专利名称：具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的涂层的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种具有高抗反射特性的涂层结构，特别是涉及一种具有可穿 透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的涂层。
背景技术：
通常在液晶显示器或等离子显示器的塑料基板(plastic substrate)、玻 璃基板(glass substrate)或塑料网板(plastic web)上，会加上一抗反射的涂 层结构，因此有众多的涂层结构已经被公开。美国专利U. S. 4， 921， 760公开一种在二氧化铈和合成数脂兼具有良好黏 着力的多层抗反射的涂层，该多层系统包括Ce02、 A1A、 Zr02、 Si02、 Ti02和 Ta205，该多层系统的所有薄膜层皆为氧化物，该多层系统包括有三到五层的薄 层，在一实施例中，该五层结构的总厚度约为3580埃，该多层系统的表层的 物质为Si02，其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U. S. 5， 105, 310公开一种使用反应式溅射而配置于同轴涂布机 器的多层抗反射的涂层，该多层系统包括Ti02、 Si02、 ZnO、 Zr02、和Ta205， 该多层系统的所有薄膜层皆为氧化物，该多层系统包括有四到六层的薄层，在 一实施例中，该六层结构的总厚度约为4700埃，该多层系统的表层的物质为 Si02，其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U. S. 5， 091， 244和U. S. 5， 407， 733公开一种新型态的具导电性的 光衰减抗反射的涂层，其主要主张为由特定过渡金属氮化物来组成而提供一具 导电性、光衰减、抗反射的表面，该多层系统包括TiN、 NbN、 Sn02、 Si02、 A1A 和NbA，该多层系统的所有薄膜层皆为氮化物和氧化物，该多层系统包括有 三到四层的薄层，在一实施例中，该四层结构的总厚度约为1610埃，该四层 系统的可见光的穿透率低于50%，该多层系统的表层的物质为Si02，其具有一 低折射率，当波长为550nm时，折射率为1. 46。美国专利U. S. 5， 147， 125公开一种使用氧化锌而抗波长小于380nm的紫外线的的多层抗反射的涂层，该多层系统包括Ti02、 Si02、 ZnO和MgF2，该多层 系统的所有薄膜层为氧化物和氟化物，该多层系统包括有四到六层的薄层，在 一实施例中，该五层结构的总厚度约为7350埃，该多层系统的表层的物质为 MgF2，其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.38。美国专利U. S. 5， 170， 291公开一四层系统，其具有一光学效应和高抗反射 效果，该多层系统可通过高温分解、等离子支撑化学蒸气布置、溅射或化学布 置等方式来形成，该多层系统包括Si02、 Ti02、 A1203、 ZnS、 MgO和BiA，在 一实施例中，该四层结构的总厚度约为2480埃，该多层系统的表层的物质为 Si02，其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U.S.5，216，542公开一五层涂层，其具有高抗反射效果，该多层 系统包含一层厚度为lnm而由Ni、Cr或NiCr构成的黏膜层，其于四层由Sn02、 Zr02、 Zn0、 Ta205、 Ni0、 Cr02、 Ti02、 Sb203、 ln203、 A1203、 Si02、 TiN和ZrNn 所构成，在一实施例中，该五层结构的总厚度约为2337埃，该五层系统的可 见光的穿透率低于30%，该多层系统的表层的物质为Si02，其具有一低折射率， 当波长为550nm时，折射率为1. 46。美国专利U. S. 5， 541， 770公开一种具有导电层的光衰减抗反射的涂层，为 四到五层的多层系统，具有光吸收高折射率的金属，例如Cr、 Mo和W等等， 被当作该多层系统的光效果薄膜，而其它的三到四层为Ti02、 ITO、 A1203、 Si02 和TiN，除了一金属层被用于当作该多层系统的光效果薄膜外，该多层系统的 主要物质为氧化物和氮化物，在一实施例中，该五层结构的总厚度约为1495 埃，该多层系统的可见光的穿透率低于60%，该多层系统的表层的物质为Si02， 其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U. S. 5， 362， 552公开一种具有三层导电金属氧化物的六层抗反 射的涂层，该多层系统包括Si02、 ITO、 Nb205和TaA，该涂层包括一总厚度达 可见光的波长的导电金属氧化物，在一实施例中，该六层结构的两主要层的物 质和厚度分别为Si02、854埃和IT0、 1975埃，该多层系统的表层的物质为Si02， 其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U. S. 5， 579， 162公开一种使用于对温度灵敏的基板(例如塑料)的四层抗反射的涂层，其中一层为直流反应溅射的金属氧化物，其可快速地布 置于基板上，而且不会传递大量的热量至该基板，该多层系统包括Sn02、 Si027和ITO，在一实施例中，该四层结构的两主要层的物质和厚度分别为Sn02、 763 埃和Si02、 940埃，该多层系统的表层的物质为Si02，其具有一低折射率，当 波长为550rnn时，折射率为1. 46。美国专利U. S. 5， 728， 456和U. S. 5， 783， 049公开一种改良的方法，用于布 置抗反射的涂层于一塑料薄膜上，该多层薄膜用一溅射工艺涂布一滚子涂层， 该多层系统包括ITO、 Si02和一薄润滑层，其为一可溶解的氟聚合物，在一实 施例中，该六层结构的总厚度约为2630埃，该多层系统的表层的物质为Si02， 其具有一低折射率，当波长为550mn时，折射率为1.46。以上所公开的光学多层系统的表面薄层的物质为Si02或MgF2，其具有一 低折射率，当波长为550nm时，折射率分别为1. 46和1. 38。公知的抗反射光学涂层的多层系统皆利用一通则，该通则为该光学涂层的 表层的物质具有一低折射率，例如Si02，折射率为1.46，或Mg&，折射率为 1.38。然而，当将该抗反射涂层运用于显示器工业时，例如具抗静电效果的计 算机屏幕或用于液晶显示器或等离子显示器的低反射玻璃时，在大量生产的过 程中，存在一些瓶颈,其原因是该光学涂层结构的导电层由一绝缘层(例如Si02 或MgF》所烧制而成。一抗反射涂层的基本设计规则为，布置于一基板表面的第一层为具高折射 率的物质所构成(标示为H)，其后接着一具低折射率的物质所构成(标示为L) 的第二层，因此，公知的抗反射涂层的多层结构的规则为HLHL或HLHLHL，以 高折射率(H)的物质为ITO而低折射率(L)的物质为Si02为例子，该四层结构 分别为Glass/ITO/Si02/ITO/Si02。因为ITO是一透明的导电物质，该多层结 构的涂层的导电性低于每平方100Q，而且当该导电涂层连结至地时，可用于 电磁干扰(EMI)频障或静电放电。然而，问题是该公知的光学多层结构的表面 物质为Si02，且其厚度为1000 A，该Si02的物质特性为高密度、具有惰性和 一良好的电绝缘层，在运用传统的抗反射涂层于显示器工业的过程中，电性接 触由外部的Si02层所隔离的该烧制的ITO层是困难的，在使一金属接触该ITO 层的接地过程中，需要使用一超音波焊接工艺去打破该Si02层，以确保锡球 与该ITO层产生良好接触，此一工艺为大量生产抗反射涂层的瓶颈。另一方面，由于液态锡和超音波的曝露能量的缘故，该超音波焊接工艺微 细的污染物，此外，该超音波焊接工艺还会于每一汇流线上产生非持久性的接触阻抗，这是因为超音波焊接工艺无法保证能够均匀的以相同的深度打破该绝 缘层而得到一均匀的接触阻抗。上述的缺点会降低在运用公知的抗电磁干扰和抗反射涂层的工艺的良率 和可靠度。发明内容本发明所要解决的主要问题在于，提供一种具有可穿透的表面导电层的低 电阻光衰减抗反射的涂层，其包括八个氧化物层，而该涂层的表层的物质为一可穿透的导电层和具有一介于1. 9到2. 2的高折射率。本发明的另一目的在于提供一种具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰 减抗反射的涂层，在大量生产该氧化物薄膜的工艺是可靠的，而该低电阻光衰 减抗反射的涂层可运用于半导体、光学头、液晶显示器、阴极射线管、建筑玻 璃、触控式传感器、屏幕滤波器、塑料网板涂层等工业。本发明的另一目的在于提供一种具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰 减抗反射的涂层，该低电阻光衰减抗反射的涂层的多层结构为HL(HL)6H，其包括八个氧化物层，而该涂层的表层的物质为一可穿透的导电层和具有一介于 1. 9到2. 2的高折射率，该低电阻光衰减抗反射的涂层的表层的物质为一可穿 透的表面导电层。在一实施例中，该可穿透的表面导电层的物质系Si02、 Zn02、 InA和IT0。本发明的另一目的在于提供一种具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰 减抗反射的涂层，该低电阻光衰减抗反射的涂层的表层的物质为一可穿透的表 面导电层，而该可穿透的表面导电层的光反射率低于0.5%,该低电阻光衰减 抗反射的涂层的阻抗介于每平方0. 5 Q与0. 7 Q之间，而其穿透率为55%至70%。为实现上述目的，本申请公开了一种具有可穿透的表面导电层的低电阻光 衰减抗反射的涂层，包括有一基板；一第十五层，设置于该基板的一前表面，其由一高折射率的氧化物所构成， 物理厚度介于20nm和40nm间；一第十四层，设置于该第十五层上，其由一低折射率的金属物质所构成， 物理厚度介于8nm和12nm间；一第十三层，设置于该第十四层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；一第十二层，设置于该第十三层上，其由一低折射率的金属物质所构成， 物理厚度介于8nm和12nm间；一第十一层，设置于该第十二层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物 理厚度介于30nm和80nm间；一第十层，设置于该第十一层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物 理厚度介于8nm和12nm间；一第九层，设置于该第十层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚 度介于30nm和80nm间；一第八层，设置于该第九层上 厚度介于8nm和12nm间；一第七层，设置于该第八层上 度介于30nm和80nm间；一第六层，设置于该第七层上 厚度介于8nm和12nm间；一第五层，设置于该第六层上 于30nm和80nm间；一第四层，设置于该第五层上 厚度介于8nm和12nm间；一第三层，设置于该第四层上 度介于30nm和80nm间；一第二层，设置于该第三层上 厚度介于8nm和12nm间；以及一第一层，设置于该第二层上 度介于20nm和40nm间。所述基板是一塑料薄膜。 所述基板是一玻璃。所述第一层、第三层、第五层、第七层、第九层、第十一层和第十三层由 Zn0:Al所构成，该第二层、第四层、第六层、第八层、第十层、第十二层和其由一低折射率的金属物质所构成，物理 其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚 其由一低折射率的金属物质所构成，物理 其由一高折射率的氧化物所构成，物理介 其由一低折射率的金属物质所构成，物理 其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚 其由一低折射率的金属物质所构成，物理 其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚第十四层由银所构成，该第十五层由Ti02所构成。所述第一层、第三层、第五层、第七层、第九层、第十一层和第十三层的氧化物的折射率介于1.9与2.2之间，该第二层、第四层、第六层、第八层、 第十层、第十二层和第十四层的金属物质的折射率介于0. 1与0. 5之间，该第 十五层的氧化物的折射率介于2. 2与2. 4之间。所述第一层、第三层、第五层、第七层、第九层、第十一层和第十三层的 氧化物由直流或脉冲直流溅射法所形成，该第二层、第四层、第六层、第八层、 第十层、第十二层和第十四层的金属物质由直流或脉冲直流溅射法所形成，该 第十五层的氧化物由交流溅射法所形成。所述第一层至第十五层由同轴或滚子对滚子真空系统的蒸镀或溅射工艺 所形成。所述涂层为等离子显示器或液晶显示器的基本涂层。为了实现上述目的，本发明还公开了一种具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的涂层，包括有一基板；一第五层，由一高折射率的氧化物所构成和置于该基板之上； 多个第四层，由一低折射率的金属物质所构成； 多个第三层，由一高折射率的氧化物所构成； 一第二层，由一低折射率的金属物质所构成； 一第一层，由一高折射率的氧化物所构成；其中，该多个第四层和该多个第三层交错堆栈，并置于该第五层之上，接 着依序为该第二层和该第一层。所述第五层的物理厚度介于20nm和40nm间，该第四层的物理厚度介于 8nm和12nm间，该第三层的物理厚度介于30nm和80nm间，该第二层的物理 厚度介于8nm和12ran间，以及该第一层的物理厚度介于20nm和40nm间。所述基板是一塑料薄膜。所述基板是一玻璃。所述第一层和该多个第三层由Zn0:Al所构成，该第二层和该多个第四层 由银所构成，该第五层由Ti02所构成。所述第一层和该多个第三层的氧化物的折射率介于1. 9与2. 2之间，该第二层和该多个第四层的金属物质的折射率介于0. 1与0. 5之间，该第五层的氧 化物的折射率介于2. 2与2. 4之间。所述第一层和该多个第三层的氧化物由直流或脉冲直流溅射法所形成，该 第二层和该多个第四层的金属物质由直流或脉冲直流溅射法所形成，该第五层的氧化物由交流溅射法所形成。所述第一层至第五层由同轴或滚子对滚子真空系统的蒸镀或溅射工艺所 形成。所述涂层为等离子显示器或液晶显示器的基本涂层。本发明之涂层因为该表层有良好的导电特性，该具有可穿透的表面导电层 的低电阻光衰减抗反射的涂层可以降低接地工艺所需的工作负荷和增加大量 生产的合格率和可靠度，其可运用于液晶显示器或等离子显示器的玻璃基板或 塑料基板上。为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的 详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
图l为本发明的涂层结构的示意图；及图2为本发明的涂层结构的波长对反射率的曲线图。其中，附图标记1 第一层2第二层3 第三层4第四层5 第五层6第六层7 第七层8第八层9 第九层10第十层11第十一层12第十二层13第十三层14第十四层15第十五层16前表面17基板18观看的方向具体实施方式
本发明是一种以氧化物为基础的十五层的抗反射涂层，每一层将以rnn为 单位的物理厚度或光学厚度来描述，该设计可见光的波长为520nm。如图1所示，基板17由玻璃、塑料或其它可看穿的物质所构成，该基板 17的前表面16是该基板17面对观察者之面，观看的方向以标号18表示，第 十五层15接触于该基板17的前表面16，第十四层14置于第十五层15上， 接着堆栈着第十三层13、第十二层12、第十一层ll、第十层IO、第九层9、 第八层8、第七层7、第六层6、第五层5、第四层4、第三层3、第二层2和 第一层l。其中第一层1又叫做表面层或最外层，由此构成本发明的具有15 层的涂层结构。第一层l或称为表面层是ZnO:Al层，其仅吸收些微的可见光，当波长为 520nm时，该表面层的折射率介于1. 9至2. 2之间，而物理厚度为20nm到40nm。 第二层2是一银层，其仅吸收些微的可见光，当波长为520rim时，其折射率介 于0. 1至0. 5之间，而物理厚度为8nm到12nm。第三层3是ZnO: Al层，当波 长为520nm时，该层的折射率介于1. 9至2. 2之间，而物理厚度为30nm到80nm。 第四层4是一银层，当波长为520nm时，其折射率介于0. 1至0. 5之间，而物 理厚度为8nm到12nm。第五层5是ZnO:Al层，当波长为520nm时，该层的折 射率介于1.9至2.2之间，而物理厚度为30nm到80nm。第六层6是一银层， 当波长为520nm时，其折射率介于0. 1至0. 5之间，而物理厚度为8nm到12nm。 第七层7是ZnO:Al层，当波长为520nm时，该层的折射率介于1. 9至2. 2之 间，而物理厚度为30nm到80nra。第八层8是一银层，当波长为520nm时，其 折射率介于O. 1至0.5之间，而物理厚度为8nm到12nm。第九层9是ZnO:Al 层，当波长为520nm时，该层的折射率介于1. 9至2. 2之间，而物理厚度为 30nm到80nm。第十层10是一银层，当波长为520nm时，其折射率介于0.1 至0.5之间，而物理厚度为8nm到12nm。第i^一层ll是ZnO:Al层，当波长 为520rnn时，该层的折射率介于1. 9至2. 2之间，而物理厚度为30nm到80nm。 第十二层12是一银层，当波长为520nm时，其折射率介于0. 1至0. 5之间， 而物理厚度为8nm到12nm。第十三层13是ZnO:Al层，当波长为520nm时， 该层的折射率介于1. 9至2. 2之间，而物理厚度为30mn到80nm。第+四层14 是一薄金属层，该金属层是银所构成，其仅吸收些微的可见光，当波长为520nm时，其折射率介于O. 1至O. 5之间，而物理厚度为8mn到12rnn。第十五层15 是Ti02层，其不吸收可见光，当波长为520nm时，该层的折射率介于2. 2至 2. 4之间，而物理厚度为20nm到40nm。在一较佳的实施例中，该第一层1的厚度为35nm，第二层2的厚度为10nm， 第三层3的厚度为75nm，第四层4的厚度为10nm,第五层5的厚度为55mn， 第六层6的厚度为10nm，第七层7的厚度为55nm，第八层8的厚度为10nm， 第九层9的厚度为55nm，第十层10的厚度为lOmn，第十一层11的厚度为70nm， 第十二层12的厚度为lOnm,第十三层13的厚度为70nm，第十四层14的厚度 为10nm，第十五层15的厚度为33nm。在一总压力3m Torr (m=mini=0. 001)下，在存在溅射气体Ar和一小分压 水的环境下，直流或脉冲直流磁电管溅射法可用来布置ZnO:Al而形成第一、 三、五、七、九、十一和十三层。在一总压力4m Torr下，在存在溅射气体 Ar的环境下，直流或脉冲直流磁电管溅射法可用来布置银而形成第二、四、 六、八、十、十二和十四层。在一总压力2m Torr下，在存在混和Ar和H20 溅射气体的环境下， 一交流反应式溅射法可用来布置Ti而形成第十五层15 的Ti02。该磁电管阴极与基板的距离为15公分，并使用一加热装置，而该基 板的温度控制于摄氏100度至300度之间。当然，本发明的涂层结构并不限于15层，只要符合HL(HL)nH的设计原理 者，皆可达到类似的功效。图2为本发明的涂层结构的波长对反射率的曲线图，该反射率以百分比来 表示，其显示可见光波长400nm到700nm的频谱，由图中可知，在波长460nm 到600nm之间的反射率低于0. 5%，其优于原本以HLHL为设计原理的涂层结构。经由ITO涂层，该导电表面层的阻抗介于每平方0.5Q与0.7Q之间，在 一玻璃薄膜或塑料薄膜上，当对于可见光波长范围从400nm到700nm间，其反 射频谱是一平坦且宽的区带，而产生具有良好表面导电性的高导电性、光衰减 抗反射的涂层。此外，当使用滚子对滚子真空布置法来布置本发明的涂层结构， 其生产成本低和适用于大量生产。另一方面，本发明的涂层结构其具有高导电性的特性，当其运用于等离子显示器的制造时，其具有电磁干扰屏障、光学视角低反射、高表面硬度抗刮性、 适度的光衰减效应等优点。例如，本发明的涂层结构的表面阻抗介于每平方0. 5 Q与0. 7 Q之间，以及具有足够硬度去通过军事标准MIL-C-48497的耐刮 测试。本发明可达到下列的功效，在公知的涂层系统中，可穿透的导电层被绝缘 二氧化硅层所隔离的问题获得解决。本发明提供表面物质为ZN0:A1的具有十 五层的涂层结构，而其折射率介于1.9到2.2之间。因为该抗反射涂层的表面层具有导电性，几个简单的方式可使本发明的涂 层产生良好电性接触，本发明的涂层可使用于等离子显示器的屏幕滤波器。在屏幕滤波器的运用上，传统使用超音波焊接工艺会产生细微的锡点污染 物的接地制造方法将被取代，抗反射涂层组装在屏幕滤波器的最后工艺将被简化，在隔绝导电no层与锡焊间所形成不均匀电接触的问题将被解决，提升接地工艺的良率。此外，该涂层结构还可运用于等离子显示器和液晶显示器工业 的基本涂层。本发明的十五层的涂层结构由一导电物质构成其表面层，其可简单和经济 地使用于具有低阻抗功能的玻璃或塑料薄膜基板上。以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，并非用以拘限本发明的专利范 围，因此任何本领域的技术人员在本发明的领域内，所实施的变化或修改，皆 应属本发明的专利范围。
权利要求
1. 一种具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的涂层，其特征在于，包括有一基板；一第十五层，设置于该基板的一前表面，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于20nm和40nm间；一第十四层，设置于该第十五层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；一第十三层，设置于该第十四层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；一第十二层，设置于该第十三层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；一第十一层，设置于该第十二层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；一第十层，设置于该第十一层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；一第九层，设置于该第十层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；一第八层，设置于该第九层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；一第七层，设置于该第八层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；一第六层，设置于该第七层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；一第五层，设置于该第六层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理介于30nm和80nm间；一第四层，设置于该第五层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；一第三层，设置于该第四层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；一第二层，设置于该第三层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；以及一第一层，设置于该第二层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于20nm和40nm间。
2、 如权利要求1所述具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的 涂层，其特征在于，该基板是一塑料薄膜。
3、 如权利要求1所述具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的 涂层，其特征在于，该基板是一玻璃。
4、 如权利要求1所述具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的 涂层，其特征在于该第一层、第三层、第五层、第七层、第九层、第十一层 和第十三层由ZnO:Al所构成，该第二层、第四层、第六层、第八层、第十层、 第十二层和第十四层由银所构成，该第十五层由Ti02所构成。
5、 如权利要求1所述具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的 涂层，其特征在于，该第一层、第三层、第五层、第七层、第九层、第十一层 和第十三层的氧化物的折射率介于1.9与2.2之间，该第二层、第四层、第六 层、第八层、第十层、第十二层和第十四层的金属物质的折射率介于0.1与 0. 5之间，该第十五层的氧化物的折射率介于2. 2与2. 4之间。
6、 如权利要求1所述具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的 涂层，其特征在于，该第一层、第三层、第五层、第七层、第九层、第十一层 和第十三层的氧化物由直流或脉冲直流溅射法所形成，该第二层、第四层、第 六层、第八层、第十层、第十二层和第十四层的金属物质由直流或脉冲直流溅 射法所形成，该第十五层的氧化物由交流溅射法所形成。
7、 如权利要求1所述具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的 涂层，其特征在于，该第一层至第十五层由同轴或滚子对滚子真空系统的蒸镀 或溅射工艺所形成。
8、 如权利要求1所述具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的 涂层，其特征在于，该涂层为等离子显示器或液晶显示器的基本涂层。
9、 一种具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的涂层，其特征 在于，包括有一基板；一第五层，由一高折射率的氧化物所构成和置于该基板之上； 多个第四层，由一低折射率的金属物质所构成； 多个第三层，由一高折射率的氧化物所构成； 一第二层，由一低折射率的金属物质所构成； 一第一层，由一高折射率的氧化物所构成；其中，该多个第四层和该多个第三层交错堆栈，并置于该第五层之上，接 着依序为该第二层和该第一层。
10、如权利要求9所述具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的 涂层，其特征在于该第五层的物理厚度介于20nm和40nm间，该第四层的物 理厚度介于8nm和12nm间，该第三层的物理厚度介于30nm和80nm间，该第 二层的物理厚度介于8mn和12nm间，以及该第一层的物理厚度介于20認和 40nm间。
11.如权利要求9所述具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的 涂层，其特征在于，该基板是一塑料薄膜。
12、 如权利要求9所述具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的 涂层，其特征在于，该基板是一玻璃。
13、 如权利要求9所述具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的 涂层，其特征在于，该第一层和该多个第三层由Zn(hAl所构成，该第二层和 该多个第四层由银所构成，该第五层由Ti02所构成。
14、 如权利要求9所述具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的 涂层，其特征在于，该第一层和该多个第三层的氧化物的折射率介于1.9与 2. 2之间，该第二层和该多个第四层的金属物质的折射率介于0. 1与0. 5之间， 该第五层的氧化物的折射率介于2. 2与2. 4之间。
15、 如权利要求9所述具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的 涂层，其特征在于，该第一层和该多个第三层的氧化物由直流或脉冲直流溅射 法所形成，该第二层和该多个第四层的金属物质由直流或脉冲直流溅射法所形 成，该第五层的氧化物由交流溅射法所形成。
16、 如权利要求9所述具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的 涂层，其特征在于，该第一层至第五层由同轴或滚子对滚子真空系统的蒸镀或溅射工艺所形成。
17、如权利要求9所述具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的涂层，其特征在于，该涂层为等离子显示器或液晶显示器的基本涂层。
全文摘要
本发明涉及一种具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的涂层，该低电阻光衰减抗反射的涂层的多层结构为HL(HL)<sub>6</sub>H(H代表高折射率的物质、L代表低折射率的物质)，其包括八个氧化物层，而该涂层的表层的物质为一可穿透的导电层和具有介于1.9到2.2的高折射率。本发明之涂层因为该表层有良好的导电特性，该具有可穿透的表面导电层的低电阻光衰减抗反射的涂层可以降低接地工艺所需的工作负荷和增加大量生产的合格率和可靠度，其可运用于液晶显示器或等离子显示器的玻璃基板或塑料基板上。
文档编号G02B1/11GK101246223SQ20071008027
公开日2008年8月20日 申请日期2007年2月15日 优先权日2007年2月15日
发明者张正杰 申请人:智盛全球股份有限公司