其第一极可以是漏极，第二极可以是源极。在选型时，只需同时将选定类型的晶体管的端口极性按本实施例晶体管的端口极性在连接上做相应的改变即可，任何采用与像素电路中的晶体管以使得本发明按照上述工作方式工作的电路均应包含在本发明的保护范围内，本领域技术人员能够根据实际需要进行改变，此处不再详述。
[0060]本实施例的像素电路中，晶体管为低电平有效，即根据晶体管的开关特性，即栅极电压为低时，晶体管导通。通过控制施加在晶体管栅极上的电平高低，从而控制耗尽型晶体管的关闭与导通。
[0061]相应的，本实施例还提供一种上述像素电路的驱动方法，该驱动方法包括复位阶段、写入阶段和发光阶段，其中:
[0062]复位阶段，在复位信号REST的控制下，复位驱动模块I，并向驱动模块写入数据信号Vdata;
[0063]写入阶段，在扫描信号GATE和数据信号Vdata的控制下，向驱动模块I写入图像数据；
[0064]发光阶段，在发光控制信号EM和辅助发光控制信号EMB的控制下，通过驱动模块I向发光模块4提供与图像数据相关的驱动电流，使发光模块4发光。
[0065]根据图4所示的时序波形，在可能出现异常显示的第一帧图像显示期间，使得起到抑制发光二极管异常点亮的第八晶体管T8导通，用于置位为发光二极管提供高电平输入信号ELVDD的第六晶体管T6的栅极电压;而从像素电路正常显示的第二帧图像显示开始，使得第八晶体管T8处于关断状态，即栅极电压为高电平。
[0066]在该像素电路的驱动方法中:
[0067]复位阶段(tl阶段):复位信号REST为低电平，第二晶体管T2与第四晶体管T4导通，数据信号Vdata与初始电压Vint分别写入存储电容C的两端，初始电压Vint复位第六晶体管T6的栅极电压。在该阶段中，新数据写入，Vdata与Vint分别写入C的两端，Vint复位T6栅极电压。在该阶段中，VB = Vint，VA = Vdata。
[0068]写入阶段(t2阶段):扫描信号GATE为低电平，第三晶体管T3与第五晶体管T5导通；VB = ELVDD-Vth，VA = Vdata。在该阶段中，数据信号Vdata通过T3写至C的左侧，SPA点，其与参考电压Vref的差值，决定发光二极管的显示亮度。
[0069]发光阶段(t3阶段):发光控制信号EM为低电平，第一晶体管Tl与第七晶体管T7导通:在高电压输入信号ELVDD上升阶段，辅助发光控制信号EMB为低电平，第八晶体管T8导通，第六晶体管Τ6处于截止区，无电流流经发光二极管，发光二极管关闭；直至高电压输入信号ELVDD上升至第六晶体管Τ6的栅源电压大于其自身阈值电压时，第六晶体管Τ6开始导通，电流逐渐增大最终趋于恒定，在电流增大阶段保持发光二极管持续点亮。在该阶段中，EMB为低电平，Τ8导通，在ELVDD上升期间，ELVDD直接经过Τ8的源漏极，加在Τ6的栅极(SPVB)，Τ6在ELVDD上升期间处于截止区，这样，在EM为低电平时，Τ6处于关闭状态，无电流流过发光二极管，即不会出现第一帧闪屏现象；同时，EM为低电平，Tl与Τ7导通，VA = Vref,从而有VB = ELVDD-1 Vth | +Vref-Vdata，此时Vref_Vdata〈0，当VB〈0也即当参考电压Vref 与数据信号Vdata之差小于O时，T6导通，电流流经发光二极管，使发光二极管发光。
[0070]然而，在现有的像素电路中，当ELVDD上升，使T6的栅源电压|VGS | >阈值电压Vth，T6开始导通，电流逐渐增大最终趋于恒定的过程中跨越线性区，由于有电流经过发光二极管因此发光模块点亮，然而由于此过程中驱动电流的不恒定性，因此导致屏幕出现闪屏现象。而在本实施例的像素电路中，通过使辅助发光控制信号EMB仅在第一帧图像显示期间为有效信号，且有效信号的持续时间为高电压输入信号ELVDD由OV上升至4.6V(由显示面板的特性决定)的时间段，即可控制第一帧图像显示期间无闪屏，第二帧及其以后的图像显示期间像素电路能正常显示。
[0071]本实施例中的像素电路，在T6的栅源之间加入T8充当开关，在第一帧显示画面中，通过EMB控制T8导通，用以将T8的源极的ELVDD传输至T6的栅极，保证T6的| VGS | < | Vth |，进而使T6处于关闭状态，避免了T6工作在线性区的阶段而直接从截止区进入饱和区，即在ELVDD的上升阶段无电流流经发光二极管，这样在第一帧期间，就不会出现闪屏现象;第二帧以及之后的期间Τ8关闭，保证正常显示。
[0072]本实施例的像素电路，通过在直接为发光二极管提供发光电流的晶体管的栅源之间设置开关晶体管，并采用辅助发光控制信号控制开关晶体管的开启，消除了由于ELVDD的上升而导致的开机闪屏现象，具有更好的显示效果，同时还避免了对后续的产品开发的影响。
[0073]实施例2:
[0074]本实施例提供一种显示装置，该显示面板包括实施例1中的像素电路，多个像素电路呈阵列排布。
[0075]该显示装置可以为:电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0076]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种像素电路，其特征在于，包括写入模块、复位模块、驱动模块和发光模块，其中: 所述写入模块，与扫描信号、数据信号和所述驱动模块连接，用于为所述驱动模块输入图像数据； 所述复位模块，与复位信号、数据信号、初始电压和所述驱动模块连接，用于复位所述驱动模块，并向驱动模块写入数据信号； 所述驱动模块，与发光控制信号、辅助发光控制信号、高电压输入信号和所述发光模块连接，用于根据图像数据为所述发光模块提供驱动电流，使所述发光模块发光。2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述驱动模块包括第一晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管和存储电容，其中: 所述第一晶体管，其栅极与发光控制信号连接，第一极与参考电压连接，第二极与所述存储电容的第一端连接； 所述第六晶体管，其栅极与所述存储电容的第二端连接，第一极与高电压输入信号连接，第二极与所述第七晶体管的第一极连接； 所述第七晶体管，其栅极与发光控制信号连接，第二极与所述发光模块连接； 所述第八晶体管，其栅极与辅助发光信号连接，第一极与高电压输入信号连接，第二极与所述存储电容的第二端连接。3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述复位模块包括第二晶体管和第四晶体管，其中: 所述第二晶体管，其栅极与复位信号连接，第一极与数据信号连接，第二极与所述存储电容的第一端连接； 所述第四晶体管，其栅极与复位信号连接，第一极与初始电压连接，第二极与所述存储电容的第二端连接。4.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述写入模块包括第三晶体管和第五晶体管，其中: 所述第三晶体管，其栅极与扫描信号连接，第一极与数据信号连接，第二极与所述存储电容的第一端连接； 所述第五晶体管，其栅极与扫描信号连接，第一极与所述存储电容的第二端连接，第二极与所述第六晶体管的第二极连接。5.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述发光模块包括发光二极管，其正极与所述第六晶体管的第二极连接，负极与低电压输入信号连接。6.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述第一晶体管至所述第八晶体管为P型耗尽型薄膜晶体管，或者，所述第一晶体管至所述第八晶体管为N型耗尽型薄膜晶体管。7.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的像素电路，多个所述像素电路呈阵列排布。8.—种权利要求1-6任一项所述像素电路的驱动方法，其特征在于，包括复位阶段、写入阶段和发光阶段，其中: 所述复位阶段，在复位信号的控制下，复位驱动模块，并向驱动模块写入数据信号； 所述写入阶段，在扫描信号和数据信号的控制下，向驱动模块写入图像数据；所述发光阶段，在发光控制信号和辅助发光控制信号的控制下，通过驱动模块向发光模块提供与图像数据相关的驱动电流，使发光模块发光。9.根据权利要求8所述的像素电路的驱动方法，其特征在于， 复位阶段:复位信号为低电平，第二晶体管与第四晶体管导通，数据信号与初始电压分别写入存储电容的两端，初始电压复位第六晶体管的栅极电压； 写入阶段:扫描信号为低电平，第三晶体管与第五晶体管导通； 发光阶段:发光控制信号为低电平，第一晶体管与第七晶体管导通:在高电压输入信号上升阶段，辅助发光控制信号为低电平，第八晶体管导通，第六晶体管处于截止区，无电流流经发光二极管，发光二极管关闭；直至高电压输入信号上升至第六晶体管的栅源电压大于其自身阈值电压时，第六晶体管开始导通，电流逐渐增大最终趋于恒定，在电流增大阶段保持发光二极管持续点亮。10.根据权利要求9所述的像素电路的驱动方法，其特征在于，辅助发光控制信号仅在第一帧图像显示期间为有效信号，且有效信号的持续时间为高电压输入信号由OV上升至.4.6V的时间段。
【专利摘要】本发明属于显示技术领域，具体涉及一种像素电路及像素电路的驱动方法、显示装置。该像素电路包括写入模块、复位模块、驱动模块和发光模块，其中：所述写入模块，与扫描信号、数据信号和所述驱动模块连接，用于为所述驱动模块输入图像数据；所述复位模块，与复位信号、数据信号、初始电压和所述驱动模块连接，用于复位所述驱动模块，并向驱动模块写入数据信号；所述驱动模块，与发光控制信号、辅助发光控制信号、高电压输入信号和所述发光模块连接，用于根据图像数据为所述发光模块提供驱动电流，使所述发光模块发光。该像素电路消除了由于ELVDD的上升而导致的开机闪屏现象，具有更好的显示效果。
【IPC分类】G09G3/3241
【公开号】CN105702211
【申请号】CN201610284988
【发明人】杨华玲, 张光均, 张昌, 张志广, 刘静
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2016年4月29日