专利名称：抗蚀剂成分、形成抗蚀剂图案的方法、基板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及压印光刻(imprint lithography)工艺，并尤其涉及用于压印光刻工艺的抗蚀剂成分、采用该抗蚀剂成分形成抗蚀剂图案的方法、采用其制造的阵列基板以及该阵列基板的制造方法。
背景技术：
通常，执行多轮薄膜构图工艺来制造显示图像的平板显示元件。
一般而言，采用光刻工艺执行薄膜构图工艺。这里，光刻工艺包括采用曝光和显影工艺在薄膜上形成抗蚀剂图案的步骤，采用该抗蚀剂图案作为蚀刻掩模而蚀刻该薄膜的步骤以及从该薄膜上去除抗蚀剂图案的步骤。
由于执行光刻工艺的设备价格昂贵，因此光刻工艺需要很多的初期投资成本。此外，由于光刻工艺需要价格昂贵的构图掩模，因此降低了光刻工艺的经济效益。而且，由于构图掩模的图案宽度界限，该光刻工艺在制造超精细图案方面存在局限性。
因此，近期人们正在研发不需掩模的压印光刻工艺。该压印光刻印刷工艺在基板上制造诸如压印(imprinting)的抗蚀剂图案，其优势在于可以制造多个精细图案。
该压印光刻工艺包括在基板上形成抗蚀剂层的步骤、通过采用具有规则图案的模具在该抗蚀剂层上压印模制图案的步骤、硬化具有所述模制图案的抗蚀剂层的步骤以及将所述模具与抗蚀剂层分离的步骤。
这里，当抗蚀剂层与模具之间的粘着力大于基板与抗蚀剂层之间的粘着力时，在从该抗蚀剂层分离模具的步骤中当该抗蚀剂层与模具脱落时会形成存在缺陷的抗蚀剂图案。
此外，当模具与抗蚀剂层不容易分离时，该模具会受到损害或者变形。
而且，当模具在部分抗蚀剂层与该模具粘合的状态下与抗蚀剂层分离时，必须要加入从模具上去除该部分抗蚀剂层的清洗步骤。此外，当该模具具有纳米尺寸图案时，采用清洗步骤从模具上去除部分抗蚀剂层更加困难，并需要更换模具。
发明内容
本发明的目的在于提供一种通过在压印光刻步骤中改善模具分离工艺而提高模具的耐用性并防止出现抗蚀剂图案缺陷的抗蚀剂成分、采用该成分形成抗蚀剂图案的方法、采用其的阵列基板以及该阵列基板的制造方法。
根据本发明用于实现上述目的的抗蚀剂成分包括UV固化树脂和添加剂，以及促使UV固化树脂和与该UV固化树脂接触的非屏蔽层之间化学接合的附着力促进剂。
根据本发明用于实现本发明上述目的用于形成抗蚀剂图案的方法包括如下步骤提供基板；在基板上制造抗蚀剂层；向抗蚀剂层提供具有预定图案的模具；随着将模具粘合到抗蚀剂层上而转印形成初始抗蚀剂图案；通过硬化初始抗蚀剂图案形成抗蚀剂图案；以及从抗蚀剂图案上分离模具的步骤。这里，抗蚀剂层上形成的成分包括用于提高基板与抗蚀剂层之间粘合强度的附着力促进剂。
根据本发明的滤色片阵列基板包括基板；形成在基板上的黑矩阵和滤色片图案，以及设置在黑矩阵和滤色片图案上方并具有凸出部分的涂敷图案，其中所述涂敷图案由包括附着力促进剂的成分形成，所述附着力促进剂用于提高黑矩阵和滤色片图案至少其中之一与所述涂敷图案之间的粘合强度。
本发明用于实现本发明上述目的形成滤色片阵列基板的方法，包括如下步骤提供基板；在基板上形成黑矩阵；在形成有黑矩阵的基板上形成滤色片图案；通过在所述黑矩阵和滤色片图案上方涂敷一成分而形成涂敷层；将具有预定图案的模具与所述涂敷层粘合而形成具有凸出部分的涂敷图案；以及将模具和涂敷图案分离的步骤。
进而，所述成分包括附着力促进剂，所述附着力促进剂用于提高黑矩阵和滤色片图案至少其中之一与所述涂敷图案之间的粘合强度。
根据用于实现本发明上述目的薄膜晶体管阵列基板，包括基板；形成在基板上的薄膜晶体管；具有暴露部分薄膜晶体管的接触孔并设置在所述薄膜晶体管上的涂敷图案；以及通过接触孔与所述薄膜晶体管电连接的像素电极。
所述涂敷图案由包括附着力促进剂的成分形成，所述附着力促进剂用于提高钝化图案与包括薄膜晶体管的基板之间的粘合强度。
一种用于制造薄膜晶体管阵列基板的方法，包括如下步骤提供基板；在该基板上形成薄膜晶体管；通过向包括薄膜晶体管的基板涂敷一成分而形成涂敷层；随着将具有预定图案的模具与所述涂敷层粘合而形成具有暴露部分薄膜晶体管的接触孔的涂覆图案；将所述模具与所述涂覆图案分离；以及形成通过接触孔与所述薄膜晶体管电连接的像素电极。
所述成分包括附着力促进剂，该附着力促进剂用于提高涂覆图案与包括薄膜晶体管的基板之间的粘合强度。
图1A到1D为根据本发明第一实施方式的压印光刻制造工艺的截面图；图2为通过根据本发明第一优选实施方式的附着力促进剂将基层与抗蚀剂层化学接合的截面图；图3A到3D为根据本发明第二实施方式的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法的截面图；图4A到4C为根据本发明第三实施方式的滤色片基板及其制造方法的截面图；图5为根据本发明第四优选实施方式的液晶面板的截面图。
本发明的优点本发明的优点在于改进模具的耐久性，由于在压印光刻工艺中改善了基层与抗蚀剂图案之间的粘合强度，因此使得模具可以与基层可靠分离。
此外，本发明的优点在于可以形成具有高分辨率的抗蚀剂图案，由于模具与基层清洁地分离，因此形成高分辨率图案是可能的。因此，可以方便地制造具有高集成度电路的显示元件。
具体实施例方式
现在详细描述根据本发明的抗蚀剂成分、采用该抗蚀剂成分形成抗蚀剂图案的方法、采用其制造的阵列基板以及制造该阵列基板的方法。
图1A到1D为根据本发明第一实施方式的压印光刻制造工艺的截面图。
参照图1A，在基板100上形成基层110。该基层110可以包括无机层等。可以用作基层110的材料实施例包括金属层、氧化硅层、氮化硅层或者所述层构成的叠层等。可以通过溅射方法或者化学汽相沉积(CVD)方法等形成该基层110。
在基层110上涂敷液态抗蚀剂成分以在基部基板110上形成抗蚀剂层。可以通过旋转涂敷方法、刮涂方法、喷射涂敷方法以及卷轴印刷方法形成抗蚀剂层120。
该抗蚀剂成分可以包括UV固化树脂。该UV固化树脂可以包括具有丙烯酸基或者乙烯基的有机组合物。可以用于UV固化树脂的材料实施例包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)树脂、丁基异丁酸酯(BMA)树脂、聚氨酯丙烯酸树脂和聚乙烯醇树脂等。
UV固化树脂的含量可以占全部抗蚀剂成分重量百分比的50wt％到80wt％以内。当UV固化树脂的含量低于50wt％时，无法保持抗蚀剂图案。相反，当UV固化树脂的含量高于80wt％时，由于抗蚀剂成分的粘性变高，因此很难向基层110施加抗蚀剂成分。
此外，抗蚀剂成分可以包括用于提高抗蚀剂层120与基层110之间粘合强度的附着力促进剂(未示出)。附着力促进剂由可以引导抗蚀剂层120与基层110之间化学接合的材料构成。可以用作附着力促进剂的材料实施例包括环氧基化合物或者聚氨酯化合物等。
附着力促进剂的含量可以占全部抗蚀剂成分重量百分比的10wt％到20wt％以内。当附着力促进剂的含量低于10wt％时，不可能提高抗蚀剂层120与基层110之间的粘合强度。另一方面，当附着力促进剂的含量高于20wt％时，则抗蚀剂图案的形状破裂。
此外，该抗蚀剂成分还包括有添加剂。
该添加剂可以包括用于引发UV固化树脂反应的光引发剂和将基层110化学耦合到UV固化树脂上的耦合剂。可以用作引发剂的材料实施例包括a-羟基酮化合物、a-氨基酮化合物、苯基乙醛酸化合物、酰基氧化膦化合物、苯基酮化合物以及IRGACURETM369、500、651和907(由Ciba Specialty Chemicals公司销售)等。引发剂在整个抗蚀剂成分中的重量百分比低于3wt％。
耦合剂可以采用的材料实施例包括γ-糖类丙氧基三甲基硅烷(gamma-glucidoxypropyl trimethodxy silane)、氢硫基丙基三甲基硅烷(mercapto propyl trimethodxy silane)以及甲基三甲基硅烷(methyl trimethoxysilan)等。
当基层110为无机膜时，耦合剂使基层110与粘合剂化学接合或者使基层110与UV固化树脂化学接合。即，由于向抗蚀剂成分中添加了耦合剂，基层110与抗蚀剂层之间的粘合强度得到明显增加。耦合剂在整个抗蚀剂成分中的重量百分比在5wt％到10wt％以内。当耦合剂的含量低于5wt％时，基层110与抗蚀剂层120之间的化学结合无效。另一方面，当耦合剂的含量高于10wt％时，则由于抗蚀剂成分的粘性增加，很难将抗蚀剂成分均匀地施加于基层110上。
然后，将具有图案的模具200与形成在基板100上的抗蚀剂层120对准。模具200的图案具有凸出部分和凹进部分。此外，通过能够透过光的透明材料形成模具200。可以用作模具200的材料实施例包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚碳酸酯(PC)和硅以及玻璃等。
在将模具200与抗蚀剂层120对准以前可以执行用于清洗模具200的图案的清洗工艺。原因在于，在模具200的图案受到颗粒污染时，在抗蚀剂层120上无法形成期望的抗蚀剂图案。
此外，当颗粒粘附在模具200的图案上时，该模具200很难与抗蚀剂层120的抗蚀剂图案分离。参照图1B，在抗蚀剂层120上压印形成在模具200上的图案从而在其上形成初始的抗蚀剂图案120a。为了形成抗蚀剂图案120a，抗蚀剂层120与模具200保形地彼此接触。
从而，将模具200的凸出图案和凹进图案转印到抗蚀剂层120，从而在基板上形成初始抗蚀剂层120a。
尽管在本实施方式中模具200的图案以抗蚀剂层与模具保形接触的方式转印到抗蚀剂层120上，但是，本发明并不限于此，而且还可以通过向模具200施加压力而将模具200的图案转印到抗蚀剂层120上。
参照图1C，采用将紫外光束照射在初始抗蚀剂图案上的方式硬化初始抗蚀剂图案120a，从而在基板100上形成抗蚀剂图案120b。
对抗蚀剂图案120b进一步执行热处理工艺，从而改善抗蚀剂图案120b与基层110之间的粘合强度。
在该热处理工艺中，以高于玻璃相变温度(Tg)的温度加热含有UV固化树脂的抗蚀剂图案120b。其目的在于通过加热移动包括抗蚀剂图案120b的UV固化树脂的链C并与基层产生微密封(packing)，从而提高抗蚀剂图案120b与基层110之间的粘合强度。即，在基层110上自然地形成许多凸出部和凹进部，并且当随着热处理工艺的进行包括UV固化树脂的链C的运动变得活跃时，该UV固化树脂还接触到先前树脂无法接触的凸出部和凹进部。
因此，基层110与抗蚀剂图案120b之间的粘合强度随着抗蚀剂图案120与基层110接触面积的加大而增强。
此外，该热处理工艺提高了抗蚀剂图案120b与基层110之间的粘合强度并引起上述抗蚀剂成分中包含的附着力促进剂发生化学反应。在执行UV照射后在能够加热的腔室中可以执行热处理工艺。但是，在本发明的优选实施方式中热处理工艺不限于前面提到的实例。例如，可以在粘合基板与模具的工艺以及硬化初始抗蚀剂图案工艺的至少其中之一过程中执行热处理工艺。即，可以在将形成有抗蚀剂层的基板或者将形成有初始抗蚀剂图案的基板设置在加热的台架上时执行此时的热处理。
图2为通过根据本发明第一优选实施方式的附着力促进剂将基层与抗蚀剂层化学接合的截面图。
参照图2，由于基层110暴露于外侧，该基层110的表面具有羟基。抗蚀剂成分中含有的粘合剂b与羟基发生反应，使得附着力促进剂与抗蚀剂图案120b中包含的UV固化树脂化学接合。因此，由于底部基板110与抗蚀剂图案120b彼此化学耦合，因此基层110与抗蚀剂图案120b之间的粘合强度得到提高。这里，尽管在抗蚀剂成分中含有附着力促进剂，但是由于模具200可以由亲水材料形成，因此模具200与抗蚀剂图案120b之间的粘合强度没有提高。因而，基层110和抗蚀剂图案120b之间的粘合强度比模具200与抗蚀剂图案120b之间的粘合强度更强。可以用作附着力促进剂的材料包括与基层110表面上形成的羟基发生反应的环氧基化合物以及聚氨脂化合物。
因此，可以通过机械因素或者化学因素提高基层110与抗蚀剂图案120b之间的粘合强度。
参照图1D，模具200与抗蚀剂图案120b分离。当抗蚀剂图案120b与基层110之间的粘合力高于抗蚀剂图案120b与模具200之间的粘合力时，避免了在分离模具200时扯掉部分抗蚀剂图案120b的传统情况。此外，其优势还在于不需要施加用于分离模具200的额外的力，并且随着由于部分抗蚀剂图案120b粘附在模具200上导致的模具200发生污染得到改善，模具200的耐用性也得到改善。
抗蚀剂图案120b可以用作用于蚀刻基层110的蚀刻掩模。此外，通过将导电材料添加到抗蚀剂图案120b中，该抗蚀剂图案120b可以用作导线。而且，其优势还在于在采用抗蚀剂图案120b制造显示元件的情况中，在降低工艺数量的同时还提高了生产率。
现在将详细描述采用上述压印光刻制造液晶显示器件的方法。
图3A到3D为根据本发明第二实施方式的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法的流程图。
参照图3A，形成栅线(未示出)、垂直于栅线设置的数据线(未示出)以及在栅线和数据线交叉部分设置的薄膜晶体管Tr。薄膜晶体管Tr可以包括从栅线分支出来的栅极311、覆盖栅极311和栅线的栅绝缘膜310、设置在栅绝缘膜310上并对应于栅极311的半导体图案312以及位于半导体图案312两端的源极/漏极313和314。
具体地，在基板300上形成导电层(未示出)以形成栅极311。可以通过真空蒸汽方法或者溅射等方法形成导电层。可以用作导电层的材料实施例包括铝Al、钼MO、钨化钼MoW、钽化钼MoTa、铌化钼MoNb、铬Cr以及钨W和铌化铝AlNb等。
在形成导电层之后在该导电层上形成抗蚀剂图案。通过压印光刻工艺形成抗蚀剂图案。为了形成该抗蚀剂图案，在导电层上涂敷抗蚀剂成分以形成抗蚀剂层。随着保形地接触栅极311并且将模具构图为栅线形状，在该抗蚀剂层上将模具的图案转印到该抗蚀剂层上。然后，随着从模具向初始抗蚀剂图案照射UV光而硬化该初始抗蚀剂图案，形成抗蚀剂图案。此后，模具与抗蚀剂图案分离。这里，该抗蚀剂成分包括UV固化树脂、附着力促进剂和添加剂等。
在使用抗蚀剂图案作为蚀刻掩模而蚀刻导电层并去除该抗蚀剂图案以后，在基板300上形成栅极311和栅线。
在基板的整个表面上形成栅绝缘层310以使用栅绝缘层310覆盖栅极311和栅线。栅绝缘层310可以包括氧化硅层或者氮化硅层或者前述两层的叠层。这里，可以通过化学汽相沉积或者溅射等方法形成该栅绝缘层310。
在基板上顺序形成对应于栅极311并且形成在栅绝缘层310上的半导体图案312以及位于半导体图案312两端的源极/漏极313和314，从而形成薄膜晶体管Tr。这里，半导体图案312可以包括有源层312a和欧姆接触层312b。通过非晶硅图案形成有源层312a，并通过掺杂有杂质的非晶硅图案形成欧姆接触层312b。
随着在形成单层膜或者双层膜以后进行构图而形成源极/漏极313和314。可以用作源极/漏极313和314的材料实施例包括钼、钛、钽、钨化钼、钽化钼、铌化钼及其合金等。为了形成源极/漏极313和314，在源极/漏极层上通过压印光刻工艺或者光刻工艺形成抗蚀剂图案，并且然后采用该抗蚀剂图案作为蚀刻掩模而构图源极/漏极层以形成源极/漏极313和314，并且采用源极/漏极313和314对源极/漏极313和314下部形成的半导体层进行蚀刻以在栅绝缘层310上形成半导体图案312。从而，在基板上形成薄膜晶体管Tr。
在形成薄膜晶体管Tr后，在具有该薄膜晶体管Tr的基板上涂敷钝化材料以在该基板上形成钝化层320a。即，在栅绝缘层310上形成钝化层320a以覆盖源极/漏极313和314。
这里，可以通过旋转涂敷方法、深度涂敷方法、卷轴涂敷方法、杆涂敷(barcoating)方法、丝网印刷方法、喷墨印刷方法和刮涂方法等形成钝化层320a。这里，钝化层成分包括UV固化树脂和附着力促进剂。
可以用作UV固化树脂的材料实施例包括酚醛树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)树脂、丁基异丁酸酯(BMA)树脂、聚氨酯丙烯酸树脂和聚乙烯醇树脂等。这里，UV固化树脂的含量占整个涂敷成分重量百分比的50wt％到80wt％以内，从而保持以下要进行描述的钝化层图案320的形状。
附着力促进剂增强了包括薄膜晶体管Tr的栅绝缘层310与钝化层图案320之间的粘合强度。可用作附着力促进剂的材料实施例包括环氧基化合物或者氨甲酸乙酯化合物等。这里，附着力促进剂的含量可以占全部涂敷成分重量百分比的10wt％到20wt％以内，从而增强栅绝缘层310与钝化层图案320之间的粘合强度，并且保持该钝化层图案320的形状。
此外，该钝化层320a成分还包括有添加剂。该添加剂可以是光引发剂或者耦合剂。这里，可以用作光引发剂的材料实施例包括a-羟基酮化合物、a-氨基酮化合物、苯基乙醛酸化合物、酰基氧化膦化合物、苯基酮化合物以及IRGACURETM369、500、651和907(由Ciba Specialty Chemicals公司销售)等。光引发剂在整个涂敷成分中的重量百分比低于3wt％。
耦合剂可以采用的材料实施例包括γ-糖类丙氧基三甲基硅烷、氢硫基丙基三甲基硅烷以及甲基三甲基硅烷等。
耦合剂进行滚转以使由无机成分构成的栅绝缘层310和由有机成分构成的钝化图案320进行化学接合。由于向钝化层成分中添加了耦合剂，因此栅绝缘层310和钝化图案320之间的粘合强度得到增强。
参照图3B，随着将具有预定图案的模具400与钝化层320a的表面保形地接触，在钝化层320a上压印有模具400的图案。随着将具有预定图案的模具400压在钝化层320a上，可以压印该模具400的图案。
初始钝化图案具有暴露薄膜晶体管Tr的部分漏极的接触孔。
向初始钝化图案照射紫外光以形成硬化的钝化图案320。
执行热处理工艺以提高栅绝缘层310和钝化图案320之间的粘合强度。该热处理工艺将比UV固化树脂的玻璃相变温度高的温度施加给钝化图案320。
参照图3C，模具400与钝化图案320分离。在与模具400的凸出部分接触的区域出形成接触孔P。
这里，由于向成分中添加了附着力促进剂以形成钝化图案320并且执行了热处理工艺，提高了模具400与钝化图案320之间的粘合强度，因此模具400理想化地与钝化图案320分离。
参照图3D，像素电极330与通过接触孔P暴露的漏极电连接。这里，在钝化图案320上相继形成导电层和抗蚀剂图案以形成象素电极330之后，根据该抗蚀剂图案构图导电层而形成像素电极330。这里，可以通过上述的压印光刻工艺或者光刻工艺形成抗蚀剂图案。
图4A到4C为根据本发明第三实施方式的滤色片阵列基板及其制造方法的截面图。
参照图4A，提供基板500。在基板500上形成黑矩阵510和滤色片层520。
具体地说，在基板上方形成包括铬的不透明金属膜或者树脂膜以后通过构图工艺形成黑矩阵510。这里，可以通过上述的压印光刻工艺或者光刻工艺执行构图工艺。
这里，通过黑矩阵510限定若干子像素。在通过黑矩阵510限定的若干子像素中形成滤色片层520。这里，可以通过喷墨印刷方法或者通过在包括黑矩阵510的基板整个上方涂敷用于形成滤色片的树脂以后执行光刻工艺而形成滤色片层520。
这里，通过涂敷抗蚀剂成分而在黑矩阵510和滤色片层520上形成涂敷层530a，以克服在黑矩阵510和滤色片层520之间产生的间隙。
这里，制造涂敷层530a的方法实施例可以是旋转涂敷方法、深度涂敷方法、卷轴涂敷方法、杆涂敷(bar coating)方法、丝网印刷方法、喷墨印刷方法和刮涂等方法。
制造涂敷层530a的成分包括UV固化树脂和附着力促进剂。
这里，UV固化树脂的材料实施例包括丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、酚醛树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)树脂、甲基丙烯酸丁酯(BMA)树脂、聚氨酯丙烯酸酯和聚乙烯醇树脂等。UV固化树脂的含量可以占全部涂敷层530a成分重量百分比的50wt％到80wt％以内，以保持后面将要描述的涂敷图案的形状。
附着力促进剂用于提高黑矩阵510和滤色片层520至少其中之一与涂敷图案530之间的粘合强度。附着力促进剂可以是环氧基化合物或者聚氨酯化合物其中之一。这里，附着力促进剂的含量可以占全部成分重量百分比的10wt％到20wt％以内，以提高黑矩阵510和滤色片层520至少其中之一与涂敷图案530之间的粘合强度并保持涂敷图案530的形状。
所述成分还包括有添加剂。该添加剂可以是光引发剂或者耦合剂。这里，可以用作光引发剂的材料实施例为a-羟基酮化合物、a-氨基酮化合物、苯基乙醛酸化合物、酰基氧化膦化合物、苯基酮化合物以及IRGACURETM369、500、651和907(由Ciba Specialty Chemicals公司销售)等。引发剂在整个成分中的重量百分比低于3wt％。
耦合剂可以采用的材料实施例包括γ-糖类丙氧基三甲基硅烷、氢硫基丙基三甲基硅烷以及甲基三甲基硅烷等。耦合剂执行滚转以使由无机成分构成的黑矩阵510与由有机成分构成的涂敷图案530之间进行化学接合。
在涂敷层530a上设置具有预定图案的模具600。
参照图4B，随着在将模具600对准到涂敷层530上方之后对模具600施加压力或者使涂敷层530与模具600保形地接触，在涂敷层530上压印模具600的图案。这里，对应于模具600的凸出部分的部分涂敷层530被移动到模具600的凹进部分并且部分涂敷层530保留在对应于模具600凸出部分的区域上。从而形成具有凸出部分540的初始涂敷图案。
此后，通过从模具600向初始涂敷图案照射UV光而硬化涂敷图案530，形成具有凸出部分540的涂敷图案530。
在粘附有模具600的基板300上执行热处理工艺以提高黑矩阵510和滤色片层520至少其中之一与涂敷层530之间的粘合强度。
参照图4C，将模具600与涂敷图案530分离。这里，随着图4b所示移入模具600的凹进部分的涂敷成分得到硬化，形成凸出部分540。因此以单独结构形成具有涂敷图案530的凸出部分540。
这里，由于用于制造涂敷图案530的成分中添加了附着力促进剂并执行了热处理工艺，因此提高了黑矩阵510和滤色片层520至少其中之一与涂敷图案之间的粘合强度。因此模具600理想化地与涂敷图案530分离。
图5为根据本发明第四优选实施方式的液晶面板的截面图。这里，通过粘结根据本发明第二优选实施方式的薄膜晶体管阵列基板和根据本发明第三优选实施方式的滤色片基板而形成液晶面板，并且同样的附图标记表示同样的元件，这里省略重复说明。
参照图5，在薄膜晶体管阵列基板700或者滤色片阵列基板800的外表面上形成密封剂图案。此后，在粘合两个基板后形成液晶层。还可以在粘合两个基板之前，通过向薄膜晶体管阵列基板700上滴注液晶之后再粘合滤色片基板800。这里，不限于形成液晶层的工艺。
这里，可以将涂敷图案530上形成的凸出部分作为衬垫料，该衬垫料用于规则地保持薄膜晶体管阵列基板700与滤色片基板800之间的盒间隙。
在现有技术中，构图工艺需要多轮光刻工艺，但是，通过压印光刻工艺替代该光刻工艺可以简化该构图工艺。
此外，由于在压印光刻工艺中防止了由于部分抗蚀剂与模具分离而产生的抗蚀剂图案缺陷，可以形成高分辨率的抗蚀剂图案。
由于形成了高分辨率的抗蚀剂图案，可以形成微小而高精细的图案。
权利要求
1.一种抗蚀剂成分，包括UV固化树脂和添加剂；以及促使UV固化树脂和与该UV固化树脂接触的暴露层支架化学接合的附着力促进剂。
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂成分，其特征在于，所述附着力促进剂为环氧基化合物或者聚氨酯化合物其中之一。
3.根据权利要求1所述的抗蚀剂成分，其特征在于，所述UV固化树脂为选自由聚甲基丙烯酸甲酯树脂、丁基异丁酸酯树脂、聚氨酯丙烯酸树脂和聚乙烯醇树脂组成的组中的至少其中之一。
4.根据权利要求1所述的抗蚀剂成分，其特征在于，所述添加剂包括引发剂和耦合剂至少其中之一。
5.根据权利要求4所述的抗蚀剂成分，其特征在于，所述耦合剂为选自由γ-糖类丙氧基三甲基硅烷、氢硫基丙基三甲基硅烷以及甲基三甲基硅烷组成的组中的至少其中之一。
6.根据权利要求4所述的抗蚀剂成分，其特征在于，所述引发剂为选自由羟基酮化合物、氨基酮化合物、苯基乙醛酸化合物、酰基氧化膦化合物、苯基酮化合物以及IRGACURETM369、500、651和907组成的组中的至少其中之一。
7.根据权利要求1所述的抗蚀剂成分，其特征在于，所述UV固化树脂的含量占全部抗蚀剂成分重量百分比的50wt％到80wt％以内。
8.根据权利要求1所述的抗蚀剂成分，其特征在于，所述附着力促进剂的含量占全部抗蚀剂成分重量百分比的10wt％到20wt％以内。
9.一种用于形成抗蚀剂图案的方法，包括提供基板；在基板上形成抗蚀剂层；向抗蚀剂层提供具有预定图案的模具；随着将模具粘合到抗蚀剂层上而转印该模具的图案，形成初始抗蚀剂图案；通过硬化该初始抗蚀剂图案而形成抗蚀剂图案；以及从抗蚀剂图案上分离模具，其中抗蚀剂层的构成成分包括用于提高基板与抗蚀剂层之间的粘合强度的附着力促进剂。
10.根据权利要求9所述的形成抗蚀剂图案的方法，其特征在于，在硬化所述初始抗蚀剂图案的步骤中从所述模具向抗蚀剂图案照射UV光。
11.根据权利要求9所述的形成抗蚀剂图案的方法，其特征在于，在所述硬化初始抗蚀剂不同的步骤和分离模具的步骤之间还包括加热抗蚀剂图案的步骤。
12.根据权利要求11所述的形成抗蚀剂图案的方法，其特征在于，在腔室中执行加热抗蚀剂图案的步骤。
13.根据权利要求9所述的形成抗蚀剂图案的方法，其特征在于，在将具有预定图案的模具提供给所述抗蚀剂图案的步骤中，将其上形成有抗蚀剂层的基板设置在加热的台架上。
14.根据权利要求9所述的形成抗蚀剂图案的方法，其特征在于，在硬化初始抗蚀剂图案的步骤中将其上形成有初始抗蚀剂图案的基板设置在加热的台架上。
15.根据权利要求9所述的形成抗蚀剂图案的方法，其特征在于，所述附着力促进剂为环氧基化合物或者聚氨酯化合物其中之一。
16.根据权利要求9所述的形成抗蚀剂图案的方法，其特征在于，所述附着力促进剂的含量为全部抗蚀剂成分重量百分比的10wt％到20wt％以内。
17.一种滤色片阵列基板，包括基板；形成在基板上的黑矩阵和滤色片图案；以及设置在黑矩阵和滤色片图案上方并具有凸出部分的涂敷图案，其中所述涂敷图案由包括附着力促进剂的成分形成，所述附着力促进剂用于提高黑矩阵和滤色片图案至少其中之一与所述涂敷图案之间的粘合强度。
18.一种用于形成滤色片阵列基板的方法，包括提供基板；在基板上形成黑矩阵；在形成有黑矩阵的基板上形成滤色片图案；通过在所述黑矩阵和滤色片图案上方涂敷一成分而形成涂敷层；随着将具有预定图案的模具与所述涂敷层粘合而形成具有凸出部分的涂敷图案；以及将模具和涂敷图案分离，其中所述成分包括附着力促进剂，所述附着力促进剂用于提高黑矩阵和滤色片图案至少其中之一与所述涂敷图案之间的粘合强度。
19.一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板；形成在基板上的薄膜晶体管；具有暴露部分薄膜晶体管的接触孔并覆盖所述薄膜晶体管的钝化图案；以及通过接触孔与所述薄膜晶体管电连接的像素电极，其中所述钝化图案由包括附着力促进剂的成分形成，所述附着力促进剂用于提高钝化图案与包括薄膜晶体管的基板之间的粘合强度。
20.一种用于制造薄膜晶体管阵列基板的方法，包括提供基板；在该基板上形成薄膜晶体管；通过向基板涂敷一成分而在包括薄膜晶体管的基板上方形成钝化层；随着将具有预定图案的模具与所述钝化层粘合而形成具有暴露部分薄膜晶体管的接触孔的钝化图案；将所述模具与所述钝化图案分离；以及在所述钝化图案上形成通过接触孔与所述薄膜晶体管电连接的像素电极，其中所述成分包括附着力促进剂，所述附着力促进剂用于提高钝化图案与包括薄膜晶体管的基板之间的粘合强度。
全文摘要
本发明公开了一种用于压印光刻工艺的抗蚀剂成分、采用该抗蚀剂成分形成抗蚀剂图案的方法、采用其制造的阵列基板以及制造该阵列基板的方法。由于在该抗蚀剂成分中包括UV固化树脂、添加剂以及促使与UV固化树脂接触的暴露层的化学接合的附着力促进剂，该抗蚀剂成分可以形成高分辨率的图案并且提高了模具的耐用性。
文档编号G02F1/1335GK101063816SQ20071009117
公开日2007年10月31日 申请日期2007年4月12日 优先权日2006年4月25日
发明者金珍郁, 南姸熙 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社