专利名称：显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种显示器，更确切地说，涉及一种设有具有不同宽度的切口的共用电极(common electrode)的显示器。
背景技术：
液晶显示器(LCD)器包括两个设有场发生电极(例如像素电极和共用电极)的板以及插入其间的液晶(LC)层。液晶显示器通过把电压施加于场发生电极以在液晶层产生电场而显示图象，所述电场确定在液晶层内液晶分子的取向。由于液晶显示器的特性(例如，低电压运行、低能耗和低重量)，其广泛用于多种电子装置。
然而，液晶显示器在视角范围方面具有限制。为了扩大视角的范围，已经研发了在场发生电极中具有切口或在场发生电极上具有突出部分的垂直对齐(VA)模式液晶显示器。
切口和突出部分能够使液晶分子的倾斜方向分散成多方向以扩大视角。因此，典型的VA模式LCD装置具有使对比率(contrast ratio)等于大约1∶10宽的视角。
虽然在VA模型LCD装置中视角能够被扩大，但是VA模型LCD装置依旧具有多种缺点。例如，相对前部的可视性，横向可视性的质量较差。由于LCD装置已经被用于多媒体装置，横向可视性已变得更为重要。
发明内容
本发明的一个方面旨在提供具有改善的图象质量的显示器。在一个实施例中，显示器包括第一基片、形成在第一基片上的第一亚像素和第二亚像素电极、覆盖(overlaying)第一基片的第二基片和具有在第二基片上制成的第一切口和第二切口的共用电极。请注意，这里所用的“覆盖”作为相对术语，因此“覆盖”也包括第二基片在第一基片“下”的位向。第二亚像素电极与第一亚像素电极隔开。第一切口放置在第一亚像素电极上，第二路器放置在第二亚像素电极上。至少第一切口的一部分具有第一宽度，至少第二切口的一部分具有不同于第一宽度的第二宽度。施加于第一亚像素电极的电压不同于施加于第二亚像素电极的电压。在一个实施例中，第一宽度大于第二宽度大约10％-大约62％、大约15％-大约40％。在另一个实施例中，第一宽度大于第二宽度大约1.0μm-大约4.0μm、1.5μm-3.0μm。
在另一个实施例中，显示器包括第一基片；制在第一基片上的门极线(gate line)；与制在第一基片上的门极线相交的数据线；连接门极线和数据线的薄膜晶体管；连接至薄膜晶体管的第一亚像素电极；连接至第一亚像素电极的耦合电极；与第一亚像素电极相分离的第二亚像素电极；对应第一基片的第二基片；和具有制在第二基片上的第一切口和第二切口的共用电极。第二亚像素电极与偶合电极重叠。第一切口放置在第一亚像素电极上，第二切口放置在第二亚像素电极上。至少第一切口的一部分具有第一宽度，至少第二切口的一部分具有不同于第一宽度的第二宽度。施加于第一亚像素电极的电压不同于施加于第二亚像素电极的电压。在一个实施例中第一宽度大于第二宽度大约10％-大约62％、大约15％-大约40％。在另一个实施例中第一宽度大于第二宽度大约1.0μm-大约4.0μm、大约1.5μm-大约3.0μm。
改变相应于亚像素电极的电压的切口的宽度提高显示器的孔径比。因此，显示器的亮度被增强了，并可以减少诸如残留图象、色斑或指纹等缺陷。
通过下面参照附图详细地说明，本发明的上述和其它特征和优点将更为明显，附图如下图1是根据本发明的实施例的液晶显示器(LCD)装置的TFT(薄膜晶体管)阵列板的俯视图；图2是根据本发明的实施例的液晶显示器(LCD)装置的共用电极板的俯视图；图3是具有图1的TFT阵列板和图2的共用电极板的LCD装置的俯视图。
图4是沿图3的线IV-IV所取的横截面图；图5是图3所示的LCD装置的示意等效电路图；和图6是说明作为施加于LC电容器上的电压的函数的共用电极的切口的宽度的曲线。
具体实施例方式
下面将参照附图更充分地说明本发明，在所述附图中出示了本发明的优选实施例。然而，本发明可以在多种不同的形式下实施，不应解释为仅限于所提出的实施例。
在这些附图中，层、膜和区域的厚度为了清楚起见都被放大。在整个说明书中相同的附图标记代表相同的元件。应理解，当诸如层、膜、区域或基片等元件在另一个元件“上“时，他可以直接在另一个元件上或也可以介入元件之间存在。相反，当一个元件被提及“直接”在另一个元件上时，则没有介入的其它元件存在。
下文，将参照附图详细说明根据本发明的一个实施例的液晶显示器(LCD)装置。
图1是根据本发明的实施例的液晶显示器(LCD)装置的TFT(薄膜晶体管)阵列板的俯视图；图2是根据本发明的实施例的液晶显示器(LCD)装置的共用电极板的俯视图；图3是具有图1的TFT阵列板和图2的共用电极板的LCD装置的俯视图。图4是沿图3的线IV-IV获取的横截面图。
参照图4，根据本发明的实施例的LCD装置400包括薄膜晶体管(TFT)阵列板100、共用电极板200、和插在TFT阵列板100和共用电极板200之间的液晶(LC)层300。
下文，将参照图1、3和4详细地说明TFT阵列板100。
多个门极线121和多个存储电极线131制在第一基片110上。第一基片110可包括透明的绝缘材料(例如玻璃)。
门极线121被构造成传输门信号(gate signal)并在大体横向上延伸。每个门极线121向下和向上突出以制成门电极124。被延伸的门极线121可连接至集成在第一基片110上的驱动电路(未示出)上。可选择地，一个或多个门极线121可具有末端部分(未示出)或外部驱动电路，所述末端部分具有相对较大的区域连接另一层，所述外部驱动电路可安装在第一基片110或安装在另一装置上，例如柔性印制电路薄膜(未示出)。
也在大体横向上延伸的每个存储电极线131连接至多组存储电极上。每套存储电极包括在大体纵向上延伸的第一存储电极133a、第二存储电极133b和在大体横向上延伸的第三存储电极133c。第三存储电极133c在第一和第二存储电极133a和133b的大约中点处把第一存储电极133a连接至第二存储电极133b。第一存储电极133a和第二存储电极133b的每一个都具有连接至存储电极线131上的末端部分。施加于LCD装置的共用电极板200上的共用电极270的预定电压(例如共用电压)施加于存储电极线131上。存储电极的构造可以进行多种修改。例如，每种存储电极可包括在大体纵向上延伸的第一和第二存储电极，和在大约对角线方向上延伸的第三和第四存储电极。在本修改中，当延伸时，第一电极大体平行于第二电极，第三电极大体垂直于第四存储电极。第一电极通过第三和第四电极连接至第二电极。
在一个实施例中，门极线121和存储电极线131的每一个包括含Al金属(例如Al或Al合金)、含Ag金属(例如Ag或Ag合金)、含Mo金属(例如Mo或Mo合金)、Cu、Cr、Ti、Ta。门极线121和存储电极线131的每一个可具有多层结构，所述多层包括两层具有不同物理特性的薄膜。一层包括诸如Cr、Mo或Mo合金、Ti或Ta等材料，所述材料具有与其他材料良好的接触特性，所述其它材料指铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)但不限于此。为了减小在门极线121和存储电极线131内的信号延迟或电压降落，另一层包括低电阻率金属，例如但不限于含铝金属(例如铝或铝合金)或含银金属(例如银或银合金)。例如，上层含Al和下层含Cr的组合，或上层含Mo和下层含Al的组合是合适的。在其它实施例中，门极线121和存储电极线131可包括其它多种导电材料。
在一些实施例中，门极线121和存储电极线131的横向侧面相对第一基片110的表面可在大约30-80度的范围内以一个倾斜角倾斜。
门绝缘层140可制在具有门极线121和存储电极线131的第一基片110上。在一个实施例中，绝缘层140包括氮化硅(SiNx)。
在一个实施例中，包括加氢非晶硅(下文简化为‘a-Si’)或多晶硅的多个半导体片151然后被制在门绝缘层140上。每个半导体片151可在大体纵向上延伸并具有多个向门电极124突出的突出部分154。
在一个实施例中，多个欧姆接触片161和165制在半导体片151。欧姆接触片161和165可包括用n型杂质掺杂的硅化物或n+加氢a-Si。每个欧姆接触片161具有突出部分163。突出部分163和欧姆接触片165位于半导体151的突出部分154上。
此外，在一个实施例中，半导体片151和欧姆接触片161和165的横侧面相对第一基片110的表面在大约30-80度的范围内以一个角度倾斜。
多个数据线171、多个漏电极175和多个桥下(under-bridge)金属片172制在欧姆接触片161和165和门绝缘层140上。
数据线171被构造成传输数据信号并在大体纵向上延伸与门极线121和存储电极线131相交。每个数据线171放置在两个相邻第一和第二存储电极133a和133b之间。每个数据线171具有末端部分，所述末端部分具有相对较大的区域与其它层或外部装置接触。数据线171可包括多个分支，所述分支向漏电极175突出。这些分支形成源电极173。
如图所示，在半导体片151的突出部分154上的漏电极175的杆形末端部分被延伸，然后部分地扩展以与其它层连接。扩展部分沿第二存储电极133b延伸，以“<”形弯曲，然后再沿第二存储电极133b延伸。从扩展部分延伸的部分被称为“耦合电极”。
源电极173的每一个可弯曲，从而弯曲的部分部分地关闭漏电极175的末端部分。门电极124、源电极173、漏电极175和半导体片151的突出部分154一起形成TFT。TFT通道制在源电极173和漏电极175之间的突出部分154上。
桥下金属片172在第一存储电极133a的末端部分附近与门极线121重叠。
在一个实施例中，数据线171、漏电极175和桥下金属片172包括难熔金属，例如但不限于Mo、Cr、Ta、Ti、Al或其合金。这些元素的每一个可具有多层结构，所述多层结构包含难熔金属的一薄膜和包含低电阻率材料的另一薄膜。多层结构的实例包括包含Al的上层和包含Cr的下层的组合，或包含Mo的上层和包含Al的下层组合，如上所述。
象门极线121和存储电极线131，数据线171、漏电极175和桥下金属片172可具有锥形侧面，所述侧面相对第一基片110的表面在大约30-80度范围内具有倾斜角。
欧姆接触片161和165插在半导体片151和数据线171之间，在半导体片151和源电极173之间，以及在半导体片151和漏电极175之间以减小接触其间的接触阻力。
钝化层180可制在数据线171、漏电极175和半导体片151的暴露部分上。在一个实施例中，钝化层180包括光敏有机材料，所述光敏有机材料提供平顶特性(flat characteristic)。直观地，这种材料可包括低电介质绝缘材料，所述低电介质绝缘材料具有低于大约4.0的介电常数，例如但不限于a-Si:C:O或a-Si:O:F。这种材料可通过等离子增强的化学气体沉积(PECVD)过程而制成。可选择地，此材料可包括无机材料，例如氮化硅、氧化硅。钝化层180可包括无机下层薄膜和有机上层薄膜。
钝化层180具有多个分别暴露数据线171的末端部分和至少漏电极175的部分的接触孔182和185。钝化层180也具有多个分别暴露第一存储电极133a的突出末端部分和在第一存储电极133a附近相对于暴露的突出末端部分的存储电极线131的接触孔183和184。接触孔183和184也暴露门绝缘层140。
在一个实施例中，每一个都具有一对第一和第二亚像素电极190a和190b的多个像素电极190、多对接触辅助件(contact assistant)82和多个存储跨线桥(storage overpass)91制在钝化层180上。在一个实施例中，像素电极190、接触辅助件82和存储跨线桥91包括透明的导电材料(例如ITO和IZO)或具有高的反射率不透明的导电材料(例如，Al)。
第一亚像素电极190a通过接触孔185电连接至漏电极175上，从而数据电压施加于第一亚像素电极190a。第二亚像素电极190b电容性地耦合至第一亚像素电极190a，因为电连接至第一亚像素电极190a的耦合电极176与第二亚像素电极190b重叠。
当数据电压施加于第一亚像素电极190a时，第一亚像素电极190a和电容性耦合至第一亚像素电极190a的第二亚像素电极190b与共用电极270一起产生电场以使LC分子310在LC层300内重新定向。
每一个亚像素电极190a和190b与共用电极270形成电容器(下文称“液晶电容器”)，从而在TFT被关闭之后施加的电压被存储。为了增强电压存储容量，设有平行地连接至液晶电容器的附加电容器。这些电容器被称为“存储电容器”。存储电容器通过将像素电极190a和190b与存储电极线131重叠而实现，所述存储电极线131包括存储电极133a、133b和133c。
每一个电极190可具有削边。在一个实施例中，削边相对门极线121以大约45度的角度倾斜。
第一亚像素电极190a和第二亚像素电极190b彼此连接并围成开放的空间(下文称“间隙”)，从而它们的外边界具有大体矩形的形状。在一个实施例中，第二亚像素电极190b的形状可以类似旋转的等边梯形。第二亚像素电极190b可具有放置在第一存储电极133a附近的左边缘；放置在第二存储电极133b附近的右边缘；和一对上和下层倾斜的边缘，每一个都相对门极线121成大约45度的角。第一亚像素电极190a可包括一对面向第二亚像素电极190b的倾斜边缘的直角梯形部分和面对第二亚像素电极190b的左边缘的纵向部分。因此，在第一亚像素电极190a和第二亚像素电极190b之间的间隙194可包括一对倾斜的下层和上层部分191和193。每个倾斜部分具有大体统一的宽度并且相对门极线121成大约45度的角度。间隙194也可包括具有大体统一宽度的纵向部分195。如图所示，倾斜部分191和193长于纵向部分195。
第二亚像素电极190b可具有沿存储电极线131延伸的切口192以大约把第二亚像素电极190b切成下和上两割开的部分。切口192可具有从第二亚像素电极190b的右边缘的入口。此外，切口192的入口可具有一对倾斜边缘，每一个大约平行于间隙194的下倾斜部分191和上倾斜部分193。间隙194和切口192的每一个都大约与第三存储电极133c对称。
割开部分的数量或切口的数量可根据设计因素(例如像素的尺寸、第一和第二亚像素电极190a和190b的横向边缘和纵向边缘的比值和LC层300的特性)而变化。下文，为了便于说明，间隙194称为“切口”。
与门极线121相交的存储跨线桥91分别通过接触孔183和184连接至第一存储电极133a的暴露突出末端部分和存储电极线131的暴露部分。与桥下金属片172重叠的存储跨线桥91可电连接至桥下金属片172。具有存储电极133a、133b和133c的存储电极线131、存储跨线桥91和桥下金属片172可被用于在门极线121、数据线171或TFT内修复缺陷。用于门极线121的修复的门极线121和存储电极线131之间的电连接可通过把激光束照射到门极线121和存储跨线桥91的交叉点上而进行。在这种情况下，桥下金属片172加强了门极线121和存储跨线桥91之间的电连接。
接触辅助件82通过接触孔182连接至数据线171的末端部分。接触辅助件82保护数据线171的末端部分并通过外部装置加强数据线171的末端部分的粘结。接触辅助件82是可选择的元件。
下文，将参照图2、3和4详细说明共用电极板200。在图3中，省略了阻光元件和颜色过滤器。
阻光元件220(例如防止光泄漏的黑底)制在包含透明绝缘材料(例如玻璃)的第二基片210上。阻光元件220可包括面对像素电极190的多个开口。开口的形状可与像素电极190的开口形状大体相同。阻光元件220可具有多种形状以阻隔在图1中所示的像素电极190a和190b和TFT附近泄漏的光。
多个颜色过滤器230可制在第二基片210上。颜色过滤器230大部分放在阻光元件220所围绕的区域。颜色过滤器230可沿像素电极190在纵向上延伸。颜色过滤器230可代表主要颜色(例如红、绿和蓝)之一。
使其具有平坦表面的保护层250可制在颜色过滤器230和阻光元件220上以覆盖暴露的颜色过滤器230。
共用电极270，例如，包括透明导电材料(例如，ITO或IZO)，可制在保护层250上。共用电极270可包括多组切口271、272和273。
面对像素电极190的这组切口271、272和273包括下部切口271、中部切口272和上部切口273。切口271、272和273放置在像素电极190的相邻切口192和194之间或像素电极190的切口194和倾斜边缘之间(见图1)。此外，切口271、272和273的每一个具有至少一个平行于像素电极190的下部切口191或上部切口193延伸的倾斜部分。切口271、272和273的每一个都大约相对第三存储电极133c对称。
如图2所示，下部和上部切口271和273的每一个可包括倾斜部分、横向部分和纵向部分。倾斜部分从像素电极190的左边缘延伸至像素电极190的下或上边缘。横向部分和纵向部分都从倾斜部分的每一个末端沿像素电极190的边缘延伸同时与像素电极190的边缘重叠。倾斜部分和横向或纵向部分之间的角度是钝角的。
在一个实施例中，中间切口272可具有中间横向部分、一对倾斜部分和一对终端纵向部分。中间横向部分大约从像素电极190的左边缘沿第三存储电极133c延伸。这对倾斜部分从中间横向部分的末端大约延伸至像素电极190的右边缘。中间横向部分和倾斜部分之间的角度是钝角。这对终端纵向部分从各自倾斜部分的末端沿像素电极190的右边延伸。这对纵向部分可与像素电极190的右边重叠。在纵向部分和倾斜部分之间的角度是钝角。虽然中间切口272大部分与第二亚像素电极190b重叠，但是中间切口272的一些部分可与切口194或第一亚像素电极190a重叠。
参照图2，下部切口271的至少一部分和切口273的至少一部分上的每一个具有第一宽度W1，中间切口272的至少一部分具有第二宽度W2。第一宽度W1不同于第二宽度W2。在一个实施例中，第一宽度W1大于第二宽度W2。
第一宽度W1根据第一亚像素电极190a和共用电极270之间的电压而变化，并且第二宽度W2根据第二亚像素电极190b和共用电极270之间的电压而变化。例如，当在第一亚像素电极190a和共用电极270之间的最大电压差相应于大约5.6V至7.0V时，第一宽度1相应于大约10.5μm至11.5μm。在一个实施例中，当在第二亚像素电极190b和共用电极270之间的最大电压差相应于大约3.3V至5.6V时，第二宽度W2相应于大约6.5μm至10.5μm，例如，大约7.5μm至10.0μm。误差范围大约±1.0μm。在一个实施例中，第一宽度W1大于第二宽度W2大约1.0μm至4.0μm，例如，大约1.5μm至3.0μm。换句话说，第一宽度W1大于第二宽度大约10％至62％，在一个实施例中，大约15％至40％。
切口271、272和273的数量可根据设计因数而变化。在一个实施例中，阻光元件220可与切口271、272和273重叠以阻碍在切口271、272和273附近的光泄漏。从存储电极线131处延伸的存储电极可具有与切口271和273重叠的构造。
偏光器12和22分别设在板100和200的外表面。传输光的偏光器12和22的轴彼此垂直。偏光器之一可以不必用于反射型LCD装置。
在一个实施例中，LC层300具有负的电介质各向异性。当不产生电场时，在LC层300内的LC分子310被校直，从而它们的主轴大约垂直于板的表面。
如上所述，一组切口191、192和193和271、272和273把像素电极190分成多个分区。如图3所示，每个分区具有两个主要边缘。切口192、194和271、272和273控制在LC层300内的LC分子310的倾斜方向。特别地，电极190和270的切口194和271、272和273使在LC层300内的电场变形以产生电场的水平分量，所述水平分量垂直于切口192、194和271、272和273的边缘。因此，LC分子310的方向在每个分区上变化，因此标准视角被扩大。在一个实施例中，LC分子310在大约四个方向倾斜。
切口191、192和193和271、272和273至少之一能用突出部分或凹入部分取代，切口192、192和193和271、272和273的构造可多种形式修改。耦合电极176的构造也可被修改。
上述LCD装置可由图5中的示意等效电路图表示。
参照图5，TFT阵列板包括多个门极线121、多个数据线171和多个像素。每个像素具有一对第一和第二LC电容器CLca和Clcb、TFT晶体管Q和耦合电容器Ccp。第一LC电容器CLca代表共用电极270和第一亚像素电极190a之间的电容器；第二LC电容器Clcb代表共用电极270和第二亚像素电极190b之间的电容器。耦合电容器Ccp代表第一亚像素电极190a和第二亚像素电极190b之间的电容器。TFT晶体管Q连接至门极线121上、数据线171和第一亚像素电极190a上。
下文，将详细说明像素的运行过程。
当门开(gate-on)电压施加于门极线121时，连接至门极线121上的TFT晶体管Q被打开以把数据线171的数据电压传输至第一亚像素电极190a。第一亚像素电极190a然后被数据电压充电，所述数据电压影响电容性地连接至第一亚像素电极190a的浮动的第二亚像素电极190b的电压。第一亚像素电极190a相对共用电极270的电压Va与第二亚像素电极190b的电压Vb的函数关系表示如下Vb＝Va×[Ccp/(Ccp+Clcb)]其中Ccp表示耦合电容器的电容，Clcb表示第二电容器的电容，它们同时地表示电容器。
因为Ccp/(Ccp+Clcb)小于1，所以第二亚像素电极190b的电压Vb小于第一亚像素电极190a的电压Va。
第二亚像素电极190b的电压Vb和第一亚像素电极190a的电压Va的比率可使用耦合电容器的电容Ccp(下文称为“耦合电容”)来调节。耦合电容的调节可通过改变与第二亚像素电极190b重叠的耦合电极176的区域或耦合电极176和第二亚像素电极190b之间的距离而进行。与第二亚像素电极190b重叠的耦合电极176的区域可以容易地通过改变耦合电极176的宽度而改变；耦合电极176和第二亚像素电极190b之间的距离可以容易地通过改变耦合电极176的位置而调节。例如，不象图1至4内的构造，与门极线在相同层上制成的耦合电极可增加在耦合电极和第二亚像素电极之间的距离。
如上所述，第一亚像素电极190a的电压不同于第二亚像素电极190b的电压，因此可以减小γ曲线的失真。
电场在切口192、194、271和273内重叠。在切口192、194、271和273内的电场的垂直分量具有相同的方向，并且在切口192、194、271和273内的电场的水平分量具有相反的方向。因此，当每个电场的强度增强时稳定的电场的垂直分量增加。然而，当切口192、194、271和273的宽度变窄时即使每个电场的强度保持不变，稳定的电场的水平分量也降低。
在切口192、194、271和273的两个相邻的边缘处的LC分子310的倾斜方向是相反的。因此，LC分子310的倾斜方向开始从切口192、194、271和273处改变。当稳定电场的垂直分量增加或当稳定电场的水平分量降低时，在切口192、194、271和273附近的LC分子310由于斜削弹力而严重的倾斜。因此，诸如残留图象、色斑等缺陷出现了。因此，无论施加于像素电极190上的电压是多大，扩大切口192、194、271和273的宽度是必要的，然而，这可以减小相对孔径。因此根据施加于像素电极190上的每个电压确定切口192、194、271和273的每个宽度是理想的。
在一个实施例中，根据电场的强度，即，像素电极190和共用电极270之间的电压差，切口192、194、271和273的宽度将参照图3和6详细说明。
图6是说明根据LC电容器的电压(下文称“亚像素电压)的共用电极的切口的实例宽度的曲线。切口的宽度被定义为不引起诸如残留图象、色斑或指纹等缺陷同时保持LCD装置的明亮度的宽度。
在一个实施例中，对于图1-5所示的LCD装置，施加于第一LC电容器Clca的最大电压是在大约5.6至7.0V的范围内，并且施加于第二LC电容器Clcb的最大电压在大约3.3V至5.6V范围内，所述3.3V至5.6V范围相当于大约施加于第一LC电容器Clca的最大电压的60％-80％。如图6所示，第一宽度W1在大约10.5μm至11.5μm的范围内，第二宽度W2在大约6.5μm至10.5μm的范围内，在一个实施例中，为7.5μm至10.0μm。误差范围大约±1.0μm。第一宽度W1大于第二宽度W2大约1.0μm至4.0μm，例如，在一个实施例中为大约1.5μm至3.0μm。即，第一宽度W1大于第二宽度大约10％至62％，即，大约15％至40％。
改变相应于亚像素电极的电压的切口的宽度增强LCD装置的相对孔径比，因此增强了LCD装置的明亮度。此外，诸如残留图象、色斑或指纹等缺陷可被减小以提高LCD装置的图象质量。
虽然本发明参照优选实施例已详细说明了，但是对本技术熟悉的人将理解，没有脱离附权利要求下的本发明的精神和范围下可进行多种修改和替代。
权利要求
1.一种显示器，包括第一基片；形成在第一基片上的第一亚像素电极；形成在第一基片上的第二亚像素电极，所述第二亚像素电极与第一亚像素电极隔开；覆盖第一基片的第二基片；和共用电极，所述共用电极具有在第二基片上形成的第一切口和第二切口，第一切口设置在第一亚像素电极上，第二路器设置在第二亚像素电极上；其中，第一切口的至少一部分具有第一宽度，第二切口的至少一部分具有不同于第一宽度的第二宽度。
2.根据权利要求1所述的显示器，其中施加于第一亚像素电极的电压不同于施加于第二亚像素电极的电压。
3.根据权利要求1所述的显示器，其中第一宽度大于第二宽度大约10％至大约62％。
4.根据权利要求1所述的显示器，其中第一宽度大于第二宽度大约15％-大约40％。
5.根据权利要求1所述的显示器，其中第一宽度大于第二宽度大约1.0μm-大约4.0μm。
6.根据权利要求1所述的显示器，其中第一宽度大于第二宽度大约1.5μm-3.0μm。
7.根据权利要求1所述的显示器，进一步包括插在第一基片和第二基片之间的液晶层。
8.根据权利要求1所述的显示器，进一步包括电连接至第一亚像素电极上的耦合电极，耦合电极电容性地耦合至第二亚像素电极。
9.根据权利要求1所述的显示器，其中施加于第二亚像素电极的电压相应于施加于第一亚像素电极的电压的大约60％至80％。
10.根据权利要求1所述的显示器，其中耦合电极与第一切口和第二切口至少之一重叠。
11.一种显示器包括第一基片；形成在第一基片上的门极线；与形成在第一基片上的门极线相交的数据线；连接至门极线和数据线的薄膜晶体管；连接至薄膜晶体管的第一亚像素电极；连接至第一亚像素电极的耦合电极；与第一亚像素电极相隔开的第二亚像素电极，第二亚像素电极与耦合电极重叠；覆盖第一基片的第二基片；和共用电极，所述共用电极具有形成在第二基片上的第一切口和第二切口，第一切口设置在第一亚像素电极上，第二切口设置在第二亚像素电极上；其中第一切口的至少一部分具有第一宽度，第二切口的至少一部分具有不同与第一宽度的第二宽度。
12.根据权利要求11所述的显示器，其中施加于第一次像素电极的电压不同于施加于第二次像素电极的电压。
13.根据权利要求11所述的显示器，其中第一宽度大于第二宽度大约10％至大约62％。
14.根据权利要求11所述的显示器，其中第一宽度大于第二宽度大约1.0μm至大约4.0μm。
15.根据权利要求11所述的显示器，进一步包括插在第一基片和第二基片之间的液晶层。
16.根据权利要求11所述的显示器，其中第二亚像素电极是浮动的。
17.根据权利要求11所述的显示器，进一步包括与第一亚像素电极或第二亚像素电极重叠的耦合电极。
18.根据权利要求11所述的显示器，其中至少第一切口或第二切口的一部分相对门极线或数据线具有大约45度的倾斜角。
19.根据权利要求11所述的显示器，其中薄膜晶体管包括连接至门极线的门电极、连接至数据线的源电极和连接至第一亚像素电极的漏电极，其中耦合电极与漏电极一体制成。
20.根据权利要求11所述的显示器，其中耦合电极与第一切口或第二切口重叠。
全文摘要
一种显示器，包括第一基片、第一亚像素电极、相应于第一基片的第二亚像素电极、第二基片和形成在第二基片上的共用电极。第一亚像素电极和第二亚像素电极形成在第一基片上。第二亚像素电极与第一亚像素电极隔开。所述共用电极具有第一切口和第二切口。第一切口设置在第一亚像素电极上，第二路器设置在第二亚像素电极上。第一切口的至少一部分具有第一宽度，第二切口的至少一部分具有不同于第一宽度的第二宽度。在一个实施例中第一宽度大于第二宽度。这种结构增强了相对孔径比和显示器的明亮度。诸如残留图象、色斑或指纹的等缺陷可以被减小并提高图片质量。
文档编号G02F1/1343GK1779532SQ20051007650
公开日2006年5月31日 申请日期2005年6月6日 优先权日2004年11月25日
发明者宋长根 申请人:三星电子株式会社