电光装置及电子设备的制作方法

专利名称：电光装置及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及例如有源矩阵驱动的液晶装置、电子纸等电泳装置等的电光装置的技术领域。另外，本发明还涉及具有这种电光装置的电子设备的
背景技术：
以往，已知有一种具备有排列成矩阵状的像素电极及与该电极的每个相连接的薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下简称为“TFT”)、和与该TFT的每个相连接且分别与行及列方向平行设置的数据线及扫描线，由此能够进行所谓的有源矩阵驱动的电光装置。
在作为这种电光装置的一例的液晶装置中，在上述结构以外，还具有与像素电极相对配置的对置电极、被夹持在像素电极与对置电极之间的液晶层、以及形成于像素电极及对置电极各自之上的取向膜等，因此可以进行图像显示。即，由取向膜设定为规定的取向状态的液晶层内的液晶分子，根据设定于像素电极与对置电极之间的规定的电位差而适当地变更其取向状态，由此使得透过该液晶层的光的透过率发生变化，从而能够进行图像的显示。
在这种情况下，特别地，上述取向膜担负着使未被施加电场的液晶分子维持在规定的取向状态的作用。为了实现这种作用，人们广泛采用例如由聚酰亚胺等高分子有机化合物来构成取向膜、并对其实施摩擦处理的方法。这里所说的摩擦处理是指用缠附在旋转金属辊等上的抛光布按一定的方向摩擦烧制后的取向膜表面的处理。由此可以使高分子的主链沿规定的方向延伸，可使液晶分子沿着该延伸方向排列。
可是在这种摩擦处理中会产生取向膜的残渣。这种残渣若残留在像素电极和对置电极之间，就会妨碍与施加在两者之间的电位差相对应的所期望的取向状态的实现(既产生取向不良)，从而有可能使图像的质量下降(例如产生露光等)。
为了应对这种问题，以往还公开了例如专利文献1(特开平10-333182号公报)那样的技术。在该专利文献1中所公开的技术是，配置至少一行或一列从像素电极的排列间距来看、其排列间距为错开的非显示伪像素图案，从而利用非显示伪像素来捕获上述残渣，由此防止图像质量的下降。这种情况下，由于专利文献1中非显示伪像素的排列间距相对于像素电极的排列间距是错开的，因此在摩擦处理时摩擦系数变大，因而利用更少的非显示伪像素行或像素列也能获得与多行或多列非显示伪像素同等的作用。
但是，上述液晶装置存在有如下那样的问题。首先，可知在上述专利文献1中，虽然说利用使像素间距错开的方法，即使设置更少的非显示伪像素也能获得与多行或多列非显示伪像素同等的作用，但其自然地存在有界限。例如，在专利文献1的实施方式中，例示了设置1～2行非显示伪像素图案或非显示伪色图案的方式，但是可以认为仅此并不能够充分地消除上述残渣带来的不良影响。例如，根据本申请发明者的研究证实，即使设置4～10行左右的伪像素，偶尔也会出现上述的不良状况。
另外，最初形成伪像素的目的，原本是为了解决抑制产生显示不均等的驱动方面的问题。据此而言，伪像素的排列数量，最根本的首先应该是在解决上述的显示不均等的问题这样的目的下做出决定。然后，在消除残渣的不良影响这样的目的下，以这样决定的伪像素的排列数为前提，补充地加以决定。也就是说，基本上可以寻求若在用于消除显示不均等的伪像素的排列数被设定之后仍然存在有残渣的问题，则在此基础上再设置伪像素的解决方案。
但是，这种技术方案有可能会使伪像素的排列数过分地增大，若是这样，则会导致液晶装置的大型化。这与近年来的液晶装置的小型化、高精细化的要求背道而驰。另外，因为伪像素也是像素，所以若排列多个伪像素则还需要与其相应地延长驱动电路等周边的措施，这样会导致制造成本的增加等等，因此不够理想。因此，伪像素的排列数量会因这个观点而受到限制。不过，并非完全没有利用用于解决显示不均等的足够的伪像素的排列数，来同时消除残渣问题这样的方法，但是如前所述，其作用是有限的。
若综合地考虑以上事实，结果可知，虽然不能对设置伪像素本身加以否定，但想要利用“伪像素”来消除残渣问题是有限的，并且不一定是有效的措施。

发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供不会因为由于对取向膜进行摩擦处理而产生的残渣导致图像质量的劣化、能够显示高品质的图像的电光装置及具有该电光装置的电子设备。
为了解决上述问题，本发明的电光装置，在基板上具备沿着一定方向延伸的数据线及沿着与该数据线交叉的方向延伸的扫描线、由上述扫描线提供扫描信号的开关元件、由上述数据线经过上述开关元件提供图像信号的像素电极、以及形成在上述像素电极上的取向膜，上述基板具有被规定作为上述像素电极及上述开关元件的形成区域的图像显示区域、以及规定该图像显示区域的周边的周边区域，上述取向膜被形成在上述图像显示区域及上述周边区域，且在上述周边区域的至少一部分形成有凸部。
根据本发明的电光装置，通过扫描线对作为开关元件的一例的薄膜晶体管提供扫描信号，以此来控制其ON/OFF(接通/断开)。另一方面，通过数据线向像素电极提供图像信号，并根据上述薄膜晶体管的ON/OFF对像素电极进行该图像信号的施加、不施加。由此，本发明的电光装置就能够进行所谓的有源矩阵驱动。
另外，在本发明中特别是上述基板具有图像显示区域及周边区域，且在其中周边区域的至少一部分上形成有凸部。由此能够获得如下那样的作用效果。即，首先，在对形成于像素电极之上的取向膜实施摩擦处理时，由于该摩擦处理沿着一定方向而进行，所以在对图像显示区域上的取向膜实施摩擦处理之前，会先对周边区域上的取向膜实施摩擦处理。由于该摩擦处理，必然会产生取向膜的残渣。并且该残渣主要会附着在典型地使用于上述摩擦处理中的旋转辊上。因此，例如，若考虑对形成有多个该电光装置的玻璃基板一举实施摩擦处理的情况，会出现附着在上述旋转辊上的残渣抖落在图像显示区域上等后果。
然而，由于本发明中在该周边区域形成有凸部，因此附着在上述用于摩擦处理的旋转辊上的残渣可被该凸部刮落。这样一来，可以实现使由该摩擦处理产生的残渣仅集中在该凸部的周围的状态。
若设想比方说对从比较平坦的“平地”起延续凸状的“山脉”这样的“地形”实施摩擦处理等的情况则其道理易于理解。即，在这种情况下，首先，当在“平地”上实施摩擦处理时，由于上述旋转辊等未受到较大的阻力，所以几乎不会出现附着在上述旋转辊上的残渣被抖落在取向膜上这样的现象。可是，当该旋转辊到达面临该“平地”的“山脉”的前端的“山”时，在此与以前相比会受到极其大的阻力。因此，附着在上述旋转辊上的残渣首先在该“山”的部分会被较大量地刮落。此后，上述旋转辊在“山脉”上行进时，附着在旋转辊上的残渣就会不断地被刮落，在该旋转辊到达图像显示区域后，残渣已经被大量地刮落。
如上所述，根据本发明，由摩擦处理而产生的残渣主要仅存在于周边区域上的凸部的周围，能够实现不让该残渣到达图像显示区域。由此，可以将在图像显示区域发生因残渣而引起的取向不良的事态防止于未然，因此能够显示更高品质的图像。
另外，本发明并不是想要通过伪像素的存在来消除残渣的问题的，因此也不必担心会遇到随之而来的电光装置的大型化等不良状况。反过来说，根据本发明能够更好地实现电光装置的小型化、高精细化。另外，伪像素本身是为了解决防止显示不均等的驱动上的问题的，因此设置伪像素显然是较好的。另外，在前面的说明中所说的“山脉”，典型地可以设想由多个凸部构成的情况，但根据情况不同，也可以设想只存在一个“山”的“山脉”。前述的、或后面所用的“山脉”这样的用语包含这种情况。
在本发明电光装置的一方式中，上述基板上还具有驱动电路，上述凸部被设置在上述图像显示区域与上述驱动电路之间的区域上。另外，在另一方式中，在上述图像显示区域的外侧形成有伪像素形成区域，上述凸部被形成在上述伪像素形成区域的外侧。
在本发明电光装置的一方式中，在上述取向膜上形成有因上述数据线及扫描线中的至少一方的高度而引起的凸状部，上述凸部的高度与上述凸状部的高度相等。
根据这种方式，在图像显示区域内的取向膜上形成有因数据线或扫描线的高度而引起的凸状部。这种情况下，因为通过该凸状部与本发明的凸部，可更好地形成上述“山脉”的形状，所以能够更好地获得使取向膜的残渣仅存在于凸部的周围、避免使其到达图像显示区域这样的作用效果(以下有时称“本发明的作用效果”)。
另外，在本方式特别地，凸部的高度被设为与凸状部的高度相等，因此能够更可靠地获得本发明的作用效果。这是因为，若假设凸部的高度与凸状部的高度相比过大，则有可能会给摩擦处理本身带来很大的障碍。在本方式中则不会遇到这种不良状况。
另外，本方式中所说的“相等”，当然包含凸部的高度与凸状部的高度完全一样的情况，但也包含前者比后者稍微高或者稍微低一点的情况。因为即使在这种情况下，只要凸部的高度不是“过于”高，就不会遇到上述问题。顺便说一下，“稍微高一点”或“过于”高这样的具体的值其本质上属于设计事项，根据电光装置的大小、图像显示区域或周边区域的大小、以及数据线或扫描线、凸状部的形成形态等会自然地决定出适当的值。
另外，根据本方式的所述内容可以反推，在本发明并非必须以因数据线或扫描线的高度而引起的凸状部为前提。因为即使假设不存在凸状部(既，例如图像显示区域上的取向膜被平坦化)，仅通过“凸部”也能够形成如前所述的“山脉”的形状(参照后述的有关“线状凸部”的结构等)。
在本发明电光装置的另一方式中，在上述取向膜上形成有因上述数据线及上述扫描线中的至少一方的高度而引起的凸状部，上述凸部沿着上述凸状部的方向而被形成。
根据这种方式，首先，由于存在凸状部，所以能够更好地获得本发明的作用效果，这与前述的方式一样。
在本方式中特别地，凸部沿着凸状部的方向而被形成。即，如果凸状部以扫描线的高度为成因而形成的，则凸部就沿着该扫描线的方向而被形成。这样一来，可更好地形成前述的“山脉”的形状，因此可更有效地获得本发明的作用效果。
在本方式中，上述凸部可以构成为沿着上述凸状部的方向连续地形成。
根据这种结构，因为凸状部是以数据线或扫描线的高度为成因而形成的，所以会沿着某个一定的方向或与其交叉的方向连续地形成，而凸部也会与此情况相对应地连续形成。这样一来，能够更好地形成前述的“山脉”的形状，因此能够更有效地获得本发明的作用效果。
另外，在凸部沿着凸状部的方向而形成的方式中，上述凸部也可以构成为包含沿着上述凸状部的方向形成多个的线状凸部。
根据这种结构，由于与数据线或扫描线上的多列或多行的凸状部一起，形成有多列或多行的线状凸部，因此能够更好地形成前述的“山脉”的形状，从而能够更有效地获得本发明的作用效果。
另外，本方式中所说的“线状凸部”的意思是指包含从平面看具有与沿其线状的方向的长度相比沿与其交叉的方向的长度较短的平面形状，因此除了前述的“连续”的凸部以外，即使断续的凸部也可被包含在“线状凸部”中。
在本结构中，可以构成为上述线状凸部间的间距与上述凸状部间的间距相同。
根据这种结构，线状凸部间的间距被设为与各数据线间或各扫描线间的间距相同，因此，在摩擦处理从周边区域向图像显示区域进行时、尤其是在周边区域与图像显示区域的交接处，可以避免使其处理状态产生较大的变动。也就是说，从这种意义上讲，本方式可以更好地形成前述的“山脉”的形状，从而能够更有效地获得本发明的作用效果。
或者，上述线状凸部间的间距可以构成为从靠近上述图像显示区域的该间距开始随着远离该图像显示区域而逐渐变大或变小。
根据这种结构，线状凸部间的间距被设为随着远离该图像显示区域而逐渐变大或变小，因此，即使在摩擦处理从周边区域向图像显示区域进行时、尤其是在周边区域及图像显示区域之间、甚至周边区域内，也能够避免使其处理的状态产生急剧的变化。也就是说，从这种意义上讲，本方式可以更好地形成前述的“山脉”的形状，从而能够更有效地获得本发明的作用效果。
另外，在本发明中，除了上述的线状凸部间的间距为与凸状部间的间距相同、或者为逐渐地增大或减小这样的结构以外，也包括随机的情况。
另外，对以上所述的各种方式中的凸部为沿着凸状部的方向而形成的方式、连续地形成的方式、形成多个线状凸部的方式(包括该线状凸部的间距为与凸状部间的间距相同或逐渐增大或逐渐减小的结构)，施以如下所述那样的语言上的替换而特定的结构，也在本发明的范围内。即，在该电光装置的图像显示区域被平坦化、不存在凸状部的情况下，可分别将所说的“上述凸状部的方向”换成“上述数据线及上述扫描线中的至少一方的方向”、将“上述凸状部间的间距”换成“上述数据线及上述扫描线中的至少一方的间距”。这是以如前所述本发明的电光装置不必将凸状部的存在作为前提的事实为依据的。
在本发明电光装置的另一方式中，上述凸部沿着与对上述取向膜进行摩擦处理的方向相对的上述图像显示区域的边缘部而形成。
根据这种方式，若顺着摩擦处理的方向看，则在到达图像显示区域之前一定会存在凸部。或者若换一个角度来看本方式，则意味着在不沿着摩擦处理方向的部分上不必形成凸部。这样，根据本方式，只设置必要的最小限度的凸部就能够获得本发明的作用效果。
在本发明电光装置的另一方式中，上述基板的外形形状从平面看呈矩形形状，上述图像显示区域具有与上述基板的外形形状相似的形状，上述凸部沿着上述图像显示区域的一个边或相邻的两个边而形成。
根据这种方式，凸部沿着具有矩形形状的图像显示区域的一个边或两个边而形成。首先，在凸部沿着图像显示区域的一个边形成的情况下，通过将摩擦处理的方向设定为与该一边相对置，可以获得本发明的作用效果。另外，在凸部沿着图像显示区域的相邻的两个边形成的情况下，即使摩擦处理的方向倾斜也能够获得本发明的作用效果。
在本发明的电光装置的另一方式中，上述凸部以作为与上述数据线、上述扫描线及上述开关元件的至少一部分相同的膜而形成的图案的高度为成因而形成。
根据这种方式，能够比较容易地进行凸部的形成。即，根据本方式，首先在基板上形成与数据线、扫描线及开关元件的至少一部分为相同膜的图案。该图案典型地可设想为以从平面看与数据线、扫描线及开关元件相离开的方式形成。然后通过在其上重叠形成各种层间绝缘膜等可在取向膜上形成因该图案的高度而引起的凸部。即，根据本方式，不需为了形成凸部而进行特别的工序，可以比较容易地形成该凸部。
另外，本方式中所说的“至少一部分”，包含有在例如开关元件由半导体层(活性层)、栅绝缘膜、栅电极等多个要素构成的情况下、是指该多个要素的至少一部分的意思。此外，即包含在数据线由双层结构构成时的其中的任意一方的层的情况，进而也包含数据线或数据线的一部分与扫描线等的情况。
另外，在本发明中，在该电光装置中，除了数据线、扫描线、开关元件以外，还存在形成有用于提高像素电极的电位保持特性的存储电容、遮光膜等的情况，在这种情况下，又可以将本方式的“图案”作为与所述的各个要素相同的膜来形成。
为了解决上述问题，本发明的电子设备具有上述的本发明的电光装置(但是，包含其各种方式)。
根据本发明的电子设备，由于具有上述的本发明的电光装置，所以不会出现因取向膜的残渣而引起的图像品质的劣化，因此能够实现可以显示品质优良的图像的投影机、液晶电视、便携式电话、电子笔记本、文字处理机、取景型或监视器直视型的录像机、工作站、电视电话、POS终端、触摸面板等各种电子设备。
本发明的这种作用及其他优点可以根据以下说明的实施方式加以阐明。


图1是本发明第一实施方式的电光装置的平面图。
图2是图1的H-H′剖面图。
图3是表示构成本发明第一实施方式的电光装置的图像显示区域的矩阵状的多个像素上所设置的各种元件、布线等的等效电路的电路图。
图4是本发明第一实施方式的电光装置中的形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个像素群的平面图。
图5是图4的A-A′剖面图。
图6是仅图示出图1中的TFT阵列基板10的结构的电光装置的平面图。
图7是仅着眼于在图6中以标号A表示的圆内部分中形成的数据线及扫描线等而绘出的平面图。
图8是图7的W-W′线的剖面图(但仅图示出与本发明特别有关的凸部及扫描线等，其他结构适当省略)。
图9是表示多个构筑于玻璃基板上的TFT阵列基板的平面图。
图10是与图7主旨相同的图，是仅绘出第二实施方式的数据线及扫描线等的平面图。
图11是与图7主旨相同的图，是仅绘出第三实施方式的数据线及扫描线等的平面图。
图12是与图7主旨相同的图，是仅着眼于在图6中以标号B表示的圆内部分中形成的数据线等及扫描线等而绘出的平面图。
图13是与图8主旨相同的图，是表示不存在凸状部的形态的图。
图14是本发明的实施方式的投射型液晶装置的平面图。
标号说明10TFT阵列基板 10a 图像显示区域16取向膜 3a扫描线3D伪扫描线 6a数据线6D伪数据线 3aP、3DP 凸状部9a像素电极 30TFT400R、400R1、400R2 (凸部形成)区域401 凸部430、431、432、440图案具体实施方式
下面参照

本发明的实施方式。在以下的实施方式中，将本发明的电光装置应用于液晶装置。
第一实施方式首先，参照图1及图2说明本发明电光装置的第一实施方式的整体结构。在此，图1是将TFT阵列基板与形成在其上的各结构要素一起从对置基板侧观看的电光装置的平面图，图2是图1的H-H′剖面图。在此，以作为电光装置的一例的驱动电路内置型TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置为例。
图1及图2中，在第一实施方式的电光装置中，TFT阵列基板10与对置基板20相对配置。TFT阵列基板10与对置基板20之间封入有液晶层50，TFT阵列基板10与对置基板20通过设置在位于图像显示区域10a的周围的密封区域的密封材料52而被相互粘接。
密封材料52是用于粘接两个基板的，由例如紫外线固化树脂、热固化树脂等构成、且可在制造工序中在被涂布于TFT阵列基板10上之后通过紫外线照射、加热等使其固化的材料。另外，密封材料52中散布有用于使TFT阵列基板10和对置基板20之间的间隔(基板之间的间隙)为规定值的玻璃纤维或玻璃珠等间隙材料。即，第一实施方式的电光装置是适于作为投影机的光阀以进行小型放大显示的。
规定图像显示区域10a的框缘区域的遮光性的框缘遮光膜53，被与配置有密封材料52的密封区域的内侧并行地设置在对置基板20侧。但是，这种框缘遮光膜53的一部分或全部也可以作为内置遮光膜设置在TFT阵列基板10侧。另外，在第一实施方式中存在规定上述图像显示区域10a的周边的周边区域。换句话说，第一实施方式中，特别地将从TFT阵列基板10的中心看、从该框缘遮光膜53至基板的外周缘的区域规定为周边区域。
在周边区域中位于配置有密封材料52的密封区域外侧的区域上，特别地沿着TFT阵列基板10的一边设置有数据线驱动电路101及外部电路连接端子102。另外，沿着与该一边相邻的两边、且覆盖上述框缘遮光膜53那样地设置有扫描线驱动电路104。另外，为了将这样设置在图像显示区域10a的两侧的两个扫描线驱动电路104之间连接，沿着TFT阵列基板10的余下的一边、且覆盖上述框缘遮光膜53那样地设置有多个布线105。
另外，在对置基板20的四个角部设置有具有作为两基板间的上下导通端子的功能的上下导通部件106。另一方面，在TFT阵列基板10的与所述的角部相对的区域中设置有上下导通端子。通过这些可以使TFT阵列基板10与对置基板20之间取得电气导通。
在图2中，在TFT阵列基板10上，在形成有像素开关用TFT及扫描线、数据线等布线后的像素电极9a上形成取向膜。另一方面，在对置基板20上，除了对置电极21以外还形成有格子状或条状的遮光膜23，进而在最上层部分形成取向膜。另外，液晶层50例如由一种或混合几种向列液晶而成的液晶构成，在所述的一对的取向膜之间取为规定的取向状态。
另外，在图1及图2所示的TFT阵列基板10上，除了所述的数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等以外，还可以形成对图像信号线上的图像信号进行取样以提供给数据线的取样电路、先于图像信号分别向多个数据线供给规定的电压电平的预充电信号的预充电电路、以及用于检查制造过程中或出货时该电光装置的品质、缺陷等的检查电路等。
另外，第一实施方式的特征是特别地在上述周边区域中的数据线驱动电路101和图像显示区域10a之间的规定区域上形成有凸部401的特征。关于这一点将在后面详细说明。
下面参照图3说明第一实施方式的电光装置的图像显示区域10a内的结构。在此，图3是构成电光装置的图像显示区域10a的形成为矩阵状的多个像素的各种元件、布线等的等效电路。
在图3中，在形成为矩阵状的多个像素中，分别形成有像素电极9a和用于对该像素电极9a进行开关控制的TFT30，供给图像信号的数据线6a与该TFT30的源极电气连接。写入数据线6a的图像信号S1、S2、...、Sn可以以该顺序按线顺次供给，也可以对彼此相邻接的多个数据线6a按每个组来供给。
另外，扫描线3a与TFT30的栅极电气连接，并且构成为以规定的定时(タイミング)、脉冲式地将扫描信号G1、G2、...、Gm以该顺序按线顺次地施加给扫描线3a。像素电极9a与TFT30的漏极电气连接，通过使作为开关元件的TFT30在一定期间内关闭其开关，而以规定的定时将由数据线6a提供的图像信号S1、S2、...、Sn写入。
经由像素电极9a写入作为电光物质的一例的液晶的规定电平的图像信号S1、S2、...、Sn，在与形成于对置基板20上的对置电极21(参照图2)之间被保持一定期间。液晶根据所施加的电压电平使分子集合的取向、秩序发生变化，由此能够对光进行调制，进行灰度显示。若是常白模式，则相对入射光的透过率随着以各像素为单位施加的电压而减小，若是常黑模式，则相对入射光的透过率随着以各像素为单位施加的电压而增加，作为整体，从电光装置射出具有与图像信号相对应的对比度的光。为了防止在此保持的图像信号泄漏，与形成在像素电极9a和对置电极之间的液晶电容并联地附加存储电容70。该存储电容70与扫描线3a并列而设，包含有作为被固定在恒定电位的固定电位侧电容电极的电容线300。
下面，参照图4及图5，对利用上述数据线6a、扫描线3a、TFT30等实现上述电路动作的电光装置的更加具体的结构进行说明。在此，图4是形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个像素组的平面图，图5是图4的A-A′剖面图。另外，在图5中，为了将各层、各部件设为在图面上能够识别那样的大小，使该每一层、每一部件的比例不同。
首先，如作为图4的A-A′剖面图的图5所示，第一实施方式的电光装置具有透明的TFT阵列基板10、和与其相对配置的透明的对置基板20。TFT阵列基板10例如由石英基板、玻璃基板、硅基板构成，对置基板20例如由玻璃基板、石英基板构成。
如图5所示，在TFT阵列基板10上设置有像素电极9a，在其上侧设置有被施以摩擦处理等规定的取向处理后的取向膜16。像素电极9a例如由ITO膜等透明导电性膜构成。另一方面，在对置基板20上，遍布其整个面地设置有对置电极21，且在它的图中的下侧设置有被实以摩擦处理等规定的取向处理后的取向膜22。其中，对置电极21与上述像素电极9a一样，例如由ITO等透明导电性膜构成。另外，上述取向膜16及22例如由聚酰亚胺膜等透明的有机膜构成。
另一方面，在图4中，像素电极9a，在TFT阵列基板10上被呈矩阵状地设置有多个(由虚线部9a′表示轮廓)，且数据线6a及扫描线3a被分别沿着像素电极9a的纵横的边界设置。数据线6a例如由铝膜等的金属膜或合金膜构成，扫描线3a例如由导电性的多晶硅膜构成。其中，扫描线3a与半导体层1a中的用图中向右上方向倾斜的斜线区域表示的沟道区域1a′相对地配置，该扫描线3a起栅电极的作用。即，在扫描线3a与数据线6a的交叉处分别设置有以扫描线3a的本线部作为栅电极、并使其与沟道区域1a′相对配置的像素开关用TFT30。
如图5所示，TFT30具有LDD(轻掺杂漏)结构，作为其构成要素，具备有如上所述的起栅电极作用的扫描线3a；例如由多晶硅膜构成并由来自扫描线3a的电场形成沟道的半导体层1a的沟道区域1a′；包含使扫描线3a与半导体层1a绝缘的栅绝缘膜的绝缘膜2；半导体层1a的低浓度源极区域1b和低浓度漏极区域1c以及高浓度源极区域1d和高浓度漏极区域1e。
另外，虽然TFT30优选为具有图5所示那样的LDD结构，但也可以是不对低浓度源极区域1b及低浓度漏极区域1c进行杂质掺杂的补偿(オフセツト)结构，也可以是以由扫描线3a的一部分构成的栅电极为掩模进行重掺杂、自对准式地形成高浓度源极区域及高浓度漏极区域的自对准型TFT。另外，在第一实施方式中采用了在高浓度源极区域1d及高浓度漏极区域1e之间仅配置有一个像素开关用TFT30的栅电极的单栅极结构，但是也可以在它们之间配置两个或两个以上的栅电极。若这样以双栅极、三栅极或更多的栅极来构成TFT，就能够防止沟道与源极及漏极区域的接合部的泄漏电流，可降低截止时的电流。另外，构成TFT30的半导体层1a可以是非单晶层也可以是单晶层。单晶层的形成，可以采用粘接(贴合)法等众所周知的方法。通过将半导体层1a设为单晶层，特别能够谋求周边电路的高性能化。
另一方面，在图5中，通过使连接在TFT30的高浓度漏极区域1e及像素电极9a上的作为像素电位侧电容电极的中继层71、与作为固定电位侧电容电极的电容线300的一部分隔着电介质膜75相对配置，从而形成存储电容70。根据该存储电容70，能够显著地提高像素电极9a的电位保持特性。
中继层71例如由导电性的多晶硅膜构成，具有作为像素电位侧电容电极的功能。但中继层71与后述的电容线300一样，也可以由含有金属或合金的单层膜或多层膜构成。中继层71除了具有作为像素电位侧电容电极的功能以外，还具有经由接触孔83及85中继连接像素电极9a与TFT30的高浓度漏极区域1e的功能。
电容线300例如由含有金属或合金的导电膜构成，并具有作为固定电位侧电容电极的功能。该电容线300若从平面上看，则如图4所示，重叠地形成在扫描线3a的形成区域上。更具体地说，电容线300包括沿着扫描线3a延伸的本线部、从图中与数据线6a交叉的各处沿着数据线6a分别向上方突出的突出部、以及对应于接触孔85的部位稍微变细的细腰部。其中突出部对扫描线3a上的区域及数据线6a下的区域加以利用，以有助于存储电容70的形成区域的增多。这种电容线300优选由含有高融点金属或其合金的导电性遮光膜构成，且除了具有作为存储电容70的固定电位侧电容电极的功能以外，还具有作为在TFT30的上侧遮挡入射光对TFT30的照射的遮光层的功能。
如图5所示，电介质膜75由例如膜厚在5～200nm左右的比较薄的HTO(高温氧化)膜、LTO(低温氧化)膜等氧化硅膜、或氮化硅膜构成。从增大存储电容70的角度来看，只要能够充分地获得膜的可靠性，电介质膜75越薄越好。
在图4及图5中，除了上述以外，在TFT30的下侧还设置有下侧遮光膜11a。下侧遮光膜11a被图案形成为格子状或条状，由此规定各像素的开口区域。另外，开口区域的规定，也通过图4中的数据线6a和与其交叉地形成的电容线300来实现。
另外，在TFT30下设有基底绝缘膜12。基底绝缘膜12除了自下侧遮光膜11a对TFT30进行层间绝缘的功能以外，通过形成在TFT阵列基板10的整个面上，还可具有防止因TFT阵列基板10的表面摩擦时产生的划痕、清洗后所残留的污物等而使像素开关用的TFT30的特性发生变化的功能。
另外，在扫描线3a上形成有分别开设有通向高浓度源极区域1d的接触孔81及通向高浓度漏极区域1e的接触孔83的第一层间绝缘膜41。在第一层间绝缘膜41上形成有中继层71及电容线300，在它们的上面形成有分别开设有通向高浓度源极区域1d的接触孔81及通向中继层71的接触孔85的第二层间绝缘膜42。在第二层间绝缘膜42上形成有数据线6a，在它们的上面形成有形成了通向中继层71的接触孔85的第三层间绝缘膜43。另外，在第一实施方式中，也可以通过对第一层间绝缘膜41进行约1000℃的烧制处理，实现注入到构成半导体层1a、扫描线3a的多晶硅膜中的离子的激活(活化)。另一方面，也可以不对第二层间绝缘膜42进行这样的烧制处理，由此实现在电容线300的界面附近产生的应力的缓和。
周边区域上的凸部的结构下面参照图6至图8，对在成为上述结构的电光装置中、形成于其周边区域的凸部的结构进行说明。在此，图6是仅对图1中TFT阵列基板10的结构加以图示的电光装置的平面图，图7是仅着眼于在图6中以标号A表示的圆内部分中形成的数据线及扫描线等而绘出的平面图，图8是图7的W-W′线的剖面图。另外，在图8中，仅图示出与本发明特别有关的凸部及扫描线等，其他结构适当省略。另外，在图8中为了将各层、各部件设为在图面上可辨认的大小，而使该各层、各部件的比例不同。
在所述的图6至图8中，在电光装置中，在其周边区域中的图像显示区域10a与数据线驱动电路101之间的规定区域400R上形成有凸部401。更具体地说，该凸部401在平面上如图7及图8所示，被形成在位于图像显示区域10a的外侧的伪像素形成区域10D的更外侧。在此，如图7所示，在伪像素形成区域10D上除形成有作为与扫描线3a相同的膜而形成的伪扫描线3D以外，还形成有未图示的伪TFT及伪像素电极等其他作为像素应具备的所有结构。这样就构成了伪像素。在第一实施方式中，通过对其进行适当驱动，可以抑制显示不均的产生等。另外，在图7及图8中图示出了形成有3行伪像素的情形，但这只不过是简单的一个例子。另外，也可以沿着数据线6a的方向形成多列伪像素(参照后述的图12)。
另一方面，凸部401是以作为与扫描线3a、或伪扫描线3D相同的膜而形成的图案430的高度为起因而被形成的。也就是说，当在TFT阵列基板10上形成图案430时，则在该图案430的形成区域和其以外的区域之间会产生台阶差，而凸部401就是上述台阶差在形成于所述两区域上的第一～第三层间绝缘膜41、42、43、进而取向膜16等(参照图5)的各层上“传递”而形成的。凸部401就是这样而形成在位于最上层的取向膜16上。顺便说明一下，根据完全相同的道理，对于扫描线3a及伪扫描线3D分别形成有凸状部3aP及3DP。
在此，图案430如图7所示，被形成为具有与扫描线3a、或伪扫描线3D同样的平面形状(亦参照图4)。即，图案430是作为在TFT阵列基板10的图7中的左右方向(行方向)上延伸、且与数据线6a正交的直线状的图案而被形成的。另外，在第一实施方式中，特别地形成3行该图案430。进而，如图8所示，所述3行图案430间的各间距P1被设为与扫描线3a间的各间距P2相同(另外，在第一实施方式中，伪扫描线3D间的间距、甚至扫描线3a与伪扫描线3D间以及伪扫描线3D与图案430间的各个间距也都设为相同)。
由此，第一实施方式的凸部401具有以下各特征。首先，因为图案430被形成为具有与扫描线3a、或伪扫描线3D同样的平面形状，所以凸部401与凸状部3aP或3DP具有几乎相同的高度h(参照图8)。另外，根据同样道理，凸部401沿着凸状部3aP或3DP的方向而形成，同时该凸部401被形成为在该方向上连续。另外，因为图案430被形成为3行，所以凸部401也同样地被形成为3条。即，第一实施方式的凸部401被形成为包含线状凸部。顺便说明一下，若凸状部3aP或3DP的高度在400nm左右，则优选将上述高度h调整为500nm左右。
根据上述的结果，在第一实施方式中，若将凸部401及上述的凸状部3aP及3DP一并观察，则在取向膜16上会呈现出宛如形成有“山脉”那样的外观(参照图8)。
在成为这种结构的第一实施方式的电光装置中，可起到如下那样的作用效果。下面首先作为其前提，对构成该电光装置的TFT阵列基板10的制造方法作以简单说明。
如图9所示，在一片面积较大的玻璃基板上同时构筑有多个图6中所示的TFT阵列基板10。即，图4及图5所示的结构与玻璃基板上的各区域(各TFT阵列基板10的形成区域)相对应且单独地形成，但在该玻璃基板上的整个面中是同时成膜的。这种情况下，参照图7及图8所说明的图案430也被与上述的各区域相对应地形成，因此，与该图案430相对应的凸部401与上述的各区域相对应地形成在位于最上层的取向膜16。另外，取向膜16通常以覆盖玻璃基板的整个面的方式被形成。
而且，在第一实施方式中，在实施对这样形成的取向膜16的摩擦处理时可以发现特有的效果。首先，若要沿着图9所示的箭头大的方向RD进行对取向膜16的摩擦处理(即，若要沿着该方向RD推进缠附有抛光布的旋转辊等)，则在图9中沿上下方向排列的多个TFT阵列基板10将依次受到摩擦处理。若仔细对其进行观察，则如下。即，第一，在超过最前面的TFT阵列基板10上的图像显示区域10a之后暂时还没有特别地形成构成要素(即，没有形成扫描线3a、数据线6a、存储电容70等)，摩擦处理相对于比较平坦的面而进行。第二，当向对其次的TFT阵列基板10的摩擦处理推进时，上述旋转辊等将遇到由形成在该TFT阵列基板10上的数据线驱动电路101及凸部401开始的“山脉”(在此所谓山脉，如上所述，包括凸部401、凸状部3aP及3DP)。第三，此后暂时持续对该山脉上面、即图像显示区域10a的摩擦处理。最后第四，当超过上述山脉连接的图像显示区域10a时，上述旋转辊等再次在比较平坦的部分上行进。之后，反复进行上述第一至第四。
此时，若根据上述摩擦处理，产生取向膜16的残渣这一事实本身不可避免，另外，该残渣主要会附着在上述旋转辊上。这样一来，在对上述那样的多个TFT阵列基板10进行摩擦处理的过程中，附着在旋转辊上的残渣会被抖落在各处，因此会产生使该残渣残留在各TFT阵列基板10的图像显示区域10a上等后果。
然而在本实施方式中可知，若着眼于某一个TFT阵列基板10，则上述旋转辊等最初会因上述的凸部401而受到较大的阻力。即，在上述情况下，首先，当在比较平坦的“平地”上进行摩擦处理时(上述第一或第四的情况)，上述旋转辊等不会受到较大的阻力。但是，当该旋转辊等到达面临该“平地”的“山脉”的前端的凸部401时(上述第二的情况)，在此会受到与以前相比极其大的阻力。因此附着在上述旋转辊上的残渣首先会在该“山”的部分被相对大量地刮落。然后，当上述旋转辊等到达在“山脉”上行进的过程后(上述第三的情况)，附着在旋转辊上的残渣会不断地被刮落，当该旋转辊到达图像显示区域10a后，几乎已经不会再发生残渣被大量地刮落的现象。
按照这种方式的摩擦处理，能够实现使由其产生的残渣仅存在于上述的凸部401的周围的状态。因此，按照第一实施方式能够做到使由摩擦处理产生的残渣主要仅存在于区域400R上的凸部401的周围、以免使该残渣到达图像显示区域10a。
上述的结果，按照第一实施方式，能够将在图像显示区域10a中发生因残渣而引起的取向不良的现象防止于未然，因此可以显示更加高品质的图像。
另外，根据第一实施方式，由于并不是利用包含伪像素的伪像素区域10D的存在来解决残渣问题，因此不会有随之而来的电光装置的大型化等的不良状况。反过来说，第一实施方式的电光装置可以更好地实现其小型化、高精细化。
另外，如上所述，第一实施方式的凸部401具有与凸状部3aP或3DP基本相同的高度h，并且在沿着凸状部3aP或3DP的方向而被形成的同时、被形成为在该方向上连续，进而沿着凸状部3aP或3DP被平行地形成为3条，因此可以更好地形成上述“山脉”的形状。因此，按照第一实施方式，能够更好地获得使取向膜16的残渣主要仅存在于凸部401的周围而不使其到达图像显示区域10a的作用效果。
顺便说明一下，凸部401的高度h优选被形成为与凸状部3aP或3DP的高度相比为相等或在其之下(即，如前所述，若后者的高度被设为400nm左右，则前者的高度h最好为100～500nm左右即可)。之所以这样说是因为，若凸部401的高度h与凸状部的高度相比过高，则有可能会给摩擦处理带来很大的障碍。
另外，在上述第一实施方式中，为了形成凸部401，利用了作为与扫描线3a、或伪扫描线3D相同的膜而形成的图案430，但本发明不限于这种方式。例如也可以为并非是作为与扫描线3a、或伪扫描线3D相同的膜而形成的，而是将用于形成凸部401的图案作为与参照图5所说明的构成存储电容70的电容线300相同的膜而形成(电容线300也是沿扫描线3a的方向延伸的结构要素(参照图4))。另外，也可以作为与其他的要素、例如中继层71、下侧遮光膜11a及数据线6a等相同的膜，在区域400R上形成平行于扫描线3a的图案，并以该图案的高度为成因形成凸部401。另外，若一并使用这些方式，则可以较理想地进行图案的高度、进而凸部401的高度的调整。
另外，本发明不限于以图案401的高度为成因来形成凸部401的方式。例如，也可以采用不在欲形成该凸部401的区域上形成图7及图8所示的图案430，而是在图5所示的第三层间绝缘膜43上，通过增加单独地设置突起部的工序来形成凸部401的方式。这种情况下，可以通过在于第三层间绝缘膜43上形成新的膜之后实施光刻及刻蚀工序、或对第三层间绝缘膜43本身实施光刻及刻蚀工序的方法等来形成上述突起部。
第二实施方式下面参照图10说明本发明的第二实施方式。在此，图10是与图7主旨相同的图，是仅描绘出第二实施方式的数据线及扫描线等的平面图。另外，在第二实施方式中，对于上述“电光装置”的结构及作用完全相同。因此，在此省略对这些部分的说明，主要仅对第二实施方式中特征性的部分加以说明。
如图10所示，在第二实施方式中，图案431沿着扫描线3a、或伪扫描线3D的方向断续地形成。断续点为数据线6a延伸的部分。另外，扫描线3a及伪扫描线3D被形成为与图7完全相同。
显然，即使这种方式也能获得与上述第一实施方式基本相同的作用效果。特别是根据第二实施方式，由于不存在数据线6a与图案431交叉的部分，因此该部分的凸部的高度不会产生变化(在第一实施方式的图7中，对于数据线6a延伸部分，凸部401的高度为图案430的高度加上该数据线6a的高度)，因此可获得能够提高实施更佳的摩擦处理的可能性这样的优点。即，对某一条凸部来说，不存在高度变化的部分，因此可以更顺畅地进行摩擦处理。
第三实施方式下面参照图11说明本发明的第三实施方式。在此，图11是与图7主旨相同的图，是仅描绘出第三实施方式的数据线及扫描线等的平面图。另外，在第三实施方式中，关于上述“电光装置”的结构及作用完全相同。因此，在此省略对这些部分的说明，主要仅对第三实施方式中特征性的部分加以说明。
如图11所示，在第三方式中，图案432间的间距随着从靠近图像显示区域10a的位置开始远离而逐渐变大。即，对于最靠近图像显示区域10a的图案432间的间距a1、与其相邻的间距a2、进而与间距a2相邻的间距a3，a1＜a2＜a3成立。由此，形成在该图案432上的凸部间的间距也从图像显示区域10a开始逐渐增大。
显然，即使这种方式也能获得与上述第一实施方式基本相同的作用效果。特别是根据第三实施方式，图案432间、进而以该图案432的高度为成因而形成的凸部间的间距，随着远离图像显示区域10a而逐渐变大，因此可获得能够提高实施更佳的摩擦处理的可能性这样的优点。即，在第三实施方式中，在图案432的形成区域、即凸部的形成区域中，不会使摩擦处理的状态产生急剧的变化。更具体地说，在第三实施方式中，由于采取旋转辊等在位于“山脉”的前端的凸部处受到比较大的阻力，随着在该凸部上行进其阻力不断地减小的形式，因此提高了使附着在旋转辊上的取向膜16的残渣的刮落发生在上述位于前端的凸部处的可能性。
如上所述，在第三实施方式中，从上述意义上来讲，能够更好地形成上述的“山脉”的形状，因此能够更有效地获得第一实施方式中所述的作用效果。
另外，在图11中，最靠近图像显示区域10a的图案432间的间距a1被形成为比扫描线3a间及伪扫描线3D间的间距更窄，但优选为将两者设为相等。这样一来，即使在从周边区域移向图像显示区域10a时，也能够避免使摩擦处理的状态产生急剧的变化。
另外，也可以用使图案间的间距随着远离图像显示区域10a而逐渐变小的方式来替代图11所示的方式。
第四实施方式下面参照图12说明本发明的第四实施方式。在此，图12是与图7主旨相同的图，是仅着眼于在图6中以标号B表示的圆内部分中形成的数据线等及扫描线等而描绘的平面图。另外，在第四实施方式中，关于上述“电光装置”的结构及作用完全相同。因此，在此省略对这些部分的说明，主要仅对第四实施方式中特征性的部分加以说明。
如图12所示，在第四实施方式中图示了在图7中未示出的伪像素形成区域10D′。在该伪像素形成区域10D′中除了与扫描线3a平行地形成的伪扫描线3D以外，还包括与数据线6a平行地形成的伪数据线6D等。由此，伪像素以围绕图像显示区域10a的角部的方式被形成。
另外，在第四实施方式中特别地还在伪数据线6D的外侧、进一步在沿着数据线6a、或伪数据线6D的区域400R2上形成有图案440。另一方面，在沿着扫描线3a、或伪扫描线3D的区域400R1上形成有图案430，这与图7没有什么变化。由此，在第四实施方式中，凸部(图中未示)以沿着具有矩形状的外形形状的图像显示区域10a的两个边的方式被形成。
根据这种方式，即使在沿着像图12中所示的箭头方向RD′那样倾斜的方向进行摩擦处理的情况下，也可以获得与上述第一实施方式基本相同的作用效果。
第五实施方式下面参照图13说明本发明的第五实施方式。在此，图13是与图8主旨相同的图，表示不存在凸状部的情况。另外，在第五实施方式中，关于上述“电光装置”的结构及作用完全相同。因此，在此省略对这些部分的说明，主要仅对第五实施方式中特征性的部分加以说明。
如图13所示，在第五实施方式中没有形成以扫描线3a、或伪扫描线3D的高度为成因而形成的凸状部3aP及3DP(参照图8)。这种方式，例如可以通过对第三层间绝缘膜43的表面施以CMP(化学机械抛光)处理、SOG(旋涂玻璃)处理、或回蚀刻处理等适当的平坦化处理来实现。另外，该方式也可以通过替代这种平坦化处理的方法、或在该平坦化处理的方法之上，在TFT阵列基板10、基底绝缘膜12、第一层间绝缘膜41及第二层间绝缘膜42中的至少一个上开槽，以将扫描线3a等布线、TFT30等埋设在该槽内来实现。如果这样实现第三层间绝缘膜43、进而取向膜16的平坦化，则能够获得避免产生因凸状部3aP及3DP的台阶差而引起的液晶层50内的液晶分子的排列混乱等这样的优点。
另外，第五实施方式的特征是在图像显示区域10a被这样平坦化的情况下形成有凸部401。即，通过在该区域中不实施上述那样的处理、或以仅在该区域形成凸部401为目的而实施在上述第三层间绝缘膜43上形成突起部的工序等形成凸部401。
顺便说明一下，这种情况下虽然不能说凸部401沿着凸状部的方向而存在，但可以说沿着扫描线3a、或伪扫描线3D的方向而存在，另外凸部401间的间距也可以说与扫描线3a间或伪扫描线3D间的间距相等。
显然，即使这种方式也能获得与上述第一实施方式基本相同的作用效果。这样，在本发明中，不一定要以起因于扫描线3a或数据线6a的高度而形成的凸状部的存在为前提。另外，即使假设不存在凸状部(即，即使图像显示区域10a上的取向膜16被平坦化)，仅通过“凸部401”也能形成如前所述的“山脉”的形状(参照图13)。
以上，是在上述的各实施方式中表现为凸部的，但形成台阶部的方式、或在与凸部之间形成凹陷的方式也属于本发明。
电子设备下面对作为将以上详细说明的电光装置用作光阀的电子设备的一个例子的投射型彩色显示装置的实施方式，说明其整体结构，特别是光学结构。在此，图14是投射型彩色显示装置的示意剖面图。
在图14中，作为本实施方式的投射型彩色显示装置的一例的液晶投影机1100，是作为一种配备有3个包含将驱动电路搭载于TFT阵列基板上的液晶装置的液晶模块，并分别将其用作RGB用的光阀100R、100G及100B的投影机而构成的。在液晶投影机1100中，若从金属卤化物灯等白色光源灯单元1102发出投射光，则被3个反射镜1106及2个分色镜1108分解为与RGB三原色相对应的光分量R、G及B，并分别被导入与各色相对应的光阀100R、100G、及100B。此时特别地，为了防止B光因光路较长而产生光损耗，通过由入射透镜1122、中继透镜1123及出射透镜1124构成的中继透镜系统1121对其进行引导。然后，分别经由光阀100R、100G和100B调制过的与三原色相对应的光分量，在被分色棱镜1112再度合成之后，经投射透镜1114作为彩色图像投射到屏幕1120上。
本发明不限于上述实施方式，在不违反可从权利要求及说明书整体解读出的发明主旨或思想的范围内可以适当地变更，且伴随这种变更的电光装置及电子设备皆被包含于本发明的技术范围内。
权利要求
1.一种电光装置，其特征在于，在基板上具备沿着一定方向延伸的数据线及沿着与该数据线交叉的方向延伸的扫描线；由上述扫描线提供扫描信号的开关元件；由上述数据线经过上述开关元件提供图像信号的像素电极；以及形成在上述像素电极上的取向膜；其中，上述基板具有被规定作为上述像素电极及上述开关元件的形成区域的图像显示区域、以及规定该图像显示区域的周边的周边区域；上述取向膜被形成在上述图像显示区域及上述周边区域；在上述周边区域的至少一部分形成有凸部。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述电光装置在上述基板上还具有驱动电路，上述凸部被设置在上述图像显示区域与上述驱动电路之间的区域。
3.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于在上述图像显示区域的外侧形成有伪像素形成区域，上述凸部被形成在上述伪像素形成区域的外侧。
4.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于在上述取向膜上形成因上述数据线及上述扫描线中的至少一方的高度引起的凸状部；上述凸部的高度与上述凸状部的高度相等。
5.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于在上述取向膜上形成因上述数据线及上述扫描线中的至少一方的高度引起的凸状部；上述凸部沿着上述扫描线或上述数据线的延伸方向形成。
6.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于上述凸部沿着上述扫描线或上述数据线的延伸方向连续地形成。
7.根据权利要求5所述的电光装置，其特征在于上述凸部包含沿着上述扫描线或上述数据线的延伸方向形成多个的线状凸部。
8.根据权利要求7所述的电光装置，其特征在于上述线状凸部间的间距与上述凸状部间的间距相同。
9.根据权利要求7所述的电光装置，其特征在于上述线状凸部间的间距从靠近上述图像显示区域的线状凸部间的间距开始随着远离该图像显示区域而逐渐变大或变小。
10.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述凸部沿着与对上述取向膜实施摩擦处理的方向相对的上述图像显示区域的边缘部形成。
11.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述基板的外形形状平面看呈矩形，上述图像显示区域具有与上述基板的外形形状相似的形状；上述凸部，沿着上述图像显示区域的一个边或相邻的两个边形成。
12.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述凸部，由作为与上述数据线、上述扫描线或上述开关元件相同的膜而形成的图案的高度引起而形成。
13.一种电子设备，其特征在于，具有权利要求1所述的电光装置。
全文摘要
本发明的电光装置在TFT阵列基板上具备数据线及扫描线；与所述的交叉区域相对应地形成的TFT及像素电极；以及形成在数据线、扫描线、TFT及上述像素电极之上的取向膜；TFT阵列基板具有被规定作为上述像素电极及上述开关元件的形成区域的像素显示区域、以及规定该图像显示区域的周边的周边区域；在上述周边区域形成有凸部。通过该凸部，在液晶装置等电光装置中，不会因对取向膜进行摩擦处理产生的残渣而导致图像质量的劣化，可以进行高品质的图像显示。
文档编号G02F1/13GK1519798SQ20041003910
公开日2004年8月11日 申请日期2004年2月4日 优先权日2003年2月4日
发明者望月宏明 申请人:精工爱普生株式会社