专利名称：光干涉式显示单元的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光干涉式显示面板的制造方法，且特别是有关于一种具有支撑臂的支撑物的光干涉式显示面板的制造方法。
背景技术：
平面显示器由于具有体积小、重量轻的特性，在可携式显示设备，以及小空间应用的显示器市场中极具优势。现今的平面显示器除液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有机电激发光二极管(OrganicElectro-Luminescent Display，OLED)和等离子显示器(Plasma Display Panel，PDP)等等之外，一种利用光干涉式的平面显示模式已被提出。
请参见美国USP5835255号专利，该专利揭露了一可见光的显示单元阵列(Array of Modulation)，可用来作为平面显示器用。如图1所示，显示了现有的显示单元的剖面示意图。每一个光干涉式显示单元100包括两道墙(Wall)102及104，两道墙102、104间由支撑物106所支撑而形成一腔室(Cavity)108。两道墙102、104间的距离，也就是腔室108的长度为D。墙102、104其中之一为一具有光吸收率可吸收部分可见光的部分穿透部分反射层，另一则是一以电压驱动可以产生形变的反射层。当入射光穿过墙102或104而进入腔室108中时，入射光所有的可见光频谱的波长(Wave Length，以λ表示)中，仅有符合公式1.1的波长(λ1)可以产生建设性干涉而输出。其中N为自然数。换句话说，2D＝Nλ (1.1)当腔室108长度D满足入射光半个波长的整数倍时，则可产生建设性干涉而输出陡峭的光波。此时，观察者的眼睛顺着入射光入射的方向观察，可以看到波长为λ1的反射光，因此，对显示单元100而言处于“开”的状态。
第一墙为一部分穿透部分反射电极，一般由一基材、一吸收层及一介电层所组成。当入射光穿过第一墙时，入射光的部分强度为吸收层所吸收。其中，形成基材的材质可以为导电透明材质，例如氧化铟锡玻璃(ITO)或是氧化铟锌玻璃(IZO)，形成吸收层的材质可以为金属，例如铝、铬、银等等。形成介电层的材质可以为氧化硅、氮化硅或金属氧化物。金属氧化物的部分可以直接氧化部分吸收层而获得。第二墙则为一可变形的反射电极，在电压的控制下可以变形而上下移动。一般而言形成第二墙的材质可以为介电材质/导电透明材质或是金属材质/导电透明材质。
图2显示了现有的显示单元加上电压后的剖面示意图。如图2所示，在电压的驱动下，墙104因为静电吸引力而产生形变，向墙102的方向塌下。此时，两道墙102、104间的距离，也就是腔室108的长度并不为零，而是为d，d可以等于零。此时，公式1.1中的D将以d置换，入射光所有的可见光频谱的波长λ中，仅有符合公式1.1的可见光波长(λ2)可以产生建设性干涉，由墙104的反射穿透墙102而输出。墙102对波长为λ2的光具有较高的光吸收，此时，入射光所有的可见光频谱均被滤除，对顺着入射光入射墙102的方向观察的观察者而言，将不会看到任何可见光频谱内的反射光，因此，对显示单元100而言处于“关”的状态。
请再参照图1，显示单元100中的支撑物106一般由负光阻材质所形成。请如图3A至图3C所示，图3A至图3C是现有显示单元的制造方法。如图3A所示，在一透明基材109上先依序形成第一墙102及牺牲层110，再在墙102及牺牲层110中形成开口112以适用于形成支撑物于其内。接着，在牺牲层110上旋涂上一负光阻层111并填满开口112，形成负光阻层111的目的在于形成位于第一墙102与第二墙(未显示于图上)间的支撑物。由箭头113的方向，向透明基材109的方向对位于开口112内的光阻层进行背面曝光。为了背面曝光制造工序的需求，牺牲层110必须为不透明的材质，一般为金属材质。
如图3B所示，去除为曝光的负光阻层而留下支撑物106于开口112之内。然后，形成墙104于牺牲层110及支撑物106之上。如图3C所示，最后，以结构释放蚀刻(Release Etch Process)移除牺牲层110而形成腔室114，腔室114的长度D即为牺牲层110的厚度。因此，必须在不同显示单元的制造工序中使用不同厚度的牺牲层，以实现控制反射出不同波长的光线的目的。
对单色平面显示器而言，显示单元100所组成可以利用电压操作来控制开关的阵列已足够，但对于彩色平面显示器而言，显示单元100显然不够。现有的作法是制造具有不同腔室长度的三个显示单元而成为一个像素，如图4所示，图4显示了现有阵列式彩色平面显示器剖面示意图。在同一基材300上分别形成三个显示单元302、304及306阵列，当入射光308入射时，三个显示单元302、304及306不同的腔室长度可分别反射出不同波长的色光，例如，红光、绿光或蓝光。显示单元阵列式的排列除了无须选用不同的反射镜面，更重要的是可以提供极佳的分辨率而且各种色光间的亮度均匀，但是，由于腔室长度的不同，三个显示单元必需要分别制造。
如图5A至图5D所示，是现有阵列式彩色平面显示器制造方法的剖面示意图。如图5A所示，在一透明基材300上先依序形成第一墙310及第一牺牲层312，再在第一墙310及牺牲层312中形成开口314、316、318及320以定义出显示单元302、304及306预定形成的位置。接着，形成共型的第二牺牲层322于第一牺牲层312之上及开口314、316、318及320之内。
如图5B所示，以一微影蚀刻制造工序移除开口314及316内及其间的和开口318、322内的第二牺牲层322后，形成共型的第三牺牲层324于第一牺牲层312及第二牺牲层322之上和开口314、316、318及320之内。
如图5C所示，以一微影蚀刻制造工序保留开口318及320间的第三牺牲层324而移除第三牺牲层324其它部分。接着，旋涂一负光阻于第一牺牲层312、第二牺牲层322及第三牺牲层324之上和开口314、316、318及320之内并填满所有开口而形成负光阻层326，负光阻层326的目的在于形成位于第一墙310与第二墙(未显示于图上)间的支撑物(未绘示于图上)。
如图5D所示，由透明基材300的方向对位于开口314、316、318及320内的光阻层进行背面曝光。为了背面曝光制造工序的需求，至少第一牺牲层312必须为不透明的材质，一般为金属材质。去除未曝光的负光阻层326而留下支撑物328于开口314、316、318及320内。接着，形成第二墙330共型覆盖于第一牺牲层312、第二牺牲层322及第三牺牲层324及支撑物328上。
最后，以结构释放蚀刻(Release Etch Process)移除第一牺牲层312、第二牺牲层322及第三牺牲层324而形成如图4所示的显示单元302、304及306，三显示单元302、304及306的腔室长度d1、d2、d3分别为第一牺牲层312、第一牺牲层312和第二牺牲层322及第一牺牲层312、第二牺牲层322和第三牺牲层324的厚度。因此，必须在不同显示单元的制造工序中使用不同厚度的牺牲层，以实现控制反射出不同波长的光线的目的。
现有制造阵列式彩色平面显示器至少需要三道微影蚀刻制造工序，以定义显示单元302、304及306的腔室长度。为了配合背面曝光以形成支撑物，必须使用金属材质作为牺牲层，复杂的制造工序本身而言成本较高，更严重的是由于复杂的制造工序而使得合格率无法提高。
因此，提供一种简易的光干涉式显示单元结构制造方法来制造同时具有高分辨率、高亮度、制造工序简易且制造工序合格率高的彩色光干涉式显示面板，成为一个重要的课题。
发明内容
因此本发明的目的就是提供一种光干涉式显示单元结构及其制造方法，适用于制造彩色光干涉式显示面板，可以具有高分辨率及高亮度。
本发明的另一目的是提供一种光干涉式显示单元结构及其制造方法，适用于制造彩色光干涉式显示面板，制造工序简易而且制造工序合格率高。
本发明的又一目的是在提供一种光干涉式显示单元结构及其制造方法，适用于制造具有支撑物的彩色光干涉式显示面板。
根据本发明的上述目的，在本发明一较佳实施例中提出一种光干涉式显示单元结构的制造方法，在一透明基材上先依序形成第一墙及牺牲层，再在第一墙及牺牲层中形成开口以适用于形成支撑物于其内。接着，在牺牲层上旋涂上一层光阻并填满开口。以一微影制造工序图案化光阻层而定义出具有支撑臂的支柱做为一支撑物及定义支撑臂的长短。由于光阻层的曝光借助于一光罩，所以牺牲层不再必须为金属等不透明的材质，一般介电材料也适用于作为牺牲层。
在牺牲层及支撑物上方形成一第二墙，再对支撑物进行一硬烤(Baking)，支撑物的支撑臂由于应力作用，支撑臂以支柱为轴会产生位移，支撑臂接近支柱的一端位移量较小，而支撑臂的末端具有较大的位移量。支撑臂的位移会改变第二墙的位置。最后，以结构释放蚀刻(Release Etch Process)移除牺牲层而形成腔室，由于支撑臂的位移，腔室的长度D不会等同牺牲层的厚度。
不同的长度与厚度的比值的支撑臂具有不同的应力，在进行硬烤时所产生位移的大小及方向不一，因此，可以利用不同的长度与厚度的比值的支撑臂来控制腔室的长度，而并不如现有技术那样必须在不同显示单元的制造工序中使用不同厚度的牺牲层，而能达成控制反射出不同波长的光线的目的。这样的作法具有相当多的优点，第一，成本的降低。现有的腔室的厚度即为牺牲层的厚度，牺牲层在制造工序的最后需被移除。本发明利用支撑臂向上的位移来增加腔室的长度，因此，腔室的长度大于牺牲层的厚度，在形成相同长度的腔室时，牺牲层的厚度可以大幅下降。因此，制造牺牲层所使用的材料也大幅下降。第二、制造工序时间的缩短。现有的金属牺牲层的结构释放蚀刻非常耗时，蚀刻气体必须经由支撑物间的间隙渗入以移除牺牲层。本发明因是利用光罩做正面曝光，因此牺牲层可以采用透明的材质，例如介电材质，而非如现有技术必须使用金属等不透明材质。另外，因为牺牲层所使用的厚度可以大幅减小，结构释放蚀刻所需的时间可以大幅减小，再者，介电材质的使用也使结构释放蚀刻的速度加快，这也可以减少结构释放蚀刻所需的时间。第三、利用支撑物来形成彩色光干涉式显示面板可以大幅度减少制造工序的复杂度，利用支撑物的支撑臂长度与厚度比的差异来改变支撑臂的应力，在硬烤之后因为支撑臂的位移而使不同光干涉式显示单元具有不同的腔室长度而能改变反射光的波长以得到不同的色光，例如红光、绿光或蓝光。
本发明还提供一阵列式彩色平面显示器结构的制造方法。每一阵列式彩色平面显示器单元具有三个光干涉式显示单元。在一透明基材上先依序形成第一墙及牺牲层，再在第一墙及牺牲层中形成开口以适用于形成支撑物于其内。接着，在牺牲层上旋涂上一层光阻并填满开口。以一微影制造工序图案化光阻层而定义出具有支撑臂的支柱做为一支撑物及定义支撑臂的长短，不同光干涉式显示单元的支撑臂具有不同的长度。三个光干涉式显示单元的支撑臂仅需一道微影制造工序即可完成。由于光阻层的曝光是借助于一光罩，所以牺牲层不再必须为金属等不透明的材质，一般介电材料也适用于作为牺牲层。
在牺牲层及支撑物上方形成一第二墙，再对支撑物进行一硬烤(Baking)，支撑物的支撑臂由于应力作用，支撑臂以支柱为轴会产生位移，支撑臂接近支柱的一端位移量较小，而支撑臂的末端具有较大的位移量。支撑臂的位移会改变第二墙的位置。最后，以结构释放蚀刻(Release Etch Process)移除牺牲层而形成腔室，由于支撑臂的位移，腔室的长度D不会等同牺牲层的厚度。
第一墙即为第一电极而第二墙是第二电极。每一光干涉式显示单元T型支撑臂的长度不同，具有不同的应力，因此在硬烤过后支撑臂的位移量不同，所以每一光干涉式显示单元的腔室长度不同而能改变反射光的波长以得到不同的色光，例如红光、绿光或蓝光而能得到一阵列式彩色平面显示器结构。
本发明的有益效果是，根据本发明所揭露的光干涉式显示单元的阵列所组成的彩色平面显示器，保留了现有阵列式彩色平面显示器的优点，具有高分辨率及高亮度，同时也具有现有复层式彩色平面显示器的优点，制造工序简易而且制造工序合格率高。由此可知，本发明所揭露的光干涉式显示单元不只在形成阵列时同时保持现有光干涉式彩色平面显示器所有的优点，高分辨率、高亮度、制造工序简易及制造工序合格率高之外，更可以增加制造工序时的裕度，提高光干涉式彩色平面显示器的制造工序合格率。
图1是现有显示单元的剖面示意图；图2是现有显示单元加上电压后的剖面示意图；图3A至图3C是现有显示单元的制造方法；图4是现有阵列式彩色平面显示器剖面示意图；图5A至图5D是现有阵列式彩色平面显示器制造方法的剖面示意图；图6A至图6C是本发明较佳实施例的一种光干涉式显示单元的制造方法；图6D是依照本发明一较佳实施例的一种光干涉式显示单元剖面示意图；以及图7A至图7D是依照本发明第二较佳实施例的一种阵列式彩色平面显示器结构的制造方法。其中，附图标记说明如下100、302、304、306、500、624、626、628光干涉式显示单元102、104、310、330墙1021、109、300、501、701基材1022吸收层1023介电层106、328、512、616、618、620、622支撑物108、114、、516、6241、6261、6281腔室110、312、322、324、506、604牺牲层111、326负光阻层112、314、316、318、320、508、606、608、610、612开口113箭头502、504、602、630镜面电极510、614材质层514、6161、6181、6201、6221支柱5121、5122、6162、6182、6183、6202、6203、6222支撑臂504’、5121‘、5122’虚线R红光G绿光B蓝光D、D’、d、d1、d2、d3长度具体实施方式
为了让本发明所提供的可变色像素单元结构更加清楚起见，在本发明实施例1中详细说明每一光干涉式显示单元的结构。另外，为使本发明所揭露以光干涉式显示单元阵列所形成的光干涉式彩色平面显示器更加清楚起见，在本发明实施例2中进一步详细说明。
实施例1图6A至图6C是本发明较佳实施例的一种光干涉式显示单元的制造方法。如图6A所示，在一透明基材501上先依序形成第一电极502及牺牲层506，其中，牺牲层506可以采用透明的材质，例如介电材质，或是不透明材质，例如金属材质。以一微影蚀刻制造工序在第一电极502及牺牲层506中形成开口508，开口508适用于在其内部形成支撑物。
接着，在牺牲层506形成一材质层510并填满开口508。材质层510适用于形成支撑物，一般可以使用感光材质，例如光阻，或是非感光的聚合物材质，例如聚酯或聚醯等等。若是使用非感光材质形成材质层，则需一微影蚀刻工序在材质层510上定义出支撑物。在本实施例中以感光材质来形成材质层510，故仅需以一微影工序图案化材质层510。
如图6B所示，由一微影制造工序图案化材质层510而定义出支撑物512，支撑物512具有支柱514位于开口508之内及支撑臂5121与5122。支撑臂5121与5122的长短也由同一微影制造工序来定义。至于支撑臂5121与5122的厚度，则是在形成材质层510的步骤时所决定。在牺牲层506及支撑物512上方形成一第二电极504。
最后，如图6C所示，进行一热制造工序，例如一硬烤(Baking)，支撑物512的支撑臂5121及5122由于应力作用，支撑臂5121及5122以支柱514为轴会产生位移，支撑臂5121及5122接近支柱514的一端位移量较小，而支撑臂5121及5122的末端具有较大的位移量。支撑臂5121及5122的位移会改变第二电极504的位置。最后，以结构释放蚀刻(Release Etch Process)移除牺牲层而形成腔室516。
如图6A至图6C所制造的光干涉式显示单元如图6D所示，图6D显示了依照本发明一较佳实施例的一种光干涉式显示单元剖面示意图。一光干涉式显示单元500，可以作为一可变色像素单元，至少包含一第一电极502、一第二电极504，其中，第一电极502与第二电极504约成平行排列。第一电极502及一第二电极504选自于窄波带(Narrowband)镜面、宽波带(Broadband)镜面、非金属镜及金属镜或其组合所组成的集合。
第一电极502与第二电极间由支撑物512所支撑。支撑物512的支撑臂5121及5122向上翘起。在现有光干涉式显示单元结构中的腔室的长度即为牺牲层的厚度，若牺牲层的厚度为D，腔室的长度也为D。在本实施例中，第一电极502与第二电极504间由支撑物512所支撑而形成一腔室516。支撑物512具有支撑臂5121与5122，支撑臂5121和5122的长度和厚度的比值决定支撑臂5121和5122的应力，虚线5121’及5122’显示支撑臂5121和5122进行热制造工序前的位置。当经过热制造工序之后，支撑臂5121和5122会产生位移，而使第二电极504的位置自原来虚线504’的位置所标示的位置产生变动，第一电极502与第二电极504间的腔室510由原来的D的长度改变成D’的长度，由于腔室516的长度改变，反射光的频率也会跟着改变。一般而言，当以聚醯化合物作为形成支撑物512的材料时，支撑臂5121和5122的长度厚度比值介于5至50之间时，腔室510的长度D’约为牺牲层的厚度D的1.5倍至3倍。当然，也可以改变支撑臂5121和5122的长度厚度比值而使硬烤后的腔室516的长度D’小于牺牲层的厚度D。
在本发明中适用于作为形成支撑物512的材料包括正光阻、负光阻、各种聚合物，例如，亚克力(Acrylic)树酯、环氧树酯等等。
实施例2如图7A至图7D显示了依照本发明第二较佳实施例的一种阵列式彩色平面显示器结构的制造方法。如图7A所示，在一透明基材601上先依序形成第一电极602及牺牲层604，其中，牺牲层604可以采用透明的材质，例如介电材质，或是不透明材质，例如金属材质。以一微影蚀刻制造工序于第一电极602及牺牲层604中形成开口606、608、610、612，开口606、608、610、612适用于形成支撑物于其内。
接着，在牺牲层604之上形成一材质层614并填满开口606、608、610、612。四个开口606、608、610、612两两定义出光干涉式显示单元624、626及628的位置。材质层614适用于形成支撑物，一般可以使用感光材质，例如光阻，或是非感光的聚合物材质，例如聚酯或聚醯等等。若是使用非感光材质形成材质层，则需一微影蚀刻制造工序在材质层614上定义出支撑物。在本实施例中以感光材质来形成材质层614，故仅需以一微影制造工序图案化材质层614。
如图7B所示，由一微影制造工序图案化材质层614而定义出支撑物616、618、620、622，支撑物616、618、620、622分别具有支柱6161、6181、6201、6221位于开口606、608、610、612之内及支撑臂6162、6182、6183、6202、6203、6222。支撑臂6162和6182、6183和6202及6203和6222的长度相同。在牺牲层604及支撑物616、618、620、622上方形成一第二电极630。
如图7C所示，进行一热制造工序，例如一硬烤(Baking)，支撑物616、618、620、622的支撑臂6162、6182、6183、6202、6203、6222由于应力作用，支撑臂6162、6182、6183、6202、6203、6222以支柱6161、6181、6201、6221为轴会产生位移，支撑臂6162、6182、6183、6202、6203、6222接近支柱6161、6181、6201、6221的一端位移量较小，而支撑臂6162、6182、6183、6202、6203、6222的末端具有较大的位移量。支撑臂6162和6182、6183和6202、6203和6222两两位移的大小相同但三组支撑臂间的位移量不同，因此，撑臂6162和6182、6183和6202、6203和6222的位移对第二电极630所造成位置的改变量也不同。
最后，如图7D所示。以结构释放蚀刻(Release Etch Process)移除牺牲层604而形成光干涉式显示单元624、626及628的腔室6241、6261及6281。腔室6241、6261及6281具有不同的长度d1、d2及d3。在光干涉式显示单元624、626及628为“开”的状态下，由公式1.1所示，腔室长度d1、d2及d3的设计可以产生不同波长的反射光，例如红光、绿光或蓝光。
由于腔室6241、6261及6281的长度d1、d2及d3并非由牺牲层的厚度来决定，而是由支撑臂6162和6182、6183和6202、6203和6222的长度来决定，因此，不需如现有技术复杂的微影制造工序来形成厚度不同的牺牲层来定义出不同的腔室长度。
根据本实施例所揭露的光干涉式显示单元的阵列所组成的彩色平面显示器，保留了现有技术中阵列式彩色平面显示器的优点，具有高分辨率及高亮度，同时也具有现有复层式彩色平面显示器的优点，制造工序简易而且制造工序合格率高。相对于现有阵列式彩色平面显示器而言，本实施例所揭露的光干涉式显示单元的阵列中不需如现有复杂的微影制造工序来形成厚度不同的牺牲层来定义出不同的腔室长度，制造工序简易且及制造工序合格率高。相对于现有复层式彩色平面显示器而言，本实施例所揭露的光干涉式显示单元的阵列，所有可用来产生反射色光的光干涉式显示单元位于同一平面上，入射光不需穿透多层的光干涉式显示单元以反射出不同的色光，因此具有高分辨率及高亮度，而且，现有复层式彩色平面显示器为使入射光有效穿过位于前位置的光干涉式显示单元到达后位置的光干涉式显示单元及后位置光干涉式显示单元中光干涉的结果(绿光波长或蓝光波长的反射光)能有效的穿透前位置光干涉式显示单元，三类型光干涉式显示单元的第一电极及第二电极所使用的材质组成及厚度均需不相同，制造工序看似单纯，但实际上仍是相当的复杂。相比之下，本发明所揭露的光干涉式显示单元的阵列的制造工序的复杂度并不高于现有的制造工序。
虽然本发明以一较佳实施例揭露如上，但是并非用以限定本发明，任何本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，所做出的等效结构变换，均包含在本发明的专利范围内。
权利要求
1.一种光干涉式显示单元的制造方法，适用于一基材上，该方法至少包含形成一第一电极于该基材之上；形成一牺牲层于该第一电极上；形成至少二开口于牺牲层及该第一电极之内并定义出该光干涉式显示单元的位置；形成一支柱于每一该开口内并同时在该支柱上形成至少一支撑臂，其中该支柱及该支撑臂形成一支撑物；形成一第二电极于该牺牲层及该支撑臂之上；一热制程处理该支撑物；以及移除该牺牲层。
2.如权利要求1所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于，形成该支撑物的方法还包括形成一感光材质层填满该些开口并覆盖该牺牲层；以及图案化该感光材质层以在每一该些开口内形成支柱及在该支柱上形成至少一支撑臂，其中该支柱及该支撑臂形成一支撑物。
3.如权利要求2所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于，该感光材质层为一光阻。
4.如权利要求1所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于，图案化该感光材质层的方法包括一微影制程。
5.如权利要求1所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于，形成该支撑物的方法还包括形成一非感光材质层填满所述开口并覆盖该牺牲层；以及以一微影蚀刻制程图案化该非感光材质层以在每一所述开口内形成支柱及在该支柱上形成至少一支撑臂，其中该支柱及该支撑臂形成一支撑物。
6.如权利要求1所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于，该热制程可以为一硬烤。
7.如权利要求1所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于，该热制程使该支撑臂因应力而产生位移。
8.如权利要求1所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于，该第一电极至少包含一基材；一吸收层；以及一介电层。
9.如权利要求8所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于，该基材为透明导电材质。
10.如权利要求8所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于，形成该介电层的材质可以为氧化硅、氮化硅或金属氧化物。
11.如权利要求8所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于，该吸收层可以为金属。
12.如权利要求8所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于，该基材为铟锡氧化玻璃或铟锌氧化玻璃。
13.如权利要求1所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于，该该第一电极与该第二电极选自于窄波带镜面、宽波带镜面、非金属镜及金属镜或其组合所组成的集合。
14.如权利要求1所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于，该第二电极为可以产生上下型变的电极。
15.如权利要求1所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于，该第二电极为可以移动的电极。
16.如权利要求1所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于，该第二电极至少包含一不透明导电材质或一半透明导电材质。
17.如权利要求16所述的光干涉式显示单元的制造方法，其特征在于，该半透明导电材质可以为铟锡氧化玻璃或铟锌氧化玻璃。
全文摘要
一种光干涉式显示面板的结构及其制造方法，所述制造方法是依序形成第一电极与牺牲层在基材之上，再在电极与牺牲层中形成开口。接着，在牺牲层上旋涂一光阻层并填满开口。以一微影制造工序图案化光阻层而定义出支撑物及支撑物的支撑臂的长短。在牺牲层及支撑物上方形成第二电极，一热制造工序使支撑臂因应力而产生位移，以改变第一电极与第二电极间的距离。最后，移除牺牲层而得到光干涉式显示单元。
文档编号G02B26/00GK1549039SQ0312378
公开日2004年11月24日 申请日期2003年5月20日 优先权日2003年5月20日
发明者林文坚, 蔡熊光 申请人:元太科技工业股份有限公司