81是有机树脂衬底，并且衬底201是使用厚度薄的金属材料或合金材料形成的衬底，与使用玻璃衬底的情况相比，能够实现轻量且不易损坏的发光面板。
[0123]
具有高导热性的金属材料以及合金材料是优选的，因为容易将热传导到衬底整体，因此能够抑制发光面板的局部的温度上升。使用金属材料或合金材料的衬底的厚度优选为10 μm以上且200 μπι以下，更优选为20 μm以上且50 μm以下。
[0124]
另外，当作为衬底201使用热辐射率高的材料时，能够抑制发光面板的表面温度上升，从而能够抑制发光面板损坏或可靠性下降。例如，衬底201也可以采用金属衬底与热辐射率高的层(例如，可以使用金属氧化物或陶瓷材料形成该层)的叠层结构。
[0125]
〈具体例子2〉
图21A示出发光面板中的光提取部182的其他例子。图21A中的发光面板能够进行触摸操作。在下面所示的各具体例子中，关于与具体例子1相似的结构，省略其说明。
[0126]
图21A所示的发光面板包括元件层180、粘合层185以及衬底181。元件层180包括衬底201、粘合层203、绝缘层205、多个晶体管、绝缘层207、绝缘层209、多个发光元件、绝缘层211、绝缘层217、密封层213、绝缘层261、着色层259、遮光层257、多个受光元件、导电层281、导电层283、绝缘层291、绝缘层293、绝缘层295以及绝缘层255。
[0127]
具体例子2包括绝缘层211上的绝缘层217。通过设置绝缘层217，可以调整衬底181与衬底201之间的距离。
[0128]
图21A示出在绝缘层255与密封层213之间设置有受光元件的例子。由于可以以重叠于衬底201—侧的非发光区域(例如，设置有晶体管240或布线的区域)的方式配置受光元件，因此可以在发光面板中设置触摸传感器而不必使像素(发光元件)的开口率下降。
[0129]
例如，作为发光面板所包括的受光元件可以使用pn型光电二极管或pin型光电二极管。在本实施方式中，作为受光元件，使用包括P型半导体层271、i型半导体层273以及η型半导体层275的pin型光电二极管。
[0130]
注意，i型半导体层273是半导体，其中赋予p型导电性的杂质及η型导电性的杂质的浓度都为IX 102°cm 3以下，并且光传导率为暗导电率的100倍以上。在i型半导体层273的范畴内还包括包含属于元素周期表中的第13族或第15族的杂质元素的半导体。S卩，由于当有意不添加用来控制价电子的杂质元素时，i型半导体具有较弱的η型电导率，因此在i型半导体层273的范畴内还包括在成膜时或成膜后有意或无意地添加有赋予p型导电性的杂质元素的半导体。
[0131]
遮光层257在发光元件230的上方且与受光元件重叠。可以利用受光元件与密封层213之间的遮光层257来抑制从发光元件230发射的光照射到受光元件。
[0132]
导电层281以及导电层283与受光元件电连接。导电层281优选使入射到受光元件的光透过。导电层283优选阻挡入射到受光元件的光。
[0133]
优选的是将光学触摸传感器设置于衬底181与密封层213之间，因为不容易受从发光元件230发射的光的影响，并且可以提高S/N比例。
[0134]
〈具体例子3〉
图21B示出发光面板中的光提取部182的其他例子。图21B中的发光面板能够进行触摸操作。
[0135]
图21B所示的发光面板包括元件层180、粘合层185以及衬底181。元件层180包括衬底201、粘合层203、绝缘层205、多个晶体管、绝缘层207、绝缘层209a、绝缘层209b、多个发光元件、绝缘层211、绝缘层217、密封层213、着色层259、遮光层257、多个受光元件、导电层280、导电层281以及绝缘层255。
[0136]
图21B示出在绝缘层205与密封层213之间配置有受光元件的例子。由于将受光元件设置于绝缘层205与密封层213之间，所以可以通过利用与包括在晶体管240中的导电层以及半导体层相同的材料、相同的工序形成与受光元件电连接的导电层以及包括在受光元件中的光电转换层。因此，可以制造能够进行触摸操作的发光面板，而无需大幅度增加制造工序。
[0137]
〈具体例子4〉
图22A示出发光面板的其他例子。图22A中的发光面板能够进行触摸操作。
[0138]
图22A所示的发光面板包括元件层180、粘合层185以及衬底181。元件层180包括衬底201、粘合层203、绝缘层205、多个晶体管、导电层253、导电层254、绝缘层207、绝缘层209、多个发光元件、绝缘层211、绝缘层217、密封层213、着色层259、遮光层257、绝缘层255、导电层272、导电层274、绝缘层276、绝缘层278、导电层294以及导电层296。
[0139]
图22A示出在绝缘层255与密封层213之间设置有容量式触摸传感器的例子。容量式触摸传感器包括导电层272以及导电层274。
[0140]
导电层253以及导电层254通过连接体215与FPC186电连接。导电层294以及导电层296通过导电粒子292与导电层274电连接。因此，可以通过FPC186驱动容量式触摸传感器。
[0141]
〈具体例子5〉
图22B示出发光面板的其他例子。图22B中的发光面板能够进行触摸操作。
[0142]
图22B所示的发光面板包括元件层180、粘合层185以及衬底181。元件层180包括衬底201、粘合层203、绝缘层205、多个晶体管、导电层253、导电层254、绝缘层207、绝缘层209、多个发光元件、绝缘层211、绝缘层217、密封层213、着色层259、遮光层257、绝缘层255、导电层270、导电层272、导电层274、绝缘层276以及绝缘层278。
[0143]
图22B示出在绝缘层255与密封层213之间设置有容量式触摸传感器的例子。容量式触摸传感器包括导电层272以及导电层274。
[0144]
导电层253以及导电层254通过连接体215a与FPC186a电连接。导电层270通过连接体215b与FPC186b电连接。因此，可以通过FPC186a驱动发光元件230以及晶体管240，可以通过FPC186b驱动容量式触摸传感器。
[0145]
〈具体例子6〉
图23A示出发光面板中的光提取部182的其他例子。
[0146]
图23A中的光提取部182包括衬底181、粘合层185、衬底202、绝缘层205、多个晶体管、绝缘层207、导电层208、绝缘层209a、绝缘层209b、多个发光元件、绝缘层211、密封层213以及着色层259。
[0147]
发光元件230包括下部电极231、EL层233以及上部电极235。下部电极231通过导电层208与晶体管240的源电极或漏电极电连接。下部电极231的端部由绝缘层211覆盖。发光元件230具有顶部发射结构。下部电极231具有透光性并透过从EL层233发射的光。
[0148]
以与发光元件230重叠的方式设置有着色层259，从发光元件230发射的光穿过着色层259被提取到衬底181 —侧。在发光元件230与衬底202之间的空间填充有密封层213。衬底202可以使用与上述衬底201相似的材料形成。
[0149]
〈具体例子7〉
图23B示出发光面板的其他例子。
[0150]
图23B所示的发光面板包括元件层180、粘合层185以及衬底181。元件层180包括衬底202、绝缘层205、导电层310a、导电层310b、多个发光元件、绝缘层211、导电层212以及密封层213。
[0151]
导电层310a以及导电层310b是发光面板的外部连接电极，各自可以与FPC等电连接。
[0152]
发光元件230包括下部电极231、EL层233以及上部电极235。下部电极231的端部由绝缘层211覆盖。发光元件230具有底部发射结构。下部电极231具有透光性并透过从EL层233发射的光。导电层212与下部电极231电连接。
[0153]
衬底181作为光提取结构也可以具有半球透镜、微透镜阵列、具有凹凸结构的薄膜或光扩散薄膜等。例如，通过使用具有与该衬底、该透镜或该薄膜实质上相同程度的折射率的粘合剂等将上述透镜或上述薄膜粘合在树脂衬底上，可以形成具有光提取结构的衬底181。
[0154]
虽然导电层212不一定必须设置，但因为导电层212可以抑制起因于下部电极231的电阻的电压下降，所以优选设置。另外，出于相似的目的，也可以在绝缘层211上设置与上部电极235电连接的导电层。
[0155]
导电层212可以通过使用选自铜、钛、钽、钨、钼、铬、钕、钪、镍和铝中的材料或以这些材料为主要成分的合金材料，以单层或叠层形成。可以将导电层212的厚度设定为0.1 μπι以上且3 μπι以下，优选为0.1 μπι以上且0.5 μπι以下。
[0156]
当作为与上部电极235电连接的导电层的材料使用浆料(银浆等)时，形成该导电层的金属粒子凝集。因此，该导电层的表面粗糙且具有很多间隙。因此，EL层233难以完全覆盖该导电层，从而上部电极与导电层容易电连接，所以是优选的。
[0157]
〈材料的例子〉
接下来，说明可用于发光面板的材料等。注意，省略本实施方式中的前面已说明的结构。
[0158]
元件层180至少具有发光层。作为发光元件，可以使用自发光元件，并且在发光元件的范畴内包括由电流或电压控制亮度的元件。例如，可以使用发光二极管(LED)、有机EL元件以及无机EL元件等。从发光效率及制造方法的观点来看，在上述元件中特别优选为有机EL元件。
[0159]
元件层180还可以包括用来驱动发光元件的晶体管以及触摸传感器等。
[0160]
对发光面板中的晶体管的结构没有特别的限制。例如，可以采用交错型晶体管或反交错型晶体管。此外，还可以采用顶栅型晶体管或底栅型晶体管。对用于晶体管的半导体材料没有特别的限制，例如可以使用硅或锗等。或者，也可以使用包含铟、镓和锌中的至少一个的氧化物半导体诸如In-Ga-Zn类金属氧化物。
[0161]
对用于晶体管的半导体材料的结晶性也没有特别的限制，可以使用非晶半导体或结晶半导体(微晶半导体、多晶半导体、单晶半导体或部分包括结晶区域的半导体)。当使用结晶半导体时，可以抑制晶体管的特性劣化，所以是优选的。
[0162]
发光面板所包括的发光元件包括一对电极(下部电极231及上部电极235)以及该一对电极之间的EL层233。将该一对电极的一个电极用作阳极，而将另一个电极用作阴极。
[0163]
发光元件可以采用顶部发射结构、底部发射结构或双面发射结构的任一种。作为提取光的电极，使用使可见光透过的导电膜。作为不提取光的电极优，选使用反射可见光的导电膜。
[0164]
使可见光透过的导电膜例如可以使用氧化铟、铟锡氧化物(ITO:1ndium Tin Oxide)、铟锌氧化物、氧化锌或添加有镓的氧化锌形成。另外，也可以通过将金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯或钛等金属材料的膜、包含这些金属材料的合金或这些金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等形成得薄到其具有透光性。此外，可以将上述材料的叠层用作导电层。例如，当使用ΙΤ0与银和镁的合金的叠层膜时，可以提高导电性，所以是优选的。另外，也可以使用石墨烯等。
[0165]
作为反射可见光的导电膜，例如可以使用铝、金、铂、银、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜或钯等金属材料或包含这些金属材料的合金。另外，也可以在上述金属材料或合金中添加有镧、钕或锗等。此外，作为该导电膜可以使用铝和钛的合金、铝和镍的合金、铝和钕的合金等包含铝的合金(铝合金)或者银和铜的合金、银和钯和铜的合金、银和镁的合金等包含银的合金。银和铜的合金具有高耐热性，所以是优选的。并且，当以与铝合金膜接触的方式层叠金属膜或金属氧化物膜时，可以抑制铝合金膜的氧化。该金属膜或金属氧化物膜的材料的例子是钛、氧化钛。另外，也可以层叠上述使可见光透过的导电膜与包含金属材料的膜。例如，可以使用银与ITO的叠层膜、银和镁的合金与ITO的叠层膜。
[0166]
各电极可以通过利用蒸镀法或溅射法形成。替代地，也可以利用喷墨法等喷出法、丝网印刷法等印刷法、或者镀法。
[0167]
当对下部电极231与上部电极235之间施加高于发光元件的阈值电压的电压时，空穴从阳极一侧注入到EL层233中，而电子从阴极一侧注入到EL层233中。被注入的电子和空穴在EL层233中重新结合，且包含在EL层233中的发光物质发光。
[0168]
EL层233至少包括发光层。作为发光层以外的层，EL层233还可以包括包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、空穴阻挡材料、电子传输性高的物质、电子注入性高的物质或双极性的物质(电子传输性及空穴传