铜及铜合金的蚀刻液组合物及蚀刻方法

专利名称：铜及铜合金的蚀刻液组合物及蚀刻方法
技术领域：
本发明涉及在平板显示器等的制造中所使用的、对铜及以铜作为主要成分的铜合金的金属层压膜进行蚀刻的蚀刻液组合物，以及使用该蚀刻液的蚀刻方法。
背景技术：
以往，使用铝薄膜作为液晶显示装置的精细配线材料，但是，作为平板显示器的驱动晶体管电极(駆動卜’ >^7>電極)以及精细图案，为了形成为线宽在数微米以下，直到最近才开始使用铜或以铜为主要成分的铜合金。由此，适用平板制造、线宽在数微米以下的铜薄膜的蚀刻技术，至今受到限制。使用铜薄膜作为电极的情况中，铜不是以单层使用，而是需要将T1、Mo、MoTi等金 属作为附着层、阻挡层使用，从而提高与玻璃基板之间的附着性，阻挡铜的扩散。在这种情况下，一般地，试验了将 Ti/Cu/T1、Cu/T1、Mo/Cu/Mo、Cu/Mo、MoTi/Cu/MoT1、Cu/MoTi 等层压膜作为电极使用，也研究了各种膜的蚀刻方法。专利文献I中，记载了过氧化氢溶液-乙酸体系的蚀刻液作为铜单一膜或铜钥多重膜的蚀刻液，但是存在过氧化氢-乙酸体系中浓度变化和蚀刻率随时间的变化较大、难以控制的问题。另外，过氧化氢溶液的液体使用期限较短，为了使性能稳定化，需要在前处理中溶入铜，并且蚀刻后的废液由于过氧化氢溶液的分解而产生气体，存放着的容器存在爆炸的危险。并且，过氧化氢溶液体系经常用于Cu/Ti和Cu/Mo层压膜的一并蚀刻，由于含有氟而会腐蚀玻璃，使得玻璃基板无法再利用，导致材料成本增加。在现有的用作配线材料的铝膜的蚀刻中所使用的磷酸-硝酸-乙酸体系能够溶解铜膜，但是由于具有液体容易浸入保护层/Cu之间，保护层下的铜蚀刻容易进行，并且喷射流量越高，蚀刻率越低的特点，因此存在难以用于喷射装置的问题。进一步，用于例如Cu/Mo等层压膜的话，由于层压膜层间的腐蚀电位差而影响电池的效果，从而一侧的金属极易溶解，难以得到良好的图案形状。专利文献2中记载，对于氯化铜-盐酸体系和氯化铁-盐酸体系的蚀刻液具有在铜的截面形状基本垂直并且在下层存在铜合金的情况下，由于蚀刻率比铜要高，下层发生蚀刻，从而容易形成倒锥形形状(即锥角为90° 180° )等问题。另外，专利文献2 专利文献5中，讨论了通过含有过硫酸盐的蚀刻液对铜单层及Cu/Ti或Cu/Mo等层压膜进行蚀刻。最近，研发了含有铜合金的层压膜，用作代替Cu/Ti或Cu/Mo层压膜的层压膜。与使用不同种类金属膜的现有层压膜不同，这些层压膜是铜层和铜合金层的层压膜，具有不仅作为基层膜的性能优异，而且在成膜过程中可以对层压的各层在同一装置中成膜的优点。但是，对于含有铜层和铜氧化物层和/或铜合金层的层压膜进行高效蚀刻的方法以及用于该方法的蚀刻液，几乎未进行研究。专利文献6中，揭示了具有铜氧化物层和铜合金氧化物层的层压膜的、含有过氧化物和有机酸的蚀刻液，作为过氧化物公开了过硫酸或过硫酸盐。但是，在含有过硫酸或过硫酸盐与有机酸的组成中，在有机酸的影响下铜的溶解度大幅降低，导致难以调整至目的处理时间。为此，需要增加过硫酸或过硫酸盐的量来促进溶解度，但是倘若将它们进行增量，蚀刻液容易进入保护层与铜或铜合金之间，发生保护层剥离，难以形成图案。实际上，专利文献6中记载的实施例中，配制由过硫酸铵、乙酸和乙酸铵构成的组成来进行铜/铜合金基板的蚀刻后，由于在铜蚀刻结束前保护层剥离，因此无法形成图案。考虑到能够使用专利文献6中记载的组成来处理基板，是因为基板为CuMg/CuMgO基板的铜合金/铜合金的基板，铜合金为溶解度比铜高的层压膜，因此能够一并处理。另外，考虑到铜合金/铜合金与铜/铜合金的基板相比，由于溶解度近似因此易于一并处理。如上，由于铜/铜合金层压膜中蚀刻特性(溶解度)不同，因此即使使用公知的蚀刻液也得不到期望的形状。专利文献1:日本特开2004-193620号公报专利文献2 :日本特开2010-87213号公报 专利文献3 :日本特开2010-265547号公报专利文献4 :日本专利第3974305号公报专利文献5 :日本特开平11-140669号公报专利文献6 :日本特开2010-265524号公报S卩，本发明的技术问题是提供一种在含有铜和铜合金的层压膜的蚀刻中，能够对层压膜的一并蚀刻的重要因素进行控制的蚀刻液组合物。

发明内容
本发明的发明人为了解决上述问题，经过反复仔细研究发现，对于将铜薄膜和以铜为主要成分的铜合金作为附着层、阻挡层的金属层压膜，使用在过硫酸盐和/或过硫酸溶液中添加了磷酸和硝酸和/或硫酸的蚀刻液组合物进行蚀刻，可得到了良好的截面形状，进一步进行研究从而完成了本发明。即，本发明涉及以下内容。(I) 一种蚀刻液组合物，用于蚀刻金属层压膜，所述金属层压膜含有铜层以及铜氧化物层和/或铜合金层(但不包括铜与钥形成的铜合金、铜与钛形成的铜合金、铜与铬形成的铜合金)，所述蚀刻液组合物含有0.1 80重量％的过硫酸盐溶液和/或过硫酸溶液、0.1 80重量％的磷酸以及0.1 50重量％的硝酸和/或硫酸。(2)根据上述(I)记载的蚀刻液组合物，其特征在于，过硫酸盐溶液为含有过氧单硫酸钾、过氧硫酸氢钾(KHSO5)、过氧二硫酸铵或过氧二硫酸钾中的一种或两种以上的水溶液。(3)根据上述(I)或(2)记载的蚀刻液组合物，其特征在于，所述过硫酸盐溶液和/或过硫酸溶液含有过氧硫酸氢钾(KHSO5)。(4)根据上述⑴ (3)中任一项记载的蚀刻液组合物，其特征在于，所述过硫酸溶液含有过氧单硫酸钾、过氧硫酸氢钾(KHSO5)、过氧二硫酸铵或过氧二硫酸钾中的一种或两种以上,并且活性氧为0. 01 5重量％。(5)根据上述⑴ ⑷中任一项记载的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物不含有硝酸。
(6)根据上述(I) (5)中任一项记载的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物进一步含有0. 00001 30重量％的氯离子。(7)根据上述⑴ (6)中任一项记载的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物进一步含有0.1 50重量％的铵离子。(8)根据上述⑴ (7)中任一项记载的蚀刻液组合物，其中所述金属层压膜为铜/铜合金、或铜合金/铜/铜合金的层结构，铜合金与基板接触。(9)根据上述⑴ ⑶中任一项记载的蚀刻液组合物，其中铜合金为铜-镁-铝或铜-镁-铝氧化物。(10)根据上述⑴ (9)中任一项记载的蚀刻液组合物，其中所述蚀刻液组合物用于在平板显示器中蚀刻驱动晶体管电极。 (11) 一种蚀刻方法，所述蚀刻方法为含有铜层以及铜氧化物层和/或铜合金层(但不包括铜与钥形成的铜合金、铜与钛形成的铜合金、铜与铬形成的铜合金)的金属层压膜的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括使用上述(I) (10)中任一项记载的蚀刻液组合物进行蚀刻的工序。(12)根据上述(11)记载的蚀刻方法，其中所述金属层压膜为铜/铜合金、或铜合金/铜/铜合金的层结构，铜合金与基板接触。(13)根据上述(11)或(12)记载的蚀刻方法，其中铜合金为铜-镁-铝或铜-镁-铝氧化物。(14)根据上述(11)至(13)中任一项记载的蚀刻方法，其中，所述方法用于在平板显示器中蚀刻驱动晶体管电极。根据上述结构，本发明的蚀刻方法对于铜以及铜氧化物和/以铜为主要成分的铜合金的金属层压膜，即使在线宽0. 5 5 y m的金属薄膜精细图案情况下，也能够以良好的精度进行蚀刻加工。只使用过硫酸盐和/或过硫酸溶液的话，由于截面形状成为垂直状、截面的表面粗糙的问题以及下层的铜合金溶解度低而存在下层容易变成突出形状的问题，而在本发明的蚀刻液组合物中，过硫酸盐和/或过硫酸溶液、磷酸以及硝酸和/或硫酸的相互作用，能够将含有铜层以及铜氧化物层和/或铜合金层的金属层压膜蚀刻为良好的正锥形(即锥角为0° 90° )。另外，能够控制蚀刻率和锥角，可进行能抑制侧蚀和残渣产生的面内均匀性高的蚀刻。进一步，采用浸溃式或喷射式也能得到良好的截面形状，在喷射式的情况下，随着喷射流量增加，蚀刻率升高，因此便于使用的实用性优异。特别地，铜合金为铜-镁-铝(Cu-Mg-Al)或铜-镁-铝氧化物(Cu-Mg-Al-O)的层压膜，从附着性和阻挡性的观点出发，本发明的发明人最关注的是铜层压膜，从而出色完成了利用本发明的蚀刻液组合物通过蚀刻形成精细的图案。


图1为实施例1 8中蚀刻处理后的基板截面的SEM照片；图2为实施例9 19中蚀刻处理后的基板截面的SEM照片；图3为实施例20 36中蚀刻处理后的基板截面的SEM照片；
图4为实施例54中蚀刻处理后膜厚不同的两种基板截面的SEM照片；图5为实施例55 58中蚀刻处理后的基板截面的SEM照片；图6为实施例59 62中蚀刻处理后的基板截面的SEM照片；图7为实施例63 66中蚀刻处理后的基板截面的SEM照片；图8为实施例67及比较例I中蚀刻处理后的基板截面的SEM照片。
具体实施例方式本发明的一方面为一种用于蚀刻金属层压膜的蚀刻液组合物，所述金属层压膜含 有铜层以及铜氧化物层和/或铜合金层(但不包括铜与钥形成的铜合金、铜与钛形成的铜合金、铜与铬形成的铜合金)，所述蚀刻液组合物含有0.1 80重量％的过硫酸盐溶液和/或过硫酸溶液、0.1 80重量％的磷酸以及0.1 50重量％的硝酸和/或硫酸。本发明中的铜合金是以铜为主要成分且含有铜及任意金属的铜合金，包括铜合金氧化物。优选地，含有80原子百分比以上的铜，可以举出Cu-Ca、Cu-Mg、Cu-Ca-O、Cu-Mg-O、Cu-Al、Cu-Zr, Cu-Mn, Cu-N1-B, Cu-Mn-B, Cu-N1-B, Cu-S1、Cu-Mg-B, Cu-T1-B, Cu-Mo-B,Cu-Al-B, Cu-S1-B, Cu-Mg-Al, Cu-Mg-Al-O等。但不包括铜与钥形成的铜合金、铜与钛形成的铜合金、铜与铬形成的铜合金。特别是Cu-Mg-Al和Cu-Mg-Al-O能够得到良好的形状而优选。本发明中的金属层压膜含有铜层和铜氧化物层和/或铜合金层(但不包括铜与钥形成的铜合金、铜与钛形成的铜合金、铜与铬形成的铜合金)。层压典型地为两层基板，但为三层以上时也可以一并进行蚀刻。典型地，两层基板为铜/铜合金的层结构，三层基板为铜合金/铜/铜合金的层机构，为任意的铜合金与基板接触的层结构。这里，基板并不限于此，可以含有玻璃、硅、陶瓷、聚酰亚胺等作为绝缘材料或半导体期望在其表面形成图案的所有材料，优选为玻璃或硅。本发明中，过硫酸溶液是指含有例如过氧单硫酸盐和/或过氧二硫酸盐等过硫酸盐的水溶液，过硫酸盐可以举出过氧单硫酸钾、过氧硫酸氢钾(KHSO5)、过氧单硫酸钠(NaHSO5)、过氧二硫酸铵((NH4)2S2O8)、过氧二硫酸钾(K2S2O8)、过氧二硫酸钠(Na2S2O8)等,但不限于此。基于溶解度的观点，过硫酸盐溶液优选含有过氧单硫酸钾、过氧二硫酸铵((NH4)S2O8)及过氧硫酸氢钾(KHSO5)的水溶液。术语“过氧单硫酸钾”一般地用于商业交易中，本说明书中用于表示混合三聚盐2KHS05 KHSO4 K2S04。术语“KHS05”在本说明书中特别用于表示过氧硫酸氢钾。过氧单硫酸钾以商品名才々〃 > (过氧单硫酸钾)而周知，这种过硫酸盐的溶液稳定性高，这一点是尤其优选的。本发明中，过硫酸溶液是指含有过氧单硫酸钾、过氧硫酸氢钾(KHSO5)、过氧单硫酸钠(NaHSO5)、过氧二硫酸铵((NH4) 2S208)、过氧二硫酸钾(K2S2O8)、过氧二硫酸钠(Na2S2O8)等过硫酸盐，活性氧为0. 01 5重量％、优选为0. 3 3重量％、更优选为0. 5 2重量％的水溶液。作为固体的过氧单硫酸钾具有5. 2%的理论活性氧含量，市售的固体三聚盐具有约4. 7%的典型活性氧含量。认识到由于少量杂质、少量添加剂以及制造过程中的变动，市售的过氧单硫酸钾的纯度为95 98%。“活性氧”定义为超出形成对应硫酸氢盐所需氧量的过氧单硫酸钾三聚盐中的氧量。这可通过过氧单硫酸钾分解的反应式以百分率计算。反应式IKHSO5 — KHSO4+

活性氧％ = (
的重量X 100) /KHSO5的重量式中，
为由于所示的分解而游离的氧。在应用于给出的反应式时，KHS05的重量被使用杂质材料的样品的重量代替。当然，活性氧可以通过多种反应，例如由定量的碘化钾产生的碘的置换来确定。(活性氧的测定)活性氧的测定方法按照日本特表2009-539740来进行，用标准的碘滴定来确定。将待分析样品用冷去离子水稀释、酸化，用碘化钾处理，用标准化0.1N硫代硫酸钠试剂、通过淀粉指示剂目测终点进行滴定。活性氧含量计算如下。 活性氧*%= (mL滴定液X当星浓度滴定液X0. 8)/(g样品)同样，KHSO5^的浓度可通过如下计算。KHSO5^=活性氧％/0. 105过硫酸盐和/或过硫酸溶液的浓度为0.1 80重量％，优选地为5 35重量％。只要在上述范围内，则可以通过与其他成分的组合来分别控制蚀刻率和侧蚀，但是小于或大于上述范围的情况下，蚀刻率变成极低或极高的状态，因而难以控制。本发明的蚀刻液组合物含有磷酸。磷酸的浓度为0.1 80重量％、优选为5 50重量％。磷酸小于或大于上述范围的情况下，面内均匀性变差，侧蚀容易变大，仅其他成分时控制困难。可以含有硝酸或硫酸中的任意一种或者两者都含有。优选含有硫酸的蚀刻液。含有硝酸和硫酸两者的情况下浓度总计为0.1 50重量％，优选为含有硝酸I 20重量％且硫酸为I 30重量％。仅含有硫酸的情况下，硫酸的浓度为0.1 50重量％，优选为I 30重量％。本发明的一个实施方式中，本发明的蚀刻液组合物不含有硝酸。过硫酸溶液、磷酸和硫酸的组成与过硫酸溶液、磷酸和硝酸的组成相比，硫酸离子较多，因此能够提高过硫酸盐的阴离子的溶液稳定性。另外，还具有这样的优点，即使过硫酸溶液为碱性时，添加硝酸时，蚀刻率的变动较少，但由于添加磷酸时高速化，添加硫酸时低速化，通过调节磷酸和硫酸的量，可以容易控制蚀刻率。本发明的实施方式中，本发明的蚀刻液组合物还可以含有氯离子。氯离子可以通过添加溶于水后易生成氯离子的化合物或盐酸等从而存在于蚀刻液组合物中。产生氯离子的化合物，可以举出氯化锌、氯化锌铵、氯化铝、氯化铵、氯化钴(II)、氯化铜(II)、氯化钯、异丁基氯、异丙基氯、氯化铟(III)、氯乙烯、油酰氯、氯化钾、氯化钙、氯化银、氯化铬(II)、氯化钴(II)、氯化胆碱、氯化锆(IV)、氯化汞(I)、氯化锡(IV)、氯化锡(II)、氯化锡(VI)、氯化锶、氯化铯、氯化铈(III)、氯化钨(VI)、氯化钽(V)、氯化钛(IV)、氯化钛(III)、氯化铁(II)、氯化铁(III)、四乙基氯化铵、氯化铜(I)、氯化铜(II)、氯化钠、氯化铅(II)、氯化镍(II)、氯化钼(II)、氯化钼(IV)钾、氯化钡、氯化钯(II)、二氯甲烷、二氯乙烷、氯化锂等。特别是基于酸性溶液中的溶液稳定性和精细加工部的润湿性的观点而优选盐酸。发现了氯离子对铜合金的溶解速度特别有贡献，可以控制速度和锥角。另外，氯离子在水溶液中的移动速度高，因此促进被加工物表面的均匀溶解，提高面内均匀性，并且也抑制侧蚀。氯离子的浓度可以根据铜合金的膜种类和膜厚进行适当设定，可以为0. 00001 30重量％、优选为0. 00003 2重量％、进一步优选为0. 00003 0. 05重量％，但不限于此。氯离子小于上述范围时几乎没有提高面内均匀性的效果，大于上述范围时，铜合金的溶解速度比铜快，因此存在截面形状变差的倾向。进一步地，容易生成被认为是氯化亚铜的残渣。这认为是由于氯与铜表面反应，在铜表面形成难以溶解的氯化亚铜，该氯化亚铜阻碍蚀亥IJ。然而，本发明的蚀刻液组合物通过添加铵离子，可抑制生成氯化亚铜，可以控制残渣的产生。铵离子可通过添加在水溶解容易产生铵离子的化合物而存在于蚀刻液组合物中。生成铵离子的化合物，可以举出磷酸氢二铵、氨基硫酸、氯化锌铵、氯化铵、氯化铵钴(II)、氯化铵铜(II)、氯化铵钯(II)、四乙基氯化铵、四丁基氯化铵、四丙基氯化铵、羟基氯化铵、过氯酸铵、过碘酸铵、甲酸铵、朽1檬酸铵、朽1檬酸铵铁(III)、朽1檬酸一铵、朽1檬酸三铵、朽1檬 酸氢二铵、柠檬酸铁(III)铵、柠檬酸二氢铵、乙酸铵、四硼酸铵、溴化铵、草酸铵、草酸氢铵、草酸铁(III)铵、酒石酸铵、硝酸铵、硝酸铵铈(IV)、四乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、碳酸氢铵、碳酸铵、硫代硫酸铵、三氟乙酸铵、乳酸铵、氟化氢铵、硼酸铵、碘化铵、硫酸铵、硫酸铵铝、硫酸铵铬(III)、硫酸铵钴(II)、硫酸铵铁
(II)、硫酸铵铁(III)、硫酸铵铜(II)、硫酸铵镍(II)、硫酸铵镁、硫酸铵锰(II)、磷酸一铵、磷酸三铵、磷酸氢铵纳和磷酸二氢铵等，特别地从溶解度的观点考虑，优选磷酸二氢铵和磷酸氢二铵。铵离子的浓度可根据铜合金的膜种类和膜厚、以及过硫酸溶液和硝酸、硫酸、氯离子的浓度进行适当设定，为0.1 50重量％、优选为I 5重量％，但不限于此。铵离子的浓度小于上述范围时，添加氯离子时引起的残渣生成抑制、对铜合金溶解速度的控制变难，大于上述范围是时，铜合金的溶解速度过低，截面形状容易变差。通过调整氯离子和铵离子的浓度，可以控制铜和铜合金的溶解速度，利用这一点可以容易地控制锥角。锥角的范围是20 100度，优选30 60度。进一步，氯离子和铵离子在三层基板的蚀刻中特别有效。即，在三层基板的情况下，液体向保护层/铜合金之间浸入显著，与两层基板相比存在锥角变小的问题，但是通过添加氯离子和铵离子，可以调整保护层/铜合金之间、以及铜合金/玻璃之间的液体浸入，能够控制三层基板的锥角。本发明的蚀刻液组合物中，为了改善进行蚀刻的面的润湿性，可以进一步含有一种或一种以上的表面活性剂。表面活性剂优选为阴离子类或非离子类。通过使用本发明的蚀刻液组合物，不使用过氧化氢溶液或氟化合物而进行单纯的蚀刻处理，由此可以安全地进行高精度蚀刻。另外，不需要如使用过氧化氢水溶液的组成那样，为了使铜的蚀刻率稳定而在基板处理前溶入铜。进一步地，不含有有机酸也能进行蚀亥IJ，因此无需考虑保护层剥离等问题。本发明的蚀刻液组合物也可使用过硫酸盐和/或过硫酸溶液、磷酸、硝酸、硫酸、氯离子和铵离子配制补给液，例如对于蚀刻率的下降率，即使只添加必要量的过硫酸溶液，也能延长溶液的使用期限，但根据情况，同时添加其他成分的话，则可进一步延长溶液的使用期限。由此，可以降低使用成本。
本发明的另一个方面涉及一种蚀刻方法，所述蚀刻方法为含有铜层以及铜氧化物层和/或铜合金层(但不包括铜与钥形成的铜合金、铜与钛形成的铜合金、铜与铬形成的铜合金)的金属层压膜的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括使用含有0.1 80重量％的过硫酸盐溶液和/或过硫酸溶液、0.1 80重量％的磷酸以及0.1 50重量％的硝酸和/或0.1 50重量％的硫酸的蚀刻液组合物进行蚀刻的工序。根据本发明的蚀刻方法，由于铜和铜合金的溶解速度因温度而不同，所以利用这一点改变温度，能够控制锥角。优选的温度基于蚀刻装置可设定的温度条件的观点，为20 80°C，更优选温度为25 40°C。本发明的蚀刻液组合物以及蚀刻方法，在含有新的铜合金、即铜-镁-铝合金和/或铜-镁-铝氧化物合金的层压膜中，显示出特别优异的蚀刻特性。这里，铜-镁-铝合金中，优选为由0.1 10. 0原子％ Mg、0.1 10. 0原子％ Al、残余Cu和不可避免的杂质形成的靶材进行溅射而得到的合金，是配线膜用的Cu合金膜。铜-镁-铝氧化物合金为通过在
0.1 20%的氧分压条件下溅射前述靶材而得到的合金。铜-镁-铝氧化物合金形成的膜不会发生由于在平板显示器的制造过程中的TFT制造过程中进行的氢等离子处理而还原氧化膜,从而附着性恶化的问题(ULVAC TECHNICAL JOUNAL No. 71 2009 P24 28页)。本发明的一个实施方式中，本发明蚀刻液组合物以及蚀刻方法涉及在平板显示器中用于蚀刻驱动晶体管电极的蚀刻液组合物以及蚀刻方法。实施例以下举出实施例和比较例详细说明本发明，但是本发明并不由于这些实施例而受到任何限制，可以在不改变其主旨的范围内进行适当变更。实施例1 53玻璃基板上对500AJ莫厚的Cu合金(Cu-Mg-Al)、3000AJ莫厚的Cu进行成膜之后，形成保护层图案，在表I 4所示的蚀刻液中在液体温度30°C下以适量蚀刻时间的1. 5倍的时间进行浸溃。然后，水洗，干燥，评估残渣。而且，过硫酸溶液使用杜邦公司生产的LD100 (以KHSO5为主要成分的溶液)。结果如表I 4所不。并且，图1 图3分别不出了表I 表3的SEM写真。[表 I]各种组成的评价结果[J. E. T. X1. 5]Cu/CuMgAl 基板
权利要求
1.一种蚀刻液组合物，用于蚀刻金属层压膜，所述金属层压膜含有铜层以及铜氧化物层和/或铜合金层，所述铜合金层不包括铜与钥形成的铜合金、铜与钛形成的铜合金、铜与铬形成的铜合金，所述蚀刻液组合物含有O.1 80重量％的过硫酸盐溶液和/或过硫酸溶液、O.1 80重量％的磷酸以及O.1 50重量％的硝酸和/或硫酸。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述过硫酸盐溶液为含有过氧单硫酸钾、过氧硫酸氢钾、过氧二硫酸铵或过氧二硫酸钾中的一种或两种以上的水溶液。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述过硫酸盐溶液和/或过硫酸溶液含有过氧硫酸氢钾。
4.根据权利要求1或2所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述过硫酸溶液含有过氧单硫酸钾、过氧硫酸氢钾、过氧二硫酸铵或过氧二硫酸钾中的一种或两种以上，并且活性氧为O.01 5重量％。
5.根据权利要求1或2所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物不含有硝酸。
6.根据权利要求1或2所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物进一步含有O. 00001 30重量％的氯离子。
7.根据权利要求1或2所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物进一步含有O.1 50重量％的铵离子。
8.根据权利要求1或2所述的蚀刻液组合物，其中金属层压膜为铜/铜合金、或铜合金/铜/铜合金的层结构，铜合金与基板接触。
9.根据权利要求1或2中任一项所述的蚀刻液组合物，其中铜合金为铜-镁-铝或铜1-镁-铝氧化物。
10.根据权利要求1或2所述的蚀刻液组合物，其中所述蚀刻液组合物用于在平板显示器中蚀刻驱动晶体管电极。
11.一种蚀刻方法，所述蚀刻方法为含有铜层以及铜氧化物层和/或铜合金层的金属层压膜的蚀刻方法，所述铜合金层不包括铜与钥形成的铜合金、铜与钛形成的铜合金、铜与铬形成的铜合金，所述蚀刻方法包括使用权利要求1至10中任一项所述的蚀刻液组合物进行蚀刻的工序。
12.根据权利要求11所述的蚀刻方法，其中金属层压膜为铜/铜合金、或铜合金/铜/铜合金的层结构，铜合金与基板接触。
13.根据权利要求11或12所述的蚀刻方法，其中铜合金为铜-镁-铝或铜-镁-铝氧化物。
14.根据权利要求11或12所述的蚀刻方法，其中，所述方法用于在平板显示器中蚀刻驱动晶体管电极。
全文摘要
本发明的目的在于提供一种蚀刻液组合物以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。所述蚀刻液组合物以良好的精度对含有铜层以及铜氧化物层和/或铜合金层的金属层压膜进行蚀刻加工，形成优异的截面形状，并且实用性优异，稳定因而使用期限较长。本发明涉及一种蚀刻液组合物及蚀刻方法。所述蚀刻液组合物用于蚀刻含有铜层以及铜氧化物层和/或铜合金层的金属层压膜，且所述蚀刻液组合物含有0.1～80重量％的过硫酸盐溶液和/或过硫酸溶液、0.1～80重量％的磷酸以及0.1～50重量％的硝酸和/或硫酸，通过进一步添加氯离子和铵离子，能够容易地控制蚀刻率和截面形状。
文档编号H01L21/3213GK102995021SQ20121033050
公开日2013年3月27日 申请日期2012年9月7日 优先权日2011年9月8日
发明者高桥　秀树 申请人:关东化学株式会社