气相沉积形成缓冲层5，在本实施例中该缓冲层5为Si层，且在沉积过程中使得Al层41上覆盖的Si层51的厚度为50nm，而同时覆盖在Al层42上的Si层52的厚度约为26nm。然后将形成缓冲层5后的光学防伪元件置于NaOH溶液中(温度40°C，浓度5%)浸泡16秒，表面浮雕结构层32上覆盖的Al层42完全消失，而表面浮雕结构层31上覆盖的Al层仍然存在，从而形成了所需的镂空图案。
[0038]在另外一种可行的实施方案中将所述缓冲层5替换为S12层(450nm)。然后将光学防伪元件置于NaOH溶液中(温度45°C，浓度10%)浸泡，直至表面浮雕结构层32上覆盖的AVS12层完全消失，而表面浮雕结构层31上覆盖的Al层及剩余的S12层形成了所需的镂空图案。优选地，进一步在该镂空表面上形成Cr (5nm)层，从而使得表面浮雕结构层32表面形成图案化镂空的Al/Si02/Cr干涉镀层，该镂空干涉镀层具有正面观察为洋红色而倾斜观察为黄绿色的特征
[0039]另外，所述基材可以是至少局部透明的，也可以是有色的介质层。在一种优选方案中，所述基材可以是一层单一的透明介质薄膜，例如PET膜、PVC膜等，当然也可以是表面带有功能涂层(比如压印层)的透明介质薄膜，还可以是经过复合而成的多层膜。
[0040]在根据本发明的优选实施方式中，用于制备光学防伪元件的方法还可以包括:在在基材的表面上形成表面浮雕结构层之前即步骤Sll之前，在所述基材的所述表面上形成衍射光变特征、干涉光变特征、微纳结构特征、印刷特征、部分金属化特征、荧光特征以及用于机读的磁、光、电、放射性特征中的一种或多种特征；和/或在至少在所述表面浮雕结构层的其中一个所述区域的至少一部分上形成镀层之前即在步骤S12之前，在所述表面浮雕结构层的表面上形成衍射光变特征、干涉光变特征、微纳结构特征、印刷特征、部分金属化特征、荧光特征以及用于机读的磁、光、电、放射性特征中的一种或多种特征。
[0041]根据本发明的制备光学防伪元件的方法适合用于制作开窗安全线、标签、标识、宽条、透明窗口、覆膜、高分子材料钞票等产品。所述安全线的厚度不大于50 μ m。带有所述开窗安全线的防伪纸用于钞票、护照、有价证券等各类高安全产品的防伪。
[0042]以上仅示例性地描述了本发明的优选实施方案。但是本领域技术人员可以理解，在不偏离本发明构思和精神的前提下，可以对本发明做出各种等同变换或修改，从而得到的技术方案也应属于本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种制备光学防伪兀件的方法，该方法包括: 在基材的表面上形成表面浮雕结构层，所述表面浮雕结构层包括至少两个区域，其中各个所述区域中的所述表面浮雕结构层的表面积与表观面积的比值互不相同； 至少在所述表面浮雕结构层的其中一个所述区域的至少一部分上形成镀层； 在全部或部分所述镀层上形成缓冲层；以及 将形成所述缓冲层后的所述光学防伪元件置于能够与所述缓冲层和所述镀层进行反应以使所述缓冲层和所述镀层减薄甚至消失的环境中进行反应，直到得到所需的光学防伪元件为止，其中所述缓冲层在单位时间内的厚度减薄速率小于所述镀层在单位时间内的厚度减薄速率。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，单位表观面积上的表面积小的表面浮雕结构层区域中所形成的镀层的厚度与单位表观面积上的表面积大的表面浮雕结构层区域中所形成的镀层的厚度之间的比值为大于4:3。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述比值为大于2:1。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述比值为大于3:1。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面浮雕结构层为连续曲面型结构、矩形结构、锯齿型棱镜结构和/或它们的拼接或组合。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述镀层和所述缓冲层以与所述表面浮雕结构层同形覆盖的方式形成。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述镀层包括下述各种镀层中的任意一种或其组合:单层金属镀层；多层金属镀层；由吸收层、低折射率介质层和反射层依次堆叠形成的镀层，其中该反射层或吸收层与所述表面浮雕结构层相接触；高折射率介质层镀层；由高折射率介质层、低折射率介质层和高折射率介质层依次堆叠形成的多介质层镀层；以及由吸收层、高折射率介质层和反射层依次堆叠形成的镀层，其中，该反射层或吸收层与所述表面浮雕结构层相接触。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述缓冲层为Al、Cu、N1、Cr、Ag、Fe、Sn、Au、Pt、S 1、Zn、T 1、Mg、氧化招、氧化铁、氧化银、氧化娃、氧化锌、氧化钛、氧化镁、硫化锌、氟化镁、高分子聚合物中的一种或几种的组合。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述环境为由无机酸、无机碱、有机酸、有机碱、氧化剂、有机溶剂、无机溶剂中的一种或多种形成的环境。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述环境为由Na0H、NH40H、H2S04、HF、HBr、H2S、O3> Cl2, HNO3> HCL、H2O2' CH3COOH' H3PO4 中的一种或多种形成的环境。
11.根据权利要求1至10中任一权利要求所述的方法，其中，单位表观面积上的表面积小的表面浮雕结构层区域中所形成的缓冲层的厚度与单位表观面积上的表面积大的表面浮雕结构层区域中所形成的缓冲层的厚度之间的比值为大于4: 3。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述比值为2:1。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述比值为3:1。
14.根据权利要求1至10中任一权利要求所述的方法，其中，所述镀层在单位时间内的厚度减薄速率与所述缓冲层在单位时间内的厚度减薄速率之比为大于4:3。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述比值为2:1。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述比值为3:1。
17.根据权利要求1至10中任一项权利要求所述的方法，该方法还包括: 在在基材的表面上形成表面浮雕结构层之前，在所述基材的所述表面上形成衍射光变特征、干涉光变特征、微纳结构特征、印刷特征、部分金属化特征、荧光特征以及用于机读的磁、光、电、放射性特征中的一种或多种特征；和/或 在至少在所述表面浮雕结构层的其中一个所述区域的至少一部分上形成镀层之前，在所述表面浮雕结构层的表面上形成衍射光变特征、干涉光变特征、微纳结构特征、印刷特征、部分金属化特征、荧光特征以及用于机读的磁、光、电、放射性特征中的一种或多种特征。
【专利摘要】本发明提供一种制备光学防伪元件的方法，其克服了现有技术中在制备光学防伪元件时误差大、可靠性低等缺陷。该方法包括：在基材的表面上形成表面浮雕结构层，该表面浮雕结构层包括至少两个区域，其中各个所述区域中的表面浮雕结构层的表面积与表观面积的比值互不相同；至少在表面浮雕结构层的其中一个所述区域的至少一部分上形成镀层；在全部或部分所述镀层上形成缓冲层；以及将形成所述缓冲层后的所述光学防伪元件置于能够与所述缓冲层和所述镀层进行反应以使所述缓冲层和所述镀层减薄甚至消失的环境中进行反应，直到得到所需的光学防伪元件为止，其中所述缓冲层在单位时间内的厚度减薄速率小于所述镀层在单位时间内的厚度减薄速率。
【IPC分类】B42D25-40, B42D25-30
【公开号】CN104647937
【申请号】CN201310598364
【发明人】张宝利, 张巍巍, 曲欣, 胡春华
【申请人】中钞特种防伪科技有限公司, 中国印钞造币总公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年11月22日