专利名称：掩膜检测装置和掩膜检测方法
技术领域：
本发明涉及检测电子束曝光系统中所用掩膜缺陷的检测装置和方法，该曝光系统可以使用电子束实现图案复制。
通常使用向掩膜发射激光的方法，把通过掩膜的透射光或它的反射光产生的图案与参考图案进行比较来检测掩膜的缺陷是一种众所周知的在电子束曝光系统中使用的检测掩膜缺陷的方法。
但是，当检测最新电子束曝光系统中所用的金属膜片掩膜或膜片掩膜的缺陷时，激光不透过膜片。因此，没有办法只好使用反射光。使用激光的反射光很容易检测掩膜的缺陷。但是，膜片掩膜的散射重金属的膜厚是很薄的。它小于激光的波长。这导致不可能使用激光检测。
为此原因，检测膜片掩膜缺陷的方法采用一种使用电子束的透射电子显微镜(TEM)检测膜片掩膜的缺陷。在这个TEM中，如
图1所示，由安装在掩膜M上方的电子枪51发射的电子束EB由包括为向掩膜发射的电子透镜53和54的光发射系统52所汇聚。透过掩膜M的电子束穿过由铜材料制成的孔径55，被电子探测器56检测。根据电子探测器56检测的电流值，检测掩膜M的图案。把测得的掩膜M的图案与参考图案进行比较，因此，检测了掩膜M的缺陷。电子束的这个用途可以检测金属膜片掩膜或膜片掩膜。例如，这种技术公开在日本专利申请公开中(JP-A-4-361544)，尽管该专利申请没有特别描述膜片掩膜或金属膜片掩膜。
检测掩膜缺陷的常规装置构成专用的掩膜检测装置。为此原因，生产半导体设备的工厂需要掩膜检测设备，该掩膜检测设备远离生产半导体设备。所以，除了在工厂需要为制造半导体设备保留安装空间外，还需要为安装掩膜检测设备保留空间。另外，这种类型的掩膜检测设备需要类似于电子束曝光系统的配置，像发射电子束到掩膜的电子枪或光学发射系统。这样的设备导致的问题是掩膜检测设备体积较大并较昂贵。
另外，在常规掩膜缺陷检测中，电子探测器检测透过掩膜发射的电子束，从而检测掩膜的图案。然后，检测的图案与参考图案进行比较。出现的问题是掩膜缺陷检测的可靠性降低。即检测的图案形成了信号，在该信号中，检测的图案在细小区域单元被转换成为二进制数值。检测的图案的细小检测区域的二进制信号与对应参考图案细小检测区域的二进制信号进行比较。因此，相互之间不同步的两个信号的部分被判断为掩膜的缺陷。但是，在这种情况下，当每个检测的图案的细小区域被转换成为二进制时，在参考电平中引起误差，检测的图案每一个细小区域的二进制值的可靠性将会下降，其导致了缺陷检测的可靠性的下降。
下面描述公开了图案缺陷检测器的日本专利申请(JP-A-63-38149)。图案缺陷检测器具有在基片上扫描的装置，在该基片上形成了一个或多个矩形图案，检测通过扫描操作从基片出现的信号的装置，用于处理检测的信号并获得二进制信息的装置，用于把二进制信息转换成为多个矩形图案信息的装置，积累矩形图案信息的装置，把矩形图案信息与对应矩形图案信息的标准数据进行比较的装置。
本发明用于解决上述问题。因此，本发明的目的是提供一种掩膜检测设备，该设备使用电子束曝光系统检测掩膜，并因此不需要单独安装另一个掩膜检测设备。本发明的另一目的是提供一种掩膜检测方法，其可以改善掩膜缺陷检测中的可靠性。
为获得本发明的一方面，一种掩膜检测方法包括(a)提供一种用于对具有掩膜的晶片形成图案的电子束曝光系统；(b)从电子束曝光系统向掩膜发射电子；(c)检测发射的电子透过掩膜的电子；(d)根据(c)的检测结果检测掩膜的缺陷。
在这种情况下，在步骤(b)，电子束曝光设备发射的电子不发射到晶片。
也是在这种情况下，所述掩膜检测方法还包括(e)当作为(d)的检测结果，掩膜没有缺陷时，使用电子束曝光系统通过形成图案的掩膜使晶片曝光。
此外，在这种情况下，在步骤(b)中，以执行(e)的方式从电子束曝光系统发射电子。
在这种情况下，所述掩膜检测方法还包括(f)提供一种表明掩膜参考图案的参考图案数据；(g)计算包括在对应参考图案数据掩膜的检测区域的部分数据中的黑色图案和白色图案的比率的面积比，其中，步骤(d)包括根据步骤(c)的检测结果和所述面积比检测掩膜的缺陷。
也是在这种情况下，步骤(c)包括检测透过掩膜的电子的强度，所述掩膜检测方法还包括(h)提供一个表明掩膜的参考图案的参考图案数据；(i)计算包括在对应参考图案数据掩膜的检测区域的部分数据中黑色图案和白色图案的比率的面积比，其中，步骤(b)包括根据所述电子的强度和面积比检测掩膜的缺陷。
此外，在这种情况下，掩膜检测方法还包括(j)计算表明所述电子的强度和参考图案之间关系的修正值，其中，步骤(b)包括根据所述电子的强度、修正值和面积比检测掩膜的缺陷。
在这种情况下，步骤(c)由电子探测器执行，电子探测器从一个位置自动地移动到另一个位置，在一个位置，电子探测器覆盖住晶片的位置，不使透过掩膜的电子发射到被覆盖的位置，在另一个位置，电子探测器不覆盖晶片的位置，使透过掩膜的电子发射到未覆盖的晶片的位置。
也是在这种情况下，步骤(c)包括当电子被输入到电子探测器时，检测透过掩膜的电子，以便检测在电子探测器中的位置和输入的电子的强度。
也是在这种情况下，电子探测器包括排列成阵列形式的多个二极管。
也是在这种情况下，所述掩膜检测方法还包括(k)在电子探测器和掩膜之间的位置提供一种具有多个孔的MCP(微通道板)；(i)施加电压到MCP，其中，步骤(c)包括当电子被输入到电子探测器时，检测电子在MCP中的位置和输入的电子的强度。
为获得本发明的另一方面，一种掩膜检测装置包括对具有掩膜的晶片形成图案的电子束曝光系统；电子束曝光系统向掩膜发射电子；电子探测器检测发射的电子透过掩膜的电子；根据电子探测器的检测结果，检测掩膜的缺陷。
在这种情况下，当电子探测器检测透过掩膜的电子时，电子束曝光系统不发射电子到晶片。
也是在这种情况下，当检测单元的检测结果，掩膜没有缺陷时，电子束曝光系统通过掩膜向晶片进行曝光形成图案。
此外，在这种情况下，当电子探测器检测到透过掩膜的电子时，电子束曝光系统以其通过形成图案的掩膜向晶片进行曝光的方式发射电子。
在这种情况下，检测单元存储表明掩膜参考图案的参考图案数据，计算包括在对应参考图案数据掩膜的检测区域的部分数据中黑色图案和白色图案的比率的面积比，其中，根据电子探测器的检测结果和所述面积比，检测单元检测掩膜的缺陷。
也是在这种情况下，电子探测器检测透过掩膜的电子的强度，其中，检测单元存储表明掩膜的参考图案的参考图案数据，并计算包括在对应参考图案数据掩膜的检测区域的部分数据中黑色图案和白色图案的比率的面积比，其中，根据所述电子的强度和面积比，检测单元检测掩膜的缺陷。
此外，在这种情况下，检测单元计算表明所述电子的强度和参考图案之间关系的修正值，其中，根据所述电子的强度、修正值和面积比，检测单元检测掩膜的缺陷。
在这种情况下，电子探测器从一个位置自动地移动到另一个位置，在一个位置，电子探测器覆盖住晶片的位置，不使透过掩膜的电子发射到被覆盖的位置，在另一个位置，电子探测器不覆盖晶片的位置，透过掩膜的电子发射到未覆盖的晶片的位置。
也是在这种情况下，当电子被输入到电子探测器时，电子探测器检测透过掩膜的电子，检测在电子探测器中的位置和输入的电子的强度。
此外，在这种情况下，电子探测器包括排列成阵列形式的多个二极管。
在这种情况下，电子探测器包括排列成栅格形式的多个二极管。
另外，在这种情况下，所述掩膜检测设备还包括在电子探测器和掩膜之间的位置具有多个孔的MCP(微通道板)；施加电压到MCP，其中，当电子被输入到MCP时，MCP检测电子在MCP中的位置和输入的电子的强度。
图1是常规掩膜检测设备概略结构的正视图；图2是本发明实施例的掩膜检测设备概略结构的正视图；图3是图2掩膜检测设备概略结构的透视图；图4A是包含在图2掩膜检测设备中的电子探测器的结构透视图；图4B是包含在图2掩膜检测设备中的电子探测器结构的剖面图；图5是包含在图2掩膜检测设备中的电子探测器的每一个二极管的电流检测工作的基本原理图；图6是本发明实施例的掩膜检测方法中的算法的流程图；图7A是包含在图2掩膜检测设备中的电子探测器的另一个实施例的透视图；图7B是使用图2掩膜检测设备的MCP的透视图。
下面将参考附图描述本发明的实施例。
图2是表示本实施例掩膜检测设备的正视图。图3是表示本实施例掩膜检测设备的透视图。在这个实施例中的掩膜检测设备2由电子束曝光系统1构成，用于通过散射的电子绘出图像。
掩膜检测设备2检测散射掩膜M的缺陷。散射掩膜M有一个需要复制到晶片W的图案。
掩膜检测设备2有一个发射电子束的电子枪11、电子透镜13和14、遮光孔径15、电子透镜17和18、后向聚焦平面孔径19。
电子透镜13、14和遮光孔径15包括在光学发射系统12中。电子透镜17、18和后向聚焦平面孔径包括在光学成像系统16中。
电子透镜13、14汇聚由电子枪11发射的电子束EB。遮光孔径15把电子束的通量转换成为所需的形状。使用电子透镜17、18把散射掩膜M散射的电子束EB投射和复制到晶片W。
检测掩膜缺陷的电子探测器20安装在紧靠散射掩膜M的下面。当图案复制到晶片W时，电子探测器20与电子束曝光系统1分开，以至，进行通常的曝光电子束EB的操作。另一方面，在检测掩膜M缺陷时，电子探测器20安装在电子束曝光系统1中。
顺便说一下，安装一个装载机构，以便可以把电子探测器20与电子束曝光系统1装在一起或分开。但是，省略了详细的解释。此外，计算机30连接到电子束曝光系统1(掩膜检测设备2)，以便检测掩膜M的缺陷。
在此，使用众所周知的膜片掩膜或金属膜片掩膜作为散射掩膜M。在膜片掩膜中，用作散射体并具有高原子数和高密度的图案形成在由低原子数和低密度材料制成的薄膜上。利用电子散射程度之间的差别供电子束对比用。金属膜片掩膜稍微不同于膜片掩膜，其中，金属掩膜的图案部分由厚膜材料制成，例如硅。然而，金属掩膜基本上与膜片掩膜的结构相同。
掩膜M可以沿通过掩膜承载台(未示出)的平面XY的方向移动。于是，当沿平面XY方向移动时，掩膜M的整个图案复制到晶片W。晶片W类似地放置在晶片承载台(未示出)上，并与掩膜承载台同步地沿平面XY的方向移动。
如图4A所示，电子探测器20被构造成，使得按上下两层分别排列的、由薄膜硅制成的二极管210、220排列成阵列的形式。如图4B所示，在下层二极管210和上层二极管220中，成矩形并分别沿X方向和Y方向延伸的多个N型掺杂层212、222相互之间平行排列在P型薄膜硅211、221的表面部分。同样，在下层二极管210和上层二极管220中，分别由三极管构成的放大器213、223形成在各自N-型掺杂层212、222纵向的两端。
反向偏压加在P-型薄膜硅211、221和N-型掺杂层212、222之间，所以，保持了电流不流动的稳定状态。于是，由空穴和各自二极管221、220输入到各自二极管221、220的N-型掺杂层212、222的电子产生的二次电子引起的电流由各自的放大器213、223放大，因此，检测到电流的值。另外，计算机30使用这些电流值检测输入电子的位置，因此，检测到掩膜的缺陷。
在图3中，计算机30有比如纪录磁盘等的存储器32，位置控制器31、面积比计算器33、缺陷判断部分34。
位置控制器31控制沿掩膜承载台(未示出)平面上的XY方向的移动位置，在该位置，至少放置了掩膜M。根据位置控制器31控制的XY位置信息，面积比计算器33从存储器32读出对应遮光孔径15限制的掩膜M开口区域的图案的图案数据，即检测区域。然后，它计算出图案数据的面积比，即在掩膜中，黑色图案与白色图案比率的面积比。当缺陷判断部分34进行缺陷判断时，算得的面积比是参考数据。
缺陷判断部分34比较由电流值算得的面积比，所述电流是由电子探测器20的每个放大器213、223放大的电流的测量结果。因此，按照比较结果，它判断掩膜中的白色缺陷(图案区域的遗漏)和黑色缺陷(多余图案)。
下面将描述具有上述结构的使用电子束曝光系统1的掩膜检测设备2。
如图2和3所示，首先，在掩膜被复制之前，电子探测器20被安装在电子束曝光系统1内紧靠掩膜M的下部。
其次，类似于图案复制的情况，光学发射系统12由电子枪11向电子束曝光系统1中的掩膜组发射电子束。如上所述，膜片掩膜上的图案部分由重金属制成，金属膜片掩膜的图案部分由如硅的厚膜材料制成。所以，发射到膜片掩膜的图案部分或金属膜片掩膜的电子多次以大角度散射。因此，存在一种很大的可能性，即发射到图案部分的电子散射到电子探测器的外部。即使发射到图案的电子暂时输入到电子探测器20，输入的电子以相同的角度散射的电子束也相对地小。因此，信号变得很弱，以至不能检测它们。发射到无图案部分，即通过掩膜M的部分以外的部分的电子分别被输入到电子探测器20的各个二极管210、220。输入到各个二极管210、220的电子束按一定几率激励材料中的硅原子，二极管210、220产生二次电子和空穴。
如图5的二极管210基本原理图所示，这些二次电子和空穴由施加到二极管210(P-型硅211和N-型掺杂层212)的电场移动到放大器213。同时，因为硅二极管210具有一定的阻抗，这种阻抗电流消弱一定的比率。在二极管210的两端，根据从放大器213读出的电流，通过测量电流的消弱比率可以确定电子的输入位置。此外，电子的强度可以根据电流值确定。顺便说一下，确定的输入位置是下层二极管210的X方向和上层二极管220的Y方向的位置。因此，关于这个位置的总的考虑确定了电子探测器20的平面XY上的位置。
上面确定的位置和电子强度被输入到计算机，计算机判断掩膜的缺陷。
图6是判断掩膜缺陷算法的流程图。首先，计算机30控制掩膜承载台，使为掩膜M对准的检测区域被相应定地位于光学发射系统12的孔径15(步骤S101)。因此，由电子枪11发射并通过遮光孔径15开口的电子束发射到掩膜M图案的检测区域(S102)。通过掩膜M的发射电子束被输入到电子探测器20。如上所述，根据由电子探测器20的放大器输出的电流确定电子束的输入位置。另外，根据测量的电流值确定电子束的强度。
另一方面，计算机30从存储器32中读出掩膜M的图案数据，存储器32存储作为检测目标的掩膜M的图案数据信息(S104)。然后，根据掩膜M的检测区域的XY位置，与遮光孔径15的开口具有相同面积的区域被分成为网状(S105)。之后，面积比计算器33根据设定区域的图案数据计算掩膜的面积比(S106)。如上所述，这个面积比意味着掩膜区域内黑色图案与白色图案的比率。
下一步，缺陷判断部分34把在步骤S103检测的电子束的输入位置与在步骤S105设置的掩膜M的区域关联，然后，把在步骤S106计算的面积比与在步骤S103测量的电流值进行比较(S107)，根据比较的结果，判断掩膜M中的白色缺陷和黑色缺陷(S108)。
顺便说一下，在这种比较中，只是除了各自值的单位以外的数值进行比较(S07)。所以，{面积比=电流值}的情况被判断为没有缺陷，{面积比＞电流值}的情况被判断为黑色缺陷，{面积比＜电流值}的情况被判断为白色缺陷(S108)。
在为掩膜检测对准的所有区域上重复进行这种判断，然后，完成了掩膜检测(S109、110)。
在面积比和电流值之间的比较中，需要使用的掩膜事先就应知道该掩膜没有任何缺陷，然后，计算表示电子强度以及图案存在与否之间关系的修正值。
例如，该修正值被加到电流值。然后，类似于上面提到的情况，加到电流值的修正值与面积比进行比较。因此，可以消除电流值中的检测误差的影响，改善了缺陷判断的准确性。
以这种方式可以获得掩膜的缺陷检测。所以，如果电子探测器20安装在电子束曝光系统1的内部，则电子束曝光系统1可以在它的原来状态被构造成掩膜检测设备2。因此，生产半导体设备的工厂不需要作为单独设备配置掩膜检测设备。因此，它的优点是为生产半导体设备减少了设备空间并减少了整个设备的成本。
在完成掩膜检测之后，设置在电子束曝光系统1内的掩膜可以在它的原来状态下用来对晶片W曝光。因此，也可以减少由掩膜M的设备之间的移动引起的处理时间。
此外，在掩膜M的检测时，根据掩膜M的图案数据确定的面积比与电子探测器20获得的电流值进行比较。因此，当数据被转换成为二进制值时，可以保护由参考电平的误差引起的可靠性的降低。
此外，在检测中，只考虑表面的影响而不考虑反射电子和反射光的影响，能量衰减率取决于膜的厚度。因此，可以考虑贡献到被检测表面的电子散射的值的影响(掩膜M的膜厚)。
如图7A所示，可以使用格栅型电子探测器20A作为本实施例的电子探测器20的一个变体，在所述探测器中由硅制成的二极管分别沿XY方向排列。在这种情况下，根据沿X方向和Y方向测得的电流，可以检测到有多强的电子辐射到二极管的信息。因此，根据检测的信息，可以检测到二维位置和电流位置。
另外，如图7B所示，施加了电压的具有许多孔的MCP(微通道板)40安装在紧靠掩膜M下面与电子探测器20或20A之间的位置。使用MCP40作为位置检测器。在这种情况下，可以检测与把电子输入到空穴有关的信息和输入电子的强度。
如上所述，在本发明的掩膜检测设备中，可将用于检测透过掩膜检测所用掩膜的电子束的电子探测器安装在内部，并且可以与紧靠其中设置有掩膜的电子束曝光系统内的掩膜下部的部分分离。因此，如果电子探测器安装在电子束曝光系统内，则可将电子束曝光系统按它原来的状态构造成掩膜检测设备。
因此，没有必要配置与电子束曝光系统单独的掩膜检测设备。所以，它的优点是为生产半导体设备减少了设备空间并减少了整个设备的成本。在完成掩膜检测之后，可以将设在电子束曝光系统1内的掩膜在它的原来状态下用于对晶片W曝光。因此，也可以减少由掩膜M的设备之间的移动引起的处理时间。
此外，本发明的掩膜检测方法，使为检测而对准的掩膜图案数据所确定的面积比与为检测通过掩膜的电子束而由电子探测器所获得的电流值进行比较。因此，当把数据转换成二进制值时，可以保护由参考电平的误差引起的可靠性的降低。因此，掩膜的缺陷可以在高准确性和高可靠性上进行检测。
权利要求
1．一种掩膜检测方法，包括以下步骤(a)提供电子束曝光系统(1)，用于对具有掩膜(M)的晶片(1)形成图案；(b)从电子束曝光系统(1)向掩膜(M)发射电子；(c)检测发射的电子透过掩膜(M)的电子；(d)根据步骤(c)的检测结果，检测掩膜(M)的缺陷。
2．按权利要求1所述的掩膜检测方法，其特征在于执行步骤(b)，使电子束曝光设备(1)发射的电子不发射到晶片(W)。
3．按权利要求1所述的掩膜检测方法，其特征在于掩膜检测方法还包括步骤(e)当作为步骤(d)的检测结果，掩膜(M)没有缺陷时，使用电子束曝光系统(1)通过掩膜(M)对晶片(W)进行曝光，形成图案。
4．按权利要求3所述的掩膜检测方法，其特征在于在步骤(b)中，以执行步骤(e)的方式从电子束曝光系统(1)发射电子。
5．按权利要求1所述的掩膜检测方法，其特征在于还包括步骤(f)提供表明掩膜(M)参考图案的参考图案数据；(g)计算包括在对应参考图案数据掩膜(M)的检测区域的部分数据中黑色图案和白色图案的比率的面积比；其中，步骤(d)包括根据步骤(c)的检测结果和面积比检测掩膜(M)的缺陷。
6．按权利要求1所述的掩膜检测方法，其特征在于步骤(c)包括检测透过掩膜(M)的电子强度；所述掩膜检测方法还包括步骤(h)提供表明掩膜的参考图案的参考图案数据；(i)计算包括在对应参考图案数据掩膜(M)的检测区域的部分数据中黑色图案和白色图案的比率的面积比；其中，步骤(b)包括根据所述电子的强度和面积比检测掩膜的缺陷。
7．按权利要求6所述的掩膜检测方法，其特征在于掩膜检测方法还包括步骤(j)计算表示所述电子强度和参考图案之间关系的修正值；其中，步骤(b)包括根据电子的强度、修正值和面积比检测掩膜的缺陷。
8．按权利要求1到7任何一项权利要求所述的掩膜检测方法，其特征在于步骤(c)由电子探测器(20)执行，电子探测器(20)从一个位置自动地移动到另一个位置，在一个位置，电子探测器(20)覆盖住晶片(W)的位置，不使透过掩膜(M)的电子发射到被覆盖的位置，在另一个位置，电子探测器(20)不覆盖晶片(W)的位置，透过掩膜(M)的电子发射到未被覆盖的晶片(W)的位置。
9．按权利要求8所述的掩膜检测方法，其特征在于步骤(c)包括当电子被输入到电子探测器(20)时，检测透过掩膜(M)的电子，检测在电子探测器中(20)的位置和输入的电子的强度
10．按权利要求8所述的掩膜检测方法，其特征在于电子探测器(20)包括排列成阵列形式的多个二极管。
11．按权利要求8所述的掩膜检测方法，其特征在于电子探测器(20)包括排列成格栅形式的多个二极管。
12．按权利要求8所述的掩膜检测方法，其特征在于还包括步骤(k)在电子探测器(20)和掩膜(M)之间的位置提供一种具有多个孔的MCP(40)(微通道板)；(1)施加电压到MCP，其中，步骤(c)包括当电子被输入到电子探测器(20)时，检测电子在MCP(40)中的位置和输入的电子的强度。
13．一种掩膜检测装置，包括电子束曝光系统(1)，用于对具有掩膜(M)的晶片(W)形成图案；电子束曝光系统(1)向掩膜(M)发射电子；电子探测器(20)检测发射的电子透过掩膜(M)的电子；根据电子探测器(20)的检测结果，检测单元(30)检测掩膜(M)的缺陷。
14．按权利要求13所述的掩膜检测设备，其特征在于当电子探测器(20)检测透过掩膜(M)的电子时，电子束曝光系统(1)不发射电子到晶片(W)。
15．按权利要求13所述的掩膜检测设备，其特征在于当作为检测单元(30)的检测结果，掩膜没有缺陷时，电子束曝光系统(1)通过掩膜(M)对晶片(W)进行曝光，形成图案。
16．按权利要求15所述的掩膜检测设备，其特征在于当电子探测器(20)检测到透过掩膜(M)的电子时，电子束曝光系统(1)以电子束曝光系统(1)通过掩膜(M)对晶片(W)进行曝光的方式发射电子，形成图案。
17．按权利要求13所述的掩膜检测设备，其特征在于检测单元(30)存储表明掩膜(M)参考图案的参考图案数据，并计算包括在对应参考图案数据掩膜(M)的检测区域的部分数据中黑色图案和白色图案的比率的面积比；其中，根据电子探测器(20)和面积比的检测结果，检测单元(30)检测掩膜的缺陷。
18．按权利要求13所述的掩膜检测设备，其特征在于电子探测器(20)检测透过掩膜(M)的电子强度；其中，检测单元(30)存储表明掩膜(M)的参考图案的参考图案数据，并计算包括在对应参考图案数据掩膜(M)的检测区域的部分数据中黑色图案和白色图案的比率的面积比；其中，根据电子的强度和面积比，检测单元(30)检测掩膜(M)的缺陷。
19．按权利要求18所述的掩膜检测设备，其特征在于检测单元(30)计算表明电子的强度和参考图案之间关系的修正值；其中，根据所述电子的强度、修正值和面积比，检测单元(30)检测掩膜(M)的缺陷。
20．按权利要求13到19任何一项权利要求所述的掩膜检测设备，其特征在于电子探测器(20)从一个位置自动地移动到另一个位置，在一个位置，电子探测器(20)覆盖住晶片(W)的位置，不使透过掩膜(M)的电子发射到被覆盖的位置，在另一个位置，电子探测器(20)不覆盖晶片(W)的位置，透过掩膜(M)的电子发射到未被覆盖的晶片(W)的位置。
21．按权利要求13所述的掩膜检测设备，其特征在于当电子被输入到电子探测器(20)时，电子探测器(20)检测透过掩膜的电子，检测在电子探测器中的位置和输入的电子的强度。
22．按权利要求13所述的掩膜检测设备，其特征在于电子探测器(20)包括排列成阵列形式的多个二极管。
23．按权利要求13所述的掩膜检测设备，其特征在于电子探测器(20)包括排列成格栅形式的多个二极管。
24．按权利要求13所述的掩膜检测设备，其特征在于还包括在电子探测器(20)和掩膜(M)之间的位置具有多个孔的MCP(微通道板)(40)，施加电压到MCP；其中，当电子被输入到MCP(40)时，MCP(40)检测电子在MCP(40)中的位置和输入的电子的强度。
全文摘要
一种掩膜检测方法,包括步骤(a),(b),(c),(d)。步骤(a)包括提供一种对具有掩膜(M)的晶片(1)形成图案的电子束曝光系统(1)。步骤(b)包括从电子束曝光系统(1)向掩膜(M)发射电子。步骤(c)包括检测发射的电子透过掩膜(M)的电子。步骤(d)包括根据步骤(c)的检测结果,检测掩膜(M)的缺陷。
文档编号G03F1/86GK1298203SQ0013229
公开日2001年6月6日 申请日期2000年11月28日 优先权日1999年11月29日
发明者小日向秀夫 申请人:日本电气株式会社