专利名称：一种新型ito公共电极和扫描线结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及液晶显示器的显示装置，尤其涉及液晶显示装置的 ITO公共电极结构。
背景技术：
在现有的液晶显示器的显示装置中，存在ITO公共电极和扫描线结构。 其中，扫描线控制所有晶体管的开关状态。ITO公共电极主要用于传输 公共电极的电位，同时覆盖在扫描线上时可以屏蔽扫描线的电位对彩膜 侧黑色矩阵的耦合作用。
现有技术中ITO (Indium TinOxide，氧化铟锡)公共电极与扫描线的 位置关系分为不覆盖和全覆盖两种。
在不覆盖的情况下，如图l所示，ITO公共电极区域1与扫描线2不 重叠，即ITO公共电极1不覆盖扫描线2。这种情况下，扫描线2上的 电场会对液晶显示装置的其他部分形成干扰，特别是液晶分子区域3中 液晶分子的偏转方向会受到扫描线上的电场的干扰而发生改变，从而影 响显示效果。
为了降低扫描线上电场的干扰，现有技术提出了 一种全覆盖的结构， 即ITO公共电极全部覆盖扫描线的结构。如图2所示，在这种结构中， ITO公共电极1完全覆盖扫描线2,由于ITO公共电极1的屏蔽作用， 扫描线2上电场对液晶显示装置其他部分的干扰大大减少。但是，在全 覆盖的情况下，形成了一个ITO公共电极1与扫描线2重叠区域，产生 了一个额外的扫描线电容。由于扫描线的信号传输速度与扫描线的电容 C和扫描线的电阻R的乘积值相关。电阻R和电容C乘积值越大，则信 号的传输延时更大。为了不影响扫描线的信号传输速度，在增加了 ITO 公共电极与扫描线重叠而形成的电容后，需要降低扫描线的电阻R，来 抵消增加了所述电容造成的影响。在现有技术中， 一般采用增加扫描线 的宽度来降低扫描线的电阻。从而，降低了液晶显示装置的开口率，即 每个象素可透光的有效区域除以每个象素的总面积的值。
综上所述，不覆盖和全覆盖的情况都存在着问题。在不覆盖的情况下， 扫描线会对其他液晶显示装置的其他部分形成干扰。在全覆盖的情况下， 扫描线的宽度过大，降低了液晶显示装置开口率。
发明内容
为了解决以上问题本实用新型提供了一种部分覆盖扫描线的ITO公 共电极结构。
本实用新型中的ITO公共电极覆盖扫描线的一部分，且该被覆盖部分 的扫描线是靠近液晶分子区域部分的扫描线。
这种情况下， 一方面ITO公共电极可以有效地屏蔽了扫描线上的电 场。另一方面，相对于全覆盖的情况，这种结构增大了 ITO公共电极与 扫描线的重叠区域的面积。由于电容值与电容的面积成正比，ITO公共 电极与扫描线的形成的电容的面积即是重叠区域的面积。所以当所述重 叠区域的面积减小后，其电容值減小。而扫描线的信号传输速度与电容 C与电阻R的乘积相关。在保证扫描线传输速度的情况下，减小了电容 C的值，可以增大扫描线的电阻，从而减少扫描线的宽度，提高液晶显 示装置的开口率。
图1为现有的ITO公共电极与扫描线不覆盖的ITO公共电极与扫描线的 示意图2为现有的ITO公共电极与扫描线全覆盖的ITO公共电极与扫描线的 示意图3为根据本发明的一个具体实施例的ITO公共电极与扫描线部分覆盖 时，ITO公共电极与扫描线的示意图4为根据本发明的另一个具体实施例的ITO公共电极与扫描线半覆盖 时，ITO公共电极与扫描线的示意图；以及
图5为根据本发明的又一个具体实施例的ITO公共电极覆盖四分之一扫
描线时，ITO公共电极与扫描线的示意图。
具体实施方式
为了更好地理解本发明，下面结合本发明的具体实施例作进一步说明，
但其不限制本发明。
如图3所示， 一个液晶显示单元中的ITO公共电极区域1覆盖了扫描 线2的部分区域。且该部分区域为扫描线中靠近该显示单元中的像素开 口区域3的区i或。
一方面，如图3所示，在这种结构中，由于扫描线2对位于显示单元 的下方，特别是液晶区域3的下方。由于电场的强度与距离的平方成反 比。扫描线的上侧的区域靠近像素开口区域，所以，扫描线上侧区域的 电场对开口区域液晶分子的干扰大大大于扫描线下侧的电场的干扰。当 ITO公共电极1只覆盖了扫描线2的上侧的时候，其仍然可以有效屏蔽 大部分扫描线电场对液晶显示装置中其他区域的影响，特别是对液晶分 子区域2的影响。
另一方面，由于电容的大小与面积成正比。所以，当ITO公共电极l 与扫描线2的重叠区域减少后，即ITO公共电极1与扫描线2形成的电 容的面积减少后。ITO公共电极1与扫描线2形成的电容4也相应减少。
又由于扫描线的信号传输速度与电阻R和电容C的乘积相关。在电容 C减少后，可以增加电阻R,使得RC值保持一定。所以，可以增加电阻 R的值，即减少扫描线的宽度。提高液晶显示装置的开口率。
实施例1
如图4所示， 一个液晶显示单元中的ITO公共电极区域1覆盖了扫描 线2的上半部分区域。且上半区域为扫描线中靠近该显示单元中的像素 开口区域3的上半部分区域。
这种情况下，由于ITO公共电极覆盖了扫描线靠近液晶分子区域的上 半部分，故ITO公共电极屏蔽了扫描线的大部分电场的干扰。
而且，由于只有一半面积的扫描线被ITO公共电极覆盖，即只有全覆 盖情况下覆盖面积的一半，所以，相对于全覆盖的情况，则所述的ITO 公共电极和扫描线形成的电容的电容值减少一半，在保持相同的RC值 时，相应的扫描线的电阻可以增加一倍，其宽度可以只有全覆盖的一半。 这样，本实施例中液晶显示单元的开口率就大大增加了。
实施例2
如图5所示， 一个液晶显示单元中的ITO公共电极区域1覆盖了扫描 线2的区域占扫描线总面积的四分之一。且该部分的区域位于扫描线中 靠近该显示单元中的像素开口区域3的部分。这种情况下，由于ITO公 共电极覆盖了扫描线靠近液晶分子区域的1/4面积，又由于电场强度与 距离平方呈反比，故ITO公共电极还是屏蔽了扫描线上的大部分电场的 干扰。
而且，由于扫描线只有1/4面积被ITO公共电极覆盖，即的面积只有 全覆盖情况的1/4，所以，相对于全覆盖的情况，则所述的ITO公共电极 和扫描线形成的电容的电容值减少到全覆盖情况下电容值的1/4，相应扫 描线的电阻可以增加到全覆盖情况的下电阻的4倍，其宽度可以只有全 覆盖时扫描线宽度的1/4 。这样，本实施例中液晶显示单元的开口率就 大大增加了。
当然，本发明还可以有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实 质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改 变，但这些相应的改变都应属于本发明权利要求的保护范围。
权利要求1.一种液晶显示装置中的ITO公共电极和扫描线结构，包括ITO公共电极和扫描线，其特征在于ITO公共电极覆盖扫描线的一部分。
2. 如权利要求1所述的ITO公共电极和扫描线结构，其特征在于 ITO公共电极覆盖靠近像素开口区域的部分扫描线。
3. 如权利要求1或者2所述的ITO公共电极和扫描线结构，其特 征在于ITO公共电极所覆盖的扫描线的面积为扫描线总面积的50% 。
4.如权利要求1或者2所述的ITO公共电极和扫描线结构，其特 征在于ITO公共电极所覆盖的扫描线的面积为扫描线总面积的四分之
专利摘要针对现有的液晶显示装置中的不覆盖和全覆盖上ITO公共电极的结构所遇到的扫描线电场对周围结构有影响和开口率低的问题，本实用新型提供了一种新型的ITO公共电极与扫描线的结构，该结构中ITO公共电极覆盖扫描线的一部分，优选地，ITO公共电极覆盖靠近像素开口区域的一部分扫描线，以屏蔽扫描线上的电场的影响，相对于全覆盖的情况，这种结构中，ITO公共电极与扫描线形成的电容较小，从而可以增大扫描线的电阻、减少扫描线的宽度，而使开口率提高。
文档编号G02F1/13GK201054061SQ20062016256
公开日2008年4月30日 申请日期2006年12月30日 优先权日2006年12月30日
发明者马群刚 申请人:上海广电Nec液晶显示器有限公司