构(bottom gate)。且薄膜晶体管可以是有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor, 0TFT)、低温多晶娃晶体管(low temperature polysilicon TFTs)、金属氧化物晶体管(metal oxide TFTs)、非晶娃薄膜晶体管(amorphoussilicon TFTs)、微晶娃薄膜晶体管(micro-crystal silicon TFTs)、多晶娃薄膜晶体管(polycrystalline silicon TFTs)、单晶娃薄膜晶体管(single crystal silicon TFTs)、氧化物晶体管(oxide TFTs)、有机薄膜晶体管(organic TFTs)等。须注意的是，本发明仅用单一薄膜晶体管阵列层130主动驱动两个显示装置，由于第二显示装置160位于薄膜晶体管阵列层130的背侧，且中间隔着一层基板120的厚度，为避免跨压(cross voltage)过高所造成电力消耗与造成显示装置中组件的损害，本发明经由实验结果得知，基板120的介电常数值(k)与基板120的厚度(t)需具有一特定对应关系，此对应关系为当基板120的介电常数值(k)增加时，基板120的厚度(t)亦可随之增力口，其中基板120的介电常数值(k)为约1-100，基板120的厚度(t)为约0. 1-60 Um0图2显示本发明所使用的模拟显示装置200的剖面图，其中于承载基板210之上依序形成第一电极215、基板220、显示装置240与第二电极245，其中基板220由各种具有不同介电常数值(k)与厚度(t)的材料所组成，且通过量测第一电极215与第二电极245之间的电压(V)，得知具有不同介电常数值(k)与厚度⑴的基板220所需的驱动电压。经过实验与统计分析，本发明的驱动电压、基板220的介电常数值(k)与基板220的厚度(t)具有下述关系驱动电压(伏特)=1/(-0.0074+0. 0523k_0. 00808t)；其中基板220的介电常数值(k)为约1-100，基板220的厚度为约0. 1-60 U m0
由实验数据得知，当基板220的介电常数值(k)越小时，则基板220的厚度要随之减小，才能以相同驱动电压驱动显示装置240。另言之，当基板220的介电常数值(k)越大时，则基板220厚度亦可随之增加。表I显示本发明不同实施例的基板的介电常数值(k)与对应的厚度⑴。表I
权利要求
1.一种复合式显示装置，其特征在于，包括 基板，其中该基板包括第一表面与第二表面； 薄膜晶体管阵列层，形成于该基板的第一表面上； 第一显示装置，形成于该薄膜晶体管阵列层之上；以及 第二显示装置，形成于该基板的第二表面上，其中该基板的介电常数值(k)与该基板的厚度(t)具有一对应关系，以通过该薄膜晶体管阵列层主动驱动该第一显示装置与该第二显示装置，且该基板的介电常数值(k)为1-100，该基板的厚度(t)为O. 1-60 μ m。
2.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该对应关系为该基板的介电常数值(k)增加时，该基板的厚度(t)亦随之增加。
3.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的介电常数值(k)为1-5，且该基板的厚度为O. 1-3. 5 μ m。
4.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的介电常数值(k)为5-10，且该基板的厚度为O. 1-14 μ m。
5.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的介电常数值(k)为10-15，且该基板的厚度为O. 1-20 μ m。
6.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的介电常数值(k)为15-20，且该基板的厚度为O. 1-25 μ m。
7.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的介电常数值(k)为20-30，且该基板的厚度为O. 1-33 μ m。
8.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的介电常数值(k)为30-40，且该基板的厚度为O. 1-45 μ m。
9.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的介电常数值(k)为40-50，且该基板的厚度为O. 1-55 μ m。
10.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的介电常数值(k)为50-100，且该基板的厚度为O. 1-60 μ m。
11.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该第一显示装置为电流或电压驱动显示装置，且该第二显示装置为电压驱动显示装置。
12.根据权利要求1所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的材料包括有机材料、无机材料或上述的组合。
13.一种复合式显示装置，其特征在于，包括 基板，其中该基板包括第一表面与一第二表面； 薄膜晶体管阵列层，形成于该基板的第一表面上； 第一显示装置，形成于该薄膜晶体管阵列层之上；以及 第二显示装置，形成于该基板的第二表面上，其中该薄膜晶体管阵列层主动驱动该第一显示装置与该第二显示装置，且该第一显示装置为电流或电压驱动显示装置，该第二显示装置为电压驱动显示装置。
14.根据权利要求13所述的复合式显示装置，其特征在于，该电流驱动显示装置包括有机发光二极管或高分子发光二极管。
15.根据权利要求13所述的复合式显示装置，其特征在于，该电压驱动显示装置包括液晶显示器、胆固醇液晶显示器、电湿润显示器、电泳显示器、电驱动显示装器或快速反应液态粉状显示器。
16.根据权利要求13所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的介电常数值(k)为1-100，该基板的厚度(t)为O. 1-60 μ m。
17.根据权利要求13所述的复合式显示装置，其特征在于，该基板的材料包括有机材料、无机材料或上述的组合。
全文摘要
本发明提供一种复合式显示装置，包括基板，其中基板包括第一表面与第二表面；薄膜晶体管阵列层，形成于基板的第一表面上；第一显示装置，形成于薄膜晶体管阵列层之上；以及第二显示装置，形成于基板的第二表面上，其中基板的介电常数值(k)与基板的厚度(t)具有一对应关系，以通过薄膜晶体管阵列层主动驱动第一显示装置与第二显示装置，且基板的介电常数值(k)为约1-100，基板的厚度(t)为约0.1-60μm。
文档编号G09G3/20GK103035187SQ201110351079
公开日2013年4月10日 申请日期2011年11月1日 优先权日2011年10月5日
发明者廖贞慧, 吴仲文, 廖又萱, 苏俊玮 申请人:财团法人工业技术研究院