一种像素补偿电路及像素结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本申请涉及显示技术领域，具体涉及有机发光显示技术领域，尤其涉及一种像素补偿电路及像素结构。
【背景技术】
[0002]有机发光显示(Organic Light Emitting Display，0LED)的像素结构如图1所示，OLED像素100包括阳极11、有机材料层12、阴极13。其中，有机材料层12包括空穴传输层121、有机发光层122和电子传输层123。有机发光层122所在的区域形成发光区，且发光区与阳极11直接接触。可以理解的是，在发光区之外的有机材料层12与阳极11之间有绝缘层。像素100的显示原理为当在阳极11和阴极13之间施加驱动电压时，在阳极11和阴极13之间形成定向电场，在电场的作用下，阳极11的空穴通过空穴传输层121到达有机发光层122，阴极13的电子通过电子传输层123到达有机发光层122，到达有机发光层122的空穴和电子形成激子，由此有机发光层122产生可见光。有机发光层122的发光亮度与流过有机发光层122的电流成正比。
[0003]在现有技术中，像素100的发光亮度不随环境亮度的变化而变化。假设人眼适应的环境亮度值为A，此时像素100的发光亮度为A时，人眼可以感受最佳的显示效果。在实际使用中，有时候环境亮度值大于A，此时若像素100的发光亮度仍为A，则人眼会觉得像素100显示的亮度较暗;有时候环境亮度值小于A，此时若像素100的发光亮度仍为A，则人眼会觉得像素100显示的亮度太亮，用户会觉得刺眼。也就是说在使用环境变化时，像素100的显示亮度值不会随环境亮度值改变而改变，人眼感受的显示效果受环境亮度的干扰大。
【发明内容】
[0004]鉴于现有技术存在的上述问题，期望提供驱动有机发光二极管的发光电流随着环境亮度变化而变化的解决方案，为了实现上述目的，本申请提出一种像素补偿电路及像素结构。
[0005]本申请一方面提供了一种像素补偿电路，包括有机发光二极管、驱动单元以及感光单元，所述驱动单元用于生成驱动所述有机发光二极管的驱动电流;所述感光单元用于基于所述感光单元感测到的环境光亮度调节所述驱动电流以使任意第一亮度下的驱动电流大于任意第二亮度下的驱动电流，其中，所述第一亮度大于所述第二亮度。
[0006]本申请另一方面提供了一种像素结构，包括第一电极，第二电极，位于所述第一电极和所述第二电极之间的感光层，其中，所述感光层在第一亮度下的电阻值小于在第二亮度下的电阻值，所述第一亮度大于所述第二亮度。
[0007]本申请提供的像素补偿电路及像素结构，通过在像素电路中设置感光单元，感光单元的电阻值随环境亮度变化而变化:在环境亮度较低时感光单元的电阻值大于环境亮度较高时感光单元的电阻值，因此，当环境亮度较低时驱动有机发光二极管的发光电流降低，环境亮度较高时驱动有机发光二极管的发光电流提高，使得有机发光二极管的发光强度随环境亮度的改变而改变，改善了不同环境亮度下的显示效果。
【附图说明】
[0008]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0009]图1是现有技术提供的一种有机发光像素结构示意图；
[0010]图2是本申请提供的一种像素补偿电路的结构示意图；
[0011]图3A是本申请提供的另一种像素补偿电路结构示意图；
[0012]图3B是图3A提供的像素补偿电路的驱动时序示意图；
[0013]图3C是在本申请的图3A所示的像素补充电路中感光单元的电阻值以及流过有机发光二极管的电流随着环境亮度的变化而变化的示意图；
[0014]图4是本申请提供的一种像素结构示意图；
[0015]图5是本申请提供的又一种像素结构示意图；
[0016]图6是本申请提供的又一种像素结构示意图；
[0017]图7是本申请提供的又一种像素结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。
[0019]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
[0020]图2是本申请提供的一种像素补偿电路的结构示意图。如图2所示，像素补偿电路200包括PVDD电压源、PVEE电压源、驱动单元、有机发光二极管0LED，以及在PVDD、有机发光二极管OLED、PVEE构成的回路上的感光单元R。
[0021]感光单元R的电阻值随着环境亮度的变化而变化。具体而言，感光单元R的电阻值随着环境亮度的增加而减小，随着环境亮度的降低而增加。
[0022]在本实施例的一些可选实现方式中，感光单元R例如可以为光敏电阻。光敏电阻的电阻值随着环境亮度的增加而减小，随着环境亮度的降低而增加。
[0023]在本实施例的一些可选实现方式中，感光单元R可以包括在可见光线照射下电阻值随着照射光线的亮度的增大而减小的材料。在这些材料中，由于光线照射而产生的载流子全部参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子流向电源的正极，空穴流向电源的负极。照射光线的亮度越大，这些材料中参与导电的载流子越多，材料的电阻越小。具体地，感光单元R例如可以包括以下至少一种材料:硫化镉、砸、硫化铝、硫化铅、硫化铋和有机半导体材料。
[0024]在有机发光二极管OLED发光阶段，由于感光单元R的电阻值随着环境的亮度增加而减小，因此PVDD、有机发光二极管OLED、PVEE回路上的总电阻减小，使得在PVDD、PVEE作用下流过驱动单元、感光单元R以及有机发光二极管OLED的电流随着环境的亮度的增加而增加。感光单元R的电阻值随着环境的亮度减小而增加，因此PVDD、有机发光二极管0LED、PVEE回路上的总电阻增加，使得在PVDD、PVEE作用下流过驱动单元、感光单元R以及有机发光二极管OLED的电流随着环境的亮度的降低而增加减小。因此，有机发光二极管OLED的发光亮度随着环境亮度的增加而提高，随着环境亮度的减小而降低。需要指出的是，本申请提供的像素补偿电路并不局限于图2所示的像素补偿电路，只要是在PVDD、有机发光二极管0LED、PVEE之间的回路上设置感光单元R都是本申请所要保护的范围。
[0025]请继续参考图3A和图3B，图3A是本申请提供的另一种像素补偿电路结构示意图，图3B示出了该像素补偿电路的驱动时序图。
[0026]如图3六中所示，在该像素电路300中包括晶体管祖、]?2、]\0、]\14、]\15和]\16，电容(:，感光单元R，有机发光二极管OLED。
[0027]在图3B中所示的阶段SI中，低电位的Scanl信号使得M5导通，同时在阶段SI中Scan2信号及Emit信号位于高电位使得M2、M4及M1、M6截止。由于M5导通，NI点的电位降低为Vref0
[0028]在阶段S2，Scanl信号位于高电位、Emit仍保持高电位，M5、M1和M6保持截止。Scan2由高电位变为低电位，使得M2和M4导通，此时，Vdata经过M2、M3及M4对电容C充电，使得NI点的电位升高，直至Vn1-Vn2 = Vth(VNi^Nl点的电位，Vn2为N2点的电位，Vth为M3的阈值电压)，NI点的电位Vn1不再变化。
[0029]在阶段S3，Em