抗蚀剂组合物及其使用方法

专利名称：抗蚀剂组合物及其使用方法
背景技术：
在微电子工业中，一直希望减小结构特征的尺寸和/或对于给定的芯片尺寸提供更大量的电路。制造高性能高密度的电路要求先进的光刻技术。光刻对精微结构制造的影响，不仅在于在预期衬底上图案的直接显像方面，还表现在该显像中通常使用的掩模的制造方面。
在过去的近20年中，工业上已转移到更短波长的光刻，将其作为提高分辨率以满足更小部件持续需求的主要手段。光刻中所用的成像照射的波长已从中紫外(MUV)波长(350-450nm)转移至深紫外(DUV)照射(190-300nm)，直至真空紫外(VUV，125-160nm)。光刻中使用的照射敏感抗蚀剂材料也已应运而生。MUV光刻采用重氮萘醌(DNQ)和酚醛清漆基抗蚀剂。这些材料能提供高性能，但因其对较短波长的不透明性，这种高性能不能延伸至DUV和VUV波长。此外，这些抗蚀剂不具备维持高产量制造所需的充分的灵敏度。
因需要适于DUV光刻中使用的新型抗蚀剂材料，已开发出了化学放大型抗蚀剂(CAR)。对于正型CAR而言，通过酸催化的热解反应(该酸催化反应使用来自照射敏感酸生产剂的光化学生成的酸)使聚合物的不稳定部分裂解，使得形成的聚合物形式(脱保护)可溶于接下来涂布的显影液如碱水溶液中。这样，显影后，在抗蚀剂膜上形成经图案化照射投影的图像，它然后用作接下来图案转移步骤中的抗蚀性掩模。获得的分辨率取决于空间像的质量和抗蚀剂保持该图像的能力。
亚-50nm半间距制成像的障碍之一是称为图像模糊的现象，它减小了图案的集成度。图像模糊可以定义为可显影的图像相对投射空间像的偏移，投射空间像作为光化学生成酸的浓度转移至膜中。当加快脱保护反应的速率时，热能量的施用减小了图案化曝光过程中形成的酸的空间像保真度。图像模糊的形成归因于两种因素梯度驱动的酸扩散和反应传播。这两种因素都促成了模糊，但它们导致模糊的程度不同且具有不同的温度依赖性。通过加入酸捕捉剂或碱，均可缓和这两种促成因素，已显示这样可以减小图像模糊。适当的烘烤条件可以优化用CAR能得到的分辨率。但是，这些方法只能将成像模糊降低至低模糊成像的程度。
对于电子束光刻(其中电子束用作成像照射)，目前需要在直接写入应用的环境中使亚-50nm特征成像，并且可能在将来，在通过成像照射使甚至更精微的特征(例如在极端UV成像的情况)成像的情形，用于形成掩模，在这种尺度上，模糊尤其是个问题。
已经提出了使用非化学放大(非CA)型抗蚀剂和低活化(能量)保护基团抗蚀剂来获得高分辨率和低模糊。常规的DNQ体系是在电子束光刻方面性能较差的非化学放大型抗蚀剂。聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)是一种熟知的非化学放大型抗蚀剂，它可以0.04至0.14的低量子产率进行主链断裂，量子产率取决于照射的强度和波长。也已报道了10-6微小量子产率的侧链断裂，但是对于实际的抗蚀剂应用而言，它的效率太低了。PMMA聚合物作为显影剂还需要溶剂。另一种公知的非化学放大型电子束抗蚀剂是基于聚丁烯砜，但是这些抗蚀剂(对于反应性离子蚀刻(RIE))不是抗蚀性的，因此不能通过RIE工艺转移图案。
另一种提高分辨率的途径是使用多层(例如双层)抗蚀剂体系，其中抗蚀剂层本身变薄以增强分辨率。典型的用于双层光刻的成像抗蚀剂包含硅。据美国专利公开文本20020090572和20020081520号中记载，开发出了用于短波长(例如157nm或高)成像的含硅化学放大型抗蚀剂。多层抗蚀剂体系通常实施起来更复杂且昂贵，而且看不出这些体系可用于电子束照射或者不会有模糊问题。
因此，需要改进的抗蚀剂用于亚-50nm光刻，尤其是用于电子束光刻。尤其需要电子束光刻中使用的抗蚀剂，其对于氧等离子体有良好的抗蚀刻性、具有良好的分辨率、对成像照射有适当的灵敏度、对空气传播的碱污染有最小的易损性。

发明内容
本发明提供尤其适用于亚-50nm光刻的改进抗蚀剂组合物，其特别适用于成像照射为电子束照射的情形。本发明组合物的性能综合了对氧等离子体的抗蚀性、基本无模糊的分辨率、对成像照射有适当的灵敏度、对空气传播的碱污染有最小的易损性。本发明的抗蚀剂组合物优选不是化学放大型的。
一方面，本发明涉及抗蚀剂组合物，其中包含一种聚合物，该聚合物具有至少一个含硅部分和至少一个照射敏感部分，该照射敏感部分经照射可裂解形成可溶于碱水溶液的部分。照射敏感部分优选选自羰基、磺酰基、磺酸酯、链烷硫醇和邻硝基苄基。含硅部分优选是Si-O部分。更优选地，含硅部分形成聚合物骨架(例如聚有机硅氧烷或聚有机硅倍半氧烷(polyorganosilsesquioxane))的一部分。该聚合物还优选含有(在成像照射下曝光之前)至少一个碱水溶液可溶的部分。该聚合物还可以包含其它部分。
本发明还包括使用本发明的抗蚀剂组合物在衬底上形成图案化结构的方法。
以下将进一步详细描述本发明的这些和其它方面的内容。
具体实施例方式
本发明的抗蚀剂组合物显著减少或者消除了化学放大型抗蚀剂中普遍可见的图像模糊问题。本发明抗蚀剂组合物的性能综合了对氧等离子体的抗蚀性、基本无模糊的分辨率、对成像照射有适当的灵敏度、对空气传播的碱污染有最小的易损性。该抗蚀剂组合物优选可在碱水溶液中显影。这些特征使得本发明的抗蚀剂组合物尤其适用于亚-50nm特征的成像，特别是使用电子束照射成像的情形。
本发明的抗蚀剂组合物的特征在于，其中存在一种聚合物，其具有至少一个含硅部分和至少一个照射敏感部分，照射敏感部分经照射可裂解形成可溶于碱水溶液的部分。该聚合物还优选含有(在曝光于成像照射之前)至少一个碱水溶液可溶的部分。该聚合物还可以包含其它部分。本发明的组合物优选不是化学放大型的。
照射敏感部分是在成像照射下经曝光可裂解产生碱水溶液可溶部分的那部分。成像聚合物优选含有足够数量的这种照射敏感部分，以充分提高抗蚀剂经照射后的溶解性，使其与未经照射的抗蚀剂相比，显著更易溶于显影剂水溶液中。
照射敏感部分优选选自羰基、磺酰基、磺酸酯、链烷硫醇和邻硝基苄基及其组合。美国专利6,806,361和5,489,678中记载了以下可能的照射敏感部分6-硝基藜芦基、6-硝基胡椒基、甲基-6-硝基藜芦基、甲基6-硝基胡椒基、1-芘基甲基、6-硝基藜芦基氧羰基、6-硝基胡椒基氧羰基、甲基-1-硝基藜芦基氧羰基、甲基-6-硝基胡椒基氧羰基、1-芘基甲基氧羰基、5′-O-芘基甲基氧羰基、甲基硝基胡椒基氧羰基、和5′-X-2′-脱氧胸苷2-氰乙基3’-N，N-二异丙基亚磷酰胺，其中X是对光不稳定的基团，例如((α-甲基-2-硝基胡椒基)-氧)羰基、((苯甲酰甲基)-氧)羰基、O-(9-苯基呫吨-9-基)和((2-亚甲基-9，10-蒽醌)-氧)羰基。此外，有些PMMA型抗蚀剂中存在的羰基酯可以作为照射敏感部分，参见例如美国专利4,395,481、4,011，351和4,454,222中记载的羰基酯部分。
一组优选的照射敏感羰基部分具有如下所示的结构 其中R1、R2或R3各自选自直链或支链烷基、环烷基、芳基或其任意组合；R1、R2或R3的每一个可以与其余一个或两个连接形成环状结构；R1、R2或R3各自还可以包含氧、硫、氮、氟、氯、碘或其组合。该部分的一个优选实施方案具有以下结构
含硅部分优选存在的量为聚合物包含至少4wt.％硅，更优选至少6wt.％硅。含硅部分优选选自Si-Si、Si-C、Si-N或Si-O及其组合。优选的含硅部分为SiO部分。含硅部分可以位于聚合物主链和/或侧基中。含硅部分优选形成聚合物骨架(例如聚有机硅氧烷或聚有机硅倍半氧烷)的一部分。
该聚合物还优选含有(在成像照射下曝光之前)多个沿聚合物分布的碱水溶液可溶的位点。碱水溶液可溶部分的例子包括羟基、羧酸、磺酰胺、二羧基酰亚胺、N-羟基二羧基酰亚胺、任何其它氨基或任何亚氨基。优选碱水溶液可溶部分是羟基，更优选是氟代醇部分，最优选是三氟碳醇或六氟碳醇。
以下所述一组优选实施方案中，聚合物具有带光照敏感侧基和碱可溶侧基的硅倍半氧烷(梯型或网状)结构。
经照射可裂解形成碱水溶液可溶部分的光照敏感部分，优选以以下结构接在单体单元上 其中R4包含至少一个如上所述的光照敏感部分，x优选为约1至约1.95，更优选为约1至约1.75。
结构(III)的例子有
在这些实施方案中，碱可溶的侧基优选以下列结构接在硅倍半氧烷单体单元上 其中R5包含碱水溶液可溶部分，x优选为约1至约1.95，更优选为约1至约1.75。在该实施方案中，R5优选为羟基或羧酸部分，更优选为羟基部分，最优选为氟代醇。R5中其它容许的碱水溶液可溶部分包括磺酰胺、二羧基酰亚胺、N-羟基二羧基酰亚胺、任何其它氨基或任何亚氨基。R5还可以包括这种溶解性增强部分的氟化形式。碱可溶部分优选作为具有以下结构的单体单元存在 其中每个R6独立选自氟、氟化的直链或支链烷基、氟代环烷基、氟代芳基及其任意组合，且R6可以任选地还包含氧、硫或氮；每个A独立选自氧原子、硫原子、NR7、直链或支链烷基、直链或支链氟代烷基、环烷基或氟代环烷基、以及氟代芳基；p是0或1的整数(即包括硅倍半氧烷的硅原子与侧基的碳原子之间的单键)；每个R7独立选自氢、卤素、直链或支链烷基、直链或支链氟代烷基、环烷基、氟代环烷基、氟代芳基及其任意组合。
R6和R7可以任选地还包含氧、硫或氮或其任意组合。
结构(XIII)的例子有
所述聚合物应具有溶解性和成膜特性以利于通过常规的旋转涂覆形成层。本发明的聚合物优选重均分子量为至少约800，更优选重均分子量为约1000-50000，最优选重均分子量为约1500-10000。
本发明的照射敏感组合物通常含有浇铸溶剂以溶解其它组分，使得全部组合物可以均匀地涂布在衬底表面上，以提供无缺陷的涂覆层。当抗蚀剂组合物用于多层成像工艺时，成像层抗蚀剂中使用的溶剂优选不是底层材料的溶剂，否则会发生不希望的混杂，除非底层组合物使用了交联剂处理。适当浇铸溶剂的例子包括乙氧乙基丙酸酯(″EEP″)、EEP和γ-丁内酯(″GBL″)的组合、丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)和乳酸乙酯。本发明并不限于任何具体溶剂的选取。
照射敏感组合物可以还包含表面活性剂、敏化剂或采用其它本领域公知的成分。本发明的组合物并不限于这些成分的具体选择。
本发明的抗蚀剂组合物优选不是化学放大型的，这样通常不需要在配方中加入光酸产生剂(PAG)。但是，有些情况下，希望在配方中加入PAG以增强化学对比度或提高在碱水溶液显影剂中的溶解性。该组合物中包含的聚合物含有照射敏感基团，因此不需要向抗蚀剂配方中加入其它的感光成分(PAC)。但是，有些情况下，希望在配方中加入PAC以增强抗蚀剂的光刻性能。
该抗蚀剂组合物可以还包含表面活性剂、敏化剂或其它本领域公知的成分。本发明的组合物并不限于这些成分的具体选择。可能的表面活性剂的例子包括，含氟表面活性剂，例如FLUORADTM系列，优选FC-430，更优选FC-4430，它们均可购自St.Paul，Minn.的3MCompany；以及含硅氧烷的表面活性剂，例如购自Danbury，Conn.的Union Carbide Corporation的SILWET系列。
本发明还包括形成这种光刻结构的方法，以及使用这种光刻结构使衬底上的底层材料图案化的方法。本发明的抗蚀剂组合物适用于单层光刻工艺，特别适合作为多层光刻工艺如双层或三层工艺中的成像层。
本发明的方法优选包括(a)提供衬底；(b)在衬底上涂布抗蚀剂组合物从而在所述衬底上形成抗蚀剂层，该抗蚀剂组合物包含本发明的抗蚀剂组合物；(c)所述抗蚀剂层在成像照射下进行图案化曝光，这样所述抗蚀剂层的有些部分变得在碱水溶液中更易溶，(d)除去所述抗蚀剂层的所述可溶部分，在所述抗蚀剂层上形成图案；(e)将所述图案转移至所述衬底上。
本发明并不限于任何特定的衬底材料或结构。衬底可以包括一种或多种表面图案化或表面均一的不同材料层(例如未加工的半导体晶圆)。衬底优选包括可用于形成微电子结构的适当材料，优选选自有机电介质、金属、陶瓷或半导体。
本发明的方法包括所谓的单层和多层(例如双层或三层)处理方法。在单层处理方法中，抗蚀剂层直接涂布在衬底上，或者涂布在可涂布于衬底上的中间非平面化抗反射涂层上。在多层处理方法中，抗蚀剂涂布在预先涂布到衬底上的平面化底层材料上。如果使用平面化底层材料，它优选直接涂布在衬底上。抗蚀剂涂覆优选尽可能地薄，而且厚度优选是基本均一的，这样抗蚀剂层足以承受接下来的处理(通常是反应性离子蚀刻(RIE))，以便在单层处理方法的情形将光刻图案转移至衬底上，在多层处理方法的情形转移至平面化底层上。
如果使用平面化底层，它应该是充分可蚀刻的、对于上覆的抗蚀剂而言是选择性的(以在被蚀刻的底层中获得良好的轮廓)，而对于使衬底的材料图案化所需的蚀刻工艺则是有抗蚀性的。此外，平面化底层组合物应该具有期望的光学特性(例如折射率、光学密度等)，从而避免需要任何额外的抗反射涂覆(ARC)层。平面化底层组合物应该与抗蚀剂层具有物理/化学相容性以避免不期望的相互作用导致钻溶和/或浮胶。如2002年5月16日公开的美国专利申请2002/0058204 A1中所记载的，优选平面化底层组合物的特征在于，存在(A)聚合物，其包含(i)环醚部分，(ii)饱和多环部分，和(iii)芳族部分，使得组合物无需单独交联剂；或者存在(B)聚合物，其包含(i)饱和多环部分，和(ii)芳族部分，使得组合物无需单独交联剂，该文献的公开内容在此引入作为参考。最优选地，上述平面化底层组合物还包含氟化多环部分和/或氟化芳族部分。
任选地，具有抗蚀剂覆层的衬底可被加热(曝光前烘烤或涂布后烘烤(PAB))以除去溶剂并增强抗蚀剂层的密致性。PAB步骤优选进行约10秒到约15分钟，更优选约15秒到约2分钟。PAB温度可以根据抗蚀剂的Tg而变化。
可以利用各种类型的照射使本发明的抗蚀剂组合物图案化，例如365nm波长、深紫外(具体而言，248nm、193nm和157nm波长)、极端UV(约13nm波长)、X射线、电子束以及离子束。适当的照射类型可能取决于整个抗蚀剂组合物的组分(例如，聚合物组分、表面活性剂、溶剂等的选取)。优选的成像照射是电子束。在使用扫描粒子束如电子束的情形，可以通过在衬底上扫描所述束，并在预期的图案中选择性施加所述束，以实现图案化曝光。通常通过掩模投射诸如193nm或157nm UV照射的波状照射源，从而向抗蚀剂提供图案化照射曝光。
任选地，可以在照射曝光和显影步骤之间烘烤(曝后烤或PEB)经图案化曝光的抗蚀剂层，以有助于除去抗蚀剂层的照射曝光部分中照射裂解的基团，从而增强曝光图案的对比度。如果使用PEB，优选在约10-175℃实施，更优选约25-120℃。PEB优选进行约30秒到约5分钟。对于本发明的抗蚀剂组合物而言通常PEB不是必需的。
通过去除抗蚀剂在成像照射下曝光的部分得到(显影的)具有预期图案的抗蚀剂结构。优选地，通过使抗蚀剂层与碱性溶液接触来实施去除操作，碱性溶液可选择性溶解抗蚀剂曝光于照射的区域。优选的碱性溶液(显影液)是氢氧化四甲基铵(TMAH)水溶液。TMAH碱性水溶液优选当量浓度为约0.14N或更高，更优选约0.20N或更高，最优选约0.26N或更高。溶解后，通常干燥在衬底上得到的光刻结构以除去任何残留的显影剂溶剂。
去除抗蚀剂曝光部分导致产生了图案，它显露出衬底、抗反射涂覆层或平面化底层的区域，取决于上述使用了哪种处理方法。可以通过沿着抗蚀剂层中的图案，除去衬底材料的部分，从而将抗蚀剂层中的图案转移至下面的衬底上。采用抗反射涂覆层和或平面化底层的情形，需要在抗蚀剂层的空白处除去它们以曝露出衬底的相应部分。优选地，通过蚀刻，更优选通过O2等离子体反应性离子蚀刻(RIE)或其它各向异性蚀刻技术，除去抗反射涂覆层和/或平面化底层。一旦显露出衬底的预期部分，则可以通过蚀刻(例如通过反应性离子蚀刻)使图案转移到衬底部分上。另外，图案转移可以包括在抗蚀剂层的空白处在衬底上淀积材料(例如有机电介质、金属、陶瓷或半导体)，或者在抗蚀剂层(或平面化底层)的空白处在衬底材料中注入掺杂剂。
一旦完成了预期的图案转移，就可以通过常规剥离技术除去任何剩余的底层和抗蚀剂。
提供以下实施例来进一步描述本发明，但本发明并不仅限于这些实施例1合成莰烷酰基部分保护的聚(2-羟基-3，3，3-三氟丙基硅倍半氧烷)(FSQ-CAF)将7g聚(2-羟基-3，3，3-三氟丙基硅倍半氧烷)(FSQ)和4.14g莰烷酰氯溶于35g GBL中，并置于100ml烧瓶中。在冰浴下搅拌该混合物，同时向混合物中20分钟滴加1.93g 4-甲基吗啉。在冰浴温度下搅拌约2小时后，将反应混合物缓慢升至室温，并继续反应过夜。然后在2000ml去离子水中沉淀溶液。将得到的胶状聚合物再溶于丙酮中，并在2000ml去离子水中再次沉淀。收集聚合物并于65℃真空干燥过夜。
实施例2FSQ-CAF的溶解速率和光学性能测定将800mg上述实施例1中合成的FSQ-CAF溶于PGMEA中，总重量为10g，溶液中聚合物的固体含量为8％。然后将该照射敏感抗蚀剂组合物旋转涂覆于石英盘上并在110℃烘烤60秒。然后在0.263NTMAH显影液中显影所述含抗蚀剂膜的盘，并用Maxtek，Inc制造的研究用石英晶体微量天平(Research Quartz Crystal Microbalance)(RQCM，RS-232)工具监控。FSQ-CAF溶解速率以及与其对比的FSQ溶解速率列于下表1中。
表1溶解速率评价

为了测量光学性能，将上述抗蚀剂组合物旋转涂覆在硅晶圆上，在热盘上于110℃烘烤60秒，然后用J.A.Woollam Co.Inc制造的VB-250VASE椭圆计(Ellipsometer)测量n和k值。本发明抗蚀剂组合物膜对于193nm照射的光学性能以及与其对比的FSQ的光学性能均列于下表2中。
表2.光学性能评价

实施例3电子束成像评价将实施例2中含8％FSQ-CAF的抗蚀剂以2500rpm旋转涂布到HMDS涂底的晶圆上。抗蚀剂在热盘上于110℃烘烤1分钟得到～100nm厚的膜。在100kV Leica曝光系统中进行曝光。曝光后，用0.263N TMAH将抗蚀剂显影60秒。抗蚀剂线条直立时以420μC/cm2得到60nm l/s图像的高分辨率，有些线条塌陷时50nm l/s图像被分辨。抗蚀剂的对比度在3左右。
权利要求
1.一种抗蚀剂组合物，其包含一种聚合物，所述聚合物具有至少一个含硅部分和至少一个照射敏感部分，该照射敏感部分经照射可裂解形成可溶于碱水溶液的部分。
2.权利要求1的抗蚀剂组合物，其中所述照射敏感部分选自羰基、磺酰基、磺酸酯、链烷硫醇和邻硝基苄基。
3.权利要求2的抗蚀剂组合物，其中所述照射敏感部分为 其中R1、R2或R3各自选自直链或支链烷基、环烷基、芳基或其任意组合。
4.权利要求3的抗蚀剂组合物，其中R1、R2或R3中的至少一个与其余一个或两个连接形成环状结构。
5.权利要求3的抗蚀剂组合物，其中R1、R2或R3各自还包含选自氧、硫、氮、氟、氯、碘以及组合中的至少一种元素。
6.权利要求4的抗蚀剂组合物，其中所述照射敏感部分为
7.权利要求1的抗蚀剂组合物，其中所述含硅部分包含选自Si-Si、Si-C、Si-N、Si-O及其组合中的至少一种。
8.权利要求7的抗蚀剂组合物，其中所述含硅部分包含SiO。
9.权利要求8的抗蚀剂组合物，其中所述聚合物是有机硅氧烷。
10.权利要求8的抗蚀剂组合物，其中所述聚合物是有机硅倍半氧烷。
11.权利要求1的抗蚀剂组合物，其中所述聚合物还包含至少一个碱水溶液可溶的部分。
12.权利要求11的抗蚀剂组合物，其中所述至少一个碱水溶液可溶的部分选自羟基、羧酸、磺酰胺、二羧基酰亚胺、N-羟基二羧基酰亚胺、氨基和亚氨基。
13.权利要求11的抗蚀剂组合物，其中所述至少一个碱水溶液可溶的部分是氟代醇。
14.权利要求13的抗蚀剂组合物，其中所述氟代醇是三氟碳醇或六氟碳醇。
15.一种在衬底上形成结构的方法，所述方法包括；(a)提供衬底；(b)在衬底上涂布抗蚀剂组合物以在所述衬底上形成抗蚀剂层；所述抗蚀剂组合物包含一种聚合物，该聚合物具有至少一个含硅部分和至少一个照射敏感部分，该照射敏感部分经照射可裂解形成可溶于碱水溶液的部分；(c)所述衬底在成像照射下进行图案化曝光，由此所述照射敏感部分被裂解形成可溶于碱水溶液的部分，这样所述抗蚀剂层的一些部分变得在碱水溶液中更易溶，(d)除去所述抗蚀剂层的所述可溶部分，在所述抗蚀剂层上形成图案；(e)将所述图案转移至所述衬底上。
16.权利要求15的方法，其中所述照射敏感部分选自羰基、重氮、磺酰基、链烷硫醇和邻硝基苄基。
17.权利要求15的方法，所述照射敏感部分为 其中R1、R2或R3各自选自直链或支链烷基、环烷基、芳基及其任意组合。
18.权利要求17的方法，其中R1、R2或R3中的至少一个与其余一个或两个连接形成环状结构。
19.权利要求17的方法，其中R1、R2或R3各自还包含选自氧、硫、氮、氟、氯、碘以及组合中的至少一种元素。
20.权利要求18的方法，其中所述照射敏感部分为
21.权利要求15的方法，其中所述含硅部分包含选自Si-Si、Si-C、Si-N、Si-O以及其组合中的至少一种。
22.权利要求21的方法，其中所述含硅部分包含SiO。
23.权利要求22的方法，其中所述聚合物是有机硅氧烷。
24.权利要求22的方法，其中所述聚合物是有机硅倍半氧烷。
25.权利要求15的方法，其中所述聚合物还包含至少一个碱水溶液可溶的部分。
26.权利要求25的抗蚀剂组合物，其中所述至少一个碱水溶液可溶的部分选自羟基、羧酸、磺酰胺、二羧基酰亚胺、N-羟基二羧基酰亚胺、氨基和亚氨基。
27.权利要求25的方法，其中所述至少一个碱水溶液可溶的部分是氟代醇。
28.权利要求27的方法，其中所述氟代醇是三氟碳醇或六氟碳醇。
29.权利要求15的方法，还包括，在所述抗蚀剂组合物涂布形成之前，在所述衬底上形成平面化层，且其中所述抗蚀剂组合物直接涂布在所述平面化层上。
30.权利要求15的方法，其中所述转移步骤还包括选自淀积、注入、电镀和蚀刻的方法。
全文摘要
含硅的非化学放大型照射敏感抗蚀剂组合物尤其适用于光刻方面的应用，特别是电子束光刻。具体而言，照射敏感抗蚀剂组合物中含有一种聚合物，其具有至少一个含硅部分和至少一个照射敏感部分，照射敏感部分经照射曝光可裂解形成可溶于碱水溶液的部分，该抗蚀剂组合物可用于使亚－50nm特征图案化且极少或无模糊。
文档编号G03F7/20GK1877447SQ20061006656
公开日2006年12月13日 申请日期2006年4月3日 优先权日2005年6月7日
发明者詹姆斯·J·布奇格纳诺, 黄武松, 戴维·P·克劳斯, 利迪杰·塞卡里克, 拉曼·G·维斯瓦纳思安 申请人:国际商业机器公司