专利名称：制造方法
技术领域：
本发明通常涉及用于形成多级结构的制造方法，尤其涉及用于在衬底中形成导电结构的方法。
背景技术：
在半导体制造技术中，具有增加区域密度和制造速度并同时降低制造成本的压力。集成电路(IC)芯片上的半导体器件，尤其是互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管器件的缩小，通常遵从摩尔法则，正将进入亚微米区域。集成在IC芯片中的器件的数量要约数千万，而且还在增加。现在这些器件之间的信号互连包括由介质材料互相隔开的许多层金属互连。现在通常要8个互连层。然而，层数有望进一步增加。随着IC尺寸减小，与互连中的电阻和互连之间的寄生电容相关的RC时间常数增加。这是因为，地平面和信号线之间的间距减小以及信号线的电阻增加。这些因素限制了IC中的开关速度。
在常规IC中，通常通过减去反应离子蚀刻用铝形成互连。在更近的IC设计中，互连由铜形成。铜提供了比铝更低的电阻和增加的可靠性。然而，铜互连不能容易地通过减去反应离子蚀刻形成。相反，铜互连通常通过谓之双镶嵌的工艺形成。在双镶嵌工艺中，在层间介质(ILD)中蚀刻圆柱孔，并接以沟槽。然后用铜填充孔和沟槽。然后通过化学机械抛光(CMP)操作回抛光铜填充。这会产生从侧面、嵌入的铜过孔线垂直延伸的铜过孔连接。
详细地说，双镶嵌通常包括在衬底上淀积第一氮化硅层、第一氮化硅层上的第一介质层、第一介质层上的第二氮化硅蚀刻停止层、第二氮化硅层上的第二介质层、和最终的硬掩模层。然后用光致抗蚀剂覆盖并光刻构图衬底。ILD电特性是两个介质层和两个氮化硅层的平均。各向异性干蚀刻切穿最终层和两个介质层，并在第一氮化硅层上停止。然后剥离光致抗蚀剂，以在ILD层中留下过孔。硬掩模层会保护ILD层不受光致抗蚀剂剥离工艺的影响。再次对衬底施加光致抗蚀剂并光刻构图。然后沟槽蚀刻会切穿ILD直到蚀刻停止层。然后通过另一蚀刻开口第一氮化硅层。剥离光致抗蚀剂。淀积钽阻挡层，以加衬孔/沟槽结构。阻挡层防止铜扩散进入ILD。然后使用PVD淀积铜籽晶层。然后通过电镀淀积体铜。通过CMP回抛光铜淀积到达沟槽顶部。可以重复这些工艺，以形成附加的互连层。
双镶嵌的缺点是，在通常通过旋涂第二次施加抗蚀剂期间，抗蚀剂材料会在过孔中聚集。这会在将要构图过孔的区域上产生局部区域过厚的抗蚀剂。另外，因为将要蚀刻的特征相对较深，很难获得有效光刻所需的聚焦深度。从经济角度讲，其包括的相对大量的步骤使得双镶嵌实施起来非常昂贵。互连之间的寄生电容可以通过用低k介质材料形成介质层来减小。SiLK(Dow Chemical Company的商标)是此种材料的一个公知的实例。然而，这样的低k介质材料与双镶嵌不兼容。这是因为低k介质通常容易受双镶嵌中剥离抗蚀剂的相同化学工艺的影响。
另外一种用于在衬底上成形材料的常规技术是紫外(UV)印刻光刻或UV模制。参考图1，在紫外印刻光刻中，给衬底100施加低粘性预聚合物液体抗蚀剂层110。在步骤2中，将透明的构图印记120压进抗蚀剂110。将抗蚀剂110通过印记120暴露到UV。暴露的抗蚀剂110固化并硬化。在步骤3中，从构图的加固抗蚀剂110除去印记120。然后剥落衬底100以留下具有对应于印记120的图形的较厚和较薄区域的硬化抗蚀剂110。抗蚀剂层110中的印刻基本上是印记120上的图形的复制。例如，参照M.Colburn et al.“Patterning non-flat substrates with a low pressure，room temperatureimprint process”，J.Vac.Sci.Technol.B.6，2161(2001)。UV印刻光刻允许模制具有相对高的纵横比和垂直侧壁的聚合物特征。印记120和衬底100之间的对准可以通过印记光学获得。例如，参照Choi et al，“Layer-to-layeralignment for step and flash imprint lithography”，SPIE，2001；White andWood，“Novel alignment system for imprint lithography”，J.Vac.Sci.Technol.18，3552，(2000)。也可以用弹性体印记实施UV印刻光刻。例如，参照Bietsch and Michel，“Conformal contact and pattern stability ofstamps used for soft lithography”，J.Appl.Phys.88，4310(2000)；Johnson，“Contact Mechanics”，Cambridge University Press，Cambridge(1985)；和S.P.Timoshenko and J.N.Goodier，“Theory of Elasticity”，Mc-Graw-Hill，New York。
然而，很难在相对大的区域上完全布置抗蚀剂以获得具有满意对比度的图形。通常要留下残余层。对于液体布置的计算可以从润滑理论中得到。例如，参照A.Cameron，“Basic Lubrication Theory”Wiley，New York(1981)。通常可以通过灰化除去相对薄的残余层。灰化同时可以从凸出和凹陷的区域除去限定的聚合物层。灰化在需要的区域中提供到衬底的入口，以产生类似于通过抗蚀剂构图常规提供的二元对比度。
发明内容
根据本发明，提供了一种用于在表面上形成多级结构的方法，所述方法包括在所述表面上淀积可固化液体层；将其中具有多级图形的印记压入所述液体层，以在所述液体层中形成由所述图形限定的多级结构；以及，固化所述液体层，以形成其中具有多级结构的固体层。
本方法优选包括，在所述压入之前，通过所述印记和所述表面上的互补形成物相对于所述表面对准所述印记。所述对准优选包括所述印记通过所述液体层相对所述表面的润滑移动。所述互补形成物包括在所述印记和所述表面的一个上的突起和在所述印记和所述表面的另一个上的用于接收所述突起的沟槽。在本发明的具体优选实施例中，所述印记由弹性材料形成。所述对准可以包括伸展所述印记。在本发明的优选实施例中，所述突起相对于所述对应的沟槽偏离，以形成所述印记的所述伸展。作为选择，所述印记可以由刚性材料形成。
所述固体层可以由介质材料形成而且所述多级结构包括所述固体材料层中的多级空腔。作为选择，所述固体层由抗蚀剂材料形成，所述多级结构包括所述固体层中的多级空腔，以及所述淀积包括在介质层上淀积液体形式的抗蚀剂材料。然后通过所述固体层采用所述介质层的蚀刻以将所述空腔从所述固体层转移到所述介质层。在其它情况下，可以在所述空腔中淀积金属以形成嵌入介质材料的导电结构。在本发明的一个优选实施例中，所述空腔包括对应于所述导电结构的纵向部件的第一级和对应于所述导电结构的横向部件的第二级。所述纵向部件包括用于实现集成电路的多级互连结构的相邻级之间的电连接的过孔，而所述横向部件包括用于实现所述集成电路的所述相邻级中的一个内的电连接的布线。本发明延伸到一种用于制造具有多级互连结构的集成电路的方法，所述方法包括通过实施如上所述的方法在所述互连结构的至少一对相邻级之间形成导电结构。
所述固化优选包括将所述液体层暴露于通过所述印记的紫外光。
在本发明的优选实施例中，在IC中多级互连结构的制造中采用UV模制。UV模制可以有利地以单模制步骤取代与常规互连形成工艺相关的多个步骤。在本发明具体优选的实施例中，这可以通过多级模制印记实现。所述印记在衬底上的聚合物层中留下多级印痕。一方面，本发明提供了用于同时在聚合物抗蚀剂中构图过孔和导体沟槽并接着将所述抗蚀剂中的图形转移到下面的介质材料的UV模制工艺。另一方面，本发明提供了用于同时将过孔和沟槽直接构图进介质材料的UV模制方法。体现本发明的UV模制工艺允许制造对于给定数量的互连级具有减小的净RC时间常数和减小的的制造复杂度的复杂多级互连结构。在简短描述的本发明的优选实施例中，采用UV模制光刻在例如低k介质材料的UV可固化介质材料中形成两级图形。然后用衬里或催化剂涂覆所述模制的材料，以促进过孔连接和互连的制造。
现在将只通过实例的方式，参考附图描述本发明的优选实施例，附图包括图1为常规UV模制工艺的简图；图2为根据本发明的UV模制工艺的简图；图3为根据本发明的另一UV模制工艺的简图；图4为根据本发明的另一UV模制工艺的简图；以及图5为与图4相关的UV模制工艺的另一简图。
具体实施例方式
参考图2，在本发明的一个实施例中，在步骤101中，在衬底100上淀积扩散阻挡层130。扩散阻挡层130同时覆盖介质和前面制造的用于连接到器件的随后附装层的过孔或布线连接。在扩散阻挡层130上淀积第一均匀介质层140。在第一介质层140上淀积均匀氮化硅蚀刻停止层150。在蚀刻停止层150上淀积第二均匀介质层160。在第二介质层160上淀积氮化硅硬覆层170。在硬覆层170上淀积均匀的液体预聚合物抗蚀剂层180。介质层140和160可以由上述从Dow Chemical Company获得的SiLK材料形成。抗蚀剂层180的淀积可以通过溅射涂覆、旋涂、滴涂(pipetting)或通过辊涂机完成。其它淀积技术也可以。抗蚀剂层180可以是基于丙烯酸脂或基于氨基甲酸酯。这种抗蚀剂材料很容易从，例如，Master Bond，Inc.或Star Tec.Inc.获得。
在步骤102中，将透明的构图印记120压进抗蚀剂层180。然后将印记120的图形和与抗蚀剂层180润滑接触的衬底对准。对准可以通过印记120光学实施。对于较大的远(far)后段制程图形(＞100nm)，光学对准可以达到足够的精度，然而，对于较小的后段制程图形，约30-100nm的精度是希望的，这需要下述适当的对准。对准之后，将印记120的图形印刻在抗蚀剂层180中。图形包括第一级121和第二级122。然后通过穿过印记120的UV暴光固化构图的抗蚀剂层180。
在步骤103中，从模制的抗蚀剂层180分离印记120。通过灰化除去抗蚀剂的任何残余层。图形的第二、下级122与硬覆层170重合。由此暴露硬覆层170。
在步骤104中，实施反应离子蚀刻以切穿暴露的硬覆层170，和下面的第二介质层160、蚀刻停止层150、第一介质层140、以及某些情况下扩散阻挡层130的区域。在步骤105中，通过灰化减少抗蚀剂层180，直到只剩下图形的第一、上级121。优选优化该减薄作用以最小化对图形横向尺寸的影响，或者图形扩展可以在印记中补偿。图形的第一级121与硬覆层170重合，而且开口对应于第二光刻操作的所需尺寸。在步骤106中，再次实施反应离子蚀刻，以切穿暴露的硬覆层170和下面的第二介质层160的区域直到蚀刻停止层150。由此形成具有跨越第二介质层160的第一部分和跨越第二介质层140的第二级的空腔195。然后剥落抗蚀剂层180的残余部分。
在步骤107中，在硬覆层170和空腔195的内表面上均匀淀积例如钽的衬里。然后在衬里上淀积镀覆催化剂。在步骤108中，在空腔195中淀积铜190，以形成过孔和布线级互连。衬里和催化剂在镀覆工艺期间充当用于介质层160和140的掩模。通过催化剂的选择性钝化来防止空腔195外侧铜的淀积。可以通过硫醇印刷实施选择性活化。硫醇印刷可以通过将硬覆层170与未构图的硫醇液弹性体印记接触来实施。然后，为进一步处理作准备，实施CMP以除去过量的铜。此进一步处理可以包括添加的一层或多层互连。
参考图3，在本发明的另一个实施例中，提供了“单模制镶嵌”工艺，在此工艺中，在步骤111中，在衬底100上的互连层130上直接淀积均匀的液体预聚合物低k介质层200。在这里不使用在此之前参考图2描述的牺牲聚合物抗蚀剂层180。将简短提供介质层200的可能成分的细节。介质层200的淀积可以通过溅射涂覆、旋涂、滴涂或通过辊涂机完成。其它淀积技术也可以。
在步骤112中，将透明的构图印记120压进介质层200中。将印记120的图形和与介质层200润滑接触的衬底100对准。再次，对准可以通过印记120光学实施或附加地通过适当的对准实施。对准之后，将印记120的图形印刻在液体介质层中。然后通过穿过印记120的UV暴光固化构图的介质层200。现在，从模制的介质层200分离印记120。
实施灰化以电暴露与衬底120上的任何下面的互连接触的点。由此在介质层200中形成具有与印记120的图形基本上相同的两级形状的空腔195。空腔195的第二、下级与下面的扩散阻挡层130或直接与下面的互连金属的金属重合。在步骤113中，在介质材料和空腔的内表面上均匀淀积例如钽的衬里230。在衬里上淀积镀覆催化剂220。在步骤114中，在空腔195中淀积铜190，以形成过孔。衬里230和催化剂220在镀覆工艺期间充当用于介质层200的掩模。通过催化剂220的选择性钝化来防止空腔195外侧铜的淀积。可以通过上述介质层200上的硫醇印刷实施选择性钝化。然后，为进一步处理作准备，实施CMP以除去过剩的铜。
优选低k介质材料具有低于3.9的介电常数k，更加优选值在2和3之间。在本发明具体优选的实施例中，低k材料包括芳环例如苯、硅-碳-氢络合物等。不优选包括碳和氟的材料，这是因为它们与制造工艺中的其它步骤不兼容。具体地说，氟具有不希望的腐蚀性。氯具有类似的腐蚀性。因此，例如聚氯乙烯的材料是不具有吸引力的。不优选具有碳-氢络合物例如聚乙烯的材料，这是因为这些材料在高温时具有受限的可靠性，例如太低的熔点或玻璃转变温度。在本发明具体优选的实施例中，低k材料包括UV可固化交联基团例如丙烯酸脂；氢化硅烷；硅醇基(sylanol)乙烯基；乙烯基；氢化硅烷硫醇；环氧树脂；苯乙烯；异戊二烯；砜；或氨基甲酸酯。这些基团具有上述所需范围内的介电常数。例如对于聚异戊二烯，k＝2.4；对于聚苯乙烯，k＝2.6；而对于聚砜，k＝2.1。通常，对于低k材料，芳侧链提供所需的热稳定性。
可以淀积其它导电金属，例如钼，来代替铜。然而，非常优选铜材料。在此之前描述的本发明的实施例中，空腔195的第二、下级形成过孔层，而空腔195的第一、上级形成布线级互连层。体现本发明的单模制镶嵌工艺有效避免了显影或抗蚀剂剥离工艺引入的有机溶剂。这拓宽了可用的低k材料的范围并简化了制造。具体地说，体现本发明的单模制镶嵌工艺包括比常规双镶嵌工艺更少的工艺步骤。对于每个互连层，双镶嵌工艺通常包括淀积由两个介质材料层隔开的三个氮化硅层。然后构图通常包括两次抗蚀剂旋涂、曝光、显影、蚀刻、和剥离循环。具有每层都需要这些工艺步骤的多个互连层。体现本发明的单模制镶嵌工艺对于每个互连层，包括非常少的工艺步骤。因为UV模制不需要溶剂曝光，所以体现本发明的单模制镶嵌工艺不需要氮化硅蚀刻停止或硬覆层。
多孔低k介质材料的UV模制具有优势，因为印记机械限定用于介质材料中的纳米孔的边界条件。这会在空腔中产生闭合的表面。用于图形转移的灰化可以留下这样的孔开口。随着半导体特征尺寸继续减小，闭合介质材料中的纳米孔将逐步变得重要起来，尤其，当特征尺寸接近纳米孔尺寸时。
体现本发明的UV模制工艺不限制于一个平面。相反，体现本发明的UV模制工艺可以同时在不同级上实施。可以交错公共光刻平面上的相邻导体，以增加间距并由此减小电容和/或允许导体垂直和/或横向拓宽由此减小电阻。因为体现本发明的UV模制工艺提供比常规工艺更廉价的选择，所以可以将附加的互连层添加到前面这样做不经济的IC设计中。上述本发明的实施例的优点是在复制期间在光刻层之间的固有对准。这里，层间对准精度可以只依赖于印记制造工艺。
印记120可以由例如玻璃、硅、或石英的刚性材料形成。例如，可以通过电子束或光刻构图和反应离子蚀刻硅衬底上的二氧化硅层，形成印记120。首先光构图氧化物层。然后构图的氧化物形成防止蚀刻下面的硅的选择性阻挡。通过蚀刻将图形转移到硅。可以用等离子体聚四氟乙烯层覆盖构图的硅。聚四氟乙烯容易使印记120从随后将其压入其中的材料轻松释放，并减小操作期间的磨损。
可以通过电子束光刻制造用于模制印记120的主体(master)或印记120。例如，可以在硅衬底上形成主体。在衬底上淀积第一抗蚀剂层。然后通过电子束选择性地暴露第一抗蚀剂层，以限定第一级图形。然后在衬底上淀积第二抗蚀剂层。然后通过电子束选择性地暴露第二抗蚀剂层，以限定第二级图形。然后结合显影第一和第二抗蚀剂层以留下第一级图形上叠加的第二级图形。因此结合的图形包括两级。再次在结合的图形上淀积等离子体聚四氟乙烯层，以形成印记。可以通过旋涂等淀积第一和第二抗蚀剂层。
作为选择，可以用例如橡胶或PDMS的弹性材料形成印记120。PDMS的硬度方便可调。刚性和弹性印记都可以获得类似的图形尺寸。特征尺寸可以为约35nm。试验显示本发明的实例可以获得相对大面积的模制，具有8cm直径衬底上的例如130nm的特征尺寸、具有基于约200nm的图形高度的相对高的纵横比、并具有非常好的侧壁清晰度。弹性印记形成与衬底的保形接触。保形接触有利于缺陷容忍。这允许比刚性印记更高的产量，尤其对于相对大面积的制模。另一个优点是，甚至对于具有垂直侧壁的高纵横比特征，来自模制材料的弹性印记的释放很轻松。
上述参考多级IC互连的制造描述了本发明的实施例。然而，本发明可以等效应用到许多其它多级结构的制造。一种这样的结构就是此前参考图2和3描述的多级印记120。这样的印记可以通过将主体压进可固化材料中来形成。主体优选用弹性材料形成。由弹性材料形成的模制印记的优点是可以在没有损坏主体的风险的情况下用主体复制多个印记。弹性主体促使模制的印记的有效释放，甚至当模制的印记包括垂直或起皱的侧壁时。这样的特征可以永久接合到刚性材料。
在本发明的优选实施例中，用具有包括第一和第二光刻级的图形的透明弹性主体模制印记120。首先，用均匀的UV可固化液体预聚合物抗蚀剂层涂覆带有将来用以形成印记120的空处的衬底。然后使主体与抗蚀剂层接触并与对应的空处对准。可以采用穿过主体的光学对准。然后将主体上的图形压进抗蚀剂层。通过暴露到穿过主体的UV固化构图的抗蚀剂层。然后从固化的抗蚀剂层释放主体。通过灰化除去任何残余的抗蚀剂。在此阶段，固化的抗蚀剂层的形状基本上匹配主体的图形。现在通过基于抗蚀剂层中的第一级图形的离子研磨将第一级图形转移到空处。实施灰化以除去抗蚀剂层到第二级图形。现在实施离子研磨，只存在抗蚀剂层中的第二级图形。除去剩下的抗蚀剂以暴露印记120。显然，通过此技术可以提供多于两级图形的印记120。
如前面几次提到的，可以采用光学对准以相对于带有将要成形的材料的衬底定位印记120。在本发明的优选实施例中，用弹性材料形成印记120并采用机械对准以改善和取代相对于衬底的印记120的光学对准。参考图4，在本发明的优选实施例中，衬底100从将要在其上形成结构的表面带有多个间隔突起310、320。突起310、320对应于印记120的图形中的互补沟槽330、340。
首先，在步骤350中，在衬底100的表面上和突起310、320上淀积UV可固化液体预聚合物的小滴300。可以通过，例如，滴涂淀积小滴300。在本发明的另一个实施例中，可以以其它形式淀积液体预聚合物，例如均匀但具有精确测量的量的层，以使在模制期间不需要预聚合物的长距离横向流动。在步骤360中，以这样的方式将印记120压进与淀积的预聚合物接触，印记120上的沟槽330、340通常与衬底100上的突起310、320对准。在通常的对准中采用光学技术。当印记120压向衬底100时，中间的液体聚合物淀积合并以形成均匀层200。聚合物层200润滑印记120和衬底100之间的接触以减小印记120和衬底100之间的摩擦并由此促使印记120相对于衬底100的横向运动。衬底100上的相邻突起310、320之间的间距稍大于对应的印记120上的沟槽330、340之间的间距，以使在步骤370中，当沟槽330、340变为固定在突起310、320之上时，印记可以横向伸展。形成印记120的弹性材料适应这种伸展。横向伸展提高了印记120上的图形相对于衬底100定位的精度，并由此提高了预聚合物成形的精度。注意，印记可以依赖于产生晶片和印记之间不匹配的制造或工艺伸展或压缩。
突起310、320和对应的形成物330、340在形式上可以为圆锥形或截头圆锥形。然而，圆锥形和截头圆锥形形状相对难以形成。因此，在本发明的优选实施例中，突起310、320和沟槽330、340分别具有垂直于衬底120和印记100表面延伸的侧面。为了接近圆锥形形状，并由此获得类似的伸展和对准效果，每个突起的末端包括限定类似于圆锥体的顶点的狭窄末端的向内步骤。平面视图中突起和沟槽可以为圆形或方形。在本发明的其它实施例中，可以在衬底100中形成沟槽，并可以在印记120中形成对应的突起。很明显，可以在印记120和衬底100上提供其它形式的互补形成物，以形成此前描述的机械伸展和对准效果。
参考图5，在本发明的优选实施例中，印记120中的每个沟槽330的中心偏离衬底100上对应的突起310的中心位移d。位移d可以为，例如，约200nm。在每个突起310的末端上淀积过量的润滑液体预聚合物200。当印记120和衬底合到一起时，衬底100上的每个突起310进入对应的沟槽330。突起310的较窄末端区域容易进入。每个沟槽330在位移d的方向扩展，以容纳对应的突起310。由此在印记120中产生与印记材料的弹性相反的横向力。每个沟槽330的扩展提供了过量预聚合物的排出路径，允许在通过印记材料施加的弹性压力下过量预聚合物的溢出。每个沟槽330中的弹性压力与印记材料中的相对回复力相关。回复力趋于关闭对应的突起310周围的沟槽330。当完全关闭时，每个沟槽和对应的突起之间的偏离在印记材料中，尤其，在印记材料中形成的图形中产生对准张力。对于具有约250nm长度的较窄端的突起，每个沟槽330的深度可以为约500nm，在其末端处突起的宽度和在衬底100表面处突起的宽度之间为约200nm。其它尺寸明显可以。
体现本发明的接触光刻工艺也可以提供改进方法，用于施加用于催化剂和衬里例如扩散和电迁移阻挡的前体材料。
权利要求
1.一种用于在表面上形成多级结构的方法，所述方法包括在所述表面上淀积可固化液体层；将其中具有多级图形的印记压入所述液体层，以在所述液体层中形成由所述图形限定的多级结构；以及，固化所述液体层，以形成其中具有多级结构的固体层。
2.根据权利要求1的方法，包括，在所述压入之前，通过所述印记和所述表面上的互补形成物相对于所述表面对准所述印记。
3.根据权利要求2的方法，其中所述对准包括所述印记通过所述液体层相对于所述表面的润滑移动。
4.根据权利要求3的方法，其中所述互补形成物包括在所述印记和所述表面的一个上的突起和在所述印记和所述表面的另一个上的用于接收所述突起的沟槽。
5.根据权利要求4的方法，其中所述印记由弹性材料形成。
6.根据权利要求5的方法，其中所述对准包括伸展所述印记。
7.根据权利要求6的方法，其中所述突起相对于所述对应的沟槽偏离，以形成所述印记的所述变形。
8.根据权利要求1到4中任何一项的方法，其中所述印记由刚性材料形成。
9.根据上述权利要求中任何一项的方法，其中所述固体层由介质材料形成，以及所述多级结构包括在所述固体层中的多级空腔。
10.根据权利要求1到8中任何一项的方法，其中所述固体层由抗蚀剂材料形成，所述多级结构包括在所述固体层中的多级空腔，以及所述淀积包括在介质层上淀积液体形式的抗蚀剂材料。
11.根据权利要求10的方法，包括通过所述固体层蚀刻所述介质层以将所述空腔从所述固体层转移到所述介质层。
12.根据权利要求9或权利要求11的方法，包括在所述空腔中淀积金属以形成嵌入介质材料的导电结构。
13.根据权利要求12的方法，其中所述空腔包括对应于所述导电结构的纵向部件的第一级和对应于所述导电结构的横向部件的第二级。
14.根据权利要求13的方法，其中所述纵向部件包括用于实现集成电路的多级互连结构的相邻级之间的电连接的过孔，而所述横向部件包括用于实现所述集成电路的所述相邻级中的一个内的电连接的布线。
15.根据上述权利要求中任何一项的方法，其中所述固化包括通过所述印记将所述液体层暴露于紫外光。
16.一种用于制造具有多级互连结构的集成电路的方法，所述方法包括通过实施根据权利要求14的方法在所述互连结构的至少一对相邻级之间形成导电结构。
全文摘要
本发明描述了一种用于在表面上形成多级结构的方法。所述方法包括在所述表面上淀积可固化液体层(200)；将其中具有多级图形的印记(120)压入所述液体层，以在所述液体层中形成由所述图形限定的多级结构；以及，固化所述液体层，以形成其中具有多级结构的固体层。可以采用机械对准以改善所述印记通过多个在其上将要形成所述结构的衬底上的间隔突起和所述印记的所述图形中的互补沟槽相对于所述衬底的光学对准。
文档编号G03F7/00GK1860605SQ200480028081
公开日2006年11月8日 申请日期2004年8月23日 优先权日2003年9月29日
发明者A·比耶池, B·麦克尔 申请人:国际商业机器公司