具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层的制作方法

专利名称：具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层的制作方法
技术领域：
本发明系涉及一种具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射 涂层，特别是一种具有高抗反射特性的涂层结构。
背景技术：
通常，在液晶显示器或等离子显示器的塑料基板(plastic substrate)、玻璃 基板(glass substrate)或塑料网板(plastic web)上，都会加上一抗反射的涂层结 构，因此有众多的涂层结构已经被公开。美国专利U.S.4，921,760公开了一种在二氧化铈和合成数脂间具有良好粘 着力的多层抗反射的涂层，该多层系统包括Ce02、 A1203、 Zr02、 Si02、 Ti02 和1^205，该多层系统的所有薄膜层皆为氧化物，该多层系统包括有三到五层 的薄层，在一实施例中，该五层结构的总厚度约为3580埃，该多层系统的表 层的物质为Si02，其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U.S.5,105,310公开了一种使用反应式溅射法而配置在同轴涂布 机器上的多层抗反射的涂层，该多层系统包括Ti02、 Si02、 ZnO、 Zr02、和 Ta205，该多层系统的所有薄膜层皆为氧化物，该多层系统包括有四到六层的 薄层，在一实施例中，该六层结构的总厚度约为4700埃，该多层系统的表层 的物质为Si02，其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U.S.5,091，244和U.S.5，407，733公开了一种新型态的具导电性的 光衰减抗反射的涂层，其主要是由特定过渡金属氮化物来组成，从而提供一 具导电性、光衰减、抗反射的表面，该多层系统包括TiN、 NbN、 Sn02、 Si02、 Al203和Nb20s，该多层系统的所有薄膜层皆为氮化物和氧化物，该多层系统 包括有三到四层的薄层，在一实施例中，该四层结构的总厚度约为1610埃， 该四层系统的可见光的穿透率低于50%，该多层系统的表层的物质为Si02， 其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U.S.5,147，125公开了一种使用氧化锌，抗波长小于380nm的紫外线的多层抗反射的涂层，该多层系统包括Ti02、 Si02、 ZnO和MgF2，该多 层系统的所有薄膜层为氧化物和氟化物，该多层系统包括有四到六层的薄层， 在一实施例中，该五层结构的总厚度约为7350埃，该多层系统的表层的物质 为MgF^其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.38。美国专利U.S.5,170，291公开了一种四层系统，其具有一光学效应和高抗 反射效果，该多层系统可通过高温分解、等离子支撑化学蒸气布置、溅射或 化学布置等方式来形成，该多层系统包括Si02、 Ti02、 A1203、 ZnS、 MgO和 Bi203，在一实施例中，该四层结构的总厚度约为2480埃，该多层系统的表层 的物质为Si02，其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U.S.5,216,542公开了一种五层涂层，其具有高抗反射效果，该 多层系统包含一层厚度为lnm而由Ni、 Cr或NiCr构成的粘膜层，其余四层 由Sn02、 Zr02、 ZnO、 Ta2Os、 NiO、 Cr02、 Ti02、 Sb203、 ln203、 A1203、 Si02、 TiN和ZrNn所构成，在一实施例中，该五层结构的总厚度约为2337埃，该 五层系统的可见光的穿透率低于30%，该多层系统的表层的物质为Si02，其 具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U.S.5,541,770公开了一种具有导电层的光衰减抗反射的涂层， 其为四到五层的多层系统，包含了具有光吸收高折射率的金属，例如Cr、 Mo 和W等等，被当作该多层系统的光效果薄膜，而其它的三到四层为Ti02、ITO、 A1203、 Si02和TiN，除了一金属层被用于当作该多层系统的光效果薄膜外， 该多层系统的主要物质为氧化物和氮化物，在一实施例中，该五层结构的总 厚度约为1495埃，该多层系统的可见光的穿透率低于60%，该多层系统的表 层的物质为SiO，其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U.S.5，362，552公开了一种具有三层导电金属氧化物的六层抗反 射的涂层，该多层系统包括Si02、 ITO、 Nb205和Ta20s，该涂层包括一总厚 度达可见光的波长的导电金属氧化物，在一实施例中，该六层结构的两主要 层的物质和厚度分别为Si02、 854埃和ITO、 1975埃，该多层系统的表层的 物质为Si02，其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U.S.5,579，162公开了一种使用于对温度灵敏的基板(例如塑料) 的四层抗反射的涂层，其中一层为直流反应溅射的金属氧化物，其可快速地 布置于基板上，而且不会传递大量的热量至该基板，该多层系统包括Sn02、Si02和ITO，在一实施例中，该四层结构的两主要层的物质和厚度分别为Sn02、 763埃和Si02、 940埃，该多层系统的表层的物质为Si02，其具有一低 折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。美国专利U.S.5,728,456和U.S.5,783,049公开了一种改良的方法，用于布 置抗反射的涂层于一塑料薄膜上，该多层薄膜采用一溅射工艺涂布一滚子涂 层，该多层系统包括ITO、 Si02和一薄润滑层，其为一可溶解的氟聚合物， 在一实施例中，该六层结构的总厚度约为2630埃，该多层系统的表层的物质 为Si02，其具有一低折射率，当波长为550nm时，折射率为1.46。以上所公开的光学多层系统的表面薄层的物质为Si02或MgF2，其具有 一低折射率，当波长为550nm时，折射率分别为1.46和1.38。现有的抗反射光学涂层的多层系统皆利用一通则，该通则为该光学涂层 的表层的物质具有一低折射率，例如Si02，折射率为1.46，或MgF2，折射率 为1.38。然而，当将该抗反射涂层运用于显示器工业时，例如具抗静电效果 的计算机屏幕或用于液晶显示器或等离子显示器的低反射玻璃时，在大量生 产的过程中，会存在一些瓶颈，其原因是该光学涂层结构的导电层是由一绝 缘层(例如&02或MgF2)所烧制而成。一抗反射涂层的基本设计规则为，布置在一基板表面的第一层由具高折 射率的物质所构成(标示为H)，其后为一由具低折射率的物质所构成(标示为 L)的第二层，因此，现有的抗反射涂层的多层结构的规则为HLHL或 HLHLHL，以高折射率(H)的物质为ITO而低折射率(L)的物质为&02为例， 该四层结构分别为Glass/ITO/ Si02/ITO/ Si02。由于ITO是一透明的导电物质， 该多层结构的涂层的导电性低于每平方米100Q，而且，当该导电涂层连结至 地时，可用于电磁干扰(EMI)频障或静电放电。然而，问题是该现有的光学多 层结构的表面物质为Si02，且其厚度为1000 A，该Si02的物质特性为高密度、 具有惰性和具有良好的绝缘性，在运用传统的抗反射涂层于显示器工业的过 程中，电性接触由外部的Si02层所隔离的该烧制的ITO层是非常困难的，在 使一金属接触该ITO层的接地过程中，需要使用一超声波焊接工艺去打破该 Si02层，以确保锡球与该ITO层产生良好接触，此工艺为大量生产抗反射涂 层的瓶颈。另一方面，由于液态锡和超声波的曝露能量的缘故，该超声波焊接工艺会产生微细的污染物。此外，该超声波焊接工艺也会在每一生产线上产生非 持久性的接触阻抗，这是因为超声波焊接工艺无法保证能够均匀的以相同的 深度打破该绝缘层而得到一均匀的接触阻抗。上述缺点会降低在运用现有的抗电磁干扰和抗反射涂层的工艺的成品率 和可靠度。发明内容本发明的主要目的，是提供一种具低电阻功能和以可穿透的导电层为最 外层的抗反射涂层，该涂层包括八个氧化物层，其表层的物质为一可穿透的导电层并具有一介于1. 9到2. 2的高折射率。本发明的另一目的，是提供一种具低电阻功能和以可穿透的导电层为最 外层的抗反射涂层，大量生产该氧化物薄膜的工艺是可靠的，而该低电阻光 衰减抗反射的涂层可运用于半导体、光学头、液晶显示器、阴极射线管、建 筑玻璃、触控式传感器、屏幕滤波器、塑料网板涂层等工业。本发明的另一目的，是提供一种具低电阻功能和以可穿透的导电层为最 外层的抗反射涂层，该抗反射涂层的多层结构为HL(HL)6H，包括八个氧化物 层，该涂层的表层的物质为一可穿透的导电层并具有一介于1.9到2.2的高 折射率。本发明的另一目的，是提供一种具低电阻功能和以可穿透的导电层为最 外层的抗反射涂层，该抗反射涂层的表层的物质为一可穿透的表面导电层， 该可穿透的表面导电层的光反射率低于0.5%，该抗反射涂层的阻抗介于每平 方米O. 5Q与0.7Q之间，其穿透率为55%至70%。由于该表层有良好的导电特性，因而该具低电阻功能和以可穿透的导电 层为最外层的抗反射涂层可以降低接地工艺所需的工作负荷，并增加批量生 产的成品率和可靠度，其可运用于液晶显示器或等离子显示器的玻璃基板或 塑料基板上。在一实施例中，该具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射 涂层包括有15层，第一层、第二层、第三层、…和第十五层依序排列在基板 上，每一层将以物理厚度或光学厚度来描述，光学厚度为层厚度与折射率的 数学乘积，在本发明中，该设计波长为520nm。第一层(或称为表面层)是由可穿透的导电氧化物质所构成，该氧化物为SnO:Sb，其仅吸收很少的可见光，当波长为520nm时，该表面层的折射率 介于1.9至2. 2之间，而物理厚度为20nm到40nm。第二层是一薄金属层，该金属层由银所构成，其仅吸收很少的可见光， 当波长为520nm时，其折射率介于0. 1至0. 5之间，而物理厚度为8rnn到12mn。第三层由氧化物所构成，该氧化物为SnO:Sb，其仅吸收很少的可见光， 当波长为520nm时，该层的折射率介于1. 9至2. 2之间，而物理厚度为30nm 到80nm。第四层是一薄金属层，该金属层由银所构成，其仅吸收很少的可见光， 当波长为520nm时，其折射率介于0. 1至0, 5之间，而物理厚度为8nm到12nm。第五层由氧化物所构成，该氧化物为SnO:Sb，其仅吸收很少的可见光， 当波长为520nm时，该层的折射率介于1. 9至2. 2之间，而物理厚度为30nm 至ij 80nm。第六层是一薄金属层，该金属层由银所构成，其仅吸收很少的可见光， 当波长为520nm时，其折射率介于0. 1至0. 5之间，而物理厚度为8nm到12nm。第七层由氧化物所构成，该氧化物为SnO:Sb,其仅吸收很少的可见光， 当波长为520nm时，该层的折射率介于1. 9至2. 2之间，而物理厚度为30nm 到80nm。第八层是一薄金属层，该金属层由银所构成，其仅吸收很少的可见光， 当波长为520nm时，其折射率介于0. 1至0. 5之间，而物理厚度为8nra到12咖。第九层由氧化物所构成，该氧化物为SnO:Sb，其仅吸收很少的可见光， 当波长为520nm时，该层的折射率介于1. 9至2. 2之间，而物理厚度为30nm 到80nm。第十层是一薄金属层，该金属层由银所构成，其仅吸收很少的可见光， 当波长为520nm时，其折射率介于0. 1至0. 5之间，而物理厚度为8mn到12咖。第十一层由氧化物所构成，该氧化物为SnO:Sb，其仅吸收很少的可见光, 当波长为520mii时，该层的折射率介于1.9至2.2之间，而物理厚度为30nm 到80nm。第十二层是一薄金属层，该金属层由银所构成，其仅吸收很少的可见光， 当波长为520nm时，其折射率介于0. 1至0. 5之间，而物理厚度为8rnn到12nm。第十三层由氧化物所构成，该氧化物为SnO:Sb，其仅吸收很少的可见光， 当波长为520mn时，该层的折射率介于1. 9至2. 2之间，而物理厚度为30rmi 到80nm。第十四层是一薄金属层，该金属层由银所构成，其仅吸收少量的可见光， 当波长为520nm时，其折射率介于0. 1至0. 5之间，而物理厚度为8nm到12nm。第十五层(或称最内层)由氧化物所构成，该氧化物为Ti02，其不吸收 可见光，当波长为520nm时，该层的折射率介于2. 2至2. 4之间，而物理厚 度为20mn到40nm。以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明 的限定。


图1为本发明的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂 层的示意图；图2为本发明的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂 层的波长对比反射率的曲线图。 其中，附图标记1 —第一层2 —第二层 3—第三层4 —第四层5 —第五层 6—第六层7 —第七层8 —第八层 9一第九层 10—第十层 ll一第十一层12— 第十二层13— 第十三层14—第十四层 15 —第十五层16— 前表面17— 基板18 —观看的方向具体实施方式
本发明是一种以氧化物为基础的十五层的抗反射涂层，每一层将用以nm 为单位的物理厚度或光学厚度来描述，该设计可见光的波长为520nm。如图1所示，基板17由玻璃、塑料或其它透明的物质所构成，该基板17 的前表面16是该基板17面对观察者的一面，观看的方向用标号18表示，第 十五层15接触该基板17的前表面16，第十四层14置于第十五层15上，接 着依次是第十三层13、第十二层12、第十一层ll、第十层IO、第九层9、第 八层8、第七层7、第六层6、第五层5、第四层4、第三层3、第二层2和第 一层1。其中第一层1又叫做表面层或最外层，由此构成本发明的具有15层 的涂层结构。第一层l (或称为表面层)是SnO:Sb层，其仅吸收很少的可见光，当波 长为520nm时，该表面层的折射率介于1.9至2.2之间，而物理厚度为20nm 到40nm。第二层2是一银层，其仅吸收很少的可见光，当波长为520nm时， 其折射率介于0.1至0.5之间，而物理厚度为8nm到12nm。第三层3是SnO:Sb 层，当波长为520nm时，该层的折射率介于1.9至2.2之间，而物理厚度为30nm 到80nm。第四层4是一银层，当波长为520nm时，其折射率介于0.1至0.5 之间，而物理厚度为8nm到12nm。第五层5是SnO:Sb层，当波长为520nm 时，该层的折射率介于1.9至2.2之间，而物理厚度为30nm到80nm。第六层 6是一银层，当波长为520nm时，其折射率介于0.1至0.5之间，而物理厚度 为8nm到12nm。第七层7是SnO:Sb层，当波长为520nm时，该层的折射率 介于1.9至2.2之间，而物理厚度为30nm到80nm。第八层8是一银层，当波 长为520nm时，其折射率介于0.1至0.5之间，而物理厚度为8nm到12nm。 第九层9是SnO:Sb层，当波长为520nm时，该层的折射率介于1.9至2.2之 间，而物理厚度为30nm到80nm。第十层10是一银层，当波长为520nm时，其折射率介于0.1至0.5之间，而物理厚度为8nm到12nm。第i^一层11是 SnO:Sb层，当波长为520nm时，该层的折射率介于1.9至2.2之间，而物理 厚度为30nm到80nm。第十二层12是一银层，当波长为520nm时，其折射率 介于0.1至0.5之间，而物理厚度为8nm到12nm。第十三层13是SnO:Sb层， 当波长为520nm时，该层的折射率介于1.9至2.2之间，而物理厚度为30nm 到80nm。第十四层14是一薄金属层，该金属层由银所构成，其仅吸收很少的 可见光，当波长为520nm时，其折射率介于0.1至0.5之间，而物理厚度为8nm 到12nm。第十五层15是Ti02层，其不吸收可见光，当波长为520nm时，该 层的折射率介于2.2至2.4之间，而物理厚度为20nm到40nm。在一较佳的实施例中，该第一层1的厚度为35nm，第二层2的厚度为 10nm，第三层3的厚度为75nm，第四层4的厚度为10nm，第五层5的厚度 为55nm，第六层6的厚度为10nm，第七层7的厚度为55nm，第八层8的厚 度为10nm，第九层9的厚度为55nm，第十层10的厚度为10nm，第十一层 11的厚度为70nm，第十二层12的厚度为10nm，第十三层13的厚度为70nm， 第十四层14的厚度为10nm，第十五层15的厚度为33nm。本发明的涂层结构的第一层至第十五层可以由同轴或滚子对滚子真空系 统的蒸发或溅射工艺所形成。在一总压力3mTorr (m=mini=0.00i:TF，在存在 溅射气体Ar和一小分压水的环境下，直流或脉冲直流磁电管溅射法可用来布 置SnO:Sb而形成第一、三、五、七、九、H-—和十三层。在一总压力4mTorr 下，在存在溅射气体Ar的环境下，直流或脉冲直流磁电管溅射法可用来布置 银而形成第二、四、六、八、十、十二和十四层。在一总压力2mTorr下，在 存在混和Ar和H20溅射气体的环境下， 一交流反应式溅射法可用来布置Ti 而形成第十五层15的Ti02。该磁电管阴极与基板的距离为15公分，并使用 一加热装置，该基板的温度控制在摄氏100度至300度之间。当然，本发明的涂层结构并不限于15层，只要符合HL(HL)nH的设计原 理，均可达到类似的功效。图2为本发明的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂 层的波长对比反射率的曲线图，该反射率以百分比来表示，图中显示可见光波 长400nrn到700nm的频谱，由图中可知，在波长460nm到600nm之间的反射 率低于0.5%，优于现有的以HLHL为设计原理的涂层结构。层，该导电表面层的阻抗介于每平方米0.5 Q与0.7Q 之间，在一玻璃薄膜或塑料薄膜上，当对应可见光波长范围从400nm到700nm 间时，其反射频谱是一平坦且较宽的区域，由此可知，该涂层为具有良好表面 导电性的高导电性、光衰减抗反射性的涂层。此外，当使用滚子对滚子真空布 置法来布置本发明的涂层结构时，其生产成本低并适用于大量生产。另一方面，本发明的涂层结构具有高导电性，因而当其应用于等离子显示 器的制造时，具有电磁干扰屏障、光学视角低反射、高表面硬度抗刮性、适度 的光衰减效应等优点。例如，本发明的涂层结构的表面阻抗介于每平方米0.5 Q与0.7 Q之间，以及具有足够的硬度去通过军事标准MIL-C-48497的耐刮测 试。本发明可达到下列的功效，在现有的涂层系统中，可穿透的导电层被绝缘 的二氧化硅层所隔离的问题得到了解决。本发明提供表面物质为SnO:Sb的具 有十五层的涂层结构，而其折射率介于1.9到2.2之间。由于该抗反射涂层的表面层具有导电性，因而几个简单的方式即可使本发 明的涂层产生良好电性接触，本发明的涂层可应用于等离子显示器的屏幕滤波 器。在屏幕滤波器的应用上，传统的使用超声波悍接工艺的会产生细微的锡点 污染物的接地制造方法将被取代，抗反射涂层组装在屏幕滤波器的最后工艺将 被简化，在隔绝导电ITO层与锡焊间所形成不均匀电接触的问题将被解决， 以提升接地工艺的成品率。此外，该涂层结构也可应用于等离子显示器和液晶 显示器工业的基本涂层。本发明的十五层的涂层结构由一导电物质构成其表面层，其可简单和经济 地使用于具有低阻抗功能的玻璃或塑料薄膜基板上。当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情 况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但 这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
权利要求
1. 一种具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层，其特征在于，包括有一基板；一第十五层，设置在该基板的一前表面，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于20nm和40nm间；一第十四层，设置在该第十五层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；一第十三层，设置在该第十四层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；一第十二层，设置在该第十三层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；一第十一层，设置在该第十二层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；一第十层，设置在该第十一层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；一第九层，设置在该第十层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；一第八层，设置在该第九层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；一第七层，设置在该第八层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；一第六层，设置在该第七层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；一第五层，设置在该第六层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；一第四层，设置在该第五层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；一第三层，设置在该第四层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；一第二层，设置在该第三层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；以及一第一层，设置在该第二层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于20nm和40nm间；其中该第一层、第三层、第五层、第七层、第九层、第十一层和第十三层由SnO:Sb所构成，该第二层、第四层、第六层、第八层、第十层、第十二层和第十四层由银所构成，该第十五层由TiO2所构成。
2. 如权利要求1所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗 反射涂层，其特征在于，该基板是一塑料薄膜。
3. 如权利要求1所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗 反射涂层，其特征在于，该基板是一玻璃。
4. 如权利要求1所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗 反射涂层，其特征在于，该第一层、第三层、第五层、第七层、第九层、第十 --层和第十三层的氧化物的折射率介于1.9与2.2之间，该第二层、第四层、 第六层、第八层、第十层、第十二层和第十四层的金属物质的折射率介于O. 1 与0. 5之间，该第十五层的氧化物之折射率介于2. 2与2. 4之间。
5. 如权利要求1所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗 反射涂层，其特征在于，该第一层、第三层、第五层、第七层、第九层、第十 一层和第十三层的氧化物由直流或脉冲直流磁电管溅射法所形成，该第二层、 第四层、第六层、第八层、第十层、第十二层和第十四层的金属物质由直流或 脉冲直流磁电管溅射法所形成，该第十五层的氧化物由交流反应式溅射法所形 成。
6. 如权利要求1所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗 反射涂层，其特征在于，该第一层至第十五层由同轴或滚子对滚子真空系统的 蒸发或溅射工艺所形成。
7. 如权利要求1所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗 反射涂层，其特征在于，该涂层为等离子显示器或液晶显示器的基本涂层。
8. —种具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层，其特 征在于，包括有一基板；一第五层，由一高折射率的氧化物所构成并设置在该基板之上； 多个第四层，由一低折射率的金属物质所构成； 多个第三层，由一高折射率的氧化物所构成； 一第二层，由一低折射率的金属物质所构成； 一第一层，由一高折射率的氧化物所构成；其中，该多个第四层和该多个第三层系交错堆栈，并设置在该第五层之上， 接着依序为该第二层和该第一层，该第一层和该多个第三层由SnO:Sb所构成， 该第二层和该多个第四层由银所构成，该第五层由Ti02所构成。
9. 如权利要求8所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗 反射涂层，其特征在于，该第五层的物理厚度介于20mii和40mn间，该第四层 的物理厚度介于8nm和12nm间，该第三层的物理厚度介于30nm和80nm间， 该第二层的物理厚度介于8nm和12nm间，该第一层的物理厚度介于20nm和 40nm间。
10. 如权利要求8所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗 反射涂层，其特征在于，该基板是一塑料薄膜。
11. 如权利要求8所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层，其特征在于，该基板是一玻璃。
12. 如权利要求8所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗 反射涂层，其特征在于，该第一层和该多个第三层的氧化物的折射率介于1. 9 与2. 2之间，该第二层和该多个第四层的金属物质的折射率介于0. 1与0. 5 之间，该第五层的氧化物之折射率介于2.2与2.4之间。
13. 如权利要求8所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗 反射涂层，其特征在于，该第一层和该多个第三层的氧化物由直流或脉冲直流 磁电管溅射法所形成，该第二层和该多个第四层的金属物质由直流或脉冲直流 磁电管溅射法所形成，该第五层的氧化物由交流反应式溅射法所形成。
14. 如权利要求8所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗 反射涂层，其特征在于，该第一层至第五层由同轴或滚子对滚子真空系统的蒸 发或溅射工艺所形成。
15. 如权利要求8所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗 反射涂层，其特征在于，该涂层为等离子显示器或液晶显示器的基本涂层。
全文摘要
一种具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层，该抗反射涂层表层的物质为一可穿透的表面导电层，该可穿透的表面导电层的光反射率低于0.5％，该抗反射涂层的阻抗介于每平方米0.5Ω与0.7Ω之间，且其穿透率为55％至70％。
文档编号G02B1/10GK101281259SQ200710087380
公开日2008年10月8日 申请日期2007年4月3日 优先权日2007年4月3日
发明者张正杰 申请人:智盛全球股份有限公司