用于光敏组合物的显影液和形成图案化抗蚀膜的方法

专利名称：用于光敏组合物的显影液和形成图案化抗蚀膜的方法
技术领域：
本发明涉及用于光敏组合物显影的显影液、和使用该显影液形成图案的方法。
背景技术：
众所周知，正性或负性光致抗蚀剂业已用于包括半导体器件或液晶显示装置制造在内的广泛领域中的微加工或图案化。迄今为此，业已有多种光致抗蚀剂用作这类常规光致抗蚀剂，包括含有酚醛清漆树脂和醌二叠氮光敏剂的正性光敏组合物、化学放大型正性或负性光敏组合物、聚乙烯醇肉桂酸酯光敏组合物、双叠氮-橡胶光敏组合物和如光聚合型光敏组合物之类的负性抗蚀剂。根据使用目的，这类光致抗蚀剂具有多种不同的性质。例如，在加工半导体器件时，需要诸如高灵敏度、高分辨率和耐蚀刻性。
另一方面，在生产半导体器件、液晶显示装置、印刷电路板之类时，包括层间介电膜在内的多种元件要被图案化。这些元件要暴露在400℃以上的高温，例如，在半导体器件等的生产工艺中(如通过CVD法的气相沉积布线工艺)。因此，从耐热性角度来说，有机材料作为用作暴露于高温的层间介电膜等的材料，是不能令人满意的，人们希望使用无机材料。关于这类无机材料，二氧化硅陶瓷膜业已用作例如在半导体器件、液晶显示装置和印刷电路板中使用的图案化膜，因为它们具有优良的耐热性、以及耐磨损性、耐腐蚀性、绝缘性、透明性等。
上述图案化二氧化硅陶瓷膜一般是通过使用图案化光致抗蚀剂作为蚀刻掩模蚀刻陶瓷膜而形成的。另一方面，例如，业已提出了一种用于形成陶瓷膜图案的方法(专利文献1)。这种方法包括，例如，涂敷一种含聚硅氮烷的涂布液到基片上形成涂膜、在氧化气氛下将涂膜以图案方式曝光于紫外线中固化紫外线曝光区域、然后除去紫外线未曝光区域接着转化图案化的聚硅氮烷膜为陶瓷膜从而形成陶瓷膜图案。
关于半导体器件等的加工，对于更高水平的微加工存在着日益提高的需求。为此，人们希望能有一种具有高分辨率正性和如耐氧等离子体的高耐蚀刻水平的材料作为抗蚀剂类型。而且，当图案化膜在被留作层间介电膜时，该膜材料除了满足微加工的要求之外，还应当满足层间介电膜所需要的多种性质要求，例如，高的耐热水平，低的介电常数和透明性。
为了满足上述要求，本申请发明人已经提出了一种方法，在此方法中，图案化聚硅氮烷膜是通过使用一种含聚硅氮烷和光酸产生剂的光敏聚硅氮烷组合物而形成的，接着使之在环境大气中静置或烧结，以转化聚硅氮烷膜为二氧化硅陶瓷膜(专利文献2和3)。在这种方法中，聚硅氮烷中的Si-N键被在光敏聚硅氮烷组合物膜的曝光区域产生的酸打开，与H2O分子反应的结果是形成硅烷醇(Si-OH)键，从而导致聚硅氮烷分解。关于这种被提议方法，需要说明的是，为了分解聚硅氮烷，曝光的光敏聚硅氮烷组合物膜与水进行接触。
但是，在这些方法中，可能是因为聚硅氮烷分解仅在光敏聚硅氮烷组合物膜的表面附近进行，当分解处理是在一些分解处理条件下进行时，该曝光区域在随后的采用碱性水溶液的显影步骤不能令人满意地被除去，其结果是，在某些情形中，在显影之后，有一部分曝光区域未被除去仍留在图案中。
本申请发明人为了解决这些问题作了进一步研究，并提出了一种方法，在该方法中，曝光的光敏聚硅氮烷组合物膜在聚硅氮烷的分解处理中被增湿(专利文献4和5)。根据这种方法，聚硅氮烷可在短时间中被分解，而且，没有任何显影残余物残留在显影后的图案中。
专利文献1日本专利公开号88373/1993专利文献2日本专利公开号181069/2000专利文献3日本专利公开号288270/2001专利文献4日本专利公开号72502/2002专利文献5日本专利公开号72504/2002发明内容但是，与常规方法不同，这种方法需要提供增湿曝光膜的步骤和用于增湿的装置。在实际生产过程中，关于附加提供的这个步骤和装置，从收率角度来说，存在着改进的余地。
考虑到现有技术的上述问题，用于本发明光敏组合物显影的显影液包含一种化合物和水，该化合物含有至少一个选自由胺-N-氧化物基、磺酸根、硫酸根、羧酸根、磷酸根组成的组中的亲水基。
而且，本发明的图案化光敏抗蚀膜的形成方法，包括涂敷光敏组合物到基片上、曝光涂层、和显影曝光的涂层形成图案化抗蚀膜，其特征在于显影是采用包含一种化合物和水的显影液进行的，该化合物含有至少一个选自由胺-N-氧化物基、磺酸根、硫酸根、羧酸根、磷酸根组成的组中的亲水基。
根据本发明，不需要在光敏组合物特别是含有含硅共聚物的光敏组合物显影中使用特别步骤和装置，就能形成具有优良性质的抗蚀图。


图1为说明本发明显影工艺的概念图。
标记符号说明1 基片2 光敏组合物3 掩模4 浮渣具体实施方式
用于本发明光敏组合物显影的显影液，包含一种化合物和水，该化合物含有至少一个选自由胺-N-氧化物基、磺酸根、硫酸根、羧酸根、磷酸根组成的组中的亲水基。
所述含有至少一个选自由胺-N-氧化物基、磺酸根、硫酸根、羧酸根、磷酸根组成的组中的亲水基的化合物，可合适地选自不会牺牲本发明效果的化合物。一般地，选用水溶性化合物，且显影液本身通常呈水溶液形式。
在这些化合物中，由通式(I)-(V)表示的化合物是优选的。
R11R12R13N→O (I)R2SO3M(II)R3OSO3M (III)R4COOM (IV)R5OPO3M′2(V)
其中，R11、R12、R13、R2和R4每个独自表示取代或未取代的烷基、链烯基或芳基；R3和R5表示取代或未取代的烷基、链烯基、芳基、聚氧乙烯烷基或聚氧乙烯烷基苯基；M和M′表示碱基。
通式(I)化合物是含胺-N-氧化物基的化合物。由于存在胺-N-氧化物基，这类化合物通常能溶于水。在本发明中，R11、R12和R13每个独自表示取代或未取代的烷基、链烯基或芳基。在这种情形中，R11、R12和R13中至少一个更优选表示赋予亲油性有机基团。更具体地说，所述赋予亲油性有机基团优选是具有2-26个碳原子的烷基、具有2-26个碳原子的链烯基、或具有6-10个碳原子的芳基。特别优选的是其中R11、R12和R13中至少一个是烷基的烷基胺-N-氧化物化合物。作为传统表面活性剂，所述含赋予亲油性基团的化合物含有亲水基和亲油基。此处，R11、R12和R13每个独自选择，而且，如果需要，可被多种不同取代基取代。这类取代基包括烷基、芳基、羟基、卤素原子、胺-N-氧化物、磺酸根、硫酸根、羧酸根和磷酸根。这类化合物的具体实例包括氧化月桂基二甲胺、氧化月桂基酰胺基丙胺、氧化三乙胺和O←N(CH3)2-(CH2)12-(CH3)2N→O。
当本发明显影液含有一种含胺-N-氧化物基的化合物时，该化合物浓度优选为0.005-2mol/L，更优选为0.01-1.5mol/L。
在通式(I)表示的化合物中，由通式(Ia)表示的化合物是优选的。
R-(CH3)2N→O(Ia)其中，R表示烷基，特别优选地是具有6-22个碳原子的直链烷基。氧化月桂基二甲胺是特别优选的。
通式(II)表示的化合物是含磺酸根的化合物。由于存在磺酸根，这类化合物溶于水。当基团R2是亲油性时，这类化合物可用作表面活性剂。优选地，基团R2表示具有2-26个碳原子的烷基、具有2-26个碳原子的链烯基、或具有6-10个碳原子的芳基，而且，如果需要，它可被酰胺基、氨基、羟基、胺-N-氧化物基、磺酸根、硫酸根、羧酸根或磷酸根取代。
M表示碱基，其优选实例包括碱金属如钠和钾、碱土金属如钙和镁、和铵基化合物如铵。其它金属或有机碱化合物也可使用。当M表示二价或更高价基团时，含有多个官能团的羧酸可连接到一个碱基上，或者两个或多个单官能团羧酸连接到一个碱基上。氢不包括在所述碱基M之内。
举例来说，这类化合物包括烷基磺酸、烷基芳基磺酸等的钠、钾、铵和三乙醇胺盐。其更具体实例包括月桂基磺基琥珀酸二钠、十二烷基苯磺酸钠和月桂酰肌氨酸钠。在本发明中，优选使用烷基磺酸盐化合物作为这类化合物。
通式(III)表示的化合物是含磺酸根的化合物。由于存在磺酸根，这类化合物溶于水。当基团R3是亲油性时，这类化合物可用作表面活性剂。基团R3表示取代或未取代的烷基、链烯基、芳基、聚氧乙烯烷基或聚氧乙烯烷基苯基，优选表示具有2-26个碳原子的烷基、具有2-26个碳原子的链烯基、或具有6-10个碳原子的芳基、或其中氧乙链烯基团聚合度为1-30且烷基具有2-26个碳原子的聚氧乙烯烷基或聚氧乙烯烷基苯基，而且，如果需要，它可被酰胺基、氨基、羟基、胺-N-氧化物基、磺酸根、硫酸根、羧酸根或磷酸根取代。
M表示碱基，其定义如在通式(II)化合物中所述。
这类化合物包括烷基磺酸、聚氧乙烯烷基醚磺酸、聚氧乙烯烷基苯基醚磺酸等的钠、钾、铵和三乙醇胺盐。其更具体实例包括月桂基硫酸钠、月桂基硫酸三乙醇胺、月桂基硫酸铵、聚氧乙烯烷基醚硫酸钠。
通式(IV)表示的化合物是含羧酸根的化合物。由于存在羧酸根，这类化合物溶于水。当基团R4是亲油性时，这类化合物可用作表面活性剂。优选地，基团R4表示具有2-26个碳原子的烷基、具有2-26个碳原子的链烯基、或具有6-10个碳原子的芳基，而且，如果需要，它可被酰胺基、氨基、羟基、胺-N-氧化物基、磺酸根、硫酸根、羧酸根或磷酸根取代。
M表示碱基，其定义如在通式(II)化合物中所述。
这类化合物包括高级脂肪酸的碱金属盐如月桂酸铵、月桂酸钠、棕榈酸钠、硬脂酸钾和油酸铵，以及酰化氨基酸的盐，例如，N-月桂酰-谷氨酸钠、N-月桂酰-谷氨酸三乙醇胺、N-椰油酰基-N-甲基牛磺酸钠、月桂酰肌氨酸钠、月桂酰基甲基牛磺酸钠、月桂酰基甲基-β-丙胺酸钠和N-月桂酰谷氨酸铵。
通式(V)表示的化合物是含磷酸根的化合物。由于存在磷酸根，这类化合物溶于水。当基团R5是亲油性时，这类化合物可用作表面活性剂。基团R5表示取代或未取代的烷基、链烯基、芳基、聚氧乙烯烷基或聚氧乙烯烷基苯基，优选表示具有2-26个碳原子的烷基、具有2-26个碳原子的链烯基、或具有6-10个碳原子的芳基、或其中氧乙链烯基团聚合度为1-30且烷基具有2-26个碳原子的聚氧乙烯烷基或聚氧乙烯烷基苯基，而且，如果需要，它可被酰胺基、氨基、羟基、胺-N-氧化物基、磺酸根、硫酸根、羧酸根或磷酸根取代。
M′表示碱基，其定义如在通式(II)化合物中所述，条件是所述碱基M′包含氢。
这类化合物包括烷基磷酸、聚氧乙烯烷基醚磷酸、聚氧乙烯烷基苯基醚磷酸等的钠、钾、铵和三乙醇胺盐，其更具体实例包括聚氧乙烯烷基醚磷酸钠和聚氧乙烯烷基苯基醚磷酸钠。
优选地，所述含亲水基的化合物还含有至少一个选自由胺-N-氧化物、磺酸根、硫酸根、羧酸根和磷酸根组成的组中的基团。含有上述提及亲水基化合物的本发明不需要额外的增湿步骤就能获得优良的显影性能，特别是对于含有含硅共聚物的光敏组合物的显影。换言之，使用本发明显影液，可通过减少含有含硅聚合物的光敏组合物显影中的增湿步骤而减少必需的步骤数目。
优选地，在本发明中，从本发明显影效果角度来说，所述含有至少一种选自由胺-N-氧化物、磺酸根、硫酸根、羧酸根和磷酸根组成的组中的亲水基团的化合物，在显影液中的含量为0.005mol/L。另一方面，为了保持显影液粘度数值处于低数值，这种化合物在显影液中的含量优选不超过2mol/L。具体地说，在本发明中，显影液中这些化合物的含量优选为0.005-2mol/L，更优选为0.01-1.5mol/L。即便在使用含有选自由胺-N-氧化物、磺酸根、硫酸根、羧酸根和磷酸根组成的组中两种或多种亲水基的化合物时，上述含亲水基的化合物仍在上述限定的数量范围内使用。
用于本发明显影液中的含亲水基的化合物，特别优选地是烷基胺-N-氧化物化合物或烷基磺酸盐化合物。使用本发明含这些化合物的显影液，不需要额外提供增湿步骤就能获得优良的显影性能，特别是对于含有含硅共聚物的光敏组合物的显影。
本发明显影液含有上述含至少一种亲水基的化合物和水。一般地，本发明所述显影液呈水溶液形式，是通过在水中溶解上述化合物而制得的。但是，根据诸如化合物类型、任选地使用的其它添加剂、显影液的pH值等条件，本发明显影液也可呈分散体形式。
向本发明显影液中添加酸，可降低显影后基片中光敏组合物的残渣或浮渣。
当光敏组合物含有含硅共聚物特别是聚硅氮烷化合物时，效果是非常显著的。可以认为，这归因于这样的事实，即在酸性水溶液中，在该含硅共聚物中产生水溶性部位，其结果是，共聚物被洗提。下面，参照图1，将对其中光敏组合物含有聚硅氮烷的实施方式进行说明。
含有涂敷在基片1上的光敏组合物2的光敏材料，透过掩模3进行曝光。当此曝光的光敏材料进行显影时，在某些情形中，会产生浮渣4。这类浮渣的形成会导致变差的分辨率。
当光敏组合物含有聚硅氮烷化合物时，降低显影液的pH值能提高溶解抗蚀组合物的能力。可以认为，其原因在于，例如，当盐酸添加到显影液中时，会发生下述反应，从而导致增强的溶解抗蚀组合物的能力。
因此，可以认为，当显影液pH值降低时，由于具有增强的溶解抗蚀组合物的能力，如图1(c)所示，抗蚀组合物表面均匀地被溶解，因此没有形成浮渣。本发明显影液可在自酸性范围至碱性范围变动的任意pH范围内使用。尽管如此，本发明还能在自中性范围至酸性范围变动的pH范围内特别是在酸性pH范围内获得进一步改善的显影性能。
有机酸或无机酸可用作所述添加到显影液中的酸。其具体实例包括柠檬酸、盐酸、新戊酸、乙酸、磷酸、邻苯二甲酸等。
而且，在显影时，为了使pH值处于恒定值，可添加缓冲剂。缓冲剂可根据所用的酸和其它诸如显影液所含成分等条件适当地进行选择。其具体实例包括乙酸铵、柠檬酸铵、邻苯二甲酸钾、氯酸钾、磷酸钠和磷酸氢二钠。
如果需要，本发明显影液可含有其它添加剂。这类添加剂包括消泡剂。特别地，某些本发明的含亲水基化合物具有接近于表面活性剂性质的性质。如果这样的话，在某些情形中，根据这些化合物，高水平的起泡性质就表现出来，因此，添加消泡剂是优选的。优选的消泡剂包括全氟烷基磷酸酰胺、甘油脂肪酸酯和硅树脂消泡剂。
本发明显影液可用于任意合适的光敏组合物的显影之中。这类光敏组合物包括那些含有酚醛清漆树脂、聚酰亚胺树脂、多羟基苯乙烯树脂、丙烯酸树脂等的组合物。本发明显影液优选用于含有含硅聚合物的光敏抗蚀树脂的显影。含硅聚合物包括聚硅氮烷、聚硅烷、或日本专利公开号311591/2002中所述的聚合物，那些含有聚硅氮烷化合物的聚合物是特别优选的。当本发明显影液用于含聚硅氮烷化合物的光敏组合物的显影时，能够得到令人满意的感光度和分辨率。
显影方法不作特别限制，可为经常使用的方法。其具体实例包括浸渍法、喷洒法和浆式法。
关于显影温度，只要显影液不冻结，显影就能进行。尽管如此，显影液温度通常是在20-70℃之间。显影液温度可根据将要显影的光敏组合物的类型和应用而变动。一般地，当显影液温度低时，显影后未曝光区域表面保持平滑，这样，损坏就可能减少。另一方面，当显影液温度高时，感光度可能得到提高。从此角度来说，显影液温度优选是在20-60℃之间，更优选为20-50℃。感光度可通过升高显影液温度而提高的原因，据信是因为，当显影液温度升高时，抗蚀剂曝光部分与显影液之间的化学反应速率加大，且在此反应中产生的产物在显影液中的溶解性得到提高。当升高显影液温度以提高感光度时，即便在抗蚀膜厚度提高时显影也可实现。如果这样的话，例如，具有膜厚度不小于3μm的抗蚀膜就能被显影。可用于使显影液温度达到上述规定温度范围的方法，包括这样一种方法，其中显影罐或用于贮存显影液的显影液罐是冷却的或加热的，或这样一种方法，在其显影液进料管线中装备有加热或冷却装置。
实施例1将一种光敏聚硅氮烷的PGMEA溶液(固含量20％)旋涂到硅晶片上(旋转速率2000rpm)，涂敷晶片接着在110℃的加热板上加热1分钟，形成0.7μm厚的膜。
采用步进机(LD-5015iCW，Hitachi，Ltd.制造)(步长5mJ，直到50mJ)对此膜进行曝光，同时改变位置。
经此得到的曝光基片，采用处于室温(约23℃)的显影液进行显影。所用显影液是在水中溶解如表1所示化合物制得的。为了比较，采用2.38％TMAH水溶液(MIF-300，Clariant Japan制造)(它是一种传统显影液)，进行显影(对比例1-1)。此外，还按照专利文献4进行实验，其中，在采用2.38％TMAH水溶液显影之前，增加了于25℃和80％RH的气氛中增湿涂层5分钟的步骤(对比例1-2)。
表1

该表评价状况如下所述○优良的感光度或分辨率
△从实用角度来说，令人满意的感光度或分辨率×处于不可测量水平的差感光度或分辨率实施例2柠檬酸(6mol％)和作为缓冲剂的6mol％乙酸铵添加到实施例1-1的显影液中。经此得到的显影液具有5.0的pH值。上述曝光的基片采用这种显影液于室温(约23℃)进行显影。其结果是，浮渣减少，且分辨率得到进一步提高。
实施例3柠檬酸(2mol％)和作为消泡剂的2wt％改性硅树脂(商品名ANTIFORM E-20(Kao Corp.制造))添加到实施例1-1的显影液中。上述曝光的基片采用这种显影液于室温(约23℃)进行显影。其结果是，浮渣减少，且分辨率得到进一步提高。
实施例4将5％氧化月桂基二甲胺的水溶液(50g)放入100cc玻璃瓶，并剧烈搅拌。其结果是，发生起泡。当此玻璃瓶静置，在静置开始10分钟后，泡沫消失。
另一方面，将通过添加0.05mol％全氟烷基磷酸酰胺作为消泡剂到5％氧化月桂基二甲胺的水溶液制得的50g水溶液，放入100cc玻璃瓶，并剧烈搅拌。其结果是，基本没有发生起泡。
实施例5将甲基三甲氧基硅烷(150g)作为烷基烷氧基硅烷、1g二乙酰乙酸乙酯二异丙氧合钛(纯度78％)作为金属螯合物和500g丙二醇单丙基醚作为有机溶剂混合到一起，混合物接着加热到70℃。在采用搅拌器对反应混合物进行搅拌时，在1小时时间内，在60℃将50g离子交换水与50g丙二醇单丙基醚的混合物添加到其中。而且，反应进行10小时，同时保持温度在60℃。接着，加入50g乙酰丙酮，反应混合物接着在减压下40℃进行浓缩。浓缩物采用丙二醇单丙基醚进行稀释，调节固含量至15wt％。向此溶液中添加三氟甲磺酸三苯基锍作为光酸产生剂，使得三氟甲磺酸三苯基锍浓度基于溶液固含量为2wt％。此外，添加叔丁氧基羰基氧甲基三环癸烷作为溶解抑制剂，使得此溶解抑制剂浓度基于溶液固含量为20wt％。此溶液中含有的共聚物是含有硅氧烷键的含硅聚合物。
通过转速1500rpm的旋涂将此溶液涂敷到硅晶片上。所得涂层厚度约为0.4μm。接着，在70℃/60秒条件下，在加热板上对涂层进行预烘焙。经此形成在晶片上的膜，曝光于KrF准分子步进机产生的紫外线，之后在90℃/60秒条件下进行加热。
曝光后晶片采用含5wt％氧化月桂基二甲胺的水溶液进行显影。其结果，仅有紫外线曝光区域可被除去，从而形成图案。从实用角度，感光度和分辨率都处于令人满意的水平。
实施例6将一种光敏聚硅氮烷的PGMEA溶液(固含量50％)旋涂到硅晶片上(旋转速率1500rpm)。涂敷晶片接着在100℃的加热板上加热2分钟，形成3.5μm厚的膜。
预备具有如上制得的膜的三个基片，并采用步进机(步长5mJ，直到150mJ)进行曝光，同时改变位置。
经此得到的曝光基片采用显影液进行显影。使用一种氧化月桂基二甲胺水溶液(1.5wt％)作为显影液，且显影是在显影液温度从10变化到75℃的条件下进行的。结果如表2所示。
表2

未曝光区域表面状态的评价标准如下所述○良好△处于有点粗糙状态的膜表面，但是，处于不会引起实用问题的水平×处于粗糙状态的膜表面，其水平会致使产品实际上是不能用的实施例7按照实施例6相同方式，预备具有膜的基片，并采用处于35℃的氧化肉豆蔻基二甲胺水溶液(10wt％)进行显影。另外，向此显影液中添加2mol％甘油脂肪酸酯作为消泡剂，按刚才上面所述的相同方式进行显影。结果如表3所示。
表3

权利要求
1.用于光敏组合物显影的显影液，其特征在于包含一种化合物和水，该化合物含有至少一种选自由胺-N-氧化物基、磺酸根、硫酸根、羧酸根和磷酸根组成的组中的亲水基。
2.如权利要求1所述的显影液，其中，所述光敏组合物含有一种含硅共聚物。
3.如权利要求1或2所述的显影液，其中，所述含亲水基的化合物由下述通式(I)-(V)表示R11R12R13N→O (I)R2SO3M (II)R3OSO3M (III)R4COOM(IV)R5OPO3M′2(V)其中，R11、R12、R13、R2和R4每个独自表示取代或未取代的烷基、链烯基或芳基；R3和R5表示取代或未取代的烷基、链烯基、芳基、聚氧乙烯烷基或聚氧乙烯烷基苯基；M和M′表示碱基。
4.如权利要求1-3中任一项所述的显影液，其中，所述含亲水基的化合物还含有至少一种选自由胺-N-氧化物基、磺酸根、硫酸根、羧酸根和磷酸根组成的组中的基团。
5.如权利要求1-4中任一项所述的显影液，它还含有消泡剂。
6.如权利要求1-5中任一项所述的显影液，其中，所述含有至少一种选自由胺-N-氧化物基、磺酸根、硫酸根、羧酸根和磷酸根组成的组中的亲水基的化合物的总含量为0.005-2mol/L。
7.如权利要求2-6中任一项所述的显影液，其中，所述含硅共聚物含有硅氮烷键。
8.如权利要求1-7中任一项所述的显影液，其中，温度为20-70℃。
9.一种用于形成图案化光敏抗蚀膜的方法，包括涂敷光敏组合物到基片上、曝光涂层、和显影曝光的涂层从而形成图案化的抗蚀膜，其特征在于显影是采用包含一种化合物和水的显影液进行的，该化合物含有至少一种选自由胺-N-氧化物基、磺酸根、硫酸根、羧酸根和磷酸根组成的组中的亲水基。
10.如权利要求9所述的形成图案化光敏抗蚀膜的方法，其中，显影液的温度为20-70℃。
全文摘要
本发明提供了一种显影液，它能以简便方式显影光敏组合物，同时保持令人满意的感光度和分辨率，还提供了一种使用所述显影液形成图案的方法。这种显影液包含一种含选自由胺－N－氧化物基、磺酸根、硫酸根、羧酸根和磷酸根组成的组中的亲水基的化合物，它特别适合用于含有含硅聚合物的光敏组合物的显影。本发明还涉及使用所述显影液形成图案的方法。
文档编号G03F7/32GK1823303SQ20048002001
公开日2006年8月23日 申请日期2004年6月3日 优先权日2003年7月14日
发明者长原达郎, 武藤正, 林昌伸 申请人:Az电子材料(日本)株式会社