电光学装置、电光学装置的驱动方法以及电子设备与流程

技术领域

本发明涉及在半导体基板上形成了像素电路的电光学装置、电光学装置的驱动方法以及电子设备。

背景技术：

近年来，人们提出了各种使用了发光元件、液晶元件等电气光学元件的电光学装置。在该电光学装置中，一般构成为在玻璃基板上与扫描线和数据线的交叉对应地形成像素电路。在该像素电路中除了包括上述电气光学元件之外，还包括晶体管。由于在玻璃基板形成像素电路，所以该晶体管一般由薄膜晶体管构成。

另一方面，近年来，以显示尺寸的小型化、显示的高精细化等为目的，提出一种不将电光学装置形成在玻璃基板而形成在以硅基板为代表的半导体基板上的技术(例如参照专利文献1、2)。

专利文献1：美国专利申请公开第2007/0236440号说明书

专利文献2：日本特开2009－152113号公报

然而，在半导体基板上形成像素电路时，与在玻璃基板上形成的情况相比较，会产生各种问题。

技术实现要素：

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的之一在于提供一种考虑到在半导体基板上形成像素电路的情况下的诸多问题的电光学装置、电光学装置的驱动方法以及电子设备。

为了解决上述课题，本发明所涉及的电光学装置的特征在于，是在半导体基板上形成了显示部，其排列有多个像素电路；和驱动电路，其在上述显示部的外侧以与上述显示部分离的方式被配置，输出用于驱动上述多个像素电路的信号的电光学装置，构成上述显示部的多个像素电路由单一的第1阱形成，上述多个像素电路的每一个具有1个或者多个晶体管，该晶体管形成于上述单一的第1阱内，并且被供给相同的基板电位，上述驱动电路具有多个晶体管，构成上述驱动电路的多个晶体管中的至少一个晶体管形成在第2阱内，上述第1阱的导电型与上述第2阱的导电型相同，俯视观察时上述第1阱与上述第2阱相互分离。

在本发明中，显示部中的单一的阱被极性与其不同的阱包围。因此，根据本发明，伴随驱动电路的动作而产生的噪声难以传播到显示部，从而能够将对显示的影响抑制得较小。

在本发明中，上述像素电路可以构成为包括开关晶体管与电光学元件，上述开关晶体管导通时，供给与上述电气光学元件的目标亮度对应的电压。在该构成中，优选上述像素电路包括驱动晶体管，上述电光学元件是以与流过的电流对应的亮度发光的发光元件，在第1电源与第2电源之间串联连接上述驱动晶体管以及上述发光元件，上述驱动晶体管向上述发光元件供给与上述开关晶体管导通时所供给的电压对应的电流。根据该方式，开关晶体管与驱动晶体管成为相同的基板电位，并且，使显示部中的单一沟道型的基板电位稳定化，因此实现了驱动晶体管流出电流的稳定化。

此处，若使上述基板电位与上述第1电源的电位相等，则不设置另外的供电线即可，实现了构成的简单化。另一方面，还可以使上述基板电位与上述第1电源不同。

在本发明中，可以构成为，上述驱动晶体管是由串联连接栅极被公共连接的2个以上的晶体管而成的，该2个以上的晶体管共用基板电位。根据该构成，即使增高电源电压，也可以不增高晶体管的耐压。

另外，在本发明中，可以构成为俯视观察时，在设置有上述驱动电路的驱动部中的、与上述显示部对置的一侧，形成与上述显示部相同极性的阱。根据该构成，伴随驱动电路的动作而产生的噪声等更加难以传播到显示部。

此外，本发明除了涉及电光学装置之外，还涉及电光学装置的驱动方法、和具有该电光学装置的电子设备。电子设备典型而言，列举了头戴式可视设备、电子取景器等显示装置。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所涉及的电光学装置的立体图。

图2是表示电光学装置中的各部的配置的俯视图。

图3是表示电光学装置的电气构成的框图。

图4是表示电光学装置中的阱的区域的图。

图5是表示电光学装置的主要部分剖视图。

图6是表示电光学装置中的像素电路的图。

图7是表示电光学装置的动作的图。

图8是表示应用例及变形例所涉及的电光学装置的像素电路的图。

图9是表示使用了实施方式所涉及的电光学装置的HMD的立体图。

图10是表示HMD的光学构成的图。

具体实施方式

图1是表示本发明的实施方式所涉及的电光学装置1的立体图。

该图所示的电光学装置1包括例如适用于头戴式可视设备(HMD)，显示图像的微型显示器10。微型显示器10是在以硅为代表的半导体基板上形成多个像素电路、驱动该像素电路的驱动电路等的有机EL装置，在像素电路中包括作为发光元件的一个例子的有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，以下称为“OLED“)。此外，在以下的记载中，作为本发明优选的半导体基板，以硅基板为例进行说明，但由其他公知的半导体材料构成的半导体基板也同样能够适用于本发明。

微型显示器10被收容于在显示部开口的框状的外壳12，并且连接FPC(Flexible Printed Circuits：柔性电路基板)基板14的一端。在FPC基板14的另一端设置多个端子16，与被省略图示的电路模块连接。与端子16连接的电路模块兼具微型显示器10的电源电路以及控制电路，除了经由FPC基板14供给各种电位之外，还供给数据信号、控制信号等。

图2是表示微型显示器10中的各部的配置的俯视图，图3是表示微型显示器10中的电气构成的框图。此外，为了便于说明，图2为将图1中的外壳12取下的状态。

在图2中，显示部100呈俯视时例如对角为1英寸左右、且左右方向横向较长的长方形的形状。参照图3对详细内容进行说明，在显示部100中，在图中沿着左右方向设置m行扫描线112，沿着上下方向、且以与各扫描线112相互保持电绝缘的方式设置n列数据线114。因此，在显示部100中，像素电路110与m行扫描线112和n列数据线114的各交叉对应，排列成矩阵状。

m、n均是自然数。另外，存在为了便于区别扫描线112以及像素电路110的矩阵中的行，在图3中从上开始依次称为1、2、3、…、(m－1)、m行的情况。同样地还存在为了便于区别数据线114以及像素电路110的矩阵的列，在图3中从左开始依次称为1、2、3、…、(n－1)、n列的情况。

另外，实际上，与同一行的扫描线112和相互相邻的3列数据线114的交叉对应的3个像素电路110分别对应R(红)、G(绿)、B(蓝)像素，来表现这些3个像素应显示的彩色图像的1个点。换言之，本实施方式成为通过RGB的3个像素电路110的发光元件的加色混合来表现1个点的色彩的构成。

在显示部100的外围设置用于驱动像素电路110的驱动电路(外围电路)。在本实施方式中，驱动电路的例子是扫描线驱动电路140与数据线驱动电路150，其中，扫描线驱动电路140分别在显示部100的左右两侧与显示部100分离而设置。详细如图3所示，2个扫描线驱动电路140成为分别从两侧驱动m行扫描线112的每一个的构成。各个扫描线驱动电路140被上述电路模块供给相同的控制信号Ctry，分别向第1、2、3、…、(m－1)、m行的扫描线112供给相同的扫描信号Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(m-1)、Gwr(m)。

此外，在进行该供给时，如果扫描信号的延迟不成问题，则可以是只在单侧设置一个扫描线驱动电路140的构成。

如图2所示，在FPC基板14的连接处与显示部100之间，与显示部100分离地设置数据线驱动电路150。如图3所示，从上述电路模块向数据线驱动电路150供给图像信号Vd和控制信号Ctrx。数据线驱动电路150根据控制信号Ctrx向第1、2、3、…、(n－1)、n列的数据线114供给图像信号Vd为数据信号Vd(1)、Vd(2)、Vd(3)、…、Vd(n-1)、Vd(n)。

另外，在本实施方式中，从上述电路模块经由FPC基板14遍及各像素电路110地向显示部100供给电位V1、V2。

像素电路110、扫描线驱动电路140以及数据线驱动电路150形成在共用的硅基板上。其中，扫描线驱动电路140输出的扫描信号Gwr(1)～Gwr(m)是以H或者L电平规定的逻辑信号。因此，扫描线驱动电路140成为根据控制信号Ctry动作的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)逻辑电路的集合体。另外，在扫描线驱动电路140中，将电源的高位侧设为电位Vdd，将低位侧设为电位Vss。因此，在扫描信号Gwr(1)～Gwr(m)中，H电平与电位Vdd相当，L电平与电位Vss相当。

另外，数据线驱动电路150输出的数据信号Vd(1)～Vd(n)是模拟信号，数据线驱动电路150成为根据控制信号Ctrx依次将从上述电路模块供给的数据信号Vd供给至1～n列的数据线114的构成。因此，数据线驱动电路150也具有CMOS逻辑电路。另一方面，如后述那样，像素电路110具有多个晶体管，但在本实施方式中统一为P沟道型。

因此，如下那样，在由硅基板形成的微型显示器10中形成阱区。

图4是表示微型显示器10中的阱区的概略配置的图，图5是微型显示器10中的包括显示部100与扫描线驱动电路140的边界部分的主要部分剖视图。

作为基板，例如在使用P型半导体基板的情况下，如下那样地形成N型的阱区(以下，简称为“N阱“)。

即、如图4所示，第1，遍及与显示部100对应的区域，连续地形成N阱104。第2，在与驱动电路对应的区域、即与驱动部(外围部)中的、扫描线驱动电路140对应的区域中，以附随多个横向延伸的带状的开口部分、且包围边缘的方式连续地形成N阱105、106。第3，在遍及与驱动部中的、数据线驱动电路150对应的区域的、图4的上侧，即、遍及与显示部100对置的一侧的上区域连续地形成N阱108。

因此，结果如图4所示，从俯视面看来，在驱动电路与显示部100分离的部分留下具备与显示部100的N阱不同的导电型的P型半导体基板区域102，该P型半导体基板区域102在驱动电路的内侧且包围显示部100。

另外，在扫描线驱动电路140的区域中的开口部分分别留下P型半导体基板区域107。因此，在扫描线驱动电路140的边缘部分，N阱105呈框状地配置，在边缘部分的内侧，N阱106与P型半导体基板区域107在图中遍及上下方向交替地配置。另外，在数据线驱动电路150的区域中的、图中的下方区域留下P型半导体基板区域109。

因此，显示部100的N阱104除了与驱动部中的N阱105、106、108被P型半导体基板区域102分离以外，还与驱动部中的P型半导体基板区域107被P型半导体基板区域102以及N阱105分离。

还可以对通过形成N阱104、105、106、108而留下的部分、即P型半导体基板区域102、107、109注入P型的杂质来形成P阱。

此外，如后述那样，形成于显示部100的P沟道型的晶体管形成于N阱104。在构成扫描线驱动电路140的CMOS逻辑电路中的、P沟道型的晶体管形成于N阱105、106，N沟道型的晶体管形成于P型半导体基板区域107。在构成数据线驱动电路150的CMOS逻辑电路中的、P沟道型的晶体管形成于N阱108，N沟道型的晶体管形成于P型半导体基板区域109。

另外，在图4中，在扫描线驱动电路140的各区域中配置有7行P型半导体基板区域107，但在本实施方式中，例如相互邻接的N阱106与P型半导体基板区域107相当于1行，所以实际上，配置像素电路110的行数亦即m行。另外，对于图中未划阴影线的空白部分而言，在硅基板使用了P型半导体基板的情况下成为P型半导体基板区域，但其与本发明没有关系。因此，表示为空白。

图6是像素电路110的电路图。在该图中，示出了与第i行以及在下侧与该第i行相邻的第(i+1)行的扫描线112、和第j列以及在右侧与该第j列相邻的第(j+1)列的数据线114的交叉对应的2×2共计4个像素的像素电路110。此处，i、(i+1)是通常表示像素电路110排列的行的情况下的符号，它们是1以上m以下的整数。同样地，j、(j+1)是通常表示像素电路110排列的列的情况下的符号，它们是1以上n以下的整数。

如图6所示，各像素电路110包括P沟道MOS的晶体管122、124、126、电容元件128和OLED130。从电学角度来看，各像素电路110是相互相同的构成，故以位于i行j列的像素电路为代表进行说明。

i行j列的像素电路110的晶体管122作为开关晶体管发挥作用。在晶体管122中，栅极节点与第i行扫描线112连接，其漏极或者源极节点的一方与第j列数据线114连接，其源极或者漏极节点的另一方分别与电容元件128的一端、晶体管124、126的共用栅极节点连接。

晶体管124的源极节点和电容元件128的另一端一起与供给电源的高位侧的电位V1的供电线116连接，其漏极节点与晶体管126的源极节点连接。另外，晶体管126的漏极节点与OLED130的阳极连接。

由于晶体管124、126被串联连接，并且共用栅极节点，所以可视为一个驱动晶体管。更详细而言，作为驱动晶体管来看时，晶体管124、126的共用栅极节点为栅极，晶体管124的源极节点为源极，晶体管126的漏极节点为漏极。而且，驱动晶体管使与由电容元件128保持的保持电压，即、栅极与源极间的电压对应的电流流过OLED130。

另外，OLED130的阳极是按每个像素电路110独立设置的像素电极。另一方面，OLED130的阴极是遍及全部像素电路110的共用电极117，其被供给电源的低位侧的电位V2。OLED130是在硅基板中利用相互对置的阳极和具有透明性的阴极夹持由有机EL材料构成的发光层而构成的元件，其以与从阳极流向阴极的电流对应的亮度发光。

此外，在图6中，Gwr(i)、Gwr(i+1)分别表示向第i、(i+1)行的扫描线112供给的扫描信号，另外，Vd(j)、Vd(j+1)分别表示向第j、(j+1)列的数据线114供给的数据信号。

另外，为了方便，在i行j列的像素电路110中，将晶体管124、126的共用栅极节点表记为g(i，j)。

另一方面，对于电容元件128，还存在能够使用寄生于晶体管124、126的栅极节点的电容的情况。

此处，如图5所示，晶体管122是具有经由绝缘膜41形成于N阱104上的栅极节点42、和将该栅极节点42作为掩膜导入离子而形成的2个P型扩散层(P+)的构成。而且，各个扩散层被引出而成为源极节点、漏极节点。

晶体管124是具有经由绝缘膜43形成于N阱104的栅极节点44、和将该栅极节点44作为掩膜导入离子而形成的2个P型扩散层(P+)的构成。晶体管126虽然省略图示，但其也具有相同的构成。

此外，在本实施方式中，对于晶体管122、124、126而言，经由N型扩散层(N+)46向共用的N阱104供给电位V1。因此，晶体管122、124、126的基板电位成为电位V1。

另外，晶体管142是在扫描线驱动电路140中构成CMOS逻辑电路的P沟道型的晶体管。晶体管142具有经由绝缘膜形成于扫描线驱动电路140的区域中的N阱106的栅极节点、和将该栅极节点作为掩膜导入离子而形成的2个P型扩散层(P+)，各个扩散层被引出而成为源极节点、漏极节点。经由N型扩散层(N+)51向N阱106供给电位Vdd。因此，晶体管142的基板电位成为电位Vdd。

此外，电位Vdd可以与电位V1相等。另外，虽然在图5中未表示，但其还可以与电位Vss和电位V2也可以相等。

图7是表示微型显示器10的显示动作的图，表示扫描信号以及数据信号的波形的一个例子。

如该图所示，扫描信号Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(m-1)、Gwr(m)在各帧中按照每个水平扫描期间(H)为单位依次被扫描线驱动电路140选择，而排他地成为L电平。

此外，在本说明中，所谓帧是指使微型显示器10显示1个镜头(画面)的图像所需的期间，如果垂直扫描频率为60Hz，则指其1个周期16.67毫秒的期间。

另外，第i行的扫描线112被选择，其扫描信号Gwr(i)从H变为L电平时，由数据线驱动电路150对第j列的数据线114供给与i行j列的目标亮度对应的电位，换言之，与应流向OLED130的电流对应的电位的数据信号Vd(j)。

在i行j列的像素电路110中，由于若扫描信号Gwr(i)变为L电平，则晶体管122导通，所以成为栅极节点g(i，j)与第j列的数据线114电连接的状态。因此，栅极节点g(i，j)的电位如图7中的朝上箭头所示，成为数据信号Vd(j)的电位。此时，晶体管124、126使与栅极节点g(i，j)和源极节点的电位差，即、以驱动晶体管来看时的栅极与源极间的电压对应的电流流过OLED130。此时，电容元件128保持该栅极与源极间的电压。

在第i行的扫描线112的选择结束，扫描信号Gwr(i)成为H电平时，晶体管122从导通切换为截止。即使晶体管122切换为截止，该晶体管122导通时的晶体管124、126的共用栅极节点的电位也被电容元件128保持。因此，即使晶体管122截止，晶体管124、126也使与由电容元件128保持的保持电压对应的电流持续流过OLED130，直至下次再次选择第i行的扫描线112。因此，在i行j列的像素电路110中，OLED130以与选择第i行时的数据信号Vd(j)的电位对应的亮度，在与1个帧相当的期间持续发光。

此外，在第i行中，第j列以外的像素电路110也以与向对应的数据线114供给的数据信号的电位对应的亮度发光。另外，此处，虽然对与第i行的扫描线112对应的像素电路110进行了说明，但以第1、2、3、…、(m－1)、m行这样的顺序选择扫描线112的结果为，各个像素电路110分别以与目标值对应的亮度发光。这样的动作按每个帧为单位被反复进行。

另外，在图7中，与作为逻辑信号的扫描信号的电位尺度相比，为方便起见，放大数据信号Vd(j)、和栅极节点g(i，j)的电位尺度。

在本实施方式中，显示部100中的N阱104与驱动电路中的N阱105、106、108被包围N阱104的P型半导体基板区域102分离。换句话说，形成有构成扫描线驱动电路140的晶体管的阱中的、离显示部100最近的阱、即N阱105与显示部的N阱104分离。

另外，扫描线驱动电路140中的P型半导体基板区域107被N阱105、106包围，另一方面，数据线驱动电路150中的P型半导体基板区域109位于显示部100非对置侧。因此，显示部100中的N阱104与驱动电路中的P型半导体基板区域107、109，除了被P型半导体基板区域102分离以外，还被N阱105、106、108分离。

驱动电路由于时钟等不断地进行逻辑动作，所以可以说是噪声等的产生源。与此相对，在本实施方式中，P型半导体基板区域102被设置成俯视时在图4中包围显示部100。因此，在驱动电路中产生的噪声等被P型半导体基板区域102吸收或者阻止，从而抑制了由于噪声等导致显示质量的降低。例如如图5所示，即使在形成在扫描线驱动电路140的N阱106的晶体管142中产生噪声，该噪声也会被P型半导体基板区域102吸收或者阻止。

因此，根据本实施方式，由于显示部100在不易受到来自驱动电路的干扰的状态下动作，所以能够抑制显示质量的降低。

如果从使电流由晶体管124、126构成的驱动晶体管中稳定流动的观点来看，可以说优选使晶体管124、126的基板电位稳定化。在本实施方式中，显示部100中的像素电路110的晶体管122、124、126全部被统一成P沟道型，并形成在共用的N阱104。即、由于共用的N阱104遍及显示部100连续地形成，所以驱动晶体管能够稳定流过电流。

另外，在本实施方式中，供给显示部100的电源包括基板电位在内为电位V1、电位V2这2个，所以能够实现构成的简单化。

然而，为了使OLED130以某一程度的亮度发光，需要使电位V1、V2的差、即电源电压尽可能高。另一方面，在显示低灰度的情况下，流过OLED130的电流变少，OLED130的阳极与电位V2之间的电压缓缓变低，从而相应地，向驱动晶体管的源极与漏极之间施加的电压缓缓变高。最终，在OLED130的亮度为零的状态下，向驱动晶体管的源极与漏极之间施加的电压成为最大。

此处，为了增大能够向形成于硅基板的晶体管的源极与漏极之间施加的电压(耐压)，需要增大晶体管的尺寸来缓和电场密度。然而，在要求显示部100的小尺寸化、显示的高精细化的情况下，形成的晶体管的尺寸也必然变小，耐压降低。因此，在驱动晶体管为一个的构成中，在使OLED130以低亮度发光时，存在向源极与漏极之间施加的电压超过晶体管的耐压，导致晶体管损坏的可能性。

即、可以说以往增高电源电压来使OLED130以较高的亮度发光与显示尺寸的小型化及显示的高精细化处于折衷的关系。

与此相对，在本实施方式中，驱动晶体管使成为通过2个晶体管124、126串联连接的构成。在该构成中，在电流不流过OLED130时，晶体管124、126截止，所以晶体管124的漏极节点与晶体管126的源极节点成为浮置(floating)状态。因此，不向晶体管124、126的源极与漏极之间施加电压。另外，在流向OLED130的电流较少时，虽然向晶体管124的源极节点与晶体管126的漏极节点之间施加比较高的电压，但如果从晶体管124、126的单体来看，由于被分压，所以并不会被施加较高的电压。

因此，即使晶体管124、126的各个单体中的耐压较低也没有问题。

由此，在本实施方式中，能够兼得使OLED130以较高的亮度发光、与显示尺寸的小型化及显示的高精细化。

此外，在只要求使OLED130以较高的亮度发光、或者显示尺寸的小型化及显示的高精细化的任一的情况下，可以由一个晶体管构成驱动晶体管。

应用例及变形例

本发明并不限于上述的实施方式，例如能够进行如下所述的各种应用及变形。另外，还能够将任意选择出的一或者多个适当地组合成如下所述的应用及变形的方式。

基板电位与电源的分离

在实施方式中，由于使晶体管122、124、126的基板电位与电源的高位侧相同，所以为电位V1，但如图8所示，还可以为经由另外设置的供电线118供给的电位V3而从电源分离的构成。可以使电位V3为与电位V1不同的电位。

晶体管的沟道型等

在实施方式中，虽然将晶体管122、124、126设为P沟道，但还可以相反地设为N沟道。在设为N沟道的情况下，各阱反转。

另外，在串联连接驱动晶体管的情况下，还可以是三个以上。

电光学元件

在实施方式中，作为电气光学元件，例示了作为发光元件的OLED，但还可以是例如无机发光二极管、LED(Light Emitting Diode：发光二极管)。另外，作为电光学元件除了发光元件以外，还可以使用利用像素电极与共用电极夹持液晶层的液晶元件。

此外，由于液晶元件是电压驱动型，所以不需要驱动晶体管。即、由于成为对开关晶体管连接像素电极的构成，所以不需要驱动晶体管。在该构成中，经由数据线供给的数据信号的电压，即、与目标亮度对应的电压，在开关晶体管导通时被施加给像素电极并被保持。而且，液晶层成为与被施加并保持的电压对应的取向状态，所以从液晶元件来看时，成为与该电压对应的透过率(或者反射率)。

电子设备

接下来，对应用了实施方式所涉及的微型显示器10的头戴式可视设备进行说明。

图9是表示头戴式可视设备的外观的图，图10是表示其光学构成的图。

首先，如图9所示，头戴式可视设备300在外观上与一般眼镜相同，具有眼镜腿31、鼻架32和镜片301L、301R。另外，头戴式可视设备300如图10所示，在鼻架32附近且在镜片301L、301R的里侧(图中的下侧)设置有左眼用微型显示器10L和右眼用微型显示器10R。

微型显示器10L的图像显示面在图10中被配置在左侧。由此，微型显示器10L的显示图像经由光学透镜302L在图中向9点钟方向射出。半透半反镜303L使微型显示器10L的显示图像向6点钟方向反射，使从12点钟方向入射的光透过。

微型显示器10R的图像显示面被配置在与微型显示器10L相反的右侧。由此，微型显示器10R的显示图像经由光学透镜302R在图中向3点钟方向射出。半透半反镜303R使微型显示器10R的显示图像向6点钟方向反射，使从12点钟方向入射的光透过。

在该构成中，头戴式可视设备300的佩戴者能够以与外面的样子重合的透过状态观察微型显示器10L、10R的显示图像。

另外，在该头戴式可视设备300中，若使伴有视差的两眼图像中的、左眼用图像显示于微型显示器10L，使右眼用图像显示于微型显示器10R，则能够使佩戴者感觉显示的图像犹如具有纵深感、立体感(3D显示)。

此外，微型显示器10除了能够应用于头戴式可视设备300以外，还能够应用于摄像机、透镜交换式的数码相机等中的电子式取景器。

符号说明

1…电光学装置，10…微型显示器，100…显示部，102、107、109…P型半导体基板区域，104、106、108…N阱，110…像素电路，112…扫描线，114…数据线，116、118…供电线，117…共用电极，122、124、126…晶体管，128…电容元件，130…OLED，140…扫描线驱动电路，150…数据线驱动电路，300…头戴式可视设备。