专利名称：半穿透反射式液晶显示面板的画素结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示面板的画素结构，特别是一种半穿透反射式液晶显示面板的画素结构。
背景技术：
随着薄膜晶体管制作技术快速的进步，液晶显示器由于具备了轻薄、省电、无幅射线等优点，而大量的应用于个人数字助理器、笔记型计算机、数字相机、摄录像机、移动电话等各式电子产品中。然而，由于液晶显示器是一非自发光的显示器，因此，传统上，是以一冷阴极灯管作为背光源，所产生的光线穿透扩散膜、偏光片等光学膜层，形成一均匀的平面光射入液晶显示面板，藉以呈现影像。
一般而言，背光源所产生的光线仅有不到10％可以穿出液晶显示面板并应用在显示上，其余的光能量均在穿透光学膜层与液晶显示面板的过程中被吸收。为了解决上述问题，反射式液晶显示器被开发出来。反射式液晶显示器是利用环境光线取代背光源的功能，因而不需装置冷阴极灯管与相关光学膜层于显示器之中。藉此，除了可以节省显示器的能量消耗，更可以降低显示器的尺寸与重量。然而，当周围环境偏暗，反射式液晶显示器无法获得足够的环境光线，将导致显示效果大打折扣。
为了克服上述问题，半穿透反射式液晶显示器被开发出来。半穿透反射式液晶显示器同时兼具有穿透式与反射式液晶显示器的功能，可以根据需求，使用环境光线或是背光源作为照明。因此，当环境光线充足，可以选择使用环境光线以为照明，以节省能量消耗。当环境光线不足，可以选择使用背光源以为照明，以获得理想的显示效果。
请参照图1，显示一典型黑底(Normal Black，NB)半穿透反射式液晶显示器的画素结构。包括一上基板100、一下基板300与夹合于上下基板100与300间的液晶分子层200。上基板100具有一玻璃基材108为主体，此玻璃基材108的上表面依序制作有四分之一波板106与第一偏光膜104，而其下表面依序制作有一彩色滤光层102与共同电极110。下基板具有一玻璃基材308为主体，此玻璃基材308的下表面依序制作有四分之一波板306与第二偏光膜304，而其上表面制作有一反射板314，藉以区分为一覆盖有反射板314的反射区与一穿透区。此外，一画素电极310是制作于反射区与穿透区上，并覆盖反射板314。藉由共同电极110与画素电极310间的电位差驱动液晶分子转动，以达到显示的目的。
请参照图2A与图2B，显示图1中的半穿透反射式液晶显示面板，在未通入操作电压的情况下，其运作的示意图。如图2A所示，在反射区中，环境光线A首先穿透第一偏光膜104形成线偏振光A1，随后，穿透四分之一波板106，由于此四分之一波板106的主轴(principal axes)方向与第一偏光膜的穿透轴(transmission axis)方向夹有45度角，因此，此线偏振光A1形成一圆偏振光A2穿出此四分之一波板106。在未通入操作电压的情况下，液晶分子层(未图标)并不会对此圆偏振光A2产生影响，因此，此圆偏振光A2经反射板314反射后，仍旧以圆偏振光的形式，射入四分之一波板106。随后，形成线偏振光A3穿出此四分之一波板106。值得注意的是，线偏振光A3的电场偏振方向与线偏振光A1的电场偏振方向相互垂直，亦即与第一偏光膜104的穿透轴方向相互垂直，因此，线偏振光A3无法穿过第一偏光膜104反射出显示面板。
如图2B所示，在穿透区中，背光B首先穿透第二偏光膜304形成线偏振光B1，随后，依序穿透四分之一波板306、液晶分子层(未图标)与四分之一波板106，由于在未通入操作电压的情况下，液晶分子并不会对此线偏振光B1产生影响，并且，四分之一波板306与106的快轴(fast axis)方向是相互垂直，导致对线偏振光B1所产生的相位延迟(retardation)效果是相互抵消，是以穿出四分之一波板106的线偏振光B2，其偏振方向与线偏振光B1相同。此外，由于第一偏光膜104与第二偏光膜304的穿透轴方向相互垂直，因此，上述线偏振光B2无法穿过第一偏光膜104射出显示面板。
请参照图3A与图3B，显示图1中的半穿透反射式液晶显示面板，在通入操作电压的情况下，其运作的示意图。如图3A所示，在反射区中，环境光线A首先穿透第一偏光膜104形成线偏振光A4，随后，穿透四分之一波板106，由于此四分之一波板106的主轴方向与第一偏光膜104的穿透轴方向夹有45度角，因此，此线偏振光A4形成一圆偏振光A5穿出此四分之一波板106。此圆偏振光A5依序穿透液晶分子层200，经反射板314反射后，再次穿透此液晶分子层200。在最佳反射显示的情况下，藉由调整适当的操作电压值及液晶层厚度，使上述液晶分子层200产生相当于四分之一波长的相位延迟效果。再加上反射的效果，而形成与圆偏振光A5偏振方向相同的圆偏振光A6穿出液晶分子层200。随后，此圆偏振光A6形成线偏振光A7穿出四分之一波板106。值得注意的是，此线偏振光A7的偏振方向与第一偏光膜104的穿透轴方向相同，因此，可避免线偏振光A7被第一偏光膜104所遮蔽，以获得最高效率的反射显示效果。
如图3B所示，在穿透区中，背光B首先穿透第二偏光膜304形成线偏振光B3，随后，依序穿透四分之一波板306、液晶分子层200与四分之一波板106。在最佳穿透显示的情况下，藉由调整适当的操作电压值，使上述液晶分子层200产生相当于二分之一波长的相位延迟。因而使穿出四分之一波板106的线偏振光B4，其偏振方向与线偏振光B3互相垂直。此外，由于第一偏光膜104与第二偏光膜304的穿透轴方向相互垂直，可避免线偏振光B4被第一偏光膜104所遮蔽，以获得最高效率的穿透显示效果。
一般而言，请参照图1，在典型半穿透反射式液晶显示面板的反射区与穿透区中，画素电极310与共同电极110的距离大致相同。是以操作电压在反射区与穿透区所产生的电场强度也大致相同。然而，如上所述，在最佳反射显示的情况下，液晶分子层200必须产生相当于四分之一波长的相位延迟效果，而在最佳穿透显示的情况下，液晶分子层200必须产生相当于二分之一波长的相位延迟效果。因此，无法同时符合最佳反射显示与最佳穿透显示的要求，而必须在二者之间取得妥协。
有鉴于此，本发明提出一种半穿透反射式液晶显示器的画素结构，藉由在反射区与穿透区提供不同的电场强度，以同时符合上述最佳反射显示与最佳穿透显示的要求。
发明内容
本发明的目的是藉由改变反射区与穿透区的电场强度，使液晶分子层在反射区与穿透区产生不同的相位延迟，藉以改善半穿透反射式液晶显示器的显示效果。
本发明的上述目的是由如下技术方案来实现的。
一种半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，包括一上基板；一下基板，制作于该上基板的下方，该下基板的上表面区分为一覆盖有反射层的反射区与一穿透区；其特征是一混成向列型液晶分子层，是夹合于该上下基板之间；一第一画素电极与一第一共同电极，是制作于该反射区上，间隔一第一预定距离，产生横向电场以驱动液晶分子转向；一第二画素电极与一第二共同电极，是制作于该穿透区上，间隔一第二预定距离，产生横向电场以驱动液晶分子转向，并且，该第一预定距离是大于该第二预定距离；当一操作电压输入该画素结构，在该反射区上的该液晶分子层产生的相位延迟小于在该穿透区上的该液晶分子层。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是在输入该操作电压前，该混成向列液晶分子层预置有四分之一波长的相位延迟效果，以产生四分之一波板的功能。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板的下表面制作有第一配向膜，并且该下基板的上表面制作有第二配向膜，并且，该第二配向膜所具有的预倾角是大于该第一配向膜的预倾角，藉以使该上下基板间的向列型液晶分子呈混成状排列。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板的下表面制作有第一配向膜，并且该下基板的上表面制作有第二配向膜，并且，该第二配向膜所具有的预倾角是小于该第一配向膜的预倾角，藉以使该上下基板间的向列型液晶分子呈混成状排列。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板的下表面制作有横向配向膜，该下基板的上表面制作有垂直配向膜，藉以使该上下基板间的向列型液晶分子呈混成状排列。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板的下表面制作有垂直配向膜，该下基板的上表面制作有横向配向膜，藉以使该上下基板间的向列型液晶分子呈混成状排列。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该下基板包括四分之一波板制作于一玻璃基材下表面。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板包括第一偏光膜制作于一玻璃基材上表面，该下基板包括四分之一波板与第二偏光膜由上而下制作于一玻璃基材下表面，并且，该第二偏光膜与该第二偏光膜的偏光方向是互相垂直。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板包括二分之一波板制作于该第一偏光膜下，该下基板包括二分之一波板制作于该第二偏光膜上。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该二画素电极与该二共同电极均以铟锡氧化物为材料。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该二画素电极与该二共同电极均呈长条状突起制作于该下基板上。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是是应用于黑底的半穿透反射式液晶显示器。
一种半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，包括一上基板，包括第一偏光膜制作于该上基板的上表面；一下基板，制作于该上基板的下方，该下基板包括四分之一波板与第二偏光膜由上而下制作于该下基板的下表面，并且，该下基板的上表面可区分为一覆盖有反射层的反射区与一穿透区；其特征是一混成向列型液晶分子层，是夹合于该上下基板之间，并且呈现相当于四分之一波长的相位延迟；一第一画素电极与一第一共同电极，是呈长条状突起制作于该反射区上，间隔一第一预定距离，产生横向电场以驱动液晶分子转向；一第二画素电极与一第二共同电极，是呈长条状突起制作于该穿透区上，间隔一第二预定距离，产生横向电场以驱动液晶分子转向，并且，该第一预定距离是大于该第二预定距离；当一操作电压输入该画素结构，在该反射区上的该液晶分子层的相位延迟效果由四分之一波长增加为二分之一波长，而在该穿透区上的该液晶分子层的相位延迟效果由四分之一波长增加为四分之三波长，以达最大显示亮度。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板的下表面制作有第一配向膜，并且该下基板的上表面制作有第二配向膜，并且，该第二配向膜所具有的预倾角是大于该第一配向膜的预倾角，藉以使该上下基板间的向列型液晶分子呈混成状排列。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板的下表面制作有第一配向膜，并且该下基板的上表面制作有第二配向膜，并且，该第二配向膜所具有的预倾角是小于该第一配向膜的预倾角，藉以使该上下基板间的向列型液晶分子呈混成状排列。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板的下表面制作有横向配向膜，该下基板的上表面制作有垂直配向膜，藉以使该上下基板间的向列型液晶分子呈混成状排列。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板的下表面制作有垂直配向膜，该下基板的上表面制作有横向配向膜，藉以使该上下基板间的向列型液晶分子呈混成状排列。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板包括二分之一波板制作于该第一偏光膜下，该下基板包括二分之一波板制作于该第二偏光膜上。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该二画素电极与该二共同电极均以铟锡氧化物为材料。
所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是是应用于黑底的半穿透反射式液晶显示器。
本发明的半穿透反射式液晶显示面板画素结构，包括一上基板与一下基板，并且，下基板的上表面区分为一覆盖有反射层的反射区与一穿透区。一混成向列型液晶分子层是夹合于上下基板之间。第一画素电极与第一共同电极，是制作于反射区上，间隔第一预定距离，藉以产生横向电场，以驱动液晶分子转向。而第二画素电极与第二共同电极，是制作于该穿透区上，间隔第二预定距离，藉以产生横向电场以驱动液晶分子转向。并且，上述第一预定距离是大于第二预定距离，因此，当一操作电压输入此画素结构，在反射区上液晶分子层产生的相位延迟效果小于在穿透区上的液晶分子层。
相较于传统的半穿透反射式液晶显示器，本发明具有下列优点1、本发明半穿透反射式液晶显示器的画素结构中，藉由调整上述第一预定距离与第二预定距离的大小，可以在反射区与穿透区产生不同强度的横向电场E1与E2。藉以使反射区与穿透区的混成向列型液晶分子层，产生不同大小的相位延迟，以分别符合最佳反射显示与最佳穿透显示的需求。
2、在未通有操作电压的情况下，本发明的混成向列型液晶分子层是预置有相当于四分之一波长的相位延迟。因此，相较于图1传统的半穿透反射式液晶显示器，本发明的半穿透反射式液晶显示器省去了四分之一波板106。
3、本发明所使用的混成向列型液晶分子层，具有较传统半穿透反射式液晶显示器所使用的超扭曲向列型液晶分子层200更快的反应速度，因此，可以改善液晶显示器的显示效果。
关于本发明的优点与精神可以藉由以下的实施例结合附图的详述得到进一步的了解。
图1是一典型黑底半穿透反射式液晶显示器画素结构的示意图。
图2A与图2B是在未通入操作电压的情况下，一典型半穿透反射式液晶显示面板运作的示意图。
图3A与图3B是在通有操作电压的情况下，一典型半穿透反射式液晶显示面板运作的示意图。
图4是本发明半穿透反射式液晶显示器画素结构一较佳实施例的示意图。
图5A与图5B是在未通入操作电压的情况下，本发明半穿透反射式液晶显示面板运作的示意图。
图6A与图6B是在通有操作电压的情况下，本发明半穿透反射式液晶显示面板运作的示意图。
具体实施例方式
请参照图4，显示本发明半穿透反射式液晶显示器的画素结构一较佳实施例。此画素结构包括一上基板100、一下基板300与夹合于上下基板100与300间的向列型(Nematic)液晶分子层400。上基板100具有一玻璃基材108为主体，此玻璃基材108的上表面制作有偏光膜104，而其下表面依序制作有一彩色滤光层102与第一配向膜120。第一配向膜120是提供液晶分子配向的效果，使得液晶分子长轴与水平面夹有第一预倾角a。下基板300具有一玻璃基材308为主体，此玻璃基材308的下表面依序制作有四分之一波板306与第二偏光膜304，而其上表面制作有一反射板314，藉以将下基板300的上表面区分为一覆盖有反射板314的反射区与一穿透区。此外，一第二配向膜320是制作于反射区与穿透区上，并覆盖反射板314，并且使液晶分子长轴与水平面夹有大角度的第二预倾角b。
第一画素电极402与第一共同电极404是制作于反射区，位于第二配向膜320上，并且，间隔第一预定距离d1以产生横向电场E1。第二画素电极406与第二共同电极408是制作于穿透区，位于第二配向膜320上，并且，间隔第二预定距离d2以产生横向电场E2。值得注意的是，此第一预定距离d1是大于第二预定距离d2，因此，产生于反射区的横向电场E1是小于产生于穿透区的横向电场E2。
上述第二预倾角b是接近垂直，以提供液晶分子层400一垂直配向的效果，而第一预倾角a接近水平，以提供液晶分子层400横向配向的效果。因此，液晶分子在第一配向膜120与第二配向膜320之间，其长轴方向逐渐由横向走向转为垂直走向，而呈现混成(hybrid)排列。藉此，上述二画素电极402、406与二共同电极404、408之间，所产生的横向电场E1与E2，可以驱动液晶分子转为横向走向，以达到显示的目的。
就一较佳实施例而言，上述二画素电极402、406与二共同电极404、408，可以成长条状凸起于下基板300上，提供一均匀的横向电场。此外，藉由适当调整上下基板100与300间的距离t，以及上述第一预倾角a与第二预倾角b的大小，在未通入操作电压的情况下，在此混成向列型(Hybrid Nematic)液晶分子层400中，预置有相当于四分之一波长的相位延迟效果。并且，藉由调整上述第一预定距离d1与第二预定距离d2的大小，使通入操作电压的情况下，在反射区的液晶分子层400产生相当于二分之一波长的相位延迟效果，同时，在穿透区的液晶分子层400产生相当于四分之三波长的相位延迟效果。
请参照图5A与图5B，显示上述本发明半穿透反射式液晶显示面板，在未通入操作电压的情况下，其运作的示意图。如图5A所示，在反射区中，环境光线C首先穿透第一偏光膜104形成线偏振光C1，随后，此线偏振光C1穿透液晶分子层400，经反射板314反射后，再度穿透此液晶分子层400。如上所述，由于此液晶分子层400预置有相当于四分之一波长的相位延迟效果。因此，液晶分子层400一共提供相当于二分之一波长的相位延迟效果，使线偏振光C1转变为线偏振光C2穿出此液晶分子层400，并且，线偏振光C2的电场偏振方向是垂直于线偏振光C1。因此，线偏振光C2将无法穿过第一偏光膜104反射出显示面板。
如图5B所示，在穿透区中，背光D首先穿透第二偏光膜304形成线偏振光D1，随后，依序穿透四分之一波板306与液晶分子层400。此四分之一波板306与液晶分子层400的快轴方向相互垂直，因此，对线偏振光D1所产生的相位延迟效果是相互抵消。是以穿出液晶分子层400的线偏振光D2，其偏振方向与线偏振光D1相同。此外，由于第一偏光膜104与第二偏光膜304的穿透轴方向相互垂直，因此，上述线偏振光D2无法穿过第一偏光膜104射出显示面板。
请参照图6A与图6B，显示图4中的半穿透反射式液晶显示面板，在通入操作电压的情况下，其运作的示意图。如图6A所示，在反射区中，环境光线C首先穿透第一偏光膜104形成线偏振光C3，随后，此线偏振光C3穿透液晶分子层400，经反射板314反射后，再度穿透此液晶分子层400。在最佳反射显示的情况下，藉由调整适当的操作电压值，使上述液晶分子层400产生相当于二分之一波长的相位延迟效果。因此，液晶分子层400一共提供相当于一个波长的相位延迟效果，使线偏振光C3形成线偏振光C4穿出此液晶分子层400。值得注意的是，此线偏振光C4的偏振方向与第一偏光膜104的穿透轴方向相同，因此，可避免线偏振光C4被第一偏光膜104所遮蔽，以获得最高效率的反射显示效果。
如图6B所示，在穿透区中，背光D首先穿透第二偏光膜304形成线偏振光D3，随后，穿透四分之一波板306，由于此四分之一波板306的主轴方向与第二偏光膜的穿透轴方向夹有45度角，因此，此线偏振光D3形成一圆偏振光D4穿出此四分之一波板306并穿入液晶分子层400。在最佳穿透显示的情况下，藉由调整适当的操作电压值，使上述液晶分子层400产生相当于四分之三波长的相位延迟效果。因此，此圆偏振光D4转变为一线偏振光D5穿出此液晶分子层400。值得注意的是，可选定四分之一波板306与液晶分子层400的快轴方向，使液晶分子层400与四分之一波板306的相位延迟效果相互抵消，藉以使线偏振光D5垂直于线偏振光D3。由于第一偏光膜104与第二偏光膜304的穿透轴方向相互垂直，因此，可避免线偏振光D5被第一偏光膜104所遮蔽，以获得最高效率的穿透显示效果。
以上所述是利用较佳实施例详细说明本发明，而非限制本发明的范围，而且熟知此类技艺人士皆能明了，适当而作些微的改变及调整，仍将不失本发明的要义所在，亦不脱离本发明的精神和范围。
权利要求
1.一种半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，包括一上基板；一下基板，制作于该上基板的下方，该下基板的上表面可区分为一覆盖有反射层的反射区与一穿透区；其特征是一混成向列型液晶分子层，是夹合于该上下基板之间；一第一画素电极与一第一共同电极，是制作于该反射区上，间隔一第一预定距离，产生横向电场以驱动液晶分子转向；一第二画素电极与一第二共同电极，是制作于该穿透区上，间隔一第二预定距离，产生横向电场以驱动液晶分子转向，并且，该第一预定距离是大于该第二预定距离；当一操作电压输入该画素结构，在该反射区上的该液晶分子层产生的相位延迟小于在该穿透区上的该液晶分子层。
2.根据权利要求1所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是在输入该操作电压前，该混成向列液晶分子层预置有四分之一波长的相位延迟效果，以产生四分之一波板的功能。
3.根据权利要求1所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板的下表面制作有第一配向膜，并且该下基板的上表面制作有第二配向膜，并且，该第二配向膜所具有的预倾角是大于该第一配向膜的预倾角，藉以使该上下基板间的向列型液晶分子呈混成状排列。
4.根据权利要求1所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板的下表面制作有第一配向膜，并且该下基板的上表面制作有第二配向膜，并且，该第二配向膜所具有的预倾角是小于该第一配向膜的预倾角，藉以使该上下基板间的向列型液晶分子呈混成状排列。
5.根据权利要求1所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板的下表面制作有横向配向膜，该下基板的上表面制作有垂直配向膜，藉以使该上下基板间的向列型液晶分子呈混成状排列。
6.根据权利要求1所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板的下表面制作有垂直配向膜，该下基板的上表面制作有横向配向膜，藉以使该上下基板间的向列型液晶分子呈混成状排列。
7.根据权利要求1所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该下基板包括四分之一波板制作于一玻璃基材下表面。
8.根据权利要求1所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板包括第一偏光膜制作于一玻璃基材上表面，该下基板包括四分之一波板与第二偏光膜由上而下制作于一玻璃基材下表面，并且，该第二偏光膜与该第二偏光膜的偏光方向是互相垂直。
9.根据权利要求1所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板包括二分之一波板制作于该第一偏光膜下，该下基板包括二分之一波板制作于该第二偏光膜上。
10.根据权利要求1所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该二画素电极与该二共同电极均以铟锡氧化物为材料。
11.根据权利要求1所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该二画素电极与该二共同电极均呈长条状突起制作于该下基板上。
12.根据权利要求1所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是是应用于黑底的半穿透反射式液晶显示器。
13.一种半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是包括一上基板，包括第一偏光膜制作于该上基板的上表面；一下基板，制作于该上基板的下方，该下基板包括四分之一波板与第二偏光膜由上而下制作于该下基板的下表面，并且，该下基板的上表面可区分为一覆盖有反射层的反射区与一穿透区；其特征是一混成向列型液晶分子层，是夹合于该上下基板之间，并且呈现相当于四分之一波长的相位延迟；一第一画素电极与一第一共同电极，是呈长条状突起制作于该反射区上，间隔一第一预定距离，产生横向电场以驱动液晶分子转向；一第二画素电极与一第二共同电极，是呈长条状突起制作于该穿透区上，间隔一第二预定距离，产生横向电场以驱动液晶分子转向，并且，该第一预定距离是大于该第二预定距离；当一操作电压输入该画素结构，在该反射区上的该液晶分子层的相位延迟效果由四分之一波长增加为二分之一波长，而在该穿透区上的该液晶分子层的相位延迟效果由四分之一波长增加为四分之三波长，以达最大显示亮度。
14.根据权利要求13所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板的下表面制作有第一配向膜，并且该下基板的上表面制作有第二配向膜，并且，该第二配向膜所具有的预倾角是大于该第一配向膜的预倾角，藉以使该上下基板间的向列型液晶分子呈混成状排列。
15.根据权利要求13所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板的下表面制作有第一配向膜，并且该下基板的上表面制作有第二配向膜，并且，该第二配向膜所具有的预倾角是小于该第一配向膜的预倾角，藉以使该上下基板间的向列型液晶分子呈混成状排列。
16.根据权利要求13所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板的下表面制作有横向配向膜，该下基板的上表面制作有垂直配向膜，藉以使该上下基板间的向列型液晶分子呈混成状排列。
17.根据权利要求13所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板的下表面制作有垂直配向膜，该下基板的上表面制作有横向配向膜，藉以使该上下基板间的向列型液晶分子呈混成状排列。
18.根据权利要求13所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该上基板包括二分之一波板制作于该第一偏光膜下，该下基板包括二分之一波板制作于该第二偏光膜上。
19.根据权利要求13所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是该二画素电极与该二共同电极均以铟锡氧化物为材料。
20.根据权利要求13所述的半穿透反射式液晶显示面板的画素结构，其特征是是应用于黑底的半穿透反射式液晶显示器。
全文摘要
一种半穿透反射式液晶显示面板画素结构，包括一上基板与一下基板。下基板的上表面可区分为一覆盖有反射层的反射区与一穿透区。混成向列型液晶分子层是夹合于上下基板之间。第一画素电极与第一共同电极是间隔第一预定距离制作于反射区上，以产生横向电场驱动液晶分子转向。第二画素电极与第二共同电极，是间隔第二预定距离制作于穿透区上，以产生横向电场驱动液晶分子转向。并且，第一预定距离大于第二预定距离。因此，当一操作电压输入此画素结构，反射区上液晶分子层产生的相位延迟小于在穿透区上的液晶分子层。
文档编号G02F1/1337GK1544978SQ20031011358
公开日2004年11月10日 申请日期2003年11月14日 优先权日2003年11月14日
发明者林敬桓 申请人:友达光电股份有限公司