专利名称：图像显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及图像显示装置，例如涉及液晶显示装置等的图像显示装置。
虽然在
图16中没有图示，该像素具备依照来自栅极信号线GL的扫描信号而进行动作的开关元件(例如薄膜晶体管)，和经由该开关元件供给来自漏极信号线DL的图像信号的像素电极。
还有，供给各栅极信号线GL的扫描信号，由形成在作为像素的集合体的液晶显示部AR的外侧的扫描信号驱动电路V所生成，该扫描信号驱动电路V以相互邻接的多个栅极信号线GL为一组，由分别负责各个组的多个半导体集成电路构成。
同样地，供给各漏极信号线DL的图像信号，也是由形成在液晶显示部AR的外侧上的图像信号驱动电路He所生成，该图像信号驱动电路He以相互邻接的多个漏极信号线DL为一组，由分别负责这些各个组的多个半导体集成电路构成。
还有，除了上述扫描信号和图像信号外，还存在给各像素供给相对这些信号成为基准的信号(基准信号)的情况。例如，用于供给对置电极的信号或者用于供给电容信号线的信号等，其中对置电极与上述像素电极之间产生用于驱动液晶的电场，电容信号线用于与上述像素电极之间上形成电容。
在这种情况下，上述基准信号经由馈电线SL来传送，馈电线SL从上述各半导体器件的两侧沿着结合成组的信号线的外侧布置，连接到如同描绘液晶显示部AR的外轮廓那样形成的总线线路BL上。
此外，上述总线线路BL经由形成为到达各像素的的基准电位线SVL连接到上述对置电极或者电容信号线。
但是，发现这样构成的液晶显示装置存在以上述的各结合成组的信号线为单位，在它的中央部和两侧部产生显示的亮度不匀匀的情况。
对这种情况研究的结果，判明是由于上述基准信号由上述馈电线SL从上述各半导体器件的两侧沿着结合成组的各信号线的外侧，对总线线路BL馈电，在结合成组的各信号线中，在它的中央部和两侧部分馈电电阻不同造成的。
以下，简单地说明在本申请所公开的发明中代表性的内容的概要。
(方案1)本发明的图像显示装置的特征在于例如具有并列设置在基板的像素形成侧的面上的多个漏信号线；上述各漏信号线，按每个相互邻接的多个漏信号线结合成组，各自的结合成组的各漏信号线的一端相互收拢延伸与构成图像信号驱动电路的半导体集成电路的输出端子连接；具有形成在像素的集合体的至少上述图像信号驱动电路一侧的外轮廓侧上，用于向各像素供给基准信号的总线线路；具有从上述半导体集成电路的两侧沿结合成组的漏信号线的外侧配置，连接在上述总线线路上的第1馈电线；和从上述半导体集成电路的两侧向着该总线线路中结合成组的该漏信号线的大体中央部的地方，与该总线线路连接的第2馈电线。
(方案2)本发明的图像显示装置的特征在于例如在基板的像素形成侧的面上形成并列设置的多个漏极信号线；上述各漏极信号线每相互邻接的多个漏极信号线结合成组，并且各自的结合成组的各漏极信号线的一端相互收拢延伸、连接在构成图像信号驱动电路的半导体集成电路的输出端子上；形成在像素的集合体的至少上述图像信号驱动电路侧的外轮廓侧上、形成用于在各像素上供给基准信号的总线线路；形成有从上述半导体集成电路的两侧沿着结合成组的漏极信号线的外侧、连接在上述总线线路上的第1馈电线；从上述半导体集成电路的两侧到该总线线路中结合成组的该漏极信号线的大约中央部的地方、连接在该总线线路上的第2馈电线；以及从上述半导体集成电路的两侧、连接在该总线线路中上述第1馈电线的连接部和上述第2馈电线的连接部之间的总线线路上的第3馈电线。
(方案3)本发明的图像显示装置的特征在于例如，以方案1或者方案2的结构为前提，上述第2馈电线中介绝缘膜形成在与上述漏极信号线不同的层上。
(方案4)本发明的图像显示装置的特征在于例如，以方案1或者方案2的结构为前提，结合成组的漏极信号线的数目为偶数个。
(方案5)本发明的图像显示装置的特征在于例如在基板的像素形成侧的面上形成并列设置的多个栅信号线；
上述各栅信号线，按每个相互邻接的多个栅信号线结合成组，各自的结合成组的各栅信号线的一端相互收拢延伸与构成扫描信号驱动电路的半导体集成电路的输出端子连接；具有形成在像素的集合体的至少上述扫描信号驱动电路侧的外轮廓侧上，用于向各像素供给基准信号的总线线路；具有从上述半导体集成电路的两侧沿结合成组的栅信号线的外侧连接在上述总线线路上的第1馈电线；和从上述半导体集成电路的两侧向着该总线线路中结合成组的该栅信号线的大体中央部的地方，与该总线线路连接的第2馈电线。
(方案6)本发明的图像显示装置的特征在于例如在基板的像素形成侧的面上形成并列设置的多个栅极信号线；上述各栅极信号线每相互邻接的多个栅极信号线结合成组，并且各自的结合成组的各栅极信号线的一端相互收拢延伸、连接在构成扫描信号驱动电路的半导体集成电路的输出端子上；形成在像素的集合体的至少上述扫描信号驱动电路侧的外轮廓侧上、形成用于在各像素上供给基准信号的总线线路；形成有从上述半导体集成电路的两侧沿着结合成组的栅极信号线的外侧、连接在上述总线线路上的第1馈电线；从上述半导体集成电路的两侧到该总线线路中结合成组的该栅极信号线的大约中央部的地方、连接在该总线线路上的第2馈电线，以及从上述半导体集成电路的两侧、连接在该总线线路中上述第1馈电线的连接部和上述第2馈电线的连接部之间的总线线路上的第3馈电线。
(方案7)本发明的图像显示装置的特征在于例如，以方案5或者方案6的结构为前提，上述第2馈电线中介绝缘膜形成在与上述栅极信号线不同的层上。
(方案8)本发明的图像显示装置的特征在于例如，以方案5或者方案6的结构为前提，结合成组的栅极信号线的数目为偶数个。
(方案9)本发明的图像显示装置的特征在于例如在基板的像素形成侧的面上形成并列设置的多个信号线；上述各信号线每相互邻接的多个信号线结合成组，并且各自的结合成组的各信号线的一端相互收拢延伸、连接在构成信号驱动电路、搭载在上述基板上的半导体集成电路的输出端子上；形成在像素的集合体的至少上述信号驱动电路侧的外轮廓侧、形成用于在各像素上供给基准信号的总线线路；在该总线线路上、通过形成在上述半导体集成电路的搭载区域上的馈电线供给上述基准信号。
(方案10)本发明的图像显示装置的特征在于例如，上述馈电线由多个构成。
(方案11)本发明的图像显示装置的特征在于例如具有并列设置在基板的像素形成侧的面上的多个信号线；上述各信号线，按每个相互邻接的多个信号线结合成组，各自的结合成组的各信号线的一端相互收拢延伸，与构成信号驱动电路的半导体集成电路的输出端子连接；上述半导体集成电路由树脂基板，搭载在该树脂基板上的半导体芯片，以及在该树脂基板的面上引出该半导体芯片的端子的布线层构成；在上述像素的集合体的至少上述信号驱动电路侧的外轮廓侧上，形成用于向各像素供给基准信号的总线线路；经由形成在上述半导体集成电路的树脂基板面上的馈电线给该总线线路供给基准信号。
(方案12)本发明的图像显示装置的特征在于例如，以方案11的结构为前提，上述馈电线形成在与在上述半导体集成电路的树脂基板上形成的上述布线层的相反侧的面上。
此外，本发明不是仅限定在以上的结构，在不脱离本发明的技术思想的范围内各种的变更都是可能的。例如，在上述的方案中，是从半导体集成电路的两侧到总线线路中的结合成组的漏极信号线的大约中央部的地方形成连接在总线线路上的第2馈电线，但是，也可以是将第2馈电线配置在从半导体集成电路2根第1馈电线之间、连接在总线线路上的结构。在这种情况下，第2馈电线连接在2根第1馈电线连接的总线线路的中央附近，从抑制它的中央部和两侧部产生显示的亮度不均匀这点看是理想的。
图2是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的关键部位的俯视图。
图3是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的关键部位的结构图。
图4是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的关键部位的剖面图。
图5是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的关键部位的剖面图。
图6是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的关键部位的剖面图。
图7是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的关键部位的俯视图。
图8是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的关键部位的俯视图。
图9是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的关键部位的俯视图。
图10是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的关键部位的结构图。
图11是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的关键部位的俯视图。
图12是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的关键部位的俯视图。
图13是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的关键部位的结构图。
图14是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的关键部位的俯视图。
图15是表示本发明的图像显示装置的其他实施例的关键部位的结构图。
图16是表示现有的图像显示装置的一例的俯视图。
图17是表示本发明的图像显示装置的像素的一个实施例的结构图。
图18是表示本发明的图像显示装置的像素的一个实施例的俯视图
(实施例1)图1(a)是表示本发明的图像显示装置的一个实施例的概略结构图，是与图16对应的图。
与图16的情况比较不同的结构在于形成在构成图像信号驱动电路He的各半导体集成电路的两侧上的各馈电线SL，沿着结合成组的漏极信号线DL的外侧布置，而连接在总线线路BL上的馈电线则不同，新形成还连接在该总线线路BL中的位于结合成组的该漏极信号线DL的大致中央部的馈电线SLs。
该馈电线SLs中介绝缘膜形成为与漏极信号线DL不同的层，由此，与该漏极信号线DL绝缘地形成。
如图所示，结合成组的各漏极信号线DL，在与图像信号驱动电路He的半导体集成电路连接的附近，延伸成为相互聚拢，并连接在该半导体集成电路的输出端子上。
由于该半导体集成电路的输出端子的间距比漏极信号线DL的间距还小地形成，故成为具有上述那样的收拢部的结构。
因此，沿着结合成组的漏极信号线DL的外侧的馈电线SL从该半导体集成电路到总线线路BL侧呈末端扩展状地形成，还有，在该实施例中另外形成的馈电线SLs为指向结合成组的漏极信号线DL的大致中央相互收拢地形成。
如沿图1(b)的c-c线的剖面图所示，上述漏极信号线DL形成在绝缘膜GI的上层上。还有，上述馈电线SLs形成在上述绝缘膜GI的下层上，与其他的馈电线SL及总线线路BL一体地形成。
通过采用这样的结构，因为上述总线线路BL沿其长度方向成为短间隔、而且该间隔大体相等，故没有电位差的差异、均等地供给基准电压。因此，从该总线线路BL向各像素供给没有差异的均等的基准电压。
图17(a)是表示用相互邻接的栅极信号线GL和相互邻接的漏极信号线DL包围的像素区的结构的一个实施例的俯视图。还有，图17(b)是表示沿图17(a)的b-b线的剖面图。
在该图中，在透明基板SUB1的液晶侧的面上，首先，形成在x方向上延伸、在y方向上并列设置的一对的栅极信号线GL。
这些栅极信号线GL与后述的一对的漏极信号线DL一起成为包围矩形状的区域，将该区域作为像素区来构成。
这样，在形成有栅极信号线GL的透明基板SUB1的表面上，例如形成由SiN构成的绝缘膜GI覆盖该栅极信号线GL。
该绝缘膜GI具有在后述的漏极信号线DL的形成区中作为对上述栅极信号线GL的层间绝缘膜的功能，在后述的薄膜晶体管TFT的形成区中作为它的栅绝缘膜的功能。
而且，在该绝缘膜GI的表面、形成例如由非晶Si构成的半导体层AS使之与上述栅极信号线GL的一部分重叠。
该半导体层AS是薄膜晶体管TFT的半导体层，由于在它的上面上形成漏电极SD1及源电极SD2，能够构成将栅极信号线的一部分作为栅电极的逆交错结构的MIS型晶体管。
这里，形成漏极信号线DL的同时形成上述漏电极SD1及源电极SD2。
即，形成在y方向上延伸在x方向上并列设置的漏极信号线DL，它的一部分延伸到上述半导体层AS的上面上形成漏电极SD1，还有，与该漏电极SD1仅仅离开薄膜晶体管TFT的沟道长度的量形成源电极SD2。
还有，该源电极SD2与形成在像素区内的像素电极PX一体形成。
即，像素电极PX是由在像素区内的、在它的y方向上延伸在x方向上并列设置的多个(在图中是2根)电极群构成的。其中的一个的像素电极PX的一方的端部兼作上述源电极SD2，在另一方的端部与其他的像素电极PX对应的地方相互电连接。
这样，在形成有薄膜晶体管TFT、漏极信号线DL、漏电极SD1、源电极SD2及像素电极PX的透明基板SUB1的表面上形成保护膜PAS。该保护膜PAS是避免与上述薄膜晶体管TFT的液晶直接接触的膜，成为防止该薄膜晶体管TFT的特性恶化的膜。
此外，该保护膜PAS也可以由树脂等的有机材料层，或者SiN那样的无机材料层和树脂等的有机材料层的顺序叠层体所构成。在图17的情况下，由无机材料层构成的保护膜PSA1和由树脂等的有机材料层构成的保护膜PAS2的顺序叠层体所构成。这样，作为保护膜PAS至少要使用有机材料层是为了降低保护膜自身的介电常数。
在保护膜PAS的上面上形成对置电极CT。该对置电极CT与上述的像素电极PX同样，由在y方向上延伸、在x方向上并列设置的多个(在图中是3根)电极群构成，而且，在俯视时，那些各电极位置在上述像素电极PX之间。
即，对置电极CT和像素电极PX，从一方一侧的漏极信号线到另一方一侧的漏极信号线是以对置电极、像素电极、对置电极、像素电极、……、对置电极的顺序分别等间隔地配置的。
这里，位置在像素电极的两侧的对置电极CT的一部分重叠形成在漏极信号线DL上，并且与邻接的像素区的对应的对置电极CT共通地形成。
换句话说，在漏极信号线DL上，对置电极CT与它的中心轴大体一致重叠，形成的该对置电极CT的宽度比漏极信号线DL的宽度大。对漏极信号线DL左侧的对置电极CT构成左侧的像素区的各对置电极CT的一个，右侧的对置电极CT构成右侧的像素区的各对置电极CT的一个。
这样，由于在漏极信号线DL的上方上形成比该漏极信号线DL的宽度宽的对置电极CT，具有来自该漏极信号线DL的电力线终结于该对置电极CT上能够避免终结于像素电极PX上的效果。这是由于在来自漏极信号线DL的电力线终结于像素电极PX上的情况下，它就成为噪声的缘故。
由电极群构成的各对置电极CT与充分地覆盖栅极信号线GL形成的由同一的材料构成的相对电压信号线CL一体形成，通过该相对电压信号线CL供给基准电压。此外，该相对电压信号线CL具有作为上述基准电位线SVL的功能。
此外，例如为了提高像素的开口率，该对置电极CT和相对电压信号线CL由ITO(铟锡氧化物)、ITZO(铟锡锌氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、SnO2(氧化锡)、In2O3(氧化铟)等透光性的导电材料形成。
充分地覆盖栅极信号线GL形成的相对电压信号线CL在从它的栅极信号线GL露出的部分中，上述各像素电极PX的连接部位于它的下层上，由此，在像素电极PX和相对电压信号线CL之间形成以保护膜PAS作为电介质膜的电容元件Cstg。
该电容元件Cstg能够带来例如使供给像素电极PX的图像信号比较长地积蓄等的功能。
而且，这样地形成有对置电极CT的透明基板SUB1的上面上，形成也覆盖该对置电极CT的取向膜(未图示)。该取向膜是与液晶直接地接触的膜，由形成在它的表面上的摩擦(rubbing)决定该液晶的分子的初始取向方向。
(实施例2)图2是表示本发明的图像显示装置的其他的实施例的结构图，是与图1(b)对应的图。
与图1(b)的情况不同的结构在于结合成组的漏极信号线DL的数目是偶数个。
这样，馈电线SLs与总线线路BL的连接部为相互邻接的漏极信号线DL之间，能够使重叠在一方一侧(例如图中的右侧)的馈电线SLs上的漏极信号线DL的数目和重叠在另一方一侧(例如图中的左侧)的馈电线SLs上的漏极信号线DL的数目相同。
因此，由于一方一侧的馈电线SLs和重叠在它上的漏极信号线DL之间的寄生电容与另一方一侧的馈电线SLs和重叠在它上的漏极信号线DL之间的寄生电容相等，具有能够降低因该寄生电容引起的显示的亮度不匀匀的效果。
此外，作为结合成组的漏极信号线DL的数目，例如能够选择128、258、300、384、480根等。
(实施例3)图3(a)是表示本发明的图像显示装置的其他的实施例的结构图，是与图2对应的图。还有，图3(b)示出沿图3(a)的b-b线的剖面图。
与图2的情况比较不同的结构在于使馈电线SLs进一步增加，形成连接从半导体集成电路的两侧到上述总线线路BL的上述馈电线SL的连接部和图1所示的馈电线SLs的连接部之间的总线线路BL上的新的馈电线SLs1。
这样的结构，在结合成组的漏极信号线DL的数目例如是258、300、384、480根比较多的情况下是有效的。
(实施例4)图4是表示本发明的图像显示装置的其他的实施例的结构图，是与图3(b)对应的图。
与图3(b)的情况比较不同的结构在于在各馈电线SL、SLs、SLs1中，根据长度拓宽它们的宽度。
即，与俯视图对应，与宽度W2相当的馈电线SLs1最短，由于具备馈电线SL的宽度W1、馈电线SLs的宽度W3＞馈电线SLs1的宽度W2的关系，各馈电线SL、SLs、SLs1的各自的馈电电阻更均等。
还有，不是仅限于此，也可以是按照长度的顺序。即，与宽度W1相当的馈电线SL最长的情况，也可以使之具备馈电线SL的宽度W1＞馈电线SLs的宽度W3＞馈电线SLs1的宽度W2的关系。
(实施例5)图5(a)是表示本发明的图像显示装置的其他的实施例的俯视图，是与图3(a)对应的图。还有，图5(b)示出沿图5(a)的b-b线的剖面图。
与图3(a)的情况比较不同的结构在于在漏极信号线DL的上面上形成保护膜PAS，在该保护膜PAS上形成馈电线SLs。还有，总线线路BL、馈电线SL及馈电线SLs1分别形成在透明基板SUB1与绝缘膜G1之间。
形成在保护膜PAS上的馈电线SLs在它的两端中，通过贯通该保护膜PAS及上述绝缘膜G1形成的通孔，分别连接在馈电线SL及总线线路BL上。
这种情况下，由于使上述保护膜PAS成为有机材料层，或者无机材料层与有机材料层的叠层体，能够降低漏极信号线DL和馈电线SLs的交叉电容。
还有，由于上述馈电线SLs采用例如ITO(铟锡氧化物)、ITZO(铟锡锌氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、SnO2(氧化锡)、In2O3(氧化铟)等的透光性的导电材料，能够目视到各漏极信号线DL，能够具有当它们发生短路时容易修复的效果。
(实施例6)图6是表示本发明的图像显示装置的其他的实施例的结构图，图6(a)是俯视图，图6(b)是在扫描信号驱动电路的半导体集成电路附近的放大图，图6(c)是沿图6(b)的c-c线的剖面图。
该实施例是在扫描信号驱动电路的半导体集成电路的附近应用上述的各实施例。即成为在馈电线SL之外还设置馈电线SLs的结构。
这种情况下，由于栅极信号线GL形成在透明基板SUB1和绝缘膜GI之间，例如馈电线SL和基准电位信号线SVL也与它形成在同层，馈电线SLs形成在绝缘膜GI的上面上。
而且，馈电线SLs的馈电线SL和总线线路BL的连接由设置在从保护膜PAS的表面形成的通孔部上的连接电极THCT进行。
(实施例7)图7是表示本发明的图像显示装置的其他的实施例的结构图，是与图6(b)对应的图。
与图6(b)的情况比较不同的结构在于结合成组的栅极信号线GL的根数是128、258、300、384、480根那样的偶数。
由此，从半导体集成电路的两侧延伸的各馈电线SLs收拢到栅极信号线GL之间的区域上，由此，由于能够取得各自的馈电线SLs与和它们重叠的各栅极信号线GL之间的寄生电容的平衡，能够防止在显示中的亮度不匀匀。
(实施例8)图8是表示本发明的图像显示装置的其他的实施例的俯视图，是与图7对应的图。
与图7的情况比较不同的结构在于除了馈电线SLs之外还设置馈电线SLs1。
(实施例9)图9是表示本发明的图像显示装置的其他的实施例的俯视图，是与图6对应的图。
与图6的情况比较不同的结构在于在图像信号驱动电路的半导体集成电路的附近及扫描信号驱动电路的半导体集成电路的附近分别新设置了馈电线SLs。
由此，具有在各个基准电位线SVL中，能够均等地供给基准信号的效果。
(实施例10)在上述各实施例中，都是就对置电极CT形成在保护膜PAS的上层的所谓横向电场方式的液晶显示装置进行的说明，但是不仅限于此，例如，如图18所示，当然也能够适用于例如，该对置电极CT形成在与栅极信号线GL同层的液晶显示装置。
这是由于仅仅像素的结构不同，而在图像信号驱动电路He及扫描信号驱动电路V的附近的结构大体相同的缘故。
这里，图18所示的液晶显示装置的像素的结构，如上所述，与栅极信号线GL形成在同层的对置电极CT与涉及图中左右邻接的其他的像素形成的相对电压信号线CL电连接，该相对电压信号线CL具有作为上述的基准电位线SVL的功能。
此外，在该图中，像素电极PX中介绝缘膜形成在对于对置电极CT不同的层上，这些各电极从一方的漏极信号线DL到另一方的漏极信号线DL排列着对置电极CT、像素电极PX、对置电极CT、像素电极PX、对置电极CT。
还有，在像素内形成了与上述对置电极CL大体同样的结构形成的电容信号线的液晶显示装置中，也能够将该电容信号线作为上述基准电位线来应用。
这是因为该电容信号线在各像素中在与像素电极PX之间构成电容元件，有必要在该电容信号线上供给对于图像信号成为基准的电压信号。
进而，由于同样的宗旨，不仅限于这些液晶显示装置，例如，也能适用于有机EL(场致发光)元件等其他的图像显示装置。
(实施例11)图10(a)是表示本发明的图像显示装置的其他的实施例的俯视图。还有，图10(b)示出沿图10(a)的b-b线的剖面图。上述各实施例对总线线路BL进行馈电的馈电线SL、SLs都是从半导体集成装置的两侧进行的。但是，如图10所示，当然也可以布置在该半导体集成装置的下方。
即，有配置在透明基板SUB1的外围、它的端子连接该透明基板SUB1的端子的例如挠性的印刷线路板FPC，从该印刷线路板FPC侧馈电的馈电线SL、SLs形成在该透明基板SUB1的表面上。
这些馈电线SL、SLs形成得与半导体集成电路ICC交叉那样地布置在该半导体集成电路ICC的下方。该半导体集成电路ICC对透明基板SUB1进行所谓的倒装接合。
而且，馈电线SL、SLs和与它们形成在同层的总线线路BL一体地形成。
还有，馈电线SL、SLs及总线线路BL形成在绝缘膜GI的下层上，在该绝缘膜GI的上层上形成例如漏极信号线DL。
即使在这样的情况下，由于能够用比较窄的间隔在该总线线路BL上进行基准信号的馈电，因而能够在各基准电位线SVL上进行没有差异的馈电。
(实施例12)图11是表示本发明的图像显示装置的其他的实施例的俯视图，是与图10(a)对应的图。
与图10(a)的情况比较，不同的结构在于在馈电线SLs和馈电线SL之间还新设馈电线SLs1。
(实施例13)图12是表示本发明的图像显示装置的其他的实施例的俯视图，是与图10对应的图。
与图10所示的情况比较不同的结构在于连接在总线线路BL的馈电线SLs的一端，在半导体集成电路ICC的下方，连接在使一对的馈电线SL相互连接的、宽度比较宽的布线层SLg上。
这种情况下，能够减少用于在印刷线路板FPC侧中对馈电线SLs馈电的布线层。
(实施例14)图13(a)是表示本发明的图像显示装置的其他的实施例的俯视图，是与图12对应的图。图13(b)是沿图13(a)的b-b线的剖面图。
与图12的情况比较不同结构在于不是将图12所示的布线层SLg形成在半导体集成电路ICC的下方，而是形成在印刷线路板FPC的下方。
在做成这样结构的情况下，可以使印刷线路板FPC的端子不增加。还有，由于半导体集成电路ICC的输入输出端子用环状的基准电位包围，能够避免因静电引起的该半导体集成电路ICC的击穿。
此外，在该实施例中，形成在透明基板SUB1侧的漏极信号线DL或者栅极信号线GL与馈电线SL形成在不同的层上，在保护膜PAS的表面引出的电极分别由中介于印刷线路板FPC之间的各向异性导电膜ACF与该印刷线路板FPC面的端子连接。
这里，各向异性导电膜ACF由散在混入许多的导电珠的树脂膜构成。
(实施例15)图14是表示本发明的图像显示装置的其他的实施例的俯视图。在该实施例中，例如，图像信号驱动电路的半导体集成电路ICC是用所谓的带载方式的结构。
即，在键合搭载了半导体芯片SC的挠性的树脂基板PB的表面上，形成将该半导体芯片SC的凸点引出的布线层WL，该布线层WL形成得使在上述树脂基板PB的一边部及与该一边部相对的另一边部上具有各自的端子。
这样的半导体集成电路ICC跨越配置在透明基板SUB1和与该透明基板SUB1离开若干距离配置的印刷线路板PCB之间，上述一边部的各端子连接透明基板SUB1侧的各端子，还有、上述另一边部的各端子连接印刷线路板PCB的各端子。
而且，该半导体集成电路ICC在树脂基板PB的与形成有上述布线层WL的面的相反侧的面中，形成了与在透明基板SUB1侧形成的馈电线SL、SLs连接的其他的布线层XL。
即，连接在馈电线SL、SLs上的其他的布线层XL能够不受本来必须形成在树脂基板PB上的信号线WL的配置的拘束、用自由的布局来形成。
在这种情况下，连接各馈电线SL的各自的布线层XL由布线层SLg相互连接。
(实施例16)图15(a)是表示本发明的图像显示装置的其他的实施例的俯视图，是与图14对应的图。还有，图15(b)是沿图15(a)的b-b线的剖面图。
与图14的情况比较不同的结构在于连接各馈电线SL的各自的布线层XL形成在透明基板SUB1侧。
(实施例17)上述各实施例不是仅限定于各种液晶显示装置或者这些液晶显示装置，当然也能够适用于其他的图像显示装置。
如从以上的说明所明了的那样，采用本发明的图像显示装置能够得到没有显示的亮度不匀匀的图像显示装置。
权利要求
1.一种图像显示装置，具有如下的结构具有并列设置在基板的像素形成侧的面上的多个漏信号线；上述各漏信号线，按每个相互邻接的多个漏信号线结合成组，各自的结合成组的各漏信号线的一端相互收拢延伸与构成图像信号驱动电路的半导体集成电路的输出端子连接；具有形成在像素的集合体的至少上述图像信号驱动电路一侧的外轮廓侧上，用于向各像素供给基准信号的总线线路；具有从上述半导体集成电路的两侧沿结合成组的漏信号线的外侧配置，连接在上述总线线路上的第1馈电线；和从上述半导体集成电路的两侧向着该总线线路中结合成组的该漏信号线的大体中央部的地方，与该总线线路连接的第2馈电线。
2.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于还具有从上述半导体集成电路的两侧，连接在该总线线路中的上述第1馈电线的连接部和上述第2馈电线的连接部之间的总线线路上的第3馈电线。
3.根据权利要求1或者2所述的图像显示装置，其特征在于第2馈电线中介绝缘膜形成在与上述漏信号线不同的层上。
4.根据权利要求1或者2所述的图像显示装置，其特征在于结合成组的漏信号线的数目是偶数个。
5.一种图像显示装置，具有以下的结构在基板的像素形成侧的面上形成并列设置的多个栅信号线；上述各栅信号线，按每个相互邻接的多个栅信号线结合成组，各自的结合成组的各栅信号线的一端相互收拢延伸与构成扫描信号驱动电路的半导体集成电路的输出端子连接；具有形成在像素的集合体的至少上述扫描信号驱动电路侧的外轮廓侧上，用于向各像素供给基准信号的总线线路；具有从上述半导体集成电路的两侧沿结合成组的栅信号线的外侧连接在上述总线线路上的第1馈电线；和从上述半导体集成电路的两侧向着该总线线路中结合成组的该栅信号线的大体中央部的地方，与该总线线路连接的第2馈电线。
6.根据权利要求5所述的图像显示装置，其特征在于还具有从上述半导体集成电路的两侧连接在该总线线路中的上述第1馈电线的连接部和上述第2馈电线的连接部之间的总线线路上的第3馈电线。
7.根据权利要求5或者6所述的图像显示装置，其特征在于第2馈电线中介绝缘膜形成在与上述栅信号线不同的层上。
8.根据权利要求5或者6所述的图像显示装置，其特征在于结合成组的栅信号线的数目是偶数。
9.一种图像显示装置，具有如下的结构具有并列设置在基板的像素形成侧的面上的多个信号线；上述各信号线，按每个相互邻接的多个信号线结合成组，各自的结合成组的各信号线的一端相互收拢延伸，与构成信号驱动电路并搭载在上述基板上的半导体集成电路的输出端子连接；具有形成在像素的集合体的至少上述信号驱动电路侧的外轮廓侧上，用于向各像素供给基准信号的总线线路；通过形成在上述半导体集成电路的搭载区上的馈电线给该总线线路供给基准信号。
10.根据权利要求9所述的图像显示装置，其特征在于上述馈电线由多个的馈电线构成。
11.一种图像显示装置，具有如下的结构具有并列设置在基板的像素形成侧的面上的多个信号线；上述各信号线，按每个相互邻接的多个信号线结合成组，各自的结合成组的各信号线的一端相互收拢延伸，与构成信号驱动电路的半导体集成电路的输出端子连接；上述半导体集成电路由树脂基板，搭载在该树脂基板上的半导体芯片，以及在该树脂基板的面上引出该半导体芯片的端子的布线层构成；在上述像素的集合体的至少上述信号驱动电路侧的外轮廓侧上，形成用于向各像素供给基准信号的总线线路；经由形成在上述半导体集成电路的树脂基板面上的馈电线给该总线线路供给基准信号。
12.根据权利要求11所述的图像显示装置，其特征在于上述馈电线形成在与形成在上述半导体集成电路的树脂基板上的上述布线层相反侧的面上。
13.一种图像显示装置，具有如下的结构具有并列设置在基板的像素形成侧的面上的多个漏信号线；上述各漏信号线，按每个相互邻接的多个漏信号线结合成组，各自的结合成组的各漏信号线的一端相互收拢延伸，与构成图像信号驱动电路的半导体集成电路的输出端子连接；具有形成在像素的集合体的至少上述图像信号驱动电路侧的外轮廓侧上，用于向各像素供给基准信号的总线线路；具有从上述半导体集成电路的两侧沿结合成组的漏信号线的外侧配置，连接在上述总线线路上的2根第1馈电线；和从上述半导体集成电路配置在上述2根第1馈电线之间，连接在上述总线线路上的第2馈电线。
14.根据权利要求13所述的图像显示装置，其特征在于上述第2馈电线连接在上述2根第1馈电线所连接的总线线路的中央附近。
全文摘要
本发明提供一种图像显示装置，得到没有显示的亮度不匀匀的显示装置。在基板的像素形成侧的面上形成并列设置的多个漏信号线，上述各漏信号线相互邻接的漏信号线彼此间结合成组，并且各自的结合成组的各漏信号线的一端相互收拢延伸，连接在构成图像信号驱动电路的半导体集成电路的输出端子上，形成有形成在像素的集合体的至少上述图像信号驱动电路侧的外轮廓侧上、用于在各像素上供给基准信号的总线线路，形成从上述半导体集成电路的两侧沿着结合成组的漏信号线的外侧连接在上述总线线路上的第1馈电线，和从上述半导体集成电路的两侧到该总线线路中结合成组的该漏信号线(DL)的大体中央部的位置，连接在该总线线路上的第2馈电线。
文档编号G02F1/1345GK1460881SQ0312380
公开日2003年12月10日 申请日期2003年5月14日 优先权日2002年5月15日
发明者石井正宏, 仲吉良彰, 松田正昭, 柳川和彦 申请人:株式会社日立显示器