专利名称：用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示器(LCD)，更为特别地，涉及用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法。
背景技术：
通常，液晶显示器(LCD)包括两个被间隔开并彼此面对的基板、以及介于两个基板之间的液晶层。每个基板包括电极，且各基板的电极也彼此面对。向各电极施加电压，因此在电极之间产生电场。通过改变电场的强度或方向来改变液晶分子排列。LCD器件通过根据液晶分子的排列改变光透射率来显示图像。
下文中将参考附图详细描述现有技术的LCD器件。
图1是示出现有技术LCD器件11的分解透视图。现有技术的LCD器件11具有被间隔开并彼此面对的上和下基板5和22，且还具有介于上基板5和下基板22之间的液晶15。
上基板5包括依序在其内侧(即面对下基板22的一侧)上形成的黑底6、滤色器层7和公共电极9。黑底6具有多个开口。滤色器层7对应于黑底6中的开口并包括红(R)、绿(G)和蓝(B)三个子滤色器。公共电极9形成在滤色器7上且为透明的。
在下基板22的内表面(即面对上基板5的一侧)上形成至少一个选通线12和至少一个数据线34。选通线12和数据线34彼此交叉以限定像素区域P。在选通线12和数据线34的交叉处形成作为开关元件的薄膜晶体管T。该薄膜晶体管T包括栅电极、源电极和漏电极。多个这样的薄膜晶体管以矩阵形式排布以对应于选通线和数据线的交叉。连接于薄膜晶体管T的像素电极56形成在像素区域P中。该像素电极56对应于子滤色器并由透光较好的诸如铟锡氧化物(ITO)的透明导电材料制成。包括以矩阵形式排布的薄膜晶体管T和像素电极56的下基板22一般可以称之为阵列基板。
在操作中，通过选通线12向薄膜晶体管T的栅电极施加扫描脉冲，并通过数据线34向薄膜晶体管T的源电极施加数据信号。
取决于液晶15的电和光效应来驱动LCD器件11。液晶15是具有自发极化特性的介电各向异性材料。当被施加电压时，液晶15通过自发极化形成偶极子，并因此通过电场来排列液晶分子。由于根据液晶的排列而变化的液晶的光学特性而发生光学调制。通过根据光学调制控制光透射性来产生LCD器件的图像。
由于通过复杂的工艺制造LCD器件，已经尝试通过简化工艺来减少制造时间和成本。
对此，作为一种方法，根据利用五至七个掩模的工艺，已经通过利用四个掩模的工艺(可以称之为四掩模工艺)制造用于LCD器件的阵列基板。
图2示出根据现有技术通过四掩模工艺制造的用于LCD器件的阵列基板。在图2中，选通线12和数据线34彼此交叉并限定像素区域P。在选通线和数据线12和34的交叉处形成作为开关元件的薄膜晶体管T。在选通线12的一端形成选通焊盘10，且在数据线34的一端形成数据焊盘36。具有岛状并由透明导电材料制成的选通焊盘端子58和数据焊盘端子60分别叠置在选通焊盘10和数据焊盘36上。
薄膜晶体管T包括连接到选通线12并接收扫描信号的栅电极14、连接到数据线34并接收数据信号的源电极40和与源电极40隔离开的漏电极42。薄膜晶体管T进一步包括在栅电极14与源漏电极40和42之间的有源层32。岛状的金属图形38叠置在选通线12上。
像素电极56形成在像素区域P中并连接到漏电极42。像素电极56在选通线12上延伸，并因此还连接到金属图形38。选通线12和金属图形38分别充当第一和第二存储电容器电极并与设置在选通线12和金属图形38之间的栅绝缘层(未示出)一起形成存储电容器Cst。
虽然在图中未示出，但是在有源层32与源漏电极40和42之间形成欧姆接触层。有源层32由非晶硅构成，而欧姆接触层由掺杂的非晶硅形成。包括非晶硅和掺杂非晶硅的第一图形35和第二图形29分别形成在数据线34和金属图形38的下面。
如上所述，利用四个掩模制造图2的阵列基板，参考附图在下文中描述制造该阵列基板的制造工艺。
图3A至3G、图4A至4G和图5A至5G是分别沿图2的III-III’、IV-IV’和V-V’展示出根据现有技术制造阵列基板的方法的横截面图。
如图3A、4A和5A中所示，通过淀积第一金属层并通过利用第一掩模的第一光刻工艺(即第一掩模工艺)对第一金属层构图，在透明绝缘基板22上形成选通线12、栅电极14和选通焊盘10。选通线12、栅电极14和选通焊盘10由诸如铝(Al)、铝合金、钼(Mo)、钨(W)和铬(Cr)的金属材料制成。由铝或铝合金制成的选通线12、栅电极14和选通焊盘10由包括钼或铬的双层形成。
接着，依序在包括在其上的选通线12、栅电极14和选通焊盘10的基板22上淀积栅绝缘层16、非晶硅层18、掺杂非晶硅层20和第二金属层24。栅绝缘层16充当第一绝缘层，且其由诸如氮化硅(SiNX)和氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料制成。第二金属材料24由铬、钼、钨和钽(Ta)中的一种形成。
如图3B、4B和5B中所示，在第二金属层24上通过涂敷光致抗蚀剂形成光致抗蚀剂层26。光致抗蚀剂层26可以是正性的，曝光的部分被显影并除去。随后，光致抗蚀剂层26曝光。将具有透射部分A、阻挡部分B和半透射部分C(可以称之为狭缝部分)的第二掩模70间隔开设置在光致抗蚀剂层26上方。半透射部分C对应于栅电极14。对应于半透射部分C的光致抗蚀剂层26比对应于透射部分A的光致抗蚀剂层26曝光较少。
如图3C、4C和5C中示出，显影图3B、4B和5B的被曝光的光致抗蚀剂层26，并形成光致抗蚀剂图形26a。由于第二掩模70各部分的不同透射率，光致抗蚀剂图形26a具有不同厚度。光致抗蚀剂26a的第一厚度对应于图3B、4B和5B的阻挡部分B，而比第一厚度薄的光致抗蚀剂图形26a的第二厚度对应于图3B、4B和5B的半透射部分C。
如图3D、4D和5D中所示，除去由光致抗蚀剂图形26a暴露的图3C、4C和5C的第二金属层24、掺杂非晶硅层20和非晶硅层18。因此形成源漏图形28、图2的数据线34、数据焊盘36、掺杂的非晶硅图形32a和有源层30。通过湿法蚀刻的方法蚀刻图3C、4C和5C的第二金属层24，且通过干法蚀刻的方法对图3C、4C和5C的掺杂非晶硅层20和非晶硅层18构图。源漏图形28形成在栅电极14上方并连接于图2的数据线34，数据线34在该图中垂直延伸。掺杂非晶硅图形32a和有源层30具有与源漏图形28和数据线34相同的形状。
此时，在选通线12上还形成岛状金属图形38。形成包括非晶硅层和掺杂非晶硅层的第一图形35和第二图形29。第一图形35位于数据线34和数据焊盘36的下方，而第二图形29位于金属图形38的下方。
接着，如图3E、4E和5E中所示，通过灰化工艺除去光致抗蚀剂图形26a的第二厚度，因此暴露源漏图形28。这里，还部分地除去第一厚度的光致抗蚀剂图形26a并减薄光致抗蚀剂图形26a的第一厚度。另外，除去光致抗蚀剂图形26a的边缘，暴露金属图形28、36和38。
如图3F、4F和5F中所示，蚀刻通过图3E的光致抗蚀剂图形26a暴露的图3E的源漏图形28和掺杂非晶硅图形32a。因此形成源和漏电极40和42以及欧姆接触层32。在源和漏电极40和42之间暴露的有源层30成为薄膜晶体管的沟道CH。源和漏电极40和42彼此间隔开。源和漏电极40和42之间的区域对应于图3B的第二掩模70的半透射部分C。
如果图3E的源漏图形28由钼(Mo)形成，可以利用干法蚀刻同时除去图3E的源漏图形28和掺杂非晶硅图形32a。然而，如果源漏图形28由铬(Cr)形成，通过湿法蚀刻的方法蚀刻源漏图形28，然后通过干法蚀刻的方法除去掺杂非晶硅图形32a。
如上所述，利用图3B、4B和5B的第二掩模70通过第二光刻工艺形成源和漏电极40和42、数据线34、数据焊盘36、金属图形38、欧姆接触层32和有源层30。
接着，除去光致抗蚀剂图形26a，通过涂敷诸如苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂的透明有机材料或淀积诸如氮化硅(SiNX)和氧化硅(SiO2)的无机材料，在数据线34、源和漏电极40和42、数据焊盘36、以及金属图形38上形成作为第二绝缘层的钝化层46。通过利用第三掩模的第三光刻工艺对钝化层46和栅绝缘层16构图，形成漏接触孔48、存储接触孔50、选通焊盘接触孔52和数据焊盘接触孔54。漏接触孔48、存储接触孔50、选通焊盘接触孔52和数据焊盘接触孔54分别暴露漏电极42、金属图形38、选通焊盘10和数据焊盘36。
如图3G、4G和5G中所示，通过淀积诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料并通过利用第四掩模的第四光刻工艺构图该透明导电材料，在钝化层46上形成像素电极56、选通焊盘端子58和数据焊盘端子60。像素电极56不仅通过漏接触孔48连接到漏电极42还通过存储接触孔50连接到金属图形38。选通焊盘端子58通过选通焊盘接触孔52连接到选通焊盘10，而数据焊盘端子60通过数据焊盘接触孔54连接到数据焊盘36。
如上所述，通过利用掩模的光刻工艺(即掩模工艺)制造阵列基板。光刻工艺包括清洗、涂敷光致抗蚀剂层、通过掩模曝光、显影光致抗蚀剂层和蚀刻的多个步骤。因此，可以通过减少光刻工艺的次数来降低制造时间、成本和故障。
发明内容
因此，本发明涉及基本上克服了由于现有技术的限制和缺点引起的一个或多个问题的用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法。
本发明的优点是提供由于缩短了工艺和降低成本而增加生产率的用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法。
本发明的其它特点和优点会在随后的说明书中阐述，其部分地会从说明书中了解或从本发明的实践中获得。通过在说明书和其权利要求书以及附图中特别指出的结构可以认识到并获得本发明的这些和其它优点。
为获得这些和其它优点并根据本发明的目的，如具体并广泛地描述的，用于液晶显示器的阵列基板包括基板上的选通线和选通焊盘，基板上的数据线和数据焊盘，数据线与选通线交叉以限定出像素区域；在选通线和数据线的交叉处的包括栅电极、有源层、源电极和漏电极的薄膜晶体管；设置在包括薄膜晶体管的基板的整个表面上的钝化层，其中蚀刻钝化层以暴露像素区域中的基板、部分漏电极、选通焊盘、和数据焊盘；以及在包括钝化层的基板上的像素电极、选通焊盘端子和数据焊盘端子，像素电极直接接触漏电极的暴露部分，选通焊盘端子接触暴露的选通焊盘，而数据焊盘端子接触数据焊盘。
在本发明的另一方案中，一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法包括通过第一掩模工艺在基板上形成选通线、选通焊盘和栅电极；通过第二掩模工艺在包括选通线、选通焊盘和栅电极的基板上形成数据线、数据焊盘、源电极、漏电极和有源层，其中数据线与选通线交叉以限定出像素区域，源电极从数据线延伸，漏电极与源电极隔离开，有源层设置在栅电极与源和漏电极之间；通过第三掩模工艺在包括数据线、源电极和漏电极的基板的整个表面上形成钝化层，钝化层被蚀刻以暴露出像素区域中的基板、部分漏电极、选通焊盘和数据焊盘；和通过在包括钝化层的基板的整个表面上淀积透明导电材料而形成像素电极、选通焊盘端子和数据焊盘端子，像素电极直接接触漏电极的暴露部分，选通焊盘端子直接接触选通焊盘，而数据焊盘端子直接接触数据焊盘。
可以理解前述总体描述和下面的详细描述是示例性的和解释性的，旨在对本发明权利要求提供进一步解释。
为提供对本发明的进一步理解且并入该说明书并作为其组成部分的附图示出本发明的实施例，并与说明书一起用来解释本发明的原理。
在附图中图1是示出现有技术液晶显示器(LCD)的分解透视图；图2是根据现有技术的用于LCD器件的阵列基板的平面图；图3A至3G、图4A至4G、图5A至5G是示出根据现有技术的制造阵列基板的方法的横截面图；图6是示出根据本发明实施例的用于液晶显示器(LCD)的阵列基板的平面图；图7A至7H、图8A至8H和图9A至9H是示出制造根据本发明的实施例的阵列基板的方法的图6的横截面图；和图10、图11和图12是示出根据本发明另一实施例的阵列基板的横截面图。
具体实施例方式
对在附图中示出的本发明的实施例作以详细描述。
图6是根据本发明的实施例的用于液晶显示器(LCD)的阵列基板的平面图。
如图6中所示，在透明绝缘基板100上形成多个选通线102和多个数据线132。选通线102和数据线132彼此交叉并限定出像素区域P。在选通线和数据线102和132的每一交叉处形成作为开关元件的薄膜晶体管T。在选通线102的一端形成选通焊盘106，而在数据线132的一端形成数据焊盘142。具有岛状的并由透明导电材料制成的选通焊盘端子164和数据焊盘端子166分别叠置在选通焊盘106和数据焊盘142上。
薄膜晶体管T由连接到选通线102并用于接收扫描信号的栅电极104、连接到数据线132并用于接收数据信号的源电极136和与源电极136分隔开的漏电极138组成。薄膜晶体管T还包括在栅电极104与源和漏电极136和138之间的有源层126。岛状金属图形134叠置在选通线102上。金属图形134可以由与数据线132相同的材料制成。
在每一个像素区域P中形成像素电极162。像素电极162不用接触孔而直接连接于漏电极138和金属图形134。选通线102和金属图形134分别充当第一和第二存储电容器电极，并与设置在选通线102和金属图形134之间的栅绝缘层(未示出)一起形成存储电容器Cst。
虽然未在图中示出，在有源层126与源和漏电极136和138之间形成欧姆接触层。有源层126由非晶硅制成，欧姆接触层由掺杂非晶硅形成。形成包括非晶硅层和掺杂非晶硅层的第一图形130和第二图形131。第一图形130位于数据线132和数据焊盘142的下方，而第二图形131位于金属图形134的下方。暴露有源层126和第一及第二图形130和131(即第一和第二图形130和131的非晶硅层)的边缘。
在基板100的整个表面上形成钝化层160，暴露像素电极162、选通焊盘端子164和数据焊盘端子166。
图7A至7H、图8A至8H和图9A至9H示出根据本发明的实施例制造阵列基板的方法，且分别为沿图6的线VII-VII’、VIII-VIII’和线IX-IX’的横截面。
首先如图7A、8A和9A中所示，通过淀积第一金属层并通过利用第一掩模的第一光刻工艺(即第一掩模工艺)对第一金属层构图来在透明绝缘基板100上形成选通线102、栅电极104和选通焊盘106。如上所述，栅电极104从选通线102延伸，选通焊盘106位于选通线102的一端。选通线102、栅电极104和选通焊盘106由诸如铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)和铬(Cr)的金属材料制成。为防止阻容(RC)延迟，广泛使用具有相对较低的电阻率的铝(Al)作为栅电极材料。然而，纯铝容易被酸腐蚀且可能引起由于高温下在后续工艺中的凸起(hillock)造成的线缺陷。因此可以使用铝合金或包括铝和其它金属材料(如钼)的双层。
如图7B、8B和9B中所示，随后在包括在其上的选通线102、栅电极104和选通焊盘106的基板100上淀积栅绝缘层108、非晶硅层110、掺杂非晶硅层112和第二金属层114。栅绝缘层108由诸如氮化硅(SiNX)和氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料制成。栅绝缘层108可以由诸如苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂的有机绝缘材料形成。第二金属层114由铬、钼、钨和钽(Ta)中的一种制成。
接着，通过涂敷光致抗蚀剂在第二金属层114上形成光致抗蚀剂层116。在光致抗蚀剂层116上方并与其间隔开设置具有透射部分E、阻挡部分F和半透射部分G的第二掩模170。半透射部分G可以包括多个狭缝且其对应于薄膜晶体管的沟道。光致抗蚀剂层116可以是正性的，因此显影并除去被曝光的部分。随后，曝光光致抗蚀剂层116，对应于半透射部分G的光致抗蚀剂层116的曝光小于对应于透射部分E的光致抗蚀剂层116。
如图7C、8C和9C中所示，显影图7B、8B和9B的光致抗蚀剂层116，形成具有不同厚度的光致抗蚀剂图形120a。光致抗蚀剂图形120a的第一厚度对应于图7B、8B和9B的阻挡部分F，薄于第一厚度的光致抗蚀剂图形120a的第二厚度对应于图7B的半透射部分G。
如图7D、8D和9D中所示，除去通过光致抗蚀剂图形120a暴露的图7C、8C和9C的第二金属层114、掺杂非晶硅层112和非晶硅层110。这样，形成源漏图形124、数据线132、数据焊盘142、掺杂非晶硅图形128a和有源层126。此时，在选通线102上方还形成岛状金属图形134。接着通过灰化工艺除去光致抗蚀剂图形120a的第二厚度，因此暴露源漏图形124的中间部分。这里，还部分地除去光致抗蚀剂图形120a的第一厚度并减薄光致抗蚀剂图形120a的第一厚度。另外，除去光致抗蚀剂图形120a的边缘，暴露金属图形124、130、134和142。
此外，形成包括非晶硅层130a和131a以及掺杂非晶硅层130b和131b的第一图形130和第二图形131。第一图形130位于数据线132和数据焊盘142的下方，而第二图形131位于金属图形134的下方。
图7C、8C和9C的第二金属层114可以通过湿法蚀刻方法被蚀刻，而图7C、8C和9C的掺杂非晶硅层112和非晶硅层110可以通过干法蚀刻方法被构图。源漏图形124形成在栅电极104上方并连接于在图中垂直延伸的数据线132。数据焊盘142设置在数据线132的一端，如前面所提及的那样。掺杂非晶硅图形128a和有源层126具有与源漏图形124和数据线132相同的形状。
接着，如图7E、8E和9E中所示，蚀刻由图7D的光致抗蚀剂图形120a暴露的图7D的源漏图形124和掺杂非晶硅图形128a。因此，形成源和漏电极136和138以及欧姆接触层128，并暴露有源层126。在源和漏电极136和138之间暴露的有源层126成为薄膜晶体管T的沟道且其对应于图7B的第二掩模70的半透射部分G。栅电极104、有源层126、源电极136和漏电极138组成薄膜晶体管T。源和漏电极136和138彼此间隔开。有源层126具有与源和漏电极136和138相同的形状且还包括在源和漏电极136和138之间的附加部分。此时，还暴露设置在源和漏电极136和138、数据线132、数据焊盘142和金属图形134下方的非晶硅层126、130a、131a的边缘。
如果图7D的源漏图形124由钼(Mo)形成，可以利用干法蚀刻方法同时除去图7D的源漏图形124和掺杂非晶硅图形128a。然而，如果源漏图形124由铬(Cr)形成，可以通过湿法蚀刻的方法蚀刻源漏图形124，然后通过干法蚀刻方法除去掺杂非晶硅图形128a。
如上所述，通过利用图7B、8B和9B的第二掩模170的第二掩模工艺形成源和漏电极136和138、数据线132、数据焊盘142、金属图形134、欧姆接触层128和有源层126。
接着，除去图7D、8D和9D的光致抗蚀剂图形120a，在基板100的整个表面上通过涂敷诸如苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂的光敏有机材料来形成钝化层160，其中在该基板上形成有源和漏电极136和138、数据线132、数据焊盘电极142和金属图形134。
如图7F、8F和9F中所示，通过利用第三掩模的第三光刻工艺曝光并显影钝化层160。然后，钝化层160保留在数据线132、源和漏电极136和138、金属图形134和形成选通焊盘106和数据焊盘142的焊盘部分上，暴露出像素区域、选通焊盘106和数据焊盘142。这里，还暴露出漏电极138和金属图形134的多个部分。选通焊盘106上仍由栅绝缘层108覆盖。
在固定温度下固化(cure)剩余的钝化层160，因此钝化层160具有圆弧表面。此时，钝化层160的侧部应该相反地逐渐变细，具有小于90度的角。通过多次而非一次执行固化钝化层160的工艺可以获得这种结果。
如图7G、8G和9G中所示，除去由钝化层160暴露的栅绝缘层108，由此暴露选通焊盘106。此时，还暴露像素区域中的基板100。
如图7H、8H和9H中所示，通过淀积诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料，在包括钝化层160的基板100上形成像素电极162、选通焊盘端子164和数据焊盘端子166。像素电极162设置在像素区域中并直接连接于漏电极138和金属图形134，而不用接触孔。金属图形134与选通线102以及在选通线102与金属图形134之间的栅绝缘层一起形成存储电容器。像素电极162接触像素区域中的基板100。选通焊盘端子164和数据焊盘端子166分别覆盖并接触选通焊盘106和数据焊盘142。由于钝化层160被构图，像素电极162、选通焊盘端子164和数据焊盘端子166设置在钝化层160的图形之间。
像素电极162、选通焊盘端子164和数据焊盘端子166可以按各自的图形形成，而不需要光刻工艺，因为钝化层具有相反的逐渐变细的侧部。这里，在钝化层160上还形成透明导电图形163。
在上述实施例中，有机材料的钝化层160直接形成于薄膜晶体管T上，且该钝化层160接触薄膜晶体管T的有源层126。为改善有源层126与钝化层160之间的接触特性，可以在钝化层160与薄膜晶体管T之间形成无机绝缘图形。
下文中，参考所附的图10、图11和图12描述本发明的另一实施例。
图10、图11和图12示出根据本发明的另一实施例的阵列基板，且分别是沿着图6的线VII-VII’、线VIII-VIII’和线IX-IX’的横截面图。
如图中所示，在薄膜晶体管T与有机钝化层160之间形成无机绝缘图形143。利用有机钝化层160作为蚀刻掩模通过构图工艺形成无机绝缘图形143。
更为特别地，在薄膜晶体管T的源和漏电极136和138与数据线132形成之后，通过淀积一种选自包括氮化硅(SiNX)和氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料组中的材料来形成无机绝缘层。
接着，通过前面实施例中讲述的方法在无机绝缘层上形成构图的有机钝化层160。利用构图的有机钝化层160作为蚀刻掩模除去通过钝化层160暴露的无机绝缘层和栅绝缘层，由此形成无机绝缘图形143。因此，无机绝缘图形143具有与构图的有机钝化层160相同的形状。
随后，通过在基板100的整个表面上淀积诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料，在包括钝化层160的基板100上形成像素电极162、选通焊盘端子164和数据焊盘端子166。像素电极162设置在像素区域中并与漏电极138和金属图形134直接连接，而不用接触孔。像素电极162接触像素区域中的基板100。选通焊盘端子164和数据焊盘端子166分别覆盖并接触选通焊盘106和数据焊盘142。
在包括钝化层160与薄膜晶体管T、数据线132和选通线102之间的无机绝缘图形143的该实施例中，由于无机绝缘图形143比有机钝化层160具有与薄膜晶体管T的有源层126更好的接触特性，可以改善薄膜晶体管T的操作特性。另外，无机绝缘图形143防止有机钝化层160脱离选通线和数据线102和132。
这里，由于有机钝化层160的高度，当将驱动集成电路连接到阵列基板的焊盘上时，在相邻的焊盘间会发生电短路。因此，除去有机钝化层160是有益的。可以通过剥离方法(liftoff method)除去有机钝化层160，这里将阵列基板浸泡在用于有机钝化层160的剥离剂中并剥离有机钝化层160，由此由于剥离的有机钝化层，透明导电图形163也从阵列基板脱离。
如此，本发明的阵列基板通过三个掩模来制造。因此，根据本发明的阵列基板的制造方法减少了工艺和成本，并提高了生产量。
对本领域技术人员来说，在不脱离本发明的精神和范围的条件下，在本发明的制造和应用中所做出各种修改和变化是显而易见的。因此，本发明旨在涵盖落入附属的权利要求书和它们的等同物范围内的对本发明提出的修改和变化。
权利要求
1.一种用于液晶显示器的阵列基板，包括基板上的选通线和选通焊盘；基板上的数据线和数据焊盘，数据线与选通线交叉以限定像素区域；薄膜晶体管，位于选通线和数据线交叉处，并包括栅电极、有源层、源电极和漏电极；钝化层，设置在包括薄膜晶体管的基板的整个表面上，其中钝化层被蚀刻以暴露像素区域中的基板、部分漏电极、选通焊盘、以及数据焊盘；和在包括钝化层的基板上的像素电极、选通焊盘端子和数据焊盘端子，像素电极直接接触漏电极的暴露部分，选通焊盘端子接触暴露的选通焊盘，而数据焊盘端子接触数据焊盘。
2.根据权利要求1的阵列基板，其中钝化层具有相反的逐渐变细的侧部。
3.根据权利要求1的阵列基板，其中钝化层具有圆弧表面。
4.根据权利要求1的阵列基板，其中钝化层被构图，且像素电极、选通焊盘端子和数据焊盘端子设置在钝化层的图形之间。
5.根据权利要求1的阵列基板，其中像素电极接触像素区域中暴露的基板。
6.根据权利要求1的阵列基板，其中非晶硅层和掺杂非晶硅层层叠在数据线和数据焊盘的下方。
7.根据权利要求6的阵列基板，其中非晶硅层的边缘被暴露。
8.根据权利要求1的阵列基板，进一步包括选通线上方的岛状的金属图形。
9.根据权利要求8的阵列基板，其中钝化层进一步暴露一部分金属图形。
10.根据权利要求9的阵列基板，其中像素电极直接接触金属图形的暴露部分，由此金属图形与选通线一起形成存储电容器。
11.根据权利要求1的阵列基板，进一步包括钝化层上的导电图形，其中该导电图形由与像素电极相同的材料制成。
12.根据权利要求1的阵列基板，其中有源层具有与源和漏电极相同的形状且还包括源和漏电极之间的附加部分。
13.根据权利要求1的阵列基板，进一步包括钝化层与薄膜晶体管、选通线和数据线之间的无机绝缘图形，其中该无机绝缘图形具有与钝化层相同的形状。
14.一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法，包括在基板上通过第一掩模工艺形成选通线、选通焊盘和栅电极；通过第二掩模工艺在包括选通线、选通焊盘和栅电极的基板上形成数据线、数据焊盘、源电极、漏电极和有源层，其中数据线与选通线交叉以限定像素区域，源电极从数据线延伸，漏电极与源电极隔离开，且有源层设置在栅电极与源和漏电极之间；通过第三掩模工艺在包括数据线、源电极和漏电极的基板的整个表面上形成钝化层，蚀刻钝化层以暴露像素区域中的基板、部分漏电极、选通焊盘和数据焊盘；以及通过在包括钝化层的基板的整个表面上淀积透明导电材料来形成像素电极、选通焊盘端子和数据焊盘端子，像素电极直接接触漏电极的暴露部分，选通焊盘端子直接接触选通焊盘，而数据焊盘端子直接接触数据焊盘。
15.根据权利要求14的方法，其中第二掩模工艺包括在包括选通线和栅电极的基板上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上淀积非晶硅层、掺杂非晶硅层和金属层；在金属层上设置具有第一和第二厚度的光致抗蚀剂图形；根据光致抗蚀剂图形选择性地除去金属层的一些部分，并根据光致抗蚀剂图形选择性地除去非晶硅层的一些部分；除去具有第二厚度的光致抗蚀剂图形的部分；选择性蚀刻通过除去具有第二厚度的光致抗蚀剂图形的部分而暴露的金属层；选择性蚀刻通过前一选择性蚀刻而暴露的掺杂非晶硅层；以及除去剩余的光致抗蚀剂图形。
16.根据权利要求15的方法，其中光致抗蚀剂图形是正性型光致抗蚀剂图形，使得曝光的部分被显影并除去。
17.根据权利要求14的方法，进一步包括在形成像素电极之前固化钝化层，由此钝化层具有相反的具有小于90度的角的逐渐变细的侧部。
18.根据权利要求17的方法，其中钝化层具有圆弧表面。
19.根据权利要求14的方法，其中在数据线和数据焊盘下方形成非晶硅层和掺杂非晶硅层。
20.根据权利要求19的方法，其中暴露非晶硅层的边缘。
21.根据权利要求14的方法，其中通过第二掩模工艺在选通线上方形成岛状的金属图形。
22.根据权利要求21的方法，其中钝化层进一步暴露一部分该金属图形。
23.根据权利要求22的方法，其中像素电极直接接触金属图形的暴露部分，由此金属图形与选通线和栅绝缘层一起形成存储电容器。
24.根据权利要求14的方法，其中第二掩模工艺的掩模包括透射部分、阻挡部分和半透射部分。
25.根据权利要求24的方法，其中半透射部分包括多个狭缝。
26.根据权利要求14的方法，其中有源层具有与源和漏电极相同的形状且还包括源和漏电极之间的附加部分。
27.根据权利要求14的方法，进一步包括在包括数据线、源电极和漏电极的基板的整个表面上形成无机绝缘层，其中通过利用钝化层作为蚀刻掩模对无机绝缘层构图，由此形成具有与钝化层相同形状的无机绝缘图形。
28.根据权利要求27的方法，进一步包括在形成像素电极、选通焊盘端子和数据焊盘端子之后除去钝化层。
29.根据权利要求28的方法，其中利用剥离方法除去钝化层。
全文摘要
一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法，包括通过第一掩模工艺在基板上形成选通线、选通焊盘和栅电极；通过第二掩模工艺在包括选通线、选通焊盘和栅电极的基板上形成数据线、数据焊盘、源电极、漏电极和有源层，其中数据线与选通线交叉以限定像素区域，源电极从数据线延伸，漏电极与源电极隔离开，且有源层设置在栅电极与源和漏电极之间；通过第三掩模工艺在包括数据线、源电极和漏电极的基板的整个表面上形成钝化层，蚀刻钝化层以暴露像素区域中的基板、部分漏电极、选通焊盘和数据焊盘；以及通过在包括钝化层的基板的整个表面上淀积透明导电材料来形成像素电极、选通焊盘端子和数据焊盘端子，像素电极直接接触漏电极的暴露部分，选通焊盘端子直接接触选通焊盘，而数据焊盘端子直接接触数据焊盘。
文档编号G02F1/1362GK1499271SQ20031011347
公开日2004年5月26日 申请日期2003年11月11日 优先权日2002年11月11日
发明者张允琼, 赵兴烈, 柳洵城 申请人:Lg.飞利浦Lcd有限公司